JPH0677201U - サーミスタ - Google Patents

サーミスタ

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JPH0677201U
JPH0677201U JP014843U JP1484393U JPH0677201U JP H0677201 U JPH0677201 U JP H0677201U JP 014843 U JP014843 U JP 014843U JP 1484393 U JP1484393 U JP 1484393U JP H0677201 U JPH0677201 U JP H0677201U
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    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電流容量等の特性を低下させることなく、電
極間マイグレーションに起因する短絡事故を防止するこ
とができる電極構造を備えたサーミスタを得る。 【構成】 板状のサーミスタ素体12の両主面におい
て、サーミスタ素体12の外周端縁に外周縁13a,1
4aが至るリング状の第1の電極13,14を形成し、
外周縁15a,16aが第1の電極13,14上に位置
し、但し第1の電極13,14の外周縁13a,14a
には至らないように第2の電極15,16をサーミスタ
素体12の両主面に形成し、第1の電極13,14が、
電極間マイグレーションが生じ難い電極材料からなり、
第2の電極15,16が第1の電極を構成している電極
材料よりも電極間マイグレーションが生じ易い電極材料
からなるサーミスタ11。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、正特性サーミスタ(以下、PTCサーミスタ)又は負特性サーミス タ(以下、NTCサーミスタ)などのサーミスタに関し、特に、板状のサーミス タ素体の両主面に電極が形成された構造を有するサーミスタの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、図3に断面図で示す板状のPTCサーミスタ1が公知である。PT Cサーミスタ1は、半導体磁器よりなる円板状のサーミスタ素体2の両主面の全 面に電極3,4を形成した構造を有する。PTCサーミスタ1では、電極3,4 がサーミスタ素体2に対してオーミック接触を果たす電極材料で構成される必要 がある。また、電極3,4は、比抵抗ができるだけ低く、大きな電流容量を実現 し得る材料で構成されていることが好ましい。
【0003】 そこで、従来、AgもしくはAg合金を、印刷・焼付け法あるいはスパッタリ ングなどによりサーミスタ素体の主面に付与することにより、上記電極3,4を 形成していた。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、AgもしくはAg合金からなる電極3,4は、電極間マイグレ ーションを生じ易いという欠点があった。すなわち、使用しているうちに、電極 3,4を構成している電極材料が、他方側の電極3,4に向かって移動し、サー ミスタ素体2の側面において短絡し、はなはだしき場合にはPTC素子1が破壊 することがあった。
【0005】 本考案の目的は、電流容量等の特性を劣化させることなく、上記電極間マイグ レーションに起因する素子の破壊を確実に防止し得る電極構造を備えたサーミス タを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本考案は、板状のサーミスタ素体の両主面に電極を形成してなるサーミスタの 改良に関する。
【0007】 本考案のサーミスタでは、板状のサーミスタ素体の両主面において、外周縁が サーミスタ素体の端縁に至るように形成されたリング状の第1の電極と、前記第 1の電極で囲まれた領域から第1の電極上に至るように、但し第1の電極の外周 縁には至らないように形成された第2の電極とが形成されている。
【0008】 上記第1,第2の電極は、それぞれ、サーミスタ素体の主面に対してオーミッ ク接触を果たす電極材料で構成されており、さらに、第1の電極が、電極間マイ グレーションを生じさせ難い電極材料からなり、第2の電極が第1の電極を構成 している電極材料に比べて電極間マイグレーションを生じさせ易い電極材料によ り構成されている。
【0009】 上記第1の電極を構成している電極材料としては、サーミスタ素体主面に対し てオーミック接触を果たし、かつ電極間マイグレーションを生じさせ難いもので あれば特に問わないが、例えば、Ni、AlもしくはCr又はこれらの合金が挙 げられる。
【0010】 また、上記第2の電極を構成している電極材料としては、サーミスタ素体主面 に対してオーミック接触を果たし、かつ上記第1の電極を構成している電極材料 よりも電極間マイグレーションを生じさせ易いものであれば特に問わないが、好 ましくは比抵抗の小さなAgもしくはAg合金などが用いられる。
【0011】 第1,第2の電極は、上記のような電極材料により構成されるが、実際の電極 の形成は、サーミスタ素体の主面に導電ペーストを塗布し、焼き付けることによ り、あるいは電気めっき、溶射又はスパッタリングなどの薄膜形成法により形成 することができる。
【0012】
【作用及び考案の効果】
本考案では、サーミスタ素体の両主面の端縁に至るように形成されたリング状 の第1の電極が、電極間マイグレーションを生じさせ難い電極材料より構成され ているので、両主面の第1の電極間では電極間マイグレーションが生じ難い。
【0013】 また、電極間マイグレーションを生じさせ易い第2の電極については、その外 周縁が上記第1の電極の外周縁には至らないように形成されているため、サーミ スタ素体の両主面の第2の電極間の沿面距離が、サーミスタ素体の両主面の端縁 間の距離よりも長くされている。従って、第2の電極間におけるマイグレーショ ンも生じ難い。
【0014】 よって、第2の電極を構成する電極材料として、比抵抗が低く、大電流容量を 実現し得る電極材料、例えばAgを用いたとしても、電極間マイグレーションが 生じ難いので、電流容量の大きな信頼性に優れたサーミスタを提供することが可 能となる。
【0015】
【実施例の説明】
以下、図面を参照しつつ、本考案の非限定的な実施例を説明することにより、 本考案を明らかにする。
【0016】 図1及び図2は、本考案の一実施例に係るPTCサーミスタの断面図及び平面 図である。 PTCサーミスタ11は、円板状の半導体磁器よりなるサーミスタ素体12を 有する。サーミスタ素体12の上面には、円環状の第1の電極13が形成されて おり、下面にも同様に円環状の第1の電極14が形成されている。第1の電極1 3,14は、本実施例では、Al含有導電ペーストを印刷し、焼き付けることに より形成されており、サーミスタ素体12の両主面にオーミック接触されている 。また、第1の電極13,14の外周縁13a,14aはサーミスタ素体12の 主面の外周端縁に到るようにされている。
【0017】 第1の電極13,14で囲まれている領域には、第2の電極15,16が、サ ーミスタ素体12の両主面にオーミック接触するように形成されている。第2の 電極15,16は、その外周縁15a,16aが第1の電極13,14の外周縁 13a,14aには至らないように形成されている。従って、第2の15,16 の外周縁15a,16aと、サーミスタ素体12の側面との間には、図1に矢印 Xで示す幅のギャップ領域が形成されることになる。本実施例では、上記第1の 電極15,16は、比抵抗は小さいが、電極間マイグレーションを生じさせ易い Agにより形成されており、具体的にはAg含有導電ペーストを印刷し焼き付け ることにより形成されている。
【0018】 本実施例のPTCサーミスタ11では、第2の電極15,16の外周縁15a ,16aが、サーミスタ素体12の外周端縁からXで示す幅のギャップ領域を隔 てて形成されていることになるため、両主面の第2の電極15,16間における 電極間マイグレーションが生じ難い。しかも、第1の電極13,14は、電極間 マイグレーションの生じ難いAlにより構成されているため、第1の電極13, 14間における電極間マイグレーションも生じ難い。
【0019】 さらに、第2の電極15,16は、図示のように第1の電極13,14で囲ま れている領域の全域にわたりサーミスタ素体12にオーミック接触するように形 成されており、上面側の電極及び下面側の電極における比抵抗が低くされている ため、大きな電流容量を実現することができる。
【0020】 なお、本実施例のPTC素子11は、上記第1,第2の電極13〜16に、リ ード端子を半田等により接合することによりリード付きの電子部品として構成す ることができ、あるいは、PTCサーミスタ11をばね性を有する一対の端子で 弾力挟持するようにしてケース内に収納することにより、リード付きの電子部品 として構成することも可能である。
【0021】 なお、上記実施例では、PTC素体12として、円板状の半導体磁器よりなる ものを示したが、サーミスタ素体12の平面形状については、矩形あるいは三角 形等の任意の形状に形成することができる。また、リング状の第1の電極13, 14についても、円環状に限らず、角環状等の任意の閉環状の形状とすることが できる。
【0022】 また、リング状の第1の電極13,14は、第2の電極15,16に比べて比 抵抗が高いが、その形成されている面積が、サーミスタ素体12の両主面の一部 の領域に限られているため、電流容量を大きくすることができる。
【0023】 よって、0.5Ω程度の電極間抵抗値を有する大電流用PTCサーミスタに、 本実施例のPTCサーミスタを好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例のPTCサーミスタの断面図。
【図2】実施例のPTCサーミスタ平面図。
【図3】従来のPTCサーミスタの断面図。
【符号の説明】
11…PTCサーミスタ 12…サーミスタ素体 13,14…第1の電極 13a,14a…第1の電極の外周縁 15,16…第2の電極 15a,16a…第2の電極の外周縁

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 板状のサーミスタ素体と、 前記サーミスタ素体の両主面において、外周縁がサーミ
    スタ素体の端縁に至るように形成されたリング状の第1
    の電極と、 前記サーミスタ素体の両主面において、前記第1の電極
    で囲まれた領域から第1の電極上に至るように、但し第
    1の電極の外周縁には至らないように形成された第2の
    電極とを備え、 前記第1の電極がサーミスタ素体の主面にオーミック接
    触し、かつ相対的に電極間マイグレーションを生じさせ
    難い電極材料からなり、前記第2の電極が、サーミスタ
    素体にオーミック接触し、かつ第1の電極を構成してい
    る電極材料に比べて電極間マイグレーションを生じさせ
    易い電極材料からなる、サーミスタ。
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