JPS6211481B2 - - Google Patents
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- JPS6211481B2 JPS6211481B2 JP54016966A JP1696679A JPS6211481B2 JP S6211481 B2 JPS6211481 B2 JP S6211481B2 JP 54016966 A JP54016966 A JP 54016966A JP 1696679 A JP1696679 A JP 1696679A JP S6211481 B2 JPS6211481 B2 JP S6211481B2
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- JP
- Japan
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- ohmic contact
- temperature coefficient
- positive temperature
- coefficient thermistor
- contact electrode
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
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- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正の抵抗温度係数を有するチタン酸バ
リウム系半導体磁器（以下正特性サーミスタと記
す）に関し、更に詳しくはチツプ形の正特性サー
ミスタの電極構造に関する。
リウム系半導体磁器（以下正特性サーミスタと記
す）に関し、更に詳しくはチツプ形の正特性サー
ミスタの電極構造に関する。
正特性サーミスタは、キユリー温度を適当に選
定することにより任意の発熱温度が得られるこ
と、キユリー温度を超えると抵抗値が急激に増加
して電流を絞る電流制御機能もしくは自己温度制
御機能を有すること等々の理由から、最近、各種
の発熱装置の発熱源または電流制御用素子として
広く利用されるようになつてきている。
定することにより任意の発熱温度が得られるこ
と、キユリー温度を超えると抵抗値が急激に増加
して電流を絞る電流制御機能もしくは自己温度制
御機能を有すること等々の理由から、最近、各種
の発熱装置の発熱源または電流制御用素子として
広く利用されるようになつてきている。
正特性サーミスタは、その用途に応じて種々の
形態、構造をとるが、たとえばハイブリツドIC
の過熱保護や、液晶表示形電卓の温度補償として
使用される場合のように、電子回路部品として使
用される場合には、プリント基板またはIC基板
に対する実装の容易性、簡便性を確保すると同時
に、高密度実装化の要請に合うように、チツプ形
として構成される。
形態、構造をとるが、たとえばハイブリツドIC
の過熱保護や、液晶表示形電卓の温度補償として
使用される場合のように、電子回路部品として使
用される場合には、プリント基板またはIC基板
に対する実装の容易性、簡便性を確保すると同時
に、高密度実装化の要請に合うように、チツプ形
として構成される。
第１図は従来のチツプ形正特性サーミスタの一
例を示し、矩形平板状に形成された正特性サーミ
スタ素体１の相対向二面に、オーム性接触電極
２，３を被着すると共に、該オーム性接触電極
２，３の上に電解メツキ等による金属被膜４，５
をほぼ同形に被着形成した構造としてある。
例を示し、矩形平板状に形成された正特性サーミ
スタ素体１の相対向二面に、オーム性接触電極
２，３を被着すると共に、該オーム性接触電極
２，３の上に電解メツキ等による金属被膜４，５
をほぼ同形に被着形成した構造としてある。
前記オーム性接触電極２，３は、半導体たる正
特性サーミスタ素体１の表面に電位障壁が生じる
ことなく、所定の抵抗値が得られるように設けら
れたもので、Ni無電解メツキまたは銀の微量の
ガリウム、インジウムなどを添加して成る銀合金
ペーストを印刷塗布することによつて形成され
る。
特性サーミスタ素体１の表面に電位障壁が生じる
ことなく、所定の抵抗値が得られるように設けら
れたもので、Ni無電解メツキまたは銀の微量の
ガリウム、インジウムなどを添加して成る銀合金
ペーストを印刷塗布することによつて形成され
る。
一方、金属被膜４，５は第２図に示すように、
当該チツプ形正特性サーミスタＡをプリント基板
６上に半田付け固定する場合の半田付けを容易に
すると同時に、半田付け強度を増大させる目的で
設けたものである。
当該チツプ形正特性サーミスタＡをプリント基板
６上に半田付け固定する場合の半田付けを容易に
すると同時に、半田付け強度を増大させる目的で
設けたものである。
しかし従来のチツプ形正特性サーミスタにおい
ては、外部との接続電極となる金属被膜４，５
を、オーム性接触電極２，３の上にほぼ同形に重
ねて被着する構造であつたから、金属被膜４，５
の面積がオーム性接触電極２，３の面積によつて
一義的に定まつてしまい、金属被膜４，５の面積
拡大による半田付強度の増強に限界を生じてい
た。勿論、オーム性接触電極２，３の面積を増大
させれば、金属被膜４，５の面積も増大できる訳
であるが、オーム性接触電極２，３の面積の増大
によつて、当該チツプ形正特性サーミスタの抵抗
値が所定値からずれてしまい、特性が変化するか
ら好ましくない。
ては、外部との接続電極となる金属被膜４，５
を、オーム性接触電極２，３の上にほぼ同形に重
ねて被着する構造であつたから、金属被膜４，５
の面積がオーム性接触電極２，３の面積によつて
一義的に定まつてしまい、金属被膜４，５の面積
拡大による半田付強度の増強に限界を生じてい
た。勿論、オーム性接触電極２，３の面積を増大
させれば、金属被膜４，５の面積も増大できる訳
であるが、オーム性接触電極２，３の面積の増大
によつて、当該チツプ形正特性サーミスタの抵抗
値が所定値からずれてしまい、特性が変化するか
ら好ましくない。
またオーム性接触電極２，３および金属被膜
４，５が第１図に示すように、相対向二面上にの
み設けてあるから、第２図に示すようにプリント
基板６上に半田付けした場合、半田付けは電極
４，５と導電パタン７，８との間で形成される直
角隅部だけで行なわれることとなり、十分な半田
付け強度が得られないといつた欠点もあつた。こ
の場合オーム性接触電極２，３の両端を第３図に
示すように、他の相対向二面まで延長し、これに
よつて廻り込み電極を形成する試みもなされた
が、電極間距離ｄを精度よくコントロールするこ
とが難しく、このため、特性の変化を招き易く、
好ましくない結果となる。
４，５が第１図に示すように、相対向二面上にの
み設けてあるから、第２図に示すようにプリント
基板６上に半田付けした場合、半田付けは電極
４，５と導電パタン７，８との間で形成される直
角隅部だけで行なわれることとなり、十分な半田
付け強度が得られないといつた欠点もあつた。こ
の場合オーム性接触電極２，３の両端を第３図に
示すように、他の相対向二面まで延長し、これに
よつて廻り込み電極を形成する試みもなされた
が、電極間距離ｄを精度よくコントロールするこ
とが難しく、このため、特性の変化を招き易く、
好ましくない結果となる。
本発明は上述する欠点を除去し、抵抗値の変化
など特性の変動を招くことなく、半田付け性、半
田付け強度などを向上させ得るチツプ形の正特性
サーミスタを提供することを目的とする。
など特性の変動を招くことなく、半田付け性、半
田付け強度などを向上させ得るチツプ形の正特性
サーミスタを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係る正特性
サーミスタは、正特性サーミスタ素体の面上にオ
ーム性接触電極を形成すると共に、該オーム性接
触電極上から該オーム性接触電極が施されていな
い前記正特性サーミスタ素体の面上に非オーム性
接触電極を延長して設けて成ることを特徴とす
る。
サーミスタは、正特性サーミスタ素体の面上にオ
ーム性接触電極を形成すると共に、該オーム性接
触電極上から該オーム性接触電極が施されていな
い前記正特性サーミスタ素体の面上に非オーム性
接触電極を延長して設けて成ることを特徴とす
る。
以下実施例たる添付図面を参照し、本発明の内
容を具体的に詳説する。第４図は本発明に係るチ
ツプ形正特性サーミスタの斜視図、第５図は第４
図Ａ―Ａ線上における断面図を示している。この
実施例では、矩形平板状に形成された正特性サー
ミスタ素体９の相対向二面９ａ，９ｂの全面に、
オーム性接触電極１０ａ，１０ｂを被着形成する
と共に、該オーム性接触電極１０ａ，１０ｂの全
面に非オーム性接触電極１１，１２を被着し、か
つ該非オーム性接触電極１１，１２の両端１１
ａ，１１b1１２ａ，１２ｂを、オーム性接触電極
１０ａ，１０ｂの施されていない正特性サーミス
タ素体９の他の面９ｃ，９ｄまで延長して設けて
ある。
容を具体的に詳説する。第４図は本発明に係るチ
ツプ形正特性サーミスタの斜視図、第５図は第４
図Ａ―Ａ線上における断面図を示している。この
実施例では、矩形平板状に形成された正特性サー
ミスタ素体９の相対向二面９ａ，９ｂの全面に、
オーム性接触電極１０ａ，１０ｂを被着形成する
と共に、該オーム性接触電極１０ａ，１０ｂの全
面に非オーム性接触電極１１，１２を被着し、か
つ該非オーム性接触電極１１，１２の両端１１
ａ，１１b1１２ａ，１２ｂを、オーム性接触電極
１０ａ，１０ｂの施されていない正特性サーミス
タ素体９の他の面９ｃ，９ｄまで延長して設けて
ある。
このような構造であれば、当該チツプ形正特性
サーミスタＡを、第６図に示すように、プリント
基板６上に実装する場合、正特性サーミスタ素体
９の面９Ｃ上に長さp1，p2だけ喰い込んだ非オー
ム性接触電極１１，１２の端部１１ａ，１２ａ
が、導電パタン７，８に対する半田付け面として
作用することとなるから、半田付け面が拡大され
半田付け強度が著るしく増大することとなる。同
時に端部１１ａ，１２ａが廻り込み電極として働
くから、電気的導通の信頼性が向上する。
サーミスタＡを、第６図に示すように、プリント
基板６上に実装する場合、正特性サーミスタ素体
９の面９Ｃ上に長さp1，p2だけ喰い込んだ非オー
ム性接触電極１１，１２の端部１１ａ，１２ａ
が、導電パタン７，８に対する半田付け面として
作用することとなるから、半田付け面が拡大され
半田付け強度が著るしく増大することとなる。同
時に端部１１ａ，１２ａが廻り込み電極として働
くから、電気的導通の信頼性が向上する。
しかも正特性サーミスタ素体９の面９ｃ，９ｄ
と非オーム性接触電極１１，１２の端部１１ａ，
１２ａの接触形態は、当然のことながら、非オー
ム性接触であり、また、正特性サーミスタ素体９
に対するオーム性接触電極１０ａ，１０ｂの接触
はオーム性接触である。非オーム性接触の場合の
接触抵抗は、オーム性接触の場合の接触抵抗よ
り、１桁以上も高くなるのが普通であるから、オ
ーム性接触電極１０ａ及び非オーム性接触電極１
１の端部１１ａよりなる端部電極全体の接触抵抗
は、抵抗値の低いオーム性接触電極１０ａによつ
て支配される。オーム性接触電極１０ｂ及び非オ
ーム性接触電極１２の端部電極１２ａでなる端部
電極の接触抵抗についても同じことが言える。従
つて、非オーム性接触電極１１，１２の端部１１
ａ，１２ａと正特性サーミスタ素体９の面に延長
して設けても、端部電極間抵抗の変化やバラツキ
等を無視できる程度の小さな値に抑え、端部電極
間抵抗値を安定化できる。
と非オーム性接触電極１１，１２の端部１１ａ，
１２ａの接触形態は、当然のことながら、非オー
ム性接触であり、また、正特性サーミスタ素体９
に対するオーム性接触電極１０ａ，１０ｂの接触
はオーム性接触である。非オーム性接触の場合の
接触抵抗は、オーム性接触の場合の接触抵抗よ
り、１桁以上も高くなるのが普通であるから、オ
ーム性接触電極１０ａ及び非オーム性接触電極１
１の端部１１ａよりなる端部電極全体の接触抵抗
は、抵抗値の低いオーム性接触電極１０ａによつ
て支配される。オーム性接触電極１０ｂ及び非オ
ーム性接触電極１２の端部電極１２ａでなる端部
電極の接触抵抗についても同じことが言える。従
つて、非オーム性接触電極１１，１２の端部１１
ａ，１２ａと正特性サーミスタ素体９の面に延長
して設けても、端部電極間抵抗の変化やバラツキ
等を無視できる程度の小さな値に抑え、端部電極
間抵抗値を安定化できる。
第７図は本発明に係るチツプ形正特性サーミス
タの他の実施例における断面図を示している。こ
の実施例の特徴は、オーム性接触電極１０′ａ，
１０′ｂは、平板状に形成された正特性サーミス
タ素体９′の一面９′ａ上に、間隔d1をおいて設け
られ、非オーム性接触電極１１′，１２′はオーム
性接触電極１０′ａ，１０′ｂの一部を覆いかつオ
ーム性接触電極１０′ａ，１０′ｂを有する面９′
ａに対向する面９′ｂ上まで延長して設けたこと
である。
タの他の実施例における断面図を示している。こ
の実施例の特徴は、オーム性接触電極１０′ａ，
１０′ｂは、平板状に形成された正特性サーミス
タ素体９′の一面９′ａ上に、間隔d1をおいて設け
られ、非オーム性接触電極１１′，１２′はオーム
性接触電極１０′ａ，１０′ｂの一部を覆いかつオ
ーム性接触電極１０′ａ，１０′ｂを有する面９′
ａに対向する面９′ｂ上まで延長して設けたこと
である。
この実施例の場合も第４図、第５図に示した実
施例と同様の効果が得られることは言うまでもな
い。
施例と同様の効果が得られることは言うまでもな
い。
以上詳説した如く、本発明に係る正特性サーミ
スタは、正特性サーミスタ素体の面上にオーム性
接触電極を形成すると共に、該オーム性接触電極
上から該オーム性接触電極が施されていない前記
正特性サーミスタ素体の面上に、非オーム性接触
電極を延長して設けて成ることを特徴とするか
ら、電極間抵抗値の変化など特性の変化を招くこ
となく半田付け強度を増大させ、電気的接続の信
頼性を向上させ得るチツプ形の正特性サーミスタ
を提供することができる。
スタは、正特性サーミスタ素体の面上にオーム性
接触電極を形成すると共に、該オーム性接触電極
上から該オーム性接触電極が施されていない前記
正特性サーミスタ素体の面上に、非オーム性接触
電極を延長して設けて成ることを特徴とするか
ら、電極間抵抗値の変化など特性の変化を招くこ
となく半田付け強度を増大させ、電気的接続の信
頼性を向上させ得るチツプ形の正特性サーミスタ
を提供することができる。
第１図は、従来のチツプ形正特性サーミスタの
断面図、第２図は同じく回路基板等に対する実装
を説明する図、第３図は同じく他の例における断
面図、第４図は本発明に係るチツプ形の正特性サ
ーミスタの斜視図、第５図は、第４図Ａ―Ａ線上
における断面図、第６図は同じくその実装時の作
用を説明する図、第７図は同じく他の実施例にお
ける断面図をそれぞれ示している。 ９，９′…正特性サーミスタ素体、１０ａ，１
０′ａ，１０ｂ，１０′ｂ…オーム性接触電極、１
１，１１′，１２，１２′…非オーム性接触電極。
断面図、第２図は同じく回路基板等に対する実装
を説明する図、第３図は同じく他の例における断
面図、第４図は本発明に係るチツプ形の正特性サ
ーミスタの斜視図、第５図は、第４図Ａ―Ａ線上
における断面図、第６図は同じくその実装時の作
用を説明する図、第７図は同じく他の実施例にお
ける断面図をそれぞれ示している。 ９，９′…正特性サーミスタ素体、１０ａ，１
０′ａ，１０ｂ，１０′ｂ…オーム性接触電極、１
１，１１′，１２，１２′…非オーム性接触電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 正特性サーミスタ素体の面上にオーム性接触
電極を形成すると共に、該オーム性接触電極上か
ら、該オーム性接触電極が施されていない前記正
特性サーミスタ素体の面上に非オーム性接触電極
を延長して設けて成ることを特徴とする正特性サ
ーミスタ。 ２ 前記オーム性接触電極は平板状に形成された
正特性サーミスタ素体の相対向二面上に形成さ
れ、前記非オーム性接触電極は前記オーム性接触
電極を覆いオーム性接触電極が施されていない他
面上に延設されることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の正特性サーミスタ。 ３ 前記オーム性接触電極は平板状に形成された
正特性サーミスタ素体の一面上に設けられ、前記
非オーム性接触電極は前記オーム性接触電極の一
部を覆いかつオーム性接触電極を有する面に対向
する面上まで延設されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1696679A JPS55110002A (en) | 1979-02-16 | 1979-02-16 | Positive temperature coefficient thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1696679A JPS55110002A (en) | 1979-02-16 | 1979-02-16 | Positive temperature coefficient thermistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55110002A JPS55110002A (en) | 1980-08-25 |
| JPS6211481B2 true JPS6211481B2 (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=11930830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1696679A Granted JPS55110002A (en) | 1979-02-16 | 1979-02-16 | Positive temperature coefficient thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55110002A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100701A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Tdk Electronics Co Ltd | Chip type resistor |
| JPS6115704U (ja) * | 1985-06-10 | 1986-01-29 | ティーディーケイ株式会社 | 正特性サ−ミスタ |
| JPS62266801A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | ティーディーケイ株式会社 | Ｐｔｃサ−ミスタ |
| JP2522897Y2 (ja) * | 1989-01-21 | 1997-01-16 | 株式会社村田製作所 | 面実装正特性サーミスタ |
| JP2623881B2 (ja) * | 1989-12-29 | 1997-06-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 負特性サーミスタ素子 |
| JP2000012301A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の実装方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924986U (ja) * | 1972-06-05 | 1974-03-02 | ||
| JPS5032915U (ja) * | 1973-07-20 | 1975-04-10 |
-
1979
- 1979-02-16 JP JP1696679A patent/JPS55110002A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924986U (ja) * | 1972-06-05 | 1974-03-02 | ||
| JPS5032915U (ja) * | 1973-07-20 | 1975-04-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55110002A (en) | 1980-08-25 |
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