KR20030081021A

KR20030081021A - 온도 검출 소자 및 이것을 구비하는 회로 기판

Info

Publication number: KR20030081021A
Application number: KR10-2003-0016095A
Authority: KR
Inventors: 구무라사토시; 이노우에히데히로
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2002-04-08
Filing date: 2003-03-14
Publication date: 2003-10-17
Also published as: DE10315519B4; CN1450668A; CN100405626C; TW584722B; JP2003303702A; DE10315519A1; JP3815362B2; KR100616743B1; TW200305007A

Abstract

본 발명은 온도 검출 대상에 대한 온도 검출 감도를 높게 할 수 있는 동시에, 안정성 높게 고정밀도로 온도 검출할 수 있는 온도 검출 소자를 제공한다.

본 발명에 따른 온도 검출 소자(1)는 소자 본체부(3)의 표면에 전극부(4, 5)를 구비하는 동시에, 상기 전극부(4, 5)와는 달리 열전도성이 높은 열 수용부(6)를 소자 본체부(3)의 표면에 구비한다. 특히, 온도 검출 소자(1)로서는 칩형 부품으로 이루어지는 정특성 서미스터가 있다.

Description

온도 검출 소자 및 이것을 구비하는 회로 기판{Device for detecting temperature and circuit board having the same}

본 발명은 예를 들어 서미스터 등의 온도 검출 소자 및 이것을 구비하는 회로기판에 관한 것이다.

전기전자기기의 소형화의 진전에 따라서, 그것에 탑재되는 파워 트랜지스터나 파워 IC 등의 부품에 대한 방열 등의 대책은 점점 중요해지고 있다. 그 때문에, 이러한 부품의 온도를 고정밀도로 검출할 수 있는 필요성은 높다. 이러한 실정에서 이들 파워 IC 등의 부품의 온도를 검출하는 온도 검출 소자의 수요는 확대되고 있다.

도 10은 이러한 온도 검출 소자의 일례로서 칩형으로 구성된 정특성 서미스터(1)를 나타낸다. 이 정특성 서미스터(1)는 소자 본체부(3), 전극부(4, 5)를 가진다. 전극부(4, 5)는 회로기판의 배선 패턴에 솔더링하기 위해서 형성되어 있다.

그런데, 칩형 서미스터 등의 온도 검출 소자에서는 온도 검출 대상부품에 가까이해서 설치할 필요가 있다. 종래의 온도 검출 소자의 경우, 회로기판상의 배선이나 타부품과의 배치의 관계로, 온도 검출 대상부품에 충분히 가까이할 수 없는 경우가 있어, 온도 검출을 고정밀도로 행할 수 없었던 적이 있었다. 또한, 열원과 온도 검출 소자와의 위치관계 뿐만 아니라, 주위의 상황이나 기판의 열방산 계수 등에 의해, 온도 검출 소자의 감열조건이 다르거나 하는 경우가 있기 때문에, 검지 정밀도가 좌우되기 쉽다.

본 발명은 상기 실상에 비추어 이루어진 것으로, 온도 검출 대상에 대한 고정밀도의 온도 검출이 가능한 온도 검출 소자를 제공하는 것을 해결과제로 하고 있다.

도 1은 본 발명에 따른 칩형 정특성 서미스터의 일례의 외관을 나타내는 사시도이다.

도 2는 도 1의 정특성 서미스터를 기판에 배치한 상태의 일례를 나타내는 평면도이다.

도 3은 도 2에 있어서의 요부 종단면도이다.

도 4는 다른 실시형태의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도(a), 요부 종단면 측면도(b)이다.

도 5는 도 4의 정특성 서미스터를 기판에 배치한 상태의 일례를 나타내는 요부 종단면 측면도이다.

도 6은 다른 실시형태의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도(a), 요부 종단면 측면도(b)이다.

도 7은 다른 실시형태의 정특성 서미스터의 외관을 나타내하는 사시도(a), 요부 종단면 측면도(b)이다.

도 8은 다른 실시형태의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도이다.

도 9는 다른 실시형태의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도(a), 요부종단면 측면도(b)이다.

도 10은 종래의 칩형 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도이다.

<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>

1: 온도 검출 소자3: 소자 본체부

4, 5: 전극부6: 열 수용부

7: 회로기판9: 랜드

본 발명의 온도 검출 소자는 소자 본체부, 상기 소자 본체부에 형성된 전극부, 및 온도 검출 대상측에서 전도되는 열을 수용하는 열 수용부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 열 수용부를 구비함으로써, 소자 본체부에 대하여 온도 검출 대상으로부터의 열이 전도되기 쉽다. 그 때문에, 종래에는 온도 검출 대상으로부터의 열에 의한 감온(themosensitivity)을 충분히 행할 수 없을 정도로 그 온도 검출 대상으로부터 조금 떨어진 부위에 온도 검출 소자를 배치해야만 하는 경우라도, 온도 검출 대상으로부터 열 수용부로의 열의 전도를 도모할 수 있다. 따라서, 그처럼 검출 대상과 온도 검출 소자와의 사이에 있어서의 온도 검출용의 열적인 결합을 양호하게 행할 수 있게 되므로, 그 온도 검출을 고정밀도로 행할 수 있다.

또한, 회로기판상에 본 발명에 따른 온도 검출 소자를 형성하는 경우, 온도 검출 대상과 온도 검출 소자와의 사이를 열전도 가능하게 랜드를 형성하여, 온도 검출 소자의 열 수용부를 그 랜드에 솔더링하면, 열 수용부가 랜드를 통하여 온도 검출 대상으로부터 열전도되기 쉬워져, 온도 검출을 한층 양호하게 행할 수 있는 이점이 있다. 본 발명의 구성을 채용가능한 온도 검출 소자로서는 정특성 서미스터, 부특성 서미스터 등이 있다.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 소자 본체부와 상기 전극부와 상기 열 수용부와의 전체 형상이 칩형으로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 칩형 부품에 온도 검출 소자가 구성되어 있기 때문에, 이 온도 검출 소자는 온도 검출이 필요한 회로기판상에 실장하기 쉽다.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 소자 본체부가 정특성 서미스터로서 기능하는 부분에 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 온도상승에 따라서 저항값도 증가해나가기 때문에, 그 저항값과 온도와의 관계에 의해 간단하게 온도 검출할 수 있다.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 소자 본체부가 직방체 형상으로 구성되어 있고, 상기 열 수용부가 상기 소자 본체부의 표면의 적어도 일측면 이상에 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 직방체 형상의 소자 본체부 표면의 적어도 일측면 이상에 열 수용부가 구비되어 있는 점으로부터, 그 열 수용부가 형성된 면을 온도 검출 대상측에 면하게 두어, 온도 검출 대상측으로부터의 열을 양호하게 수용할 수 있는 상태로 해서 온도감지할 수 있다. 한편, 열 수용부가 소자 본체부에 벨트가 감겨진 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 소자 본체부의 전체 주위에 고리 형상으로 열 수용부가 구비되게 되므로, 회로기판에 온도 검출 소자를 부설할 때에, 열 수용부를 온도 검출 대상측에 임하도록 온도 검출 소자의 자세를 조정하는 수고를 적게 할 수 있다.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 온도 검출 대상측으로부터 열을 전도하는 전도체가 상기 열 수용부에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 랜드 등의 전도체를 별도 회로기판 등에 부설하지 않아도, 그 전도체를 통하여 온도 검출 소자의 열 수용부에 온도 검출 대상측으로부터 열이 양호하게 전도된다. 따라서, 그 전도체를 통하여 온도 검출 대상측으로부터의 열이 온도 검출 소자에 한층 전도되기 쉬워져, 검출정밀도도 더욱 좋아지게 된다.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 열 수용부가 상기 소자 본체부의 표면소재에 대하여 비오믹(ohmic)접촉의 금속 박막층을 가지는 것을 특징으로 한다.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 소자 본체부의 표면소재에 대하여 비오믹 접촉의 금속재료를 열 수용부에 가져서, 소자 본체부에 대하여 검출에 악영향을 주는 전기적 결합이 열 수용부를 통해서 생기지 않도록 할 수 있다. 여기에서, 소자 본체부로서는 예를 들어, BaTiO₃, Mn-Ni계 산화물이 사용되는 동시에, 이것에 대하여 열 수용부의 비오믹 접촉성을 가지는 금속재료로서는 예를 들어, 은, 금, 백금 내지 그들의 합금 등이 채용된다.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 열 수용부가 상기 비오믹 접촉의 금속박막층에 대한 표층으로서 솔더 젖음성(wettability)을 갖는 접합용 박막층을 가지는 것을 특징으로 한다.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 회로기판에 형성한 열전도용의 랜드에 대하여, 접합용 박막층에 의해 온도 검출 소자의 열 수용부를 솔더링할 수 있고, 회로기판상의 온도 검출 대상으로부터 온도 검출을 위한 열전도를 간단하게 행할 수 있도록 할 수 있다.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 소자 본체부의 표면에 절연재층이 형성되어 있고, 상기 열 수용부가 상기 소자 본체부의 표면에 대하여 상기 절연재층을 개재해서 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 절연재층이 소자 본체부의 표면과, 열 수용부와의 사이에 개재되어 있는 점으로부터, 열 수용부를 개재해서 소자 본체부에 전류가 흘러들어오는 등의 불량을 회피할 수 있다. 또한, 열 수용부를 구성하는 소재로서, 소자 본체부의 표면소재에 대하여 오믹 접촉의 금속재료를 채용하는 것도 가능해져서, 저렴하게 구성할 수 있다.

본 발명의 온도 검출 소자를 구비하는 회로기판은, 청구항 1에 기재된 온도검출 소자, 및 상기 온도 검출 소자가 구비하는 상기 열 수용부에 대하여 열결합 가능한 랜드를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 온도 검출 소자를 구비하는 회로기판에 의하면, 회로기판의 랜드를 개재해서 온도 검출 대상측에서부터 온도 검출 소자의 열 수용부로 열전도 할 수 있다. 이것에 의해, 온도 검출 정밀도를 높게 할 수 있는 동시에, 온도 검출 대상에 대한 온도 검출 소자의 배치설계의 대응성을 높일 수 있게 된다.

<발명의 실시형태>

이하, 본 발명의 상세를 도면에 기초하여 설명한다.

(제 1 실시형태)

도 1∼도 3에, 본 발명에 따른 온도 검출 소자의 실시형태의 일례를 나타낸다. 도 1은 온도 검출 소자의 일례로서의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도, 도 2는 기판에 탑재된 정특성 서미스터나 그 주변부품을 나타내는 평면도, 도 3은 기판에 탑재된 정특성 서미스터나 그 주변부품을 나타내는 종단면도이다.

도 1을 참조하여, 정특성 서미스터(1)는 칩형 부품으로서 소자 본체부(3), 전극부(4, 5), 및 열 수용부(6)로 구성되어 있다.

소자 본체부(3)는 티탄산 바륨(BaTiO₃)을 주체로 하는 소자로, 가로로 긴 직방체 형상으로 형성되어 있다.

전극부(4, 5)는 소자 본체부(3)의 길이방향 양단면 각각에 접합되어 있다.

열 수용부(6)는 소자 본체부(3)의 길이방향에서의 중앙에 소정폭을 가지는 상태로, 소자 본체부(3)의 외주 전체에 걸쳐 형성되어 있다. 이 형성과정을 설명하면, 소자 본체부(3)의 표면에 스퍼터링법에 의해 소정폭의 은(Ag)의 박막층이 형성된다. 이 은의 박막층상에 전해 도금법에 의해 주석(Sn)의 박막층이 적층형성된다. 열 수용부(6)는 이 은의 박막층을 하층측으로, 주석의 박막층을 상층측으로 하는 2개의 박막층으로 구성되어 있다.

여기에서, 은의 박막층은 소자 본체부(3)에 대하여 비오믹 접촉이다. 이것에 의해, 열 수용부(6)는 은의 박막층이 하층측으로 됨으로써, 소자 본체부(3)에 대하여 전기적으로 결합하지 않도록 도모되어 있다. 열 수용부(6)는 주석의 박막층이 상층측에 설비되어 있으므로, 열 수용부(6)의 표면은 솔더젖음성을 가진다. 열 수용부(6)의 표면층은 은의 박막층에 대하여 코팅된 솔더의 박막층으로 구성되어도 된다. 열 수용부(6)는 전극부(4, 5)와 접하지 않도록, 전극부(4, 5)에 대하여 간격을 두고 형성되어 있다. 열 수용부(6)는 소자 본체부(3)의 표면으로부터 돌출하지 않은 상태로 박막에 형성되어 있다. 이것에 의해, 열 수용부(6)의 표면과 소자 본체부(3)의 표면은, 동일면으로 맞추어져 있다. 이 경우, 열 수용부(6)의 표면과 소자 본체부(3)의 표면을 반드시 동일면으로 맞출 필요는 없으며, 소자 본체부(3)의 표면에 적층되어도 된다. 정특성 서미스터(1)의 치수(길이×폭×높이)는 1.6㎜×0.8㎜×0.8㎜이다. 단지, 정특성 서미스터(1)의 치수는 이 치수에 한정되지 않는다.

도 2 및 도 3을 참조하여, 7은 회로기판, 8은 파워 IC, 9는 랜드를 각각 나타낸다. 회로기판(7)상에 온도 검출 대상으로서의 파워 IC(8)가 탑재되어 있다. 동박으로 이루어지는 랜드(9)가 회로기판(7)에 있어서의 파워 IC(8)를 탑재한 면영역에서 옆쪽 외측으로 연장되어 노출되어 있다. 정특성 서미스터(1)는 랜드(9)의 단부에 위치되어 회로기판(7)상에 실장되어 있다. 정특성 서미스터(1)의 각 전극부(4, 5)는 회로기판(7)의 배선 패턴(도시하지 않음)에 솔더링되어 있다. 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)는 랜드(9)상에 위치되는 상태로 랜드(9)에 대하여 솔더 H에 의해 솔더링되어 있다. 랜드(9)가 전극부(4, 5)에 대하여 전기절연되도록, 랜드(9)는 정특성 서미스터(1)의 전극부(4, 5) 사이에 수납되어 있다. 랜드(9)와 열 수용부(6) 각각의 가로 폭은, 동일하거나 실질적으로 동일한 폭으로 설정되어 있다.

이 구성에 의해, 파워 IC(8)의 열이 랜드(9)를 개재해서 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)에 전도된다. 정특성 서미스터(1)는 그 전도된 열에 대응하는 검출신호를 출력한다. 랜드(9)를 개재해서 파워 IC(8)측에서부터 열전도되기 때문에, 랜드(9)가 없는 경우와 비교하여, 고정밀도의 온도 검출에 필요한 열의 전도가 되기 쉽다. 따라서, 열 수용부(6)가 정특성 서미스터(1)에 형성되어 있음으로써, 온도 검출 대상측인 파워 IC(8)로부터의 열은, 랜드(9)를 통해서 전도되기 쉽다. 이것과 더불어, 정특성 서미스터(1)에 의한 온도 검출 정밀도가 종래와 비교하여 높다. 이 경우, 랜드(9)는 직선 형상으로 연장되어 노출된 것에 한정되지 않고, 부품 등의 배치구성 등에 따라서 적당히 굴곡된 형상이어도 된다. 또한, 열 수용부(6)는 파워 IC(8) 등의 온도 검출 대상소자에 형성된 방열단자 등의 방열부에 직접 접촉 내지는 솔더링 등의 간접 접촉으로 열결합되어도 된다.

(제 2 실시형태)

제 1 실시형태와는 다른 형태를 이루는 제 2 실시형태에 대해서 도면을 기초하여 설명한다. 도 4(a)는 온도 검출 소자를 나타내는 사시도이고, 도 4(b)는 온도 검출 소자의 열 수용부에 있어서의 종단면 측면도이다.

도 4를 참조하여, 정특성 서미스터(1)는 칩 부품으로서, 직방체 형상으로 구성되는 소자 본체부(3), 그 소자 본체부(3)의 양단에 형성된 전극부(4, 5), 및 열 수용부(6)를 포함한다. 열 수용부(6)는 전극부(4, 5) 사이에서 소자 본체부(3)의 표면에 적층형성되는 상태로 형성되어 있다.

정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)는 절연층(10), 금속박막(11), 및 전도체로서의 돌기부(12)를 가진다. 절연층(10)은 소자 본체부(3)의 2개의 측면에 접착된 실리콘 고무 또는 실리콘 수지의 박막 조각으로 구성되어 있다. 금속박막(11)은 절연층(10)의 표면에 형성된 예를 들어 구리를 소재로 하는 박막으로 구성되어 있다. 돌기부(12)는 금속박막(11)의 한 단부에, 마찬가지로 구리를 소재로 하는 판 형상으로 구성되어 있다. 이 경우, 돌기부(12)는 금속박막(11)이 형성되어 있는 면에 대하여 직교하는 방향을 따라 돌출되어 있다.

도 5를 참조하여, 정특성 서미스터(1)의 돌기부(12)는 예를 들어, 회로기판(7)에 탑재된 파워 IC(8)의 패키지(8A)와 회로기판(7)과의 사이에 끼워넣어진다. 파워 IC(8)측에서부터 열 수용부(6)로의 열은 돌기부(12)를 통하여 전도된다. 이 경우, 제 1 실시형태와는 달리 열 수용부(6)는 랜드 등에 솔더링되지 않아도 된다. 이 열 수용부(6)에서는 소자 본체부(3) 표면에 절연층(10)을 개재해서 금속박막(11)이 형성되기 때문에, 금속박막(11)의 소재로서, 오믹접촉의 금속을 채용할 수있다.

본 발명은 상기 각 실시형태에 한정되지 않고, 이하의 변형예를 생각할 수 있다.

① 상기 실시형태에서는, 온도 검출 소자로서 부특성 서미스터를 채용하는 것도 가능하다.

② 열 수용부로서 사용되는 비오믹 접촉의 금속재료로서는, 금, 백금이나, 이들 또는 은을 포함하는 합금이어도 된다.

③ 도 6(a), (b)에 나타낸 바와 같이, 정특성 서미스터의 칩 부품으로 구성되는 정특성 서미스터(1)는 가로로 긴 직방체 형상으로 외형형상이 구성되는 동시에, 그 길이방향 양단에 각각 전극부(4, 5)를 구비한다. 이들 전극부(4, 5) 사이에, 소자 본체부(3)의 표면에 적층형성되는 상태로 열 수용부(6)가 형성된다.

도 6(a), (b)에 보여지는 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)의 경우, 소자 본체부(3)의 2개의 측면에 실리콘 고무 또는 실리콘 수지의 박막 조각이 접착되어 이루어지는 절연층(10), 및 이 절연층(10)의 표면에 형성된 예를 들어 구리로 이루어지는 금속박막(11)에 의해 구성된다.

④ 도 7(a), (b)에 나타낸 바와 같이, 정특성 서미스터의 칩 부품으로 구성되는 정특성 서미스터(1)는 가로로 긴 직방체 형상으로 외형형상이 구성되는 동시에, 그 길이방향 양단에 각각 전극부(4, 5)가 형성되어 있다. 이들 전극부(4, 5)사이에는, 소자 본체부(3)의 표면에 적층형성되는 상태로 열 수용부(6)가 형성되어 있다.

도 7(a), (b)에 보여지는 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)의 경우, 소자본체부(3)의 1개의 측면에 실리콘 고무 또는 실리콘 수지의 박막 조각이 접착되어 이루어지는 절연층(10), 및 이 절연층(10)의 표면에 형성된 예를 들어 구리로 이루어지는 금속박막(11)에 의해 구성된다. 금속박막(11)의 하단에 옆방향으로 돌출하는 전도체로서의 돌기부(12)가 형성된다.

⑤ 도 8에 나타낸 바와 같이, 정특성 서미스터의 칩 부품으로 구성되는 정특성 서미스터(1)는 가로로 긴 직방체 형상으로 외형형상이 구성되는 동시에, 그 양단에 각각 전극부(4, 5)가 형성되어 있다. 이들 전극부(4, 5) 사이에는, 소자 본체부(3)의 표면에 적층형성되는 상태로 열 수용부(6)가 형성되어 있다.

도 8에 보여지는 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)의 경우, 소자 본체부(3)의 2개의 측면에 실리콘 고무 또는 실리콘 수지의 박막 조각이 접착되어 이루어지는 절연층(10a, 10b), 및 이 절연층(10a, 10b)의 표면에 형성된 예를 들어 구리로 이루어지는 금속박막(11a, 11b)에 의해 구성되어 있다. 하나의 면의 절연층(10a)은 양쪽 전극부(4, 5)의 사이에 수납되는 폭이 좁은 것이고, 그 폭내에 금속박막(11a)이 형성되어 있다. 다른 하나의 면의 절연층(10b)은 양쪽 전극부(4, 5)에 일부 겹치도록 폭이 넓게 되어 있고, 그 폭내에 금속박막(11b)이 형성되어 있다. 이 금속박막(11b)은 금속박막(11a)보다도 폭이 넓게 되어 있다. 따라서, 폭이 넓은 이 금속박막(11b) 및 금속박막(11a)은 전극부(4, 5)와는 전기적으로 절연되어 있는 동시에, 폭이 넓게 형성한 금속박막(11b)을 구비함으로써, 그 금속박막(11b)으로 열전도하기 쉽게 되어 있다.

⑥ 도 9(a), (b)에 나타낸 바와 같이, 정특성 서미스터의 칩 부품으로 구성되는 정특성 서미스터(1)는 가로로 긴 직방체 형상으로 외형형상이 구성되는 동시에, 그 길이방향 양단에 각각 전극부(4, 5)가 형성되어 있다. 이들 전극부(4, 5)사이에는, 소자 본체부(3)의 표면에 적층형성되는 상태로 열 수용부(6)가 형성되어 있다.

도 9(a), (b)에 보여지는 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)의 경우, 소자 본체부(3)의 3개의 측면에 실리콘 고무 또는 실리콘 수지의 박막 조각이 접착되어 이루어지는 절연층(10), 및 상기 절연층(10)의 표면에 형성된 예를 들어 구리로 이루어지는 금속박막(11)에 의해 구성되어 있다.

⑦ 본 발명의 실시형태로서, 도시하지 않지만 상기와 같은 절연층은 소자 본체부에 있어서의 전극부를 형성하고 있지 않은 표면의 전면을 피복하도록 형성된 것이어도 된다. 또한, 절연층은 상술한 실리콘 고무 또는 실리콘 수지에 한정되는 것이 아니라, 전기적 절연성이 있는 각종 재료를 적용가능하다.

본 발명에 의하면, 열 수용부를 구비함으로써, 소자 본체부에 대하여 온도 검출 대상으로부터의 열이 전도되기 쉽게 되어 있는 점으로부터, 종래에는 온도 검출 대상으로부터의 열에 의한 감온을 충분히 행할 수 없을 정도로 그 온도 검출 대상으로부터 조금 떨어진 부위에 온도 검출 소자를 배치해야만 하는 경우라도, 온도 검출 대상으로부터 열 수용부로의 열의 전도를 도모할 수 있다. 따라서, 그처럼 검출 대상과의 온도 검출에 관한 온도 검출 소자의 결합을 양호하게 행할 수 있게 되므로, 그 온도 검출 대상의 온도 검출을 고정밀도로 행할 수 있다.

Claims

소자 본체부, 상기 소자 본체부에 형성된 전극부, 및 온도 검출 대상측에서 전도되는 열을 수용하는 열 수용부를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.
제 1항에 있어서, 상기 소자 본체부와 상기 전극부와 상기 열 수용부와의 전체 형상이 칩형으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.
제 1항에 있어서, 상기 소자 본체부가 정특성 서미스터로서 기능하는 부분에 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.
제 1항에 있어서, 상기 소자 본체부는 직방체 형상으로 구성되어 있고, 상기 열 수용부는 상기 소자 본체부의 표면의 적어도 한측면 이상에 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.
제 1항에 있어서, 상기 온도 검출 대상측에서 열을 전도하는 전도체가 상기 열 수용부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.
제 1항에 있어서, 상기 열 수용부는 상기 소자 본체부의 표면소재에 대하여비오믹 접촉의 금속박막층을 가지는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.
제 6항에 있어서, 상기 열 수용부는 상기 비오믹 접촉의 금속박막층에 대한 표층으로서 솔더 젖음성을 갖는 접합용 박막층을 가지는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.
제 1항에 있어서, 상기 소자 본체부의 표면에 절연재층이 형성되어 있고, 상기 열 수용부는 상기 소자 본체부의 표면에 대하여 상기 절연재층을 개재해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.
제 1항에 기재된 온도 검출 소자, 및 상기 온도 검출 소자가 구비하는 상기 열 수용부에 대하여 열결합 가능한 랜드를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판.