JP2000266608A - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
- Publication number
- JP2000266608A JP2000266608A JP11068348A JP6834899A JP2000266608A JP 2000266608 A JP2000266608 A JP 2000266608A JP 11068348 A JP11068348 A JP 11068348A JP 6834899 A JP6834899 A JP 6834899A JP 2000266608 A JP2000266608 A JP 2000266608A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature sensor
- heat
- electrodes
- thermistor element
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易で、温度検知精度が良い温度セン
サを提供する。 【解決手段】 リード電極１２、１２がパターン形成さ
れた耐熱樹脂シート１３に、セラミックサーミスタ素子
１４がリード電極１２、１２の一端に電気的に接続する
よう配設されている。リード電極１２、１２およびセラ
ミックサーミスタ素子１４は、リード電極１２、１２の
他端を残して外装シート１５で絶縁被覆されている。
サを提供する。 【解決手段】 リード電極１２、１２がパターン形成さ
れた耐熱樹脂シート１３に、セラミックサーミスタ素子
１４がリード電極１２、１２の一端に電気的に接続する
よう配設されている。リード電極１２、１２およびセラ
ミックサーミスタ素子１４は、リード電極１２、１２の
他端を残して外装シート１５で絶縁被覆されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、感温部にセラミ
ックサーミスタ素子を利用した温度センサに関する。
ックサーミスタ素子を利用した温度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、特開平３−４８１２７号公報に
開示された、従来の温度センサの一つの例を示す斜視図
である。温度センサ１は、リード線２、２が形成された
耐熱性ポリイミドフィルム３に、チップ基板７を、リー
ド線２、２の一端にチップ基板７の一面に形成された電
極５、５が接続するように半田など（図示せず）で接着
したものである。
開示された、従来の温度センサの一つの例を示す斜視図
である。温度センサ１は、リード線２、２が形成された
耐熱性ポリイミドフィルム３に、チップ基板７を、リー
ド線２、２の一端にチップ基板７の一面に形成された電
極５、５が接続するように半田など（図示せず）で接着
したものである。
【０００３】リード線２、２は、銅張りの耐熱性ポリイ
ミドフィルム３の銅箔をエッチング処理することにより
形成される。チップ基板７は、シリコンウエハー４の一
面に酸化膜からなる絶縁膜（図示せず）が形成され、こ
の絶縁膜の上に、フォトリソグラフィとスパッタリング
の技術を用い、良導体からなる電極５、５および薄膜の
酸化物サーミスタ６が形成されたものである。電極５、
５は櫛形状に形成され、酸化物サーミスタ６は、この電
極５、５の櫛の部分の上に堆積して覆うように形成され
ている。この電極５、５は、リード線２、２と電気的接
続されている。
ミドフィルム３の銅箔をエッチング処理することにより
形成される。チップ基板７は、シリコンウエハー４の一
面に酸化膜からなる絶縁膜（図示せず）が形成され、こ
の絶縁膜の上に、フォトリソグラフィとスパッタリング
の技術を用い、良導体からなる電極５、５および薄膜の
酸化物サーミスタ６が形成されたものである。電極５、
５は櫛形状に形成され、酸化物サーミスタ６は、この電
極５、５の櫛の部分の上に堆積して覆うように形成され
ている。この電極５、５は、リード線２、２と電気的接
続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】酸化物サーミスタ６を
シリコンウエハー４の一面の絶縁膜に形成したのは、次
のような理由による。つまり、耐熱性ポリイミドフィル
ム３の上に直接形成することが考えられるが、酸化物サ
ーミスタ６は約１μｍと極めて薄く、かつ耐熱性ポリイ
ミドフィルム３が柔軟であるため、耐熱性ポリイミドフ
ィルム３を曲げたときに、酸化物サーミスタ６が剥離し
たり破損したりするからである。
シリコンウエハー４の一面の絶縁膜に形成したのは、次
のような理由による。つまり、耐熱性ポリイミドフィル
ム３の上に直接形成することが考えられるが、酸化物サ
ーミスタ６は約１μｍと極めて薄く、かつ耐熱性ポリイ
ミドフィルム３が柔軟であるため、耐熱性ポリイミドフ
ィルム３を曲げたときに、酸化物サーミスタ６が剥離し
たり破損したりするからである。
【０００５】しかしながら、温度センサ１は、上記した
ような製法で作られるため、生産工程が複雑で、構成要
素も多く、コストがかかるという問題があった。
ような製法で作られるため、生産工程が複雑で、構成要
素も多く、コストがかかるという問題があった。
【０００６】また、温度センサ１は、酸化物サーミスタ
６が形成されたシリコンウエハー４は熱容量を持つた
め、熱に対する応答速度が遅いという問題があった。
６が形成されたシリコンウエハー４は熱容量を持つた
め、熱に対する応答速度が遅いという問題があった。
【０００７】さらに、温度センサ１は、シリコンウエハ
ー４を通して熱が逃げるため、正確な温度測定が難しい
という問題もあった。
ー４を通して熱が逃げるため、正確な温度測定が難しい
という問題もあった。
【０００８】この発明の目的は、製造が容易で、温度検
知精度が良い温度センサを提供することである。
知精度が良い温度センサを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る温度セン
サは、１対のリード電極がパターン形成された耐熱樹脂
シートに、セラミックサーミスタ素子が前記リード電極
の一端に電気的に接続するよう配設され、前記セラミッ
クサーミスタ素子およびリード電極がこのリード電極の
他端を残して絶縁被覆されていることを特徴とする。
サは、１対のリード電極がパターン形成された耐熱樹脂
シートに、セラミックサーミスタ素子が前記リード電極
の一端に電気的に接続するよう配設され、前記セラミッ
クサーミスタ素子およびリード電極がこのリード電極の
他端を残して絶縁被覆されていることを特徴とする。
【００１０】これにより、耐熱樹脂シート上のリード電
極に直接チップ状のセラミックサーミスタ素子を接続す
ることができる。
極に直接チップ状のセラミックサーミスタ素子を接続す
ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明における一つの実施の形
態について、図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ）に示
す温度センサ１１を参考に説明する。
態について、図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ）に示
す温度センサ１１を参考に説明する。
【００１２】温度センサ１１は、リード電極１２、１２
が形成された耐熱樹脂シート１３にチップ状のセラミッ
クサーミスタ素子１４を配設し、リード電極１２、１２
およびセラミックサーミスタ素子１４を外装シート１５
で被覆したものである。
が形成された耐熱樹脂シート１３にチップ状のセラミッ
クサーミスタ素子１４を配設し、リード電極１２、１２
およびセラミックサーミスタ素子１４を外装シート１５
で被覆したものである。
【００１３】温度センサ１１は、厚さ５０μｍのポリイ
ミドの耐熱樹脂シート１３に、Ａｇを含む電極材料を印
刷して厚さ１０μｍのリード電極１２、１２をパターン
形成し、このリード電極１２、１２の一端に、厚さ０．
５ｍｍのセラミックサーミスタ素子１４を載置してバン
プ電極１６、１６を介してバンプ接続したものである。
さらに、このリード電極１２、１２およびセラミックサ
ーミスタ素子１４をポリイミドからなる厚さ５０μｍの
外装シート１５で被覆して、耐熱樹脂シート１３と外装
シート１５を耐熱接着剤で密着固定したものである。な
お、リード電極１２、１２の他端は、外装シート１５で
被覆せず、外部接続用に露出させておく。この温度セン
サ１１の厚みは、６１０μｍであった。
ミドの耐熱樹脂シート１３に、Ａｇを含む電極材料を印
刷して厚さ１０μｍのリード電極１２、１２をパターン
形成し、このリード電極１２、１２の一端に、厚さ０．
５ｍｍのセラミックサーミスタ素子１４を載置してバン
プ電極１６、１６を介してバンプ接続したものである。
さらに、このリード電極１２、１２およびセラミックサ
ーミスタ素子１４をポリイミドからなる厚さ５０μｍの
外装シート１５で被覆して、耐熱樹脂シート１３と外装
シート１５を耐熱接着剤で密着固定したものである。な
お、リード電極１２、１２の他端は、外装シート１５で
被覆せず、外部接続用に露出させておく。この温度セン
サ１１の厚みは、６１０μｍであった。
【００１４】リード電極１２は、電極材料のＡｇに代え
て、Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌまたはそれらを含む
合金を用いてもよい。また、リード電極１２の形成に
は、印刷の他、上記金属または合金からなる箔を圧着し
て形成してもよい。
て、Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌまたはそれらを含む
合金を用いてもよい。また、リード電極１２の形成に
は、印刷の他、上記金属または合金からなる箔を圧着し
て形成してもよい。
【００１５】耐熱樹脂シート１３および外装シート１５
は、ポリイミド系樹脂の他、テトラフルオロエチレン
系、ポリアミド系、ポリフェニレンサルファイド、液晶
樹脂などを用いてもよい。また、厚みは、材料により５
０〜３００μｍ程度が適当であるが、絶縁性を保てる範
囲でできるだけ薄いことが望ましい。
は、ポリイミド系樹脂の他、テトラフルオロエチレン
系、ポリアミド系、ポリフェニレンサルファイド、液晶
樹脂などを用いてもよい。また、厚みは、材料により５
０〜３００μｍ程度が適当であるが、絶縁性を保てる範
囲でできるだけ薄いことが望ましい。
【００１６】セラミックサーミスタ素子１４は、酸化物
系のセラミックサーミスタであり、負の抵抗温度特性を
有する場合は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉなどの酸化物を
主成分とするサーミスタ材料やＬａ，Ｃｏなどの酸化物
を主成分とするサーミスタ材料、また、正の抵抗温度特
性を有する場合は、ＢａＴｉＯ3を主成分とするサーミ
スタ材料を用いたものがある。このサーミスタ素体１４
ａには、表面電極１４ｂ、１４ｂが形成されている。表
面電極１４ｂ、１４ｂは、サーミスタ素体１４ａの表面
上に、Ａｕなどをメッキすることにより形成し、セラミ
ックサーミスタ素子１４の抵抗値を決定するものであ
る。
系のセラミックサーミスタであり、負の抵抗温度特性を
有する場合は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉなどの酸化物を
主成分とするサーミスタ材料やＬａ，Ｃｏなどの酸化物
を主成分とするサーミスタ材料、また、正の抵抗温度特
性を有する場合は、ＢａＴｉＯ3を主成分とするサーミ
スタ材料を用いたものがある。このサーミスタ素体１４
ａには、表面電極１４ｂ、１４ｂが形成されている。表
面電極１４ｂ、１４ｂは、サーミスタ素体１４ａの表面
上に、Ａｕなどをメッキすることにより形成し、セラミ
ックサーミスタ素子１４の抵抗値を決定するものであ
る。
【００１７】Ａｕや半田材からなる球状のバンプ電極１
６、１６は、表面電極１４ｂ、１４ｂをリード電極１
２、１２に電気的、機械的に接続している。
６、１６は、表面電極１４ｂ、１４ｂをリード電極１
２、１２に電気的、機械的に接続している。
【００１８】なお、セラミックサーミスタ素子１４の表
面電極１４ｂ、１４ｂと耐熱樹脂シート１３のリード電
極１２、１２との接続方法は、バンプ接続の他、導電性
接着剤、半田などを用いてもよい。
面電極１４ｂ、１４ｂと耐熱樹脂シート１３のリード電
極１２、１２との接続方法は、バンプ接続の他、導電性
接着剤、半田などを用いてもよい。
【００１９】また、外装シート１５で被覆されずに露出
しているリード電極１２、１２の他端は、コネクターな
どに挿入できるよう、電極表面をメッキなどで加工して
おくとよい。あるいは、リード線１２、１２に延長電線
をさらに接続してもよい。
しているリード電極１２、１２の他端は、コネクターな
どに挿入できるよう、電極表面をメッキなどで加工して
おくとよい。あるいは、リード線１２、１２に延長電線
をさらに接続してもよい。
【００２０】この実施例では、外装シート１５で耐熱樹
脂シート１３のほぼ全体を被覆したが、図２のように、
あらかじめ、セラミックサーミスタ素子１４が接続され
る一端を除いてリード電極１２、１２を外装シート２５
で被覆しておき、セラミックサーミスタ素子１４を接続
した後、セラミックサーミスタ素子１４を外装樹脂２６
で被覆してもよい。
脂シート１３のほぼ全体を被覆したが、図２のように、
あらかじめ、セラミックサーミスタ素子１４が接続され
る一端を除いてリード電極１２、１２を外装シート２５
で被覆しておき、セラミックサーミスタ素子１４を接続
した後、セラミックサーミスタ素子１４を外装樹脂２６
で被覆してもよい。
【００２１】さらに、この実施例では、耐熱樹脂シート
１３に一ヶ所貫通孔１８を設けているが、耐熱樹脂シー
ト１３および外装シート１５の適宜の位置に貫通孔や切
り欠きを設け、ボルトなどで温度センサ１１を被温度測
定物に確実に固定できるようにしてもよい。
１３に一ヶ所貫通孔１８を設けているが、耐熱樹脂シー
ト１３および外装シート１５の適宜の位置に貫通孔や切
り欠きを設け、ボルトなどで温度センサ１１を被温度測
定物に確実に固定できるようにしてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、この発明である温度
センサは、チップ状のセラミックサーミスタ素子を、リ
ード電極をパターン印刷した耐熱樹脂シートに接続する
ので、従来例の薄膜サーミスタを用いた温度センサと比
較して、工程および部品点数を減らし、コストダウンを
はかることができる。
センサは、チップ状のセラミックサーミスタ素子を、リ
ード電極をパターン印刷した耐熱樹脂シートに接続する
ので、従来例の薄膜サーミスタを用いた温度センサと比
較して、工程および部品点数を減らし、コストダウンを
はかることができる。
【００２３】また、耐熱樹脂シートおよび外装シート
は、熱伝導性が低く、かつ熱容量が小さいため、被測定
部からの熱がセラミックサーミスタ素子に有効に伝導
し、正確な温度検知が可能である。
は、熱伝導性が低く、かつ熱容量が小さいため、被測定
部からの熱がセラミックサーミスタ素子に有効に伝導
し、正確な温度検知が可能である。
【００２４】さらに、セラミックサーミスタ素子を小型
にすることで、温度センサ全体の熱容量を小さくするこ
とができ、熱応答性を高めることができる。
にすることで、温度センサ全体の熱容量を小さくするこ
とができ、熱応答性を高めることができる。
【図１】この発明に係る一つの実施の形態の温度センサ
を示しており、（ａ）は分解斜視図、（ｂ）は断面図、
（ｃ）はセラミックサーミスタ素子とリード電極との接
続状態を示す拡大側面図である。
を示しており、（ａ）は分解斜視図、（ｂ）は断面図、
（ｃ）はセラミックサーミスタ素子とリード電極との接
続状態を示す拡大側面図である。
【図２】この発明に係る他の実施の形態の温度センサを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】従来例の温度センサを示しており、（ａ）は斜
視図、（ｂ）はチップ基板の拡大側面図である。
視図、（ｂ）はチップ基板の拡大側面図である。
１１ 温度センサ １２ リード電極 １３ 耐熱樹脂シート １４ セラミックサーミスタ素子 １５、２５ 外装シート
Claims (1)
- 【請求項１】 １対のリード電極がパターン形成された
耐熱樹脂シートに、セラミックサーミスタ素子が前記リ
ード電極の一端に電気的に接続するよう配設され、前記
セラミックサーミスタ素子およびリード電極がこのリー
ド電極の他端を残して絶縁被覆されていることを特徴と
する温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068348A JP2000266608A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068348A JP2000266608A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000266608A true JP2000266608A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13371245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11068348A Pending JP2000266608A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000266608A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008026199A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサとそれを備えた暖房便座装置 |
| CN100405626C (zh) * | 2002-04-08 | 2008-07-23 | 株式会社村田制作所 | 温度检测元件以及装备它的电路基板 |
| KR101093997B1 (ko) | 2009-07-13 | 2011-12-15 | 주식회사 이스텍 | 표면 온도 측정을 위한 온도 센서 |
| JP2012067502A (ja) * | 2010-09-23 | 2012-04-05 | Mitsubishi Materials Corp | 温度センサ付き窓ガラス |
| WO2013129795A1 (ko) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | (주)유민에쓰티 | 필름형 온도센서 |
| KR101515456B1 (ko) | 2013-04-29 | 2015-05-04 | (주)유민에쓰티 | 결로제거장치 |
| CN104813419A (zh) * | 2012-11-28 | 2015-07-29 | 株式会社村田制作所 | 热敏电阻装置 |
| CN113140331A (zh) * | 2021-03-05 | 2021-07-20 | 国科中子能(青岛)研究院有限公司 | 一种紧凑结构燃料组件、反应堆和移动载具 |
| WO2021145088A1 (ja) * | 2020-01-14 | 2021-07-22 | 株式会社芝浦電子 | 温度センサおよび温度センサの製造方法 |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP11068348A patent/JP2000266608A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100405626C (zh) * | 2002-04-08 | 2008-07-23 | 株式会社村田制作所 | 温度检测元件以及装备它的电路基板 |
| JP2008026199A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサとそれを備えた暖房便座装置 |
| KR101093997B1 (ko) | 2009-07-13 | 2011-12-15 | 주식회사 이스텍 | 표면 온도 측정을 위한 온도 센서 |
| JP2012067502A (ja) * | 2010-09-23 | 2012-04-05 | Mitsubishi Materials Corp | 温度センサ付き窓ガラス |
| WO2013129795A1 (ko) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | (주)유민에쓰티 | 필름형 온도센서 |
| CN104220856A (zh) * | 2012-02-29 | 2014-12-17 | 株式会社俞旻St | 膜片型温度传感器 |
| US9797781B2 (en) | 2012-11-28 | 2017-10-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor device |
| CN104813419A (zh) * | 2012-11-28 | 2015-07-29 | 株式会社村田制作所 | 热敏电阻装置 |
| KR101515456B1 (ko) | 2013-04-29 | 2015-05-04 | (주)유민에쓰티 | 결로제거장치 |
| WO2021145088A1 (ja) * | 2020-01-14 | 2021-07-22 | 株式会社芝浦電子 | 温度センサおよび温度センサの製造方法 |
| JPWO2021145088A1 (ja) * | 2020-01-14 | 2021-07-22 | ||
| JP7016453B2 (ja) | 2020-01-14 | 2022-02-04 | 株式会社芝浦電子 | 温度センサおよび温度センサの製造方法 |
| CN113140331A (zh) * | 2021-03-05 | 2021-07-20 | 国科中子能(青岛)研究院有限公司 | 一种紧凑结构燃料组件、反应堆和移动载具 |
| CN113140331B (zh) * | 2021-03-05 | 2023-09-15 | 国科中子能(青岛)研究院有限公司 | 一种紧凑结构燃料组件、反应堆和移动载具 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5896081A (en) | Resistance temperature detector (RTD) formed with a surface-mount-device (SMD) structure | |
| JP4670922B2 (ja) | 低抵抗抵抗器 | |
| US7746212B2 (en) | Temperature sensor and method for its production | |
| US20020031860A1 (en) | Chip resistor and method for manufacturing the same | |
| US5197804A (en) | Resistance temperature sensor | |
| JP4503122B2 (ja) | 電流検出用低抵抗器及びその製造方法 | |
| JP2000266608A (ja) | 温度センサ | |
| JPH0868699A (ja) | サーミスタセンサ | |
| JP2000232007A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| US6529115B2 (en) | Surface mounted resistor | |
| JP5579180B2 (ja) | センサ装置及びその製造方法 | |
| JP4586413B2 (ja) | 燃料電池 | |
| JP4871548B2 (ja) | 薄膜サーミスタ | |
| JP2011089859A (ja) | 温度センサ | |
| JP7394214B2 (ja) | センサ素子及びセンサ素子の製造方法 | |
| CN107256746A (zh) | 片式热敏电阻器的制造方法与片式热敏电阻器 | |
| JP2000340403A (ja) | 温度センサおよびその製造方法 | |
| JPH0616835U (ja) | 温度センサ | |
| US20180122537A1 (en) | Electronic component | |
| JP3832165B2 (ja) | ポリマｐｔｃサーミスタ | |
| JP2002075714A (ja) | 低抵抗器及びその製造方法 | |
| JP2006278793A (ja) | 温度検出素子 | |
| JP4310852B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP2001116771A (ja) | 電流検出用低抵抗器及びその製造方法 | |
| JP2000299203A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 |