JPH1041104A - 正特性サーミスタ素体および正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタ素体および正特性サーミスタInfo
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- JPH1041104A JPH1041104A JP8338573A JP33857396A JPH1041104A JP H1041104 A JPH1041104 A JP H1041104A JP 8338573 A JP8338573 A JP 8338573A JP 33857396 A JP33857396 A JP 33857396A JP H1041104 A JPH1041104 A JP H1041104A
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- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
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- H—ELECTRICITY
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
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Abstract
(57)【要約】
【課題】フラッシュ耐圧が大きくなり、且つＰmax が小
さくなる正特性サーミスタ素体および正特性サーミスタ
を提供することにある。 【解決手段】正特性サーミスタ素体は、正の抵抗温度特
性を有するセラミック体の厚さはその主面の周縁部全周
が中央部に比べて厚い。そして、正特性サーミスタは、
前記正の抵抗温度特性を有するセラミック素体の両主面
に電極が形成されている。
さくなる正特性サーミスタ素体および正特性サーミスタ
を提供することにある。 【解決手段】正特性サーミスタ素体は、正の抵抗温度特
性を有するセラミック体の厚さはその主面の周縁部全周
が中央部に比べて厚い。そして、正特性サーミスタは、
前記正の抵抗温度特性を有するセラミック素体の両主面
に電極が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、正特性サーミスタ
素体および正特性サーミスタに関し、特に、過電流保護
回路、消磁回路、モータ起動回路等の回路に用いられ、
フラッシュ耐圧の大きな正特性サーミスタ素体および正
特性サーミスタに関するものである。
素体および正特性サーミスタに関し、特に、過電流保護
回路、消磁回路、モータ起動回路等の回路に用いられ、
フラッシュ耐圧の大きな正特性サーミスタ素体および正
特性サーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の正特性サーミスタ１２１は、図１
３に示されるように、板状のサーミスタ素体１２２の両
主面にオーミック性の電極１２３、１２４が形成された
ものである。
３に示されるように、板状のサーミスタ素体１２２の両
主面にオーミック性の電極１２３、１２４が形成された
ものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
正特性サーミスタ１２１に電圧を印加すると、印加直後
は正特性サーミスタ１２１が低抵抗であるため、突入電
流が多く流れて、正特性サーミスタ１２１が高温になり
主面と略平行な面で割れる層状割れという現象が発生す
る（正特性サーミスタに突入電流を流したとき、正特性
サーミスタが層状割れに至る直前の電圧をフラッシュ耐
圧と呼ぶ）。特に、正特性サーミスタ１２１を小型化す
ると、フラッシュ耐圧が小さくなるという問題点を有し
ていた。
正特性サーミスタ１２１に電圧を印加すると、印加直後
は正特性サーミスタ１２１が低抵抗であるため、突入電
流が多く流れて、正特性サーミスタ１２１が高温になり
主面と略平行な面で割れる層状割れという現象が発生す
る（正特性サーミスタに突入電流を流したとき、正特性
サーミスタが層状割れに至る直前の電圧をフラッシュ耐
圧と呼ぶ）。特に、正特性サーミスタ１２１を小型化す
ると、フラッシュ耐圧が小さくなるという問題点を有し
ていた。
【０００４】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、フラッシュ耐圧が大きい正特性サー
ミスタ素体および正特性サーミスタを提供することにあ
る。
くなされたもので、フラッシュ耐圧が大きい正特性サー
ミスタ素体および正特性サーミスタを提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の正特性サーミスタ素体においては、正の抵
抗温度特性を有するセラミック体の厚さはその主面の周
縁部全周が中央部に比べて厚い。具体的には、前記正の
抵抗温度特性を有するセラミック体の主面の周縁部全周
に凸部を有している。さらには、前記正の抵抗温度特性
を有するセラミック体の周縁部又は前記凸部にこのセラ
ミック体の厚み方向に溝が形成されている。また、前記
正の抵抗温度特性を有するセラミック体の厚さがその周
縁部から中央部に向かって順次薄くなっている。また
は、前記正の抵抗温度特性を有するセラミック体の厚さ
がその周縁部から中央部に向かって階段状に薄くなって
いる。それら前記正の抵抗温度特性を有するセラミック
体の周縁の角部が丸みを帯びている。
に、本発明の正特性サーミスタ素体においては、正の抵
抗温度特性を有するセラミック体の厚さはその主面の周
縁部全周が中央部に比べて厚い。具体的には、前記正の
抵抗温度特性を有するセラミック体の主面の周縁部全周
に凸部を有している。さらには、前記正の抵抗温度特性
を有するセラミック体の周縁部又は前記凸部にこのセラ
ミック体の厚み方向に溝が形成されている。また、前記
正の抵抗温度特性を有するセラミック体の厚さがその周
縁部から中央部に向かって順次薄くなっている。また
は、前記正の抵抗温度特性を有するセラミック体の厚さ
がその周縁部から中央部に向かって階段状に薄くなって
いる。それら前記正の抵抗温度特性を有するセラミック
体の周縁の角部が丸みを帯びている。
【０００６】本発明の正特性サーミスタにおいては、前
記正の抵抗温度特性を有するセラミック素体の両主面に
電極が形成されている。特定的には、前記電極は下層電
極と上層電極からなり、下層電極が前記正の抵抗温度特
性を有するセラミック体の両主面全面に形成される。ま
た、前記上層電極はその周縁部で下層電極が露出するよ
うに前記下層電極より小さな平面積からなるようにされ
る。また、前記上層電極は前記正の抵抗温度特性を有す
るセラミック体の周縁部又は凸部を除く中央部に対応す
る両主面に形成される。さらに、前記下層電極はニッケ
ルを主成分とする金属からなり、前記上層電極は銀を主
成分とする金属からなる。
記正の抵抗温度特性を有するセラミック素体の両主面に
電極が形成されている。特定的には、前記電極は下層電
極と上層電極からなり、下層電極が前記正の抵抗温度特
性を有するセラミック体の両主面全面に形成される。ま
た、前記上層電極はその周縁部で下層電極が露出するよ
うに前記下層電極より小さな平面積からなるようにされ
る。また、前記上層電極は前記正の抵抗温度特性を有す
るセラミック体の周縁部又は凸部を除く中央部に対応す
る両主面に形成される。さらに、前記下層電極はニッケ
ルを主成分とする金属からなり、前記上層電極は銀を主
成分とする金属からなる。
【０００７】これにより、正特性サーミスタ素体および
正特性サーミスタのフラッシュ耐圧及びＰmax を向上さ
せることができるものである。
正特性サーミスタのフラッシュ耐圧及びＰmax を向上さ
せることができるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明による第１の実施の形態の
正特性サーミスタ素体について、図１にもとづいて詳細
に説明する。正特性サーミスタ素体１は、チタン酸バリ
ウムを主成分とする正特性サーミスタ用セラミック原料
を、成形、焼結してなるものである。その形状は、略板
状であって、その両主面の周縁部全周に凸部２、３が形
成されており、この凸部２、３によって囲まれた両主面
の中央部に凹部４、５が形成されている。
正特性サーミスタ素体について、図１にもとづいて詳細
に説明する。正特性サーミスタ素体１は、チタン酸バリ
ウムを主成分とする正特性サーミスタ用セラミック原料
を、成形、焼結してなるものである。その形状は、略板
状であって、その両主面の周縁部全周に凸部２、３が形
成されており、この凸部２、３によって囲まれた両主面
の中央部に凹部４、５が形成されている。
【０００９】正特性サーミスタは、正特性サーミスタ素
体１の両主面に、例えばオーミック性のＩｎ−Ｇａ、Ａ
ｌ、Ａｇを主成分とする電極が形成されて得られる。
体１の両主面に、例えばオーミック性のＩｎ−Ｇａ、Ａ
ｌ、Ａｇを主成分とする電極が形成されて得られる。
【００１０】
【実施例１】本発明による正特性サーミスタの実施例１
として、図２に示されるように、外径がφ８．２ｍｍ、
凸部の厚さＴが４ｍｍ、凸部の幅ｈが１ｍｍ、凹部の厚
さｔが３ｍｍの略円板状の正特性サーミスタ素体１を準
備し、両主面にＩｎ−Ｇａからなる電極７、８を形成し
て、正特性サーミスタ６を得た。この正特性サーミスタ
６のフラッシュ耐圧を測定した結果を表１に記す。な
お、この正特性サーミスタ６はキュリー温度が１２０
℃、常温における抵抗値が２３Ωであった。
として、図２に示されるように、外径がφ８．２ｍｍ、
凸部の厚さＴが４ｍｍ、凸部の幅ｈが１ｍｍ、凹部の厚
さｔが３ｍｍの略円板状の正特性サーミスタ素体１を準
備し、両主面にＩｎ−Ｇａからなる電極７、８を形成し
て、正特性サーミスタ６を得た。この正特性サーミスタ
６のフラッシュ耐圧を測定した結果を表１に記す。な
お、この正特性サーミスタ６はキュリー温度が１２０
℃、常温における抵抗値が２３Ωであった。
【００１１】従来例１として、図１３に示されるよう
な、外径がφ８．２ｍｍ、両主面の厚さｔが３ｍｍの円
板状の正特性サーミスタ素体１２２を準備し、両主面に
実施例１と同様にＩｎ−Ｇａからなる電極１２３、１２
４を形成して、正特性サーミスタ１２１を得た。この正
特性サーミスタ１２１のフラッシュ耐圧を測定した結果
を表１に記す。なお、この正特性サーミスタ１２１のキ
ュリー温度および常温における抵抗値は、実施例１と同
一であった。
な、外径がφ８．２ｍｍ、両主面の厚さｔが３ｍｍの円
板状の正特性サーミスタ素体１２２を準備し、両主面に
実施例１と同様にＩｎ−Ｇａからなる電極１２３、１２
４を形成して、正特性サーミスタ１２１を得た。この正
特性サーミスタ１２１のフラッシュ耐圧を測定した結果
を表１に記す。なお、この正特性サーミスタ１２１のキ
ュリー温度および常温における抵抗値は、実施例１と同
一であった。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１を見れば明らかなように、実施例１の
フラッシュ耐圧の最小値が従来例１のフラッシュ耐圧の
略２倍を示しており、大幅に向上した。なお、実施例１
の平均を７８０Ｖ以上としてあるのは、測定装置の最大
印加電圧が８１０Ｖであり、８１０Ｖでは破壊に至らな
い正特性サーミスタのフラッシュ耐圧を８１０Ｖ以上と
したことによるためである。
フラッシュ耐圧の最小値が従来例１のフラッシュ耐圧の
略２倍を示しており、大幅に向上した。なお、実施例１
の平均を７８０Ｖ以上としてあるのは、測定装置の最大
印加電圧が８１０Ｖであり、８１０Ｖでは破壊に至らな
い正特性サーミスタのフラッシュ耐圧を８１０Ｖ以上と
したことによるためである。
【００１４】
【実施例２】本発明による正特性サーミスタの実施例２
として、実施例１と同一の正特性サーミスタ素体１を準
備し、図３に示されるように、両主面にＮｉからなる下
層電極１２、１３を形成し、Ａｇからなる上層電極１
４、１５を形成して、正特性サーミスタ１１を得た。下
層電極１２、１３と上層電極１４、１５の周縁とのギャ
ップＧは、０．５ｍｍであった。この正特性サーミスタ
１１のフラッシュ耐圧を測定した結果を表２に記す。な
お、この正特性サーミスタ１１はキュリー温度が１２０
℃、常温における抵抗値が２３Ωであった。
として、実施例１と同一の正特性サーミスタ素体１を準
備し、図３に示されるように、両主面にＮｉからなる下
層電極１２、１３を形成し、Ａｇからなる上層電極１
４、１５を形成して、正特性サーミスタ１１を得た。下
層電極１２、１３と上層電極１４、１５の周縁とのギャ
ップＧは、０．５ｍｍであった。この正特性サーミスタ
１１のフラッシュ耐圧を測定した結果を表２に記す。な
お、この正特性サーミスタ１１はキュリー温度が１２０
℃、常温における抵抗値が２３Ωであった。
【００１５】従来例２として、従来例１と同一の正特性
サーミスタ素体１２２を準備し、両主面に実施例２と同
様に下層電極にＮｉからなる電極、上層電極にＡｇから
なる２層の電極を、上層電極の周縁にギャップＧを０．
５ｍｍ設けるように形成して、正特性サーミスタを得
た。この正特性サーミスタのフラッシュ耐圧の測定結果
を表２に記す、なお、この正特性サーミスタのキュリー
温度および常温における抵抗値は、実施例２と同一であ
った。
サーミスタ素体１２２を準備し、両主面に実施例２と同
様に下層電極にＮｉからなる電極、上層電極にＡｇから
なる２層の電極を、上層電極の周縁にギャップＧを０．
５ｍｍ設けるように形成して、正特性サーミスタを得
た。この正特性サーミスタのフラッシュ耐圧の測定結果
を表２に記す、なお、この正特性サーミスタのキュリー
温度および常温における抵抗値は、実施例２と同一であ
った。
【００１６】
【表２】
【００１７】表２を見れば明らかなように、実施例２の
フラッシュ耐圧の最小値が従来例２のフラッシュ耐圧の
略２倍を示しており、大幅に向上した。なお、実施例２
の平均を８００Ｖ以上としてあるのは、測定装置の最大
印加電圧が８１０Ｖであり、８１０Ｖでは破壊に至らな
い正特性サーミスタのフラッシュ耐圧を８１０Ｖ以上と
したことによるためである。
フラッシュ耐圧の最小値が従来例２のフラッシュ耐圧の
略２倍を示しており、大幅に向上した。なお、実施例２
の平均を８００Ｖ以上としてあるのは、測定装置の最大
印加電圧が８１０Ｖであり、８１０Ｖでは破壊に至らな
い正特性サーミスタのフラッシュ耐圧を８１０Ｖ以上と
したことによるためである。
【００１８】
【実施例３】本発明による正特性サーミスタの実施例３
として、実施例１と同一の正特性サーミスタ素体１を準
備し、図４に示されるように、両主面にＮｉからなる下
層電極１２、１３を形成し、Ａｇからなる上層電極１４
ａ、１５ａを形成して、正特性サーミスタ１１ａを得
た。下層電極１２、１３と上層電極１４ａ、１５ａの周
縁とのギャップＧは、１．０ｍｍであり、上層電極１４
ａ、１５ａは正特性サーミスタ素体１の凹部４、５に形
成した。この正特性サーミスタ１１ａのフラッシュ耐圧
を測定した結果を表３に記す。なお、この正特性サーミ
スタ１１ａはキュリー温度が１２０℃、常温における抵
抗値が２３Ωであった。
として、実施例１と同一の正特性サーミスタ素体１を準
備し、図４に示されるように、両主面にＮｉからなる下
層電極１２、１３を形成し、Ａｇからなる上層電極１４
ａ、１５ａを形成して、正特性サーミスタ１１ａを得
た。下層電極１２、１３と上層電極１４ａ、１５ａの周
縁とのギャップＧは、１．０ｍｍであり、上層電極１４
ａ、１５ａは正特性サーミスタ素体１の凹部４、５に形
成した。この正特性サーミスタ１１ａのフラッシュ耐圧
を測定した結果を表３に記す。なお、この正特性サーミ
スタ１１ａはキュリー温度が１２０℃、常温における抵
抗値が２３Ωであった。
【００１９】従来例３として、従来例１と同一の正特性
サーミスタ素体１２２を準備し、両主面に実施例２と同
様に下層電極にＮｉからなる電極、上層電極にＡｇから
なる２層の電極を、上層電極の周縁にギャップＧを１．
０ｍｍ設けるように形成して、正特性サーミスタを得
た。この正特性サーミスタのフラッシュ耐圧の測定結果
を表３に記す、なお、この正特性サーミスタのキュリー
温度および常温における抵抗値は、実施例３と同一であ
った。
サーミスタ素体１２２を準備し、両主面に実施例２と同
様に下層電極にＮｉからなる電極、上層電極にＡｇから
なる２層の電極を、上層電極の周縁にギャップＧを１．
０ｍｍ設けるように形成して、正特性サーミスタを得
た。この正特性サーミスタのフラッシュ耐圧の測定結果
を表３に記す、なお、この正特性サーミスタのキュリー
温度および常温における抵抗値は、実施例３と同一であ
った。
【００２０】
【表３】
【００２１】表３を見れば明らかなように、実施例３の
フラッシュ耐圧の最小値が従来例３のフラッシュ耐圧の
略２倍を示しており、大幅に向上した。なお、実施例３
の平均を７８５Ｖ以上としてあるのは、測定装置の最大
印加電圧が８１０Ｖであり、８１０Ｖでは破壊に至らな
い正特性サーミスタのフラッシュ耐圧を８１０Ｖ以上と
したことによるためである。
フラッシュ耐圧の最小値が従来例３のフラッシュ耐圧の
略２倍を示しており、大幅に向上した。なお、実施例３
の平均を７８５Ｖ以上としてあるのは、測定装置の最大
印加電圧が８１０Ｖであり、８１０Ｖでは破壊に至らな
い正特性サーミスタのフラッシュ耐圧を８１０Ｖ以上と
したことによるためである。
【００２２】
【実施例４】本発明による正特性サーミスタの実施例４
として、図５に示されるように、幅Ｗが６ｍｍ、奥行き
Ｄが８ｍｍ、凸部の厚さＴが４ｍｍ、凸部の幅ｈが１ｍ
ｍ、両主面の厚さｔが３ｍｍの略角板状の正特性サーミ
スタ素体１ａを準備し、両主面にＩｎ−Ｇａからなる電
極７ａ、８ａを形成して、正特性サーミスタ６ａを得
た。この正特性サーミスタ６ａのフラッシュ耐圧を測定
した結果を表４に記す。なお、この正特性サーミスタ６
ａはキュリー温度が１２０℃、常温における抵抗値が２
０Ωであった。
として、図５に示されるように、幅Ｗが６ｍｍ、奥行き
Ｄが８ｍｍ、凸部の厚さＴが４ｍｍ、凸部の幅ｈが１ｍ
ｍ、両主面の厚さｔが３ｍｍの略角板状の正特性サーミ
スタ素体１ａを準備し、両主面にＩｎ−Ｇａからなる電
極７ａ、８ａを形成して、正特性サーミスタ６ａを得
た。この正特性サーミスタ６ａのフラッシュ耐圧を測定
した結果を表４に記す。なお、この正特性サーミスタ６
ａはキュリー温度が１２０℃、常温における抵抗値が２
０Ωであった。
【００２３】従来例４として、幅Ｗが６ｍｍ、奥行きＤ
が８ｍｍ、厚さｔが一様に３ｍｍの角板状の正特性サー
ミスタ素体を準備し、両主面に実施例４と同様に、Ｉｎ
−Ｇａからなる電極を形成して正特性サーミスタを得
た。この正特性サーミスタのフラッシュ耐圧の測定結果
を表４に記す、なお、この正特性サーミスタのキュリー
温度および常温における抵抗値は、実施例４と同一であ
った。
が８ｍｍ、厚さｔが一様に３ｍｍの角板状の正特性サー
ミスタ素体を準備し、両主面に実施例４と同様に、Ｉｎ
−Ｇａからなる電極を形成して正特性サーミスタを得
た。この正特性サーミスタのフラッシュ耐圧の測定結果
を表４に記す、なお、この正特性サーミスタのキュリー
温度および常温における抵抗値は、実施例４と同一であ
った。
【００２４】
【表４】
【００２５】表４を見れば明らかなように、実施例４の
フラッシュ耐圧の最小値が従来例４のフラッシュ耐圧の
２倍を示しており、大幅に向上した。なお、実施例４の
平均を７２０Ｖ以上としてあるのは、測定装置の最大印
加電圧が８１０Ｖであり、８１０Ｖでは破壊に至らない
正特性サーミスタのフラッシュ耐圧を８１０Ｖ以上とし
たことによるためである。
フラッシュ耐圧の最小値が従来例４のフラッシュ耐圧の
２倍を示しており、大幅に向上した。なお、実施例４の
平均を７２０Ｖ以上としてあるのは、測定装置の最大印
加電圧が８１０Ｖであり、８１０Ｖでは破壊に至らない
正特性サーミスタのフラッシュ耐圧を８１０Ｖ以上とし
たことによるためである。
【００２６】本発明による第２の実施の形態の正特性サ
ーミスタ素体について、図６にもとづいて詳細に説明す
る。正特性サーミスタ素体３１は、正特性サーミスタ用
セラミック原料を、成形、焼結してなるものである。そ
の形状は、略円板状であって、その両主面の周縁部全周
に凸部３２、３３が形成されており、この凸部３２、３
３によって囲まれた両主面の中央部に凹部３４、３５が
形成される。凸部３２、３３にはこのセラミック体の厚
みＴ方向に主面側から溝３６、３７が形成されている。
ーミスタ素体について、図６にもとづいて詳細に説明す
る。正特性サーミスタ素体３１は、正特性サーミスタ用
セラミック原料を、成形、焼結してなるものである。そ
の形状は、略円板状であって、その両主面の周縁部全周
に凸部３２、３３が形成されており、この凸部３２、３
３によって囲まれた両主面の中央部に凹部３４、３５が
形成される。凸部３２、３３にはこのセラミック体の厚
みＴ方向に主面側から溝３６、３７が形成されている。
【００２７】正特性サーミスタ３８は、正特性サーミス
タ素体３１の両主面に、例えば図３に示した実施例２と
同様に下層電極３９、４０が形成され、その周縁部が全
周に亘って露出するようにギャップＧを有して上層電極
４１、４２が形成されて得られる。
タ素体３１の両主面に、例えば図３に示した実施例２と
同様に下層電極３９、４０が形成され、その周縁部が全
周に亘って露出するようにギャップＧを有して上層電極
４１、４２が形成されて得られる。
【００２８】本発明による第３の実施の形態の正特性サ
ーミスタ素体について、図７にもとづいて詳細に説明す
る。正特性サーミスタ素体４３は、正特性サーミスタ用
セラミック原料を、成形、焼結してなるものである。そ
の形状は、略円板状であって、その両主面の厚さがその
周縁部から中央部に向かって順次薄くなっており、両主
面の中央部に凹部４４、４５が形成されている。
ーミスタ素体について、図７にもとづいて詳細に説明す
る。正特性サーミスタ素体４３は、正特性サーミスタ用
セラミック原料を、成形、焼結してなるものである。そ
の形状は、略円板状であって、その両主面の厚さがその
周縁部から中央部に向かって順次薄くなっており、両主
面の中央部に凹部４４、４５が形成されている。
【００２９】正特性サーミスタ４６は、正特性サーミス
タ素体４３の両主面に、例えば図３に示した実施例２と
同様に下層電極４７、４８が形成され、その周縁部が全
周に亘って露出するようにギャップＧを有して上層電極
４９、５０が形成されて得られる。
タ素体４３の両主面に、例えば図３に示した実施例２と
同様に下層電極４７、４８が形成され、その周縁部が全
周に亘って露出するようにギャップＧを有して上層電極
４９、５０が形成されて得られる。
【００３０】本発明による第４の実施の形態の正特性サ
ーミスタ素体について、図８にもとづいて詳細に説明す
る。正特性サーミスタ素体５１は、正特性サーミスタ用
セラミック原料を、成形、焼結してなるものである。そ
の形状は、略円板状であって、その両主面の厚さがその
周縁部から中央部に向かって階段状に薄くなっており、
両主面の中央部に凹部５２、５３が形成されている。
ーミスタ素体について、図８にもとづいて詳細に説明す
る。正特性サーミスタ素体５１は、正特性サーミスタ用
セラミック原料を、成形、焼結してなるものである。そ
の形状は、略円板状であって、その両主面の厚さがその
周縁部から中央部に向かって階段状に薄くなっており、
両主面の中央部に凹部５２、５３が形成されている。
【００３１】正特性サーミスタ５４は、正特性サーミス
タ素体５１の両主面に、例えば図３に示した実施例２と
同様に下層電極５５、５６が形成され、その周縁部が全
周に亘って露出するようにギャップＧを有して上層電極
５７、５８が形成されて得られる。
タ素体５１の両主面に、例えば図３に示した実施例２と
同様に下層電極５５、５６が形成され、その周縁部が全
周に亘って露出するようにギャップＧを有して上層電極
５７、５８が形成されて得られる。
【００３２】本発明による第５の実施の形態の正特性サ
ーミスタ素体について、図９にもとづいて詳細に説明す
る。正特性サーミスタ素体５９は、正特性サーミスタ用
セラミック原料を、成形、焼結してなるものである。そ
の形状は、略円板状であって、その両主面の厚さがその
周縁部から中央部に向かって順次薄くなっており、両主
面の中央部に凹部６０、６１が形成され、さらに主面と
側面とがなす周縁の角部６２、６３が丸みを帯びてい
る。
ーミスタ素体について、図９にもとづいて詳細に説明す
る。正特性サーミスタ素体５９は、正特性サーミスタ用
セラミック原料を、成形、焼結してなるものである。そ
の形状は、略円板状であって、その両主面の厚さがその
周縁部から中央部に向かって順次薄くなっており、両主
面の中央部に凹部６０、６１が形成され、さらに主面と
側面とがなす周縁の角部６２、６３が丸みを帯びてい
る。
【００３３】正特性サーミスタ６４は、正特性サーミス
タ素体５９の両主面に、例えば図３に示した実施例２と
同様に下層電極６５、６６が形成され、その周縁部が全
周に亘って露出するようにギャップＧを有して上層電極
６７、６８が形成されて得られる。
タ素体５９の両主面に、例えば図３に示した実施例２と
同様に下層電極６５、６６が形成され、その周縁部が全
周に亘って露出するようにギャップＧを有して上層電極
６７、６８が形成されて得られる。
【００３４】なお、上述の正特性サーミスタ素体５９は
両主面の周縁部の角部６２、６３が丸みを帯びたもので
あるが、角部６２、６３の一方主面側のみが丸みを帯び
たものであってもよい。
両主面の周縁部の角部６２、６３が丸みを帯びたもので
あるが、角部６２、６３の一方主面側のみが丸みを帯び
たものであってもよい。
【００３５】本発明による第６の実施の形態の正特性サ
ーミスタ素体について、図１０にもとづいて詳細に説明
する。正特性サーミスタ素体７０は、正特性サーミスタ
用セラミック原料を、成形、焼結してなるものである。
その形状は、略円板状であって、その一方主面の周縁部
全周に凸部７１が形成されており、この凸部７１によっ
て囲まれた一方主面の中央部に凹部７２が形成されてい
る。
ーミスタ素体について、図１０にもとづいて詳細に説明
する。正特性サーミスタ素体７０は、正特性サーミスタ
用セラミック原料を、成形、焼結してなるものである。
その形状は、略円板状であって、その一方主面の周縁部
全周に凸部７１が形成されており、この凸部７１によっ
て囲まれた一方主面の中央部に凹部７２が形成されてい
る。
【００３６】正特性サーミスタ７３は、正特性サーミス
タ素体７０の両主面に、例えば図３に示した実施例２と
同様に下層電極７４、７５が形成され、その周縁部が全
周に亘って露出するようにギャップＧを有して上層電極
７６、７７が形成されて得られる。
タ素体７０の両主面に、例えば図３に示した実施例２と
同様に下層電極７４、７５が形成され、その周縁部が全
周に亘って露出するようにギャップＧを有して上層電極
７６、７７が形成されて得られる。
【００３７】なお、上述の正特性サーミスタ素体７０は
第１の実施の形態による正特性サーミスタ素体１に対応
して、その一方主面に凹部を設けることによって周縁部
全周の厚みＴが中央部に比べて厚くしたものであるが、
これと同様に、第２の実施の形態〜第５の実施の形態の
正特性サーミスタ素体に適用して、一方主面側によって
周縁部全周の厚みＴが中央部に比べて厚くしたものであ
ってもよい。
第１の実施の形態による正特性サーミスタ素体１に対応
して、その一方主面に凹部を設けることによって周縁部
全周の厚みＴが中央部に比べて厚くしたものであるが、
これと同様に、第２の実施の形態〜第５の実施の形態の
正特性サーミスタ素体に適用して、一方主面側によって
周縁部全周の厚みＴが中央部に比べて厚くしたものであ
ってもよい。
【００３８】
【実施例５〜実施例９】実施例５として、図６に示され
るように、外径がφ８．２ｍｍ、周縁部の厚さＴが４ｍ
ｍ、凸部の幅ｈが１．２ｍｍ、溝の幅ｈ１が０．４ｍ
ｍ、凹部の厚さｔが３ｍｍの正特性サーミスタ素体３１
を準備し、両主面に下層電極３９、４０としてＮｉ層、
上層電極４１、４２としてＡｇ層をギャップＧが０．２
ｍｍになるように形成して、正特性サーミスタ３８を得
た。この正特性サーミスタ３８のフラッシュ耐圧を測定
した結果を表５に記す。
るように、外径がφ８．２ｍｍ、周縁部の厚さＴが４ｍ
ｍ、凸部の幅ｈが１．２ｍｍ、溝の幅ｈ１が０．４ｍ
ｍ、凹部の厚さｔが３ｍｍの正特性サーミスタ素体３１
を準備し、両主面に下層電極３９、４０としてＮｉ層、
上層電極４１、４２としてＡｇ層をギャップＧが０．２
ｍｍになるように形成して、正特性サーミスタ３８を得
た。この正特性サーミスタ３８のフラッシュ耐圧を測定
した結果を表５に記す。
【００３９】実施例６として、図７に示されるように、
外径がφ８．２ｍｍ、周縁部の厚さＴが４ｍｍ、凸部の
断面形状がＲ１７．０６ｍｍの円弧状、凹部の厚さｔが
３ｍｍの正特性サーミスタ素体４３を準備し、両主面に
下層電極４７、４８としてＮｉ層、上層電極４９、５０
としてＡｇ層をギャップＧが０．２ｍｍになるように形
成して、正特性サーミスタ４６を得た。この正特性サー
ミスタ４６のフラッシュ耐圧を測定した結果を表５に記
す。
外径がφ８．２ｍｍ、周縁部の厚さＴが４ｍｍ、凸部の
断面形状がＲ１７．０６ｍｍの円弧状、凹部の厚さｔが
３ｍｍの正特性サーミスタ素体４３を準備し、両主面に
下層電極４７、４８としてＮｉ層、上層電極４９、５０
としてＡｇ層をギャップＧが０．２ｍｍになるように形
成して、正特性サーミスタ４６を得た。この正特性サー
ミスタ４６のフラッシュ耐圧を測定した結果を表５に記
す。
【００４０】実施例７として、図８に示されるように、
外径がφ８．４ｍｍ、周縁部の厚さＴが４ｍｍ、階段状
の凸部の各幅ｈが１．２ｍｍ、各段差が０．１６ｍｍ、
凹部の厚さｔが３．０４ｍｍの正特性サーミスタ素体５
１を準備し、両主面に下層電極５５、５６としてＮｉ
層、上層電極５７、５８としてＡｇ層をギャップＧが
０．２ｍｍになるように形成して、正特性サーミスタ５
４を得た。この正特性サーミスタ５４のフラッシュ耐圧
を測定した結果を表５に記す。
外径がφ８．４ｍｍ、周縁部の厚さＴが４ｍｍ、階段状
の凸部の各幅ｈが１．２ｍｍ、各段差が０．１６ｍｍ、
凹部の厚さｔが３．０４ｍｍの正特性サーミスタ素体５
１を準備し、両主面に下層電極５５、５６としてＮｉ
層、上層電極５７、５８としてＡｇ層をギャップＧが
０．２ｍｍになるように形成して、正特性サーミスタ５
４を得た。この正特性サーミスタ５４のフラッシュ耐圧
を測定した結果を表５に記す。
【００４１】実施例８として、実施例６の正特性サーミ
スタ素体と同じものを用いて、その素体の角部をＲ１ｍ
ｍに丸みを付けた正特性サーミスタ素体５９を準備し、
両主面に下層電極６５、６６としてＮｉ層、上層電極６
７、６８としてＡｇ層をギャップＧが０．２ｍｍになる
ように形成して、図９に示されるような正特性サーミス
タ６４を得た。この正特性サーミスタ６４のフラッシュ
耐圧を測定した結果を表５に記す。
スタ素体と同じものを用いて、その素体の角部をＲ１ｍ
ｍに丸みを付けた正特性サーミスタ素体５９を準備し、
両主面に下層電極６５、６６としてＮｉ層、上層電極６
７、６８としてＡｇ層をギャップＧが０．２ｍｍになる
ように形成して、図９に示されるような正特性サーミス
タ６４を得た。この正特性サーミスタ６４のフラッシュ
耐圧を測定した結果を表５に記す。
【００４２】実施例９として、図１０に示されるよう
に、外径がφ８．２ｍｍ、周縁部の厚さＴが３．５ｍ
ｍ、凸部の幅ｈが１ｍｍ、凹部の厚さｔが３ｍｍの正特
性サーミスタ素体７０を準備し、両主面に下層電極７
４、７５としてＮｉ層、上層電極７６、７７としてＡｇ
層を周縁部のギャップＧが０．２ｍｍになるように形成
して、正特性サーミスタ７３を得た。この正特性サーミ
スタ７３のフラッシュ耐圧を測定した結果を表５に記
す。
に、外径がφ８．２ｍｍ、周縁部の厚さＴが３．５ｍ
ｍ、凸部の幅ｈが１ｍｍ、凹部の厚さｔが３ｍｍの正特
性サーミスタ素体７０を準備し、両主面に下層電極７
４、７５としてＮｉ層、上層電極７６、７７としてＡｇ
層を周縁部のギャップＧが０．２ｍｍになるように形成
して、正特性サーミスタ７３を得た。この正特性サーミ
スタ７３のフラッシュ耐圧を測定した結果を表５に記
す。
【００４３】上述した実施例５〜実施例９の正特性サー
ミスタのキュリー温度は１２０℃、常温における抵抗値
が２２Ωであった。また、測定試料数はすべて１８個で
あった。
ミスタのキュリー温度は１２０℃、常温における抵抗値
が２２Ωであった。また、測定試料数はすべて１８個で
あった。
【００４４】なお、従来例５として、図１３に示される
ような、外径がφ８．２ｍｍ、両主面の厚さｔが３ｍｍ
の円板状の正特性サーミスタ素体を準備し、両主面に実
施例１０と同様に下層電極にＮｉからなる電極、上層電
極にＡｇからなる２層の電極を、上層電極の周縁にギャ
ップＧを０．２ｍｍ設けるように形成して、正特性サー
ミスタを得た。この正特性サーミスタも実施例５と同様
の測定をした結果を表６に記す。なお、この正特性サー
ミスタのキュリー温度および常温における抵抗値は、実
施例５と同一であった。
ような、外径がφ８．２ｍｍ、両主面の厚さｔが３ｍｍ
の円板状の正特性サーミスタ素体を準備し、両主面に実
施例１０と同様に下層電極にＮｉからなる電極、上層電
極にＡｇからなる２層の電極を、上層電極の周縁にギャ
ップＧを０．２ｍｍ設けるように形成して、正特性サー
ミスタを得た。この正特性サーミスタも実施例５と同様
の測定をした結果を表６に記す。なお、この正特性サー
ミスタのキュリー温度および常温における抵抗値は、実
施例５と同一であった。
【００４５】
【表５】
【００４６】表５において、従来例５と比較すれば理解
できるように、正特性サーミスタの主面の中央部に凹部
を設けた実施例５〜実施例９は、フラッシュ耐圧が大幅
に向上する。なお、実施例５〜実施例９の平均を・・・
Ｖ以上としてあるのは、測定装置の最大印加電圧が８１
０Ｖであり、８１０Ｖでは破壊に至らない正特性サーミ
スタのフラッシュ耐圧を８１０Ｖ以上としたことによる
ためである。
できるように、正特性サーミスタの主面の中央部に凹部
を設けた実施例５〜実施例９は、フラッシュ耐圧が大幅
に向上する。なお、実施例５〜実施例９の平均を・・・
Ｖ以上としてあるのは、測定装置の最大印加電圧が８１
０Ｖであり、８１０Ｖでは破壊に至らない正特性サーミ
スタのフラッシュ耐圧を８１０Ｖ以上としたことによる
ためである。
【００４７】
【実施例１０〜実施例１４】実施例１０〜実施例１４
は、実施例５〜実施例９と同一形状の正特性サーミスタ
素体に、それぞれ同一の下層電極及び上層電極を形成し
て、正特性サーミスタをそれぞれ得たものである。但
し、実施例１０〜実施例１４の正特性サーミスタ素体の
主原料は、実施例５〜実施例９の主原料とは異なるもの
を用いており、実施例１０〜実施例１４の正特性サーミ
スタのキュリー温度は７０℃、常温における抵抗値が９
Ωであった。
は、実施例５〜実施例９と同一形状の正特性サーミスタ
素体に、それぞれ同一の下層電極及び上層電極を形成し
て、正特性サーミスタをそれぞれ得たものである。但
し、実施例１０〜実施例１４の正特性サーミスタ素体の
主原料は、実施例５〜実施例９の主原料とは異なるもの
を用いており、実施例１０〜実施例１４の正特性サーミ
スタのキュリー温度は７０℃、常温における抵抗値が９
Ωであった。
【００４８】実施例１０〜実施例１４のそれぞれの正特
性サーミスタについてフラッシュ耐圧及びＰmax を測定
（測定試料数は１８個）した結果を表６に記す。更に、
正特性サーミスタの体積を計算によって求めて、表６に
記す。
性サーミスタについてフラッシュ耐圧及びＰmax を測定
（測定試料数は１８個）した結果を表６に記す。更に、
正特性サーミスタの体積を計算によって求めて、表６に
記す。
【００４９】なお、従来例１０として、図１３に示され
るような、外径がφ８．２ｍｍ、両主面の厚さｔが３ｍ
ｍの円板状の正特性サーミスタ素体を準備し、両主面に
実施例１０と同様に下層電極にＮｉからなる電極、上層
電極にＡｇからなる２層の電極を、上層電極の周縁にギ
ャップＧを０．２ｍｍ設けるように形成して、正特性サ
ーミスタを得た。この正特性サーミスタも実施例１０と
同様の測定をした結果を表６に記す。なお、この正特性
サーミスタのキュリー温度および常温における抵抗値
は、実施例１０と同一であった。
るような、外径がφ８．２ｍｍ、両主面の厚さｔが３ｍ
ｍの円板状の正特性サーミスタ素体を準備し、両主面に
実施例１０と同様に下層電極にＮｉからなる電極、上層
電極にＡｇからなる２層の電極を、上層電極の周縁にギ
ャップＧを０．２ｍｍ設けるように形成して、正特性サ
ーミスタを得た。この正特性サーミスタも実施例１０と
同様の測定をした結果を表６に記す。なお、この正特性
サーミスタのキュリー温度および常温における抵抗値
は、実施例１０と同一であった。
【００５０】なお、ここでＰmax について説明すると、
正特性サーミスタを用いた消磁回路に電流を流し、消磁
コイルに図１１に示すような交番減衰電流が流れたと
き、この交番減衰電流の隣り合うピーク値の差を包絡線
変化量Ｐと呼び、包絡線変化量Ｐの最大値をＰmax と呼
ぶ。Ｐmax の測定条件は、図１２に示すように、消磁コ
イルの代替として２０Ωの抵抗７３を用い、この抵抗７
３と正特性サーミスタ７４との直列回路にＡＣ２００
Ｖ、６０Ｈｚの電圧７５を印加した。
正特性サーミスタを用いた消磁回路に電流を流し、消磁
コイルに図１１に示すような交番減衰電流が流れたと
き、この交番減衰電流の隣り合うピーク値の差を包絡線
変化量Ｐと呼び、包絡線変化量Ｐの最大値をＰmax と呼
ぶ。Ｐmax の測定条件は、図１２に示すように、消磁コ
イルの代替として２０Ωの抵抗７３を用い、この抵抗７
３と正特性サーミスタ７４との直列回路にＡＣ２００
Ｖ、６０Ｈｚの電圧７５を印加した。
【００５１】
【表６】
【００５２】表６において、従来例１０と比較すれば理
解できるように、正特性サーミスタの主面の中央部に凹
部を設けた実施例１０〜実施例１４は、フラッシュ耐圧
が大幅に大きくなると共に、Ｐmax が小さくなる。これ
により、正特性サーミスタの体積を従来例１０より小さ
くすること可能となる。
解できるように、正特性サーミスタの主面の中央部に凹
部を設けた実施例１０〜実施例１４は、フラッシュ耐圧
が大幅に大きくなると共に、Ｐmax が小さくなる。これ
により、正特性サーミスタの体積を従来例１０より小さ
くすること可能となる。
【００５３】なお、本発明に係る正特性サーミスタは前
記実施の形態に限定するものでなく、その要旨の範囲内
で種々に変形することができる。例えば、正特性サーミ
スタの形状として、外形形状が円形状のものと矩形状の
ものを例示して説明したが、これに限定されるものでは
ないことはいうまでもない。また、図６に示した正特性
サーミスタ素体３１の溝３６、３７について、少なくと
も一方の主面に複数の溝が形成されているものでもよ
い。また、図９に示した正特性サーミスタ素体５９の角
部の丸みについても他のすべての正特性サーミスタ素体
の形状と組み合わせることができる。
記実施の形態に限定するものでなく、その要旨の範囲内
で種々に変形することができる。例えば、正特性サーミ
スタの形状として、外形形状が円形状のものと矩形状の
ものを例示して説明したが、これに限定されるものでは
ないことはいうまでもない。また、図６に示した正特性
サーミスタ素体３１の溝３６、３７について、少なくと
も一方の主面に複数の溝が形成されているものでもよ
い。また、図９に示した正特性サーミスタ素体５９の角
部の丸みについても他のすべての正特性サーミスタ素体
の形状と組み合わせることができる。
【００５４】また、下層電極の材質については、上述し
たＩｎ−Ｇａ、Ｎｉ等に限定されるものでなく、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｃｒ合金及びオーミックＡｇ等オーミック性を有
するものであればよい。さらに、電極の形成方法につい
ても、スパッタ、印刷、焼き付け、溶射、めっき等いず
れの方法であってもよい。
たＩｎ−Ｇａ、Ｎｉ等に限定されるものでなく、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｃｒ合金及びオーミックＡｇ等オーミック性を有
するものであればよい。さらに、電極の形成方法につい
ても、スパッタ、印刷、焼き付け、溶射、めっき等いず
れの方法であってもよい。
【００５５】さらに、正特性サーミスタ素体の両主面に
形成される電極は、前述した１層からなるもの、および
２層からなるもの以外に、例えば、下層電極にＣｒ、上
層電極として第２層目にモネル、第３層目にＡｇを主成
分とする３層からなる電極から構成されるもの、および
それ以上の複数層からなる電極から構成されてもよい。
形成される電極は、前述した１層からなるもの、および
２層からなるもの以外に、例えば、下層電極にＣｒ、上
層電極として第２層目にモネル、第３層目にＡｇを主成
分とする３層からなる電極から構成されるもの、および
それ以上の複数層からなる電極から構成されてもよい。
【００５６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による正特性
サーミスタ素体および正特性サーミスタでは、電極が形
成される正特性サーミスタ素体の主面に凹部を構成する
ために、フラッシュ耐圧が著しく向上する。また、正特
性サーミスタを小型、軽量にしてもＰmax を小さくする
ことができる。
サーミスタ素体および正特性サーミスタでは、電極が形
成される正特性サーミスタ素体の主面に凹部を構成する
ために、フラッシュ耐圧が著しく向上する。また、正特
性サーミスタを小型、軽量にしてもＰmax を小さくする
ことができる。
【００５７】さらに、下層電極と上層電極との間にギャ
ップを設けてあるために、銀マイグレーションが防止さ
れる。さらにまた、正特性サーミスタ素体に凹部を形成
することによって、比抵抗を下げることなく電極間距離
を大きくすることができるため、電極間によるスパーク
の発生が減少する。
ップを設けてあるために、銀マイグレーションが防止さ
れる。さらにまた、正特性サーミスタ素体に凹部を形成
することによって、比抵抗を下げることなく電極間距離
を大きくすることができるため、電極間によるスパーク
の発生が減少する。
【図１】本発明に係る第１の実施の形態の正特性サーミ
スタ素体１の斜視図である。
スタ素体１の斜視図である。
【図２】本発明の実施例１の正特性サーミスタ６の縦断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の実施例２の正特性サーミスタ１１の縦
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の実施例３の正特性サーミスタ１１ａの
縦断面図である。
縦断面図である。
【図５】本発明の実施例４の正特性サーミスタ６ａの断
面斜視図である。
面斜視図である。
【図６】本発明に係る第２の実施の形態の正特性サーミ
スタ素体に電極を形成した正特性サーミスタの半断面斜
視図である。
スタ素体に電極を形成した正特性サーミスタの半断面斜
視図である。
【図７】本発明に係る第３の実施の形態の正特性サーミ
スタ素体に電極を形成した正特性サーミスタの縦断面図
である。
スタ素体に電極を形成した正特性サーミスタの縦断面図
である。
【図８】本発明に係る第４の実施の形態の正特性サーミ
スタ素体に電極を形成した正特性サーミスタの縦断面図
である。
スタ素体に電極を形成した正特性サーミスタの縦断面図
である。
【図９】本発明に係る第５の実施の形態の正特性サーミ
スタ素体に電極を形成した正特性サーミスタの縦断面図
である。
スタ素体に電極を形成した正特性サーミスタの縦断面図
である。
【図１０】本発明に係る第６の実施の形態の正特性サー
ミスタ素体に電極を形成した正特性サーミスタの縦断面
図である。
ミスタ素体に電極を形成した正特性サーミスタの縦断面
図である。
【図１１】消磁回路の消磁コイルに流れる交番減衰電流
を示す図である。
を示す図である。
【図１２】Ｐmax を測定する回路図である。
【図１３】従来の正特性サーミスタの斜視図である。
１ 正特性サーミスタ素体 ２、３ 凸部 ４、５ 凹部 ７、８ 電極 １２、１３ 下層電極 １４、１５ 上層電極 Ｇ ギャップ
Claims (11)
- 【請求項１】 正の抵抗温度特性を有するセラミック体
の厚さはその主面の周縁部全周が中央部に比べて厚いこ
とを特徴とする正特性サーミスタ素体。 - 【請求項２】 前記正の抵抗温度特性を有するセラミッ
ク体の主面の周縁部全周に凸部を有していることを特徴
とする請求項１に記載の正特性サーミスタ素体。 - 【請求項３】 前記正の抵抗温度特性を有するセラミッ
ク体の周縁部又は前記凸部にこのセラミック体の厚み方
向に溝が形成されていることを特徴とする請求項１又は
２に記載の正特性サーミスタ素体。 - 【請求項４】 前記正の抵抗温度特性を有するセラミッ
ク体の厚さがその周縁部から中央部に向かって順次薄く
なっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
記載の正特性サーミスタ素体。 - 【請求項５】 前記正の抵抗温度特性を有するセラミッ
ク体の厚さがその周縁部から中央部に向かって階段状に
薄くなっていることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
かに記載の正特性サーミスタ素体。 - 【請求項６】 前記正の抵抗温度特性を有するセラミッ
ク体の周縁の角部が丸みを帯びていることを特徴とする
請求項１〜５のいずれかに記載の正特性サーミスタ素
体。 - 【請求項７】 前記請求項１〜６のいずれかに記載の正
特性サーミスタ素体の両主面に電極が形成されているこ
とを特徴とする正特性サーミスタ。 - 【請求項８】 前記電極は下層電極と上層電極からな
り、下層電極が前記正特性サーミスタ素体の両主面全面
に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の正
特性サーミスタ。 - 【請求項９】 前記上層電極はその周縁部で下層電極が
露出するように前記下層電極より小さな平面積からなる
ことを特徴とする請求項８に記載の正特性サーミスタ。 - 【請求項１０】 前記上層電極は前記正特性サーミスタ
素体の周縁部又は凸部を除く中央部に対応する両主面に
形成されていることを特徴とする請求項８又は９に記載
の正特性サーミスタ。 - 【請求項１１】 前記下層電極はニッケルを主成分とす
る金属からなり、前記上層電極は銀を主成分とする金属
からなることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに
記載の正特性サーミスタ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33857396A JP3175102B2 (ja) | 1996-05-20 | 1996-12-18 | 正特性サーミスタ素体および正特性サーミスタ |
| DE69736152T DE69736152T2 (de) | 1996-05-20 | 1997-04-30 | PTC Thermistor |
| EP97107220A EP0809262B1 (en) | 1996-05-20 | 1997-04-30 | PTC thermistor |
| TW086106187A TW350073B (en) | 1996-05-20 | 1997-05-09 | A PTC thermo-sensitive resistor |
| US08/857,097 US5939972A (en) | 1996-05-20 | 1997-05-15 | Positive temperature characteristic thermistor and thermistor element |
| CN97111440A CN1087096C (zh) | 1996-05-20 | 1997-05-20 | 正向温度特性热敏电阻器以及热敏电阻器元件 |
| KR1019970019602A KR100309157B1 (ko) | 1996-05-20 | 1997-05-20 | 정특성 서미스터 및 서미스터 소체 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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