JP2575400Y2 - サーミスタ - Google Patents
サーミスタInfo
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- JP2575400Y2 JP2575400Y2 JP1993014843U JP1484393U JP2575400Y2 JP 2575400 Y2 JP2575400 Y2 JP 2575400Y2 JP 1993014843 U JP1993014843 U JP 1993014843U JP 1484393 U JP1484393 U JP 1484393U JP 2575400 Y2 JP2575400 Y2 JP 2575400Y2
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- JP
- Japan
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- electrode
- thermistor
- electrodes
- thermistor body
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、正特性サーミスタ（以
下、ＰＴＣサーミスタ）又は負特性サーミスタ（以下、
ＮＴＣサーミスタ）などのサーミスタに関し、特に、板
状のサーミスタ素体の両主面に電極が形成された構造を
有するサーミスタの改良に関する。
下、ＰＴＣサーミスタ）又は負特性サーミスタ（以下、
ＮＴＣサーミスタ）などのサーミスタに関し、特に、板
状のサーミスタ素体の両主面に電極が形成された構造を
有するサーミスタの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図３に断面図で示す板状のＰ
ＴＣサーミスタ１が公知である。ＰＴＣサーミスタ１
は、半導体磁器よりなる円板状のサーミスタ素体２の両
主面の全面に電極３，４を形成した構造を有する。ＰＴ
Ｃサーミスタ１では、電極３，４がサーミスタ素体２に
対してオーミック接触を果たす電極材料で構成される必
要がある。また、電極３，４は、比抵抗ができるだけ低
く、大きな電流容量を実現し得る材料で構成されている
ことが好ましい。
ＴＣサーミスタ１が公知である。ＰＴＣサーミスタ１
は、半導体磁器よりなる円板状のサーミスタ素体２の両
主面の全面に電極３，４を形成した構造を有する。ＰＴ
Ｃサーミスタ１では、電極３，４がサーミスタ素体２に
対してオーミック接触を果たす電極材料で構成される必
要がある。また、電極３，４は、比抵抗ができるだけ低
く、大きな電流容量を実現し得る材料で構成されている
ことが好ましい。
【０００３】そこで、従来、ＡｇもしくはＡｇ合金を、
印刷・焼付け法あるいはスパッタリングなどによりサー
ミスタ素体の主面に付与することにより、上記電極３，
４を形成していた。
印刷・焼付け法あるいはスパッタリングなどによりサー
ミスタ素体の主面に付与することにより、上記電極３，
４を形成していた。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｇも
しくはＡｇ合金からなる電極３，４は、電極間マイグレ
ーションを生じ易いという欠点があった。すなわち、使
用しているうちに、電極３，４を構成している電極材料
が、他方側の電極３，４に向かって移動し、サーミスタ
素体２の側面において短絡し、はなはだしき場合にはＰ
ＴＣ素子１が破壊することがあった。
しくはＡｇ合金からなる電極３，４は、電極間マイグレ
ーションを生じ易いという欠点があった。すなわち、使
用しているうちに、電極３，４を構成している電極材料
が、他方側の電極３，４に向かって移動し、サーミスタ
素体２の側面において短絡し、はなはだしき場合にはＰ
ＴＣ素子１が破壊することがあった。
【０００５】本考案の目的は、電流容量等の特性を劣化
させることなく、上記電極間マイグレーションに起因す
る素子の破壊を確実に防止し得る電極構造を備えたサー
ミスタを提供することにある。
させることなく、上記電極間マイグレーションに起因す
る素子の破壊を確実に防止し得る電極構造を備えたサー
ミスタを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本考案は、板状のサーミ
スタ素体の両主面に電極を形成してなるサーミスタの改
良に関する。
スタ素体の両主面に電極を形成してなるサーミスタの改
良に関する。
【０００７】本考案のサーミスタでは、板状のサーミス
タ素体の両主面において、外周縁がサーミスタ素体の端
縁に至るように形成されたリング状の第１の電極と、前
記第１の電極で囲まれた領域から第１の電極上に至るよ
うに、但し第１の電極の外周縁には至らないように形成
された第２の電極とが形成されている。
タ素体の両主面において、外周縁がサーミスタ素体の端
縁に至るように形成されたリング状の第１の電極と、前
記第１の電極で囲まれた領域から第１の電極上に至るよ
うに、但し第１の電極の外周縁には至らないように形成
された第２の電極とが形成されている。
【０００８】上記第１，第２の電極は、それぞれ、サー
ミスタ素体の主面に対してオーミック接触を果たす電極
材料で構成されており、さらに、第１の電極が、電極間
マイグレーションを生じさせ難い電極材料からなり、第
２の電極が第１の電極を構成している電極材料に比べて
電極間マイグレーションを生じさせ易い電極材料により
構成されている。
ミスタ素体の主面に対してオーミック接触を果たす電極
材料で構成されており、さらに、第１の電極が、電極間
マイグレーションを生じさせ難い電極材料からなり、第
２の電極が第１の電極を構成している電極材料に比べて
電極間マイグレーションを生じさせ易い電極材料により
構成されている。
【０００９】上記第１の電極を構成している電極材料と
しては、サーミスタ素体主面に対してオーミック接触を
果たし、かつ電極間マイグレーションを生じさせ難いも
のであれば特に問わないが、例えば、Ｎｉ、Ａｌもしく
はＣｒ又はこれらの合金が挙げられる。
しては、サーミスタ素体主面に対してオーミック接触を
果たし、かつ電極間マイグレーションを生じさせ難いも
のであれば特に問わないが、例えば、Ｎｉ、Ａｌもしく
はＣｒ又はこれらの合金が挙げられる。
【００１０】また、上記第２の電極を構成している電極
材料としては、サーミスタ素体主面に対してオーミック
接触を果たし、かつ上記第１の電極を構成している電極
材料よりも電極間マイグレーションを生じさせ易いもの
であれば特に問わないが、好ましくは比抵抗の小さなＡ
ｇもしくはＡｇ合金などが用いられる。
材料としては、サーミスタ素体主面に対してオーミック
接触を果たし、かつ上記第１の電極を構成している電極
材料よりも電極間マイグレーションを生じさせ易いもの
であれば特に問わないが、好ましくは比抵抗の小さなＡ
ｇもしくはＡｇ合金などが用いられる。
【００１１】第１，第２の電極は、上記のような電極材
料により構成されるが、実際の電極の形成は、サーミス
タ素体の主面に導電ペーストを塗布し、焼き付けること
により、あるいは電気めっき、溶射又はスパッタリング
などの薄膜形成法により形成することができる。
料により構成されるが、実際の電極の形成は、サーミス
タ素体の主面に導電ペーストを塗布し、焼き付けること
により、あるいは電気めっき、溶射又はスパッタリング
などの薄膜形成法により形成することができる。
【００１２】
【作用及び考案の効果】本考案では、サーミスタ素体の
両主面の端縁に至るように形成されたリング状の第１の
電極が、電極間マイグレーションを生じさせ難い電極材
料より構成されているので、両主面の第１の電極間では
電極間マイグレーションが生じ難い。
両主面の端縁に至るように形成されたリング状の第１の
電極が、電極間マイグレーションを生じさせ難い電極材
料より構成されているので、両主面の第１の電極間では
電極間マイグレーションが生じ難い。
【００１３】また、電極間マイグレーションを生じさせ
易い第２の電極については、その外周縁が上記第１の電
極の外周縁には至らないように形成されているため、サ
ーミスタ素体の両主面の第２の電極間の沿面距離が、サ
ーミスタ素体の両主面の端縁間の距離よりも長くされて
いる。従って、第２の電極間におけるマイグレーション
も生じ難い。
易い第２の電極については、その外周縁が上記第１の電
極の外周縁には至らないように形成されているため、サ
ーミスタ素体の両主面の第２の電極間の沿面距離が、サ
ーミスタ素体の両主面の端縁間の距離よりも長くされて
いる。従って、第２の電極間におけるマイグレーション
も生じ難い。
【００１４】よって、第２の電極を構成する電極材料と
して、比抵抗が低く、大電流容量を実現し得る電極材
料、例えばＡｇを用いたとしても、電極間マイグレーシ
ョンが生じ難いので、電流容量の大きな信頼性に優れた
サーミスタを提供することが可能となる。
して、比抵抗が低く、大電流容量を実現し得る電極材
料、例えばＡｇを用いたとしても、電極間マイグレーシ
ョンが生じ難いので、電流容量の大きな信頼性に優れた
サーミスタを提供することが可能となる。
【００１５】
【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ、本考案の非
限定的な実施例を説明することにより、本考案を明らか
にする。
限定的な実施例を説明することにより、本考案を明らか
にする。
【００１６】図１及び図２は、本考案の一実施例に係る
ＰＴＣサーミスタの断面図及び平面図である。ＰＴＣサ
ーミスタ１１は、円板状の半導体磁器よりなるサーミス
タ素体１２を有する。サーミスタ素体１２の上面には、
円環状の第１の電極１３が形成されており、下面にも同
様に円環状の第１の電極１４が形成されている。第１の
電極１３，１４は、本実施例では、Ａｌ含有導電ペース
トを印刷し、焼き付けることにより形成されており、サ
ーミスタ素体１２の両主面にオーミック接触されてい
る。また、第１の電極１３，１４の外周縁１３ａ，１４
ａはサーミスタ素体１２の主面の外周端縁に到るように
されている。
ＰＴＣサーミスタの断面図及び平面図である。ＰＴＣサ
ーミスタ１１は、円板状の半導体磁器よりなるサーミス
タ素体１２を有する。サーミスタ素体１２の上面には、
円環状の第１の電極１３が形成されており、下面にも同
様に円環状の第１の電極１４が形成されている。第１の
電極１３，１４は、本実施例では、Ａｌ含有導電ペース
トを印刷し、焼き付けることにより形成されており、サ
ーミスタ素体１２の両主面にオーミック接触されてい
る。また、第１の電極１３，１４の外周縁１３ａ，１４
ａはサーミスタ素体１２の主面の外周端縁に到るように
されている。
【００１７】第１の電極１３，１４で囲まれている領域
には、第２の電極１５，１６が、サーミスタ素体１２の
両主面にオーミック接触するように形成されている。第
２の電極１５，１６は、その外周縁１５ａ，１６ａが第
１の電極１３，１４の外周縁１３ａ，１４ａには至らな
いように形成されている。従って、第２の１５，１６の
外周縁１５ａ，１６ａと、サーミスタ素体１２の側面と
の間には、図１に矢印Ｘで示す幅のギャップ領域が形成
されることになる。本実施例では、上記第１の電極１
５，１６は、比抵抗は小さいが、電極間マイグレーショ
ンを生じさせ易いＡｇにより形成されており、具体的に
はＡｇ含有導電ペーストを印刷し焼き付けることにより
形成されている。
には、第２の電極１５，１６が、サーミスタ素体１２の
両主面にオーミック接触するように形成されている。第
２の電極１５，１６は、その外周縁１５ａ，１６ａが第
１の電極１３，１４の外周縁１３ａ，１４ａには至らな
いように形成されている。従って、第２の１５，１６の
外周縁１５ａ，１６ａと、サーミスタ素体１２の側面と
の間には、図１に矢印Ｘで示す幅のギャップ領域が形成
されることになる。本実施例では、上記第１の電極１
５，１６は、比抵抗は小さいが、電極間マイグレーショ
ンを生じさせ易いＡｇにより形成されており、具体的に
はＡｇ含有導電ペーストを印刷し焼き付けることにより
形成されている。
【００１８】本実施例のＰＴＣサーミスタ１１では、第
２の電極１５，１６の外周縁１５ａ，１６ａが、サーミ
スタ素体１２の外周端縁からＸで示す幅のギャップ領域
を隔てて形成されていることになるため、両主面の第２
の電極１５，１６間における電極間マイグレーションが
生じ難い。しかも、第１の電極１３，１４は、電極間マ
イグレーションの生じ難いＡｌにより構成されているた
め、第１の電極１３，１４間における電極間マイグレー
ションも生じ難い。
２の電極１５，１６の外周縁１５ａ，１６ａが、サーミ
スタ素体１２の外周端縁からＸで示す幅のギャップ領域
を隔てて形成されていることになるため、両主面の第２
の電極１５，１６間における電極間マイグレーションが
生じ難い。しかも、第１の電極１３，１４は、電極間マ
イグレーションの生じ難いＡｌにより構成されているた
め、第１の電極１３，１４間における電極間マイグレー
ションも生じ難い。
【００１９】さらに、第２の電極１５，１６は、図示の
ように第１の電極１３，１４で囲まれている領域の全域
にわたりサーミスタ素体１２にオーミック接触するよう
に形成されており、上面側の電極及び下面側の電極にお
ける比抵抗が低くされているため、大きな電流容量を実
現することができる。
ように第１の電極１３，１４で囲まれている領域の全域
にわたりサーミスタ素体１２にオーミック接触するよう
に形成されており、上面側の電極及び下面側の電極にお
ける比抵抗が低くされているため、大きな電流容量を実
現することができる。
【００２０】なお、本実施例のＰＴＣ素子１１は、上記
第１，第２の電極１３〜１６に、リード端子を半田等に
より接合することによりリード付きの電子部品として構
成することができ、あるいは、ＰＴＣサーミスタ１１を
ばね性を有する一対の端子で弾力挟持するようにしてケ
ース内に収納することにより、リード付きの電子部品と
して構成することも可能である。
第１，第２の電極１３〜１６に、リード端子を半田等に
より接合することによりリード付きの電子部品として構
成することができ、あるいは、ＰＴＣサーミスタ１１を
ばね性を有する一対の端子で弾力挟持するようにしてケ
ース内に収納することにより、リード付きの電子部品と
して構成することも可能である。
【００２１】なお、上記実施例では、ＰＴＣ素体１２と
して、円板状の半導体磁器よりなるものを示したが、サ
ーミスタ素体１２の平面形状については、矩形あるいは
三角形等の任意の形状に形成することができる。また、
リング状の第１の電極１３，１４についても、円環状に
限らず、角環状等の任意の閉環状の形状とすることがで
きる。
して、円板状の半導体磁器よりなるものを示したが、サ
ーミスタ素体１２の平面形状については、矩形あるいは
三角形等の任意の形状に形成することができる。また、
リング状の第１の電極１３，１４についても、円環状に
限らず、角環状等の任意の閉環状の形状とすることがで
きる。
【００２２】また、リング状の第１の電極１３，１４
は、第２の電極１５，１６に比べて比抵抗が高いが、そ
の形成されている面積が、サーミスタ素体１２の両主面
の一部の領域に限られているため、電流容量を大きくす
ることができる。
は、第２の電極１５，１６に比べて比抵抗が高いが、そ
の形成されている面積が、サーミスタ素体１２の両主面
の一部の領域に限られているため、電流容量を大きくす
ることができる。
【００２３】よって、０．５Ω程度の電極間抵抗値を有
する大電流用ＰＴＣサーミスタに、本実施例のＰＴＣサ
ーミスタを好適に用いることができる。
する大電流用ＰＴＣサーミスタに、本実施例のＰＴＣサ
ーミスタを好適に用いることができる。
【図１】実施例のＰＴＣサーミスタの断面図。
【図２】実施例のＰＴＣサーミスタ平面図。
【図３】従来のＰＴＣサーミスタの断面図。
１１…ＰＴＣサーミスタ １２…サーミスタ素体 １３，１４…第１の電極 １３ａ，１４ａ…第１の電極の外周縁 １５，１６…第２の電極 １５ａ，１６ａ…第２の電極の外周縁
Claims (1)
- 【請求項１】 板状のサーミスタ素体と、 前記サーミスタ素体の両主面において、外周縁がサーミ
スタ素体の端縁に至るように形成されたリング状の第１
の電極と、 前記サーミスタ素体の両主面において、前記第１の電極
で囲まれた領域から第１の電極上に至るように、但し第
１の電極の外周縁には至らないように形成された第２の
電極とを備え、 前記第１の電極がサーミスタ素体の主面にオーミック接
触し、かつ相対的に電極間マイグレーションを生じさせ
難い電極材料からなり、前記第２の電極が、サーミスタ
素体にオーミック接触し、かつ第１の電極を構成してい
る電極材料に比べて電極間マイグレーションを生じさせ
易い電極材料からなる、サーミスタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993014843U JP2575400Y2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | サーミスタ |
| US08/218,649 US5557251A (en) | 1993-03-29 | 1994-03-28 | Thermistor with electrodes for preventing inter-electrode migration |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993014843U JP2575400Y2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677201U JPH0677201U (ja) | 1994-10-28 |
| JP2575400Y2 true JP2575400Y2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=11872325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993014843U Expired - Fee Related JP2575400Y2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | サーミスタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5557251A (ja) |
| JP (1) | JP2575400Y2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08203703A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ素子 |
| JP3175102B2 (ja) * | 1996-05-20 | 2001-06-11 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ素体および正特性サーミスタ |
| DE19741143C1 (de) * | 1997-09-18 | 1999-06-02 | Siemens Matsushita Components | Kaltleiter mit migrationsfreier Elektrode zum Einsatz in Klemmsystemen mit Flächenkontaktierung |
| JP3589174B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2004-11-17 | 株式会社村田製作所 | 表面実装型正特性サーミスタおよびその実装方法 |
| DE102017116381A1 (de) * | 2017-07-20 | 2019-01-24 | Tdk Electronics Ag | Elektrisches Bauelement mit Lötverbindung |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3296574A (en) * | 1962-12-21 | 1967-01-03 | Tassara Luigi | Film resistors with multilayer terminals |
| US3793604A (en) * | 1973-04-09 | 1974-02-19 | Gte Sylvania Inc | High strength electrical lead for disk type thermistors |
| US4251792A (en) * | 1979-05-03 | 1981-02-17 | Gte Products Corporation | Thermistor bonded to thermally conductive plate |
| JPS63205991A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | 株式会社日立製作所 | 回路基板 |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP1993014843U patent/JP2575400Y2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-28 US US08/218,649 patent/US5557251A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677201U (ja) | 1994-10-28 |
| US5557251A (en) | 1996-09-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |