JPS5843762Y2 - チップ形正特性サ−ミスタ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、プリント基板、ＩＣ基板等に直接半田付けし
て使用されるチップ形正特性サーミスタに関する。

正特性サーミスタは正の抵抗温度係数を有するチタン酸
バリウム系半導体磁器を指称するものとして知られてい
る。

正特性サーミスタは、キュリ一温度を適当に選定するこ
とにより任意の発熱温度が得られること、キュリ一温度
を超えると抵抗値が急激に増加して電流を絞る電流制御
機能もしくは自己温度制御機能を有することから、最近
、各種の発熱装置の発熱源または電流制御用素子として
広く利用されるようになってきている。

正特性サーミスタは用途に応じて種々の形態構造をとる
が、たとえばハイブリッドＩＣの過熱保護や、液晶表示
影電卓の温度補償用として使用する場合のように、電子
回路部品として使用する場合には、プリント基板または
ＩＣ基板に対する実装の容易性、簡便性や、高密度実装
化の要請に合うように、チップ形として構成される。

第１図は従来のチップ形正特性サーミスタの一例を示し
、矩形平板状に形成された正特性サーミスタ素体１の両
面に電極２，３を被着した構成としである。

上記構造のチップ形正特性サーミスタを、プリント基板
またはＩＣ基板等に実装するには、第２図に示すように
、プリント基板４上の導電パタン５．６上に当該正特性
サーミスタＡを載せ、電極２，３の下端部を導電パタン
５，６に半田付けする。

ところが、従来のチップ形正特性サーミスタＡは、その
電極２，３の縁端が正特性サーミスタ素体１の端面１ａ
と同一の平面上に位置するように切り放しであるため、
導電パタン５，６の表面と電極２，３の外面との間に形
成される直角隅部において半田付け７．８されるだけで
接着力が不足し、正特性サーミスタＡが導電パタン５，
６から剥離脱落してしまう危険があること、正特性サー
ミスタＡが導電パタン５，６上で平行移動し易く位置決
めが面倒であること、位置の変動に伴い、導電パタン５
，６に対する正特性サーミスタＡの電気的もしくは機械
的接続の信頼性低下を招くこと等々の欠点がある。

本考案は上述する欠点を除去し、基板等への実装時の位
置決めが容易で、しかも基板に対する電魚釣接続もしく
は機械的接続の信頼性を著るしく高め得るチップ形正特
性サーミスタを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本考案に係るチップ形正特性
サーミスタは、矩形平板状に形成された正特性サーミス
タ素体の厚さ方向の両面のそれぞれに電極を有し、該電
極の相対向する両辺部の周縁に、端縁に向って厚み減少
方向に傾斜する円弧状の傾斜電極部を設け、該傾斜電極
部を形成した前記両辺部の何れか一方側を回路基板に挿
着して、前記傾斜電極を前記回路基板上の導体パタンに
接続固定することを特徴とする。

以下実施例たる添付図面を参照し、本考案の内容を具体
的に詳説する。

第３図は本考案に係るチップ形正特性サーミスタの斜視
図を示している。

この実施例では、矩形平板状に形成された正特性サーミ
スタ素体９の相対向する二側辺部Ａ１．Ａ２に、その両
面側から端縁に向って厚み減少方向に傾斜する円弧状の
切欠部ａ−ｄを設け、該切欠部ａ−ｄを含む正特性サー
ミスタ素体９の両面に、電極１０．１１を被着形成した
構造としである。

したがって、切欠部ａ −ｄ上には、端縁に向って厚み
減少方向に傾斜する傾斜電極部１０ａ、ｌｌｂ、１０ｂ
、ｌｌｂが形成されることとなる。

該傾斜電極部１０ ａ 、１１ ａ、１０ ｂ 、１１
ｂノうち少なくとも一対１０ａ、ｌｌａまたは１０ｂ
、ｌｌｂは、当該チップ正特性サーミスタをプリント基
板またはＩＣ基板等に実装した場合の接続電極部となる
ものである。

すなわち、当該チップ形正特性サーミスタをプリント基
板４上に実装する場合、第４図に示すように、正特性サ
ーミスタ素体９の電極が形成されていない面をプリント
基板４に接するように設置し、かつ傾斜電極部１０ａ、
ｌｌａまたは１０ｂ、ｌｌｂを基板４上の導電パタン５
，６間に配置し、さらにこれに半田付は固定するもので
ある。

この場合、傾斜電極部１０ａ、ｌｌａまたは１０ ｂ、
１１ ｂが導電パタン５．６の稜角５ａ、５ａに当接し
て位置決めされるから、プリント基板４上における当該
チップ形正特性サーミスタの位置決めが容易がつ確実に
行なわれる。

しかもプリント基板４上におけるチップ形正特性サーミ
スタの横移動が防止されるから、半田付は作業を円滑に
行なうことができる。

また傾斜電極部１０ａ、ｌｌａまたは１０ｂ、ｌｌｂの
表面と、導電パタン５，６の表面との間に、傾斜電極部
１０ａ、ｌｌａまｆ、ｌハ１０ ｂ 、１１ ｂ （７
）傾斜形態に応じたギャップｇが形成され、半田付の際
半田１２．１３が該ギヤツブｇ内にも流入することとな
るノテ、傾斜電極部１０ａ、ｌｌａまたは１０ｂ、１１
ｂが廻り込み電極となって電気的接続が確実になされ、
かつ半田付は強度が増大し、取付の安定性、信頼性が著
るしく向上する。

更に、この種のチップ形正特性サーミスタは２〜３ｍｍ
程度の微小部品となることが多いため、回路基板挿入タ
イプとした場合、一般に、挿着方向の確認作業が困難で
あるが、本考案に係る正特性サーミスタは、相対向する
両辺部に傾斜電極部１０ａ、１１ａまたは１０ｂ、ｌｌ
ｂを設けであるノテ、プリント回路基板４に挿着する場
合、両方向がら挿着することができる。

即ち、傾斜電極部１０ａ、１１ａまたは１０ｂ、ｌｌｂ
のある両辺部に関しては方向性がない。

このため、プリント回路基板４に対して挿着する場合の
方向性確認作業が不要になり、挿着作業が非常に容易に
なる。

第５図へ上記構造のチップ形正特性サーミスタを簡単に
取り出し得る正特性サーミスタ集合体の部分欠損斜視図
を示している。

この実施例では、矩形平板状に形成された正特性サーミ
スタ素体９の両面の相対向する位置に、複数本の半円弧
状の凹溝Ｓ１．Ｓ２を、横間隔ｄ１、縦間隔ｄ２をおい
て、格子状に設け、該凹溝Ｓ１．Ｓ２を含む正特性サー
ミスタ素体９の両面に、Ｎｉ無電解メッキ法または銀合
金ペース＋印刷法などの周知の手段によって、電極とな
る導電パタン１０．１１を形成しである。

凹溝Ｓ１．Ｓ２内には、その曲面にしたがった半円弧状
の導電パタンか形成されている。

上記構造の正特性サーミスタ集合体は、凹溝Ｓ１．Ｓ２
によって囲まれる領域Ｑ１〜Ｑ３５内にチップ形正特性
サーミスタ素子を有している。

そこでこの領域Ｑ１〜Ｑ３．内のチップ形正特性サーミ
スタ素子を単体として取り出すには、当該正特性サーミ
スタ集合体を、凹溝Ｓ１゜Ｓ２に沿って縦、横に折って
細分割してゆけばよい。

この場合、正特性サーミスタ素体９が硬質の焼結体であ
ること、凹溝Ｓ１．Ｓ２の部分の機械的強度が他の部分
より弱いことから、ダイヤモンドカッタや、ワイヤーソ
ー等を使用することなく、手で凹溝Ｓ１．Ｓ２のほぼ中
央部分から簡単に分割でき、これにより第３図に示した
ようなチップ形正特性サーミスタの単体が取り出される
こととなる。

以上説明したように、本考案に係るチップ形正特性サー
ミスタは、矩形平板状に形成された正特性サーミスタ素
体の厚さ方向の両面のそれぞれに電極を有し、該電極の
相対向する両辺部の周縁に、端縁に向って厚み減少方向
に傾斜する円弧状の傾斜電極部を設け、該傾斜電極部を
形成した前記両辺部の何れか一方側を回路基板に挿着し
て、前記傾斜電極を前記回路基板上の導体パタンに接続
固定することを特徴とするから、当該チップ形正特性サ
ーミスタをプリント基板またはＩＣ基板等に実装する場
合、前記傾斜電極部を取付電極として基板上の導電バタ
ン間に位置決めし、かつ半田付は固定することができる
。

この結果基板等への実装時の位置決めが容易で、しかも
基板に対する電気的、機械的接続が確実かつ強固になる
信頼性の高いチップ形正特性サーミスタを提供すること
となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のチップ形正特性サーミスタの斜視図、第
２図はこれを基板に実装したときの作用を説明する図、
第３図は本考案に係るチップ形正特性サーミスタの斜視
図、第４図はこれを基板に実装したときの作用を説明す
る図、第５図は本考案に係るチップ形正特性サーミスタ
を得るための正特性サーミスタ集合体の部分欠損斜視図
である。 ９・・・・・・正特性サーミスタ素体、１０．１１・・
・・・・電極、１０ａ １０ｂ ｌｌａ ｌｌｂ・・・
・・・傾斜電極部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 矩形平板状に形成された正特性サーミスタ素体の厚さ方
   向の両面のそれぞれに電極を有し、該電極の相対向する
   両辺部の周縁に、端縁に向って厚み減少方向に傾斜する
   円弧状の傾斜電極部を設け、該傾斜電極部を形成した前
   記両辺部の何れか一方側を回路基板に挿着して、前記傾
   斜電極を前記回路基板上の導体パタンに接続固定するこ
   とを特徴とするチップ形正特性サーミスタ。