JP2000340403A - 温度センサおよびその製造方法 - Google Patents
温度センサおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リード端子と温度検出素子との接続が確実
で、より正確な温度検知が可能な温度センサおよびその
製造方法を提供する。 【解決手段】 バネ性を有する板状のリード端子と、両
主面に端子電極が形成された温度検出素子と、からな
り、前記リード端子は、ねじれを有して先端が平板状に
向かい合っている。前記温度検出素子は、リード端子先
端の間隙に装着され、リード端子先端の平板状の面と前
記端子電極とが、半田などで電気的に接続されている。
で、より正確な温度検知が可能な温度センサおよびその
製造方法を提供する。 【解決手段】 バネ性を有する板状のリード端子と、両
主面に端子電極が形成された温度検出素子と、からな
り、前記リード端子は、ねじれを有して先端が平板状に
向かい合っている。前記温度検出素子は、リード端子先
端の間隙に装着され、リード端子先端の平板状の面と前
記端子電極とが、半田などで電気的に接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、板状のリード端
子に温度検出素子を取り付けた温度センサに関し、特に
温度検知用のサーミスタに関するものである。
子に温度検出素子を取り付けた温度センサに関し、特に
温度検知用のサーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】温度センサは、例えば、温度検出素子に
負特性サーミスタ素子が用いられ、被測定物に接触させ
て、被測定物の温度を検知する用途に用いられる。
負特性サーミスタ素子が用いられ、被測定物に接触させ
て、被測定物の温度を検知する用途に用いられる。
【０００３】温度検出素子に取り付けるリード端子は、
例えば、組立ての自動化や、形状あるいは寸法精度のば
らつきを小さくするため、リードフレームによる一体成
形で製作される。
例えば、組立ての自動化や、形状あるいは寸法精度のば
らつきを小さくするため、リードフレームによる一体成
形で製作される。
【０００４】図４は、リードフレーム１に温度検出素子
２を取り付けた状態を示す斜視図である。リードフレー
ム１は、帯状部１ａと、帯状部１ａから直角方向に延び
る一対の板状リード部１ｂ、１ｂを複数対備えている。
温度検出素子２は、両端面に端子電極２ａ、２ａが形成
され、前記一対の板状リード部１ｂ、１ｂの先端１ｃ、
１ｃの間隙に装着される。端子電極２ａ、２ａと板状リ
ード部１ｂ、１ｂの先端１ｃ、１ｃとは、半田（図示せ
ず）などを用いて電気的に接続される。
２を取り付けた状態を示す斜視図である。リードフレー
ム１は、帯状部１ａと、帯状部１ａから直角方向に延び
る一対の板状リード部１ｂ、１ｂを複数対備えている。
温度検出素子２は、両端面に端子電極２ａ、２ａが形成
され、前記一対の板状リード部１ｂ、１ｂの先端１ｃ、
１ｃの間隙に装着される。端子電極２ａ、２ａと板状リ
ード部１ｂ、１ｂの先端１ｃ、１ｃとは、半田（図示せ
ず）などを用いて電気的に接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４のように、リード
フレーム１と温度検出素子２の厚み方向を揃えて取りつ
ける場合、板状リード部１ｂ、１ｂの先端１ｃ、１ｃと
温度検出素子２との接触面積が小さく、半田付け面積が
小さい。したがって、板状リード部１ｂ、１ｂと温度検
出素子２との接続強度が弱く、個々の温度センサに切断
した後の、リード端子の引裂き強度が弱いという問題が
あった。
フレーム１と温度検出素子２の厚み方向を揃えて取りつ
ける場合、板状リード部１ｂ、１ｂの先端１ｃ、１ｃと
温度検出素子２との接触面積が小さく、半田付け面積が
小さい。したがって、板状リード部１ｂ、１ｂと温度検
出素子２との接続強度が弱く、個々の温度センサに切断
した後の、リード端子の引裂き強度が弱いという問題が
あった。
【０００６】また、板状リード部１ｂ、１ｂの先端１
ｃ、１ｃと温度検出素子２の取り付け位置が安定せず、
図５（ａ）、（ｂ）のように、温度検出素子２の向きや
位置がずれることがあった。
ｃ、１ｃと温度検出素子２の取り付け位置が安定せず、
図５（ａ）、（ｂ）のように、温度検出素子２の向きや
位置がずれることがあった。
【０００７】この発明の目的は、リード端子と温度検出
素子との接続が確実で、より正確な温度検知が可能な温
度センサおよびその製造方法を提供することである。
素子との接続が確実で、より正確な温度検知が可能な温
度センサおよびその製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この第１の発明の温度セ
ンサは、温度検出素子の両主面に形成された端子電極に
板状のリード端子が取り付けられており、前記リード端
子は、ねじれを有して先端が平板状に向かい合ってお
り、この先端の平板状の面と前記端子電極とが、半田な
どで電気的に接続されていることを特徴とする。
ンサは、温度検出素子の両主面に形成された端子電極に
板状のリード端子が取り付けられており、前記リード端
子は、ねじれを有して先端が平板状に向かい合ってお
り、この先端の平板状の面と前記端子電極とが、半田な
どで電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００９】この第２の発明の温度センサは、前記リー
ド端子が、バネ性を有することを特徴とする。
ド端子が、バネ性を有することを特徴とする。
【００１０】この第３の発明の温度センサは、前記リー
ド端子のねじれが、リード端子先端近傍に設けられてい
ることを特徴とする。
ド端子のねじれが、リード端子先端近傍に設けられてい
ることを特徴とする。
【００１１】この第４の発明の温度センサは、前記リー
ド端子が、リン青銅、洋白、ベリリウム、ＳＵＳ、Ｃｕ
−Ｔｉ合金またはこれらにめっきを施したもののいずれ
かよりなることを特徴する。
ド端子が、リン青銅、洋白、ベリリウム、ＳＵＳ、Ｃｕ
−Ｔｉ合金またはこれらにめっきを施したもののいずれ
かよりなることを特徴する。
【００１２】この第５の発明の温度センサは、前記温度
検出素子および前記リード端子が絶縁被覆されているこ
とを特徴とする。
検出素子および前記リード端子が絶縁被覆されているこ
とを特徴とする。
【００１３】この第６の発明の温度センサは、前記温度
検出素子が、負特性サーミスタ素子であることを特徴と
する。
検出素子が、負特性サーミスタ素子であることを特徴と
する。
【００１４】この第７の発明の温度センサの製造方法
は、両主面に端子電極を形成した温度検出素子を準備す
る工程と、帯状部と、帯状部から直角方向に延びる一対
の板状リード部を複数対備えるリードフレームを成形す
る工程と、各板状リード部にねじり加工を施し、一対の
板状リード部の先端を平板状に向かい合わせる工程と、
一対の板状リード部先端の間隙に温度検出素子を装着し
て、温度検出素子の端子電極と板状リード部先端の平板
状の面とを、半田などを用いて電気的に接続する工程
と、各板状リード部を帯状部から切断し、所定長さの独
立したリード端子とする工程と、を備えることを特徴と
する。
は、両主面に端子電極を形成した温度検出素子を準備す
る工程と、帯状部と、帯状部から直角方向に延びる一対
の板状リード部を複数対備えるリードフレームを成形す
る工程と、各板状リード部にねじり加工を施し、一対の
板状リード部の先端を平板状に向かい合わせる工程と、
一対の板状リード部先端の間隙に温度検出素子を装着し
て、温度検出素子の端子電極と板状リード部先端の平板
状の面とを、半田などを用いて電気的に接続する工程
と、各板状リード部を帯状部から切断し、所定長さの独
立したリード端子とする工程と、を備えることを特徴と
する。
【００１５】この第８の発明の温度センサの製造方法
は、板状リード部先端に温度検出素子を取り付けた後、
前記温度検出素子と板状リード部とを絶縁被覆する工程
を、さらに備えることを特徴とする。
は、板状リード部先端に温度検出素子を取り付けた後、
前記温度検出素子と板状リード部とを絶縁被覆する工程
を、さらに備えることを特徴とする。
【００１６】これにより、板状のリード端子先端の平板
状の面と温度検出素子の両主面とを接触させ、リード端
子と温度検出素子との接続を確実にすることができる。
状の面と温度検出素子の両主面とを接触させ、リード端
子と温度検出素子との接続を確実にすることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】この発明の一つの実施の形態につ
いて図１を参照して説明する。なお、ここでは、温度検
出素子に負特性サーミスタ素子を用いて説明する。
いて図１を参照して説明する。なお、ここでは、温度検
出素子に負特性サーミスタ素子を用いて説明する。
【００１８】図１に示す温度センサ１１は、端子電極１
２ａ、１２ａが形成された温度検出素子である負特性サ
ーミスタ素子１２と、先端１３ａ、１３ａが端子電極１
２ａ、１２ａに半田（図示せず）などで取り付けられた
リード端子１３、１３と、負特性サーミスタ素子１２お
よびリード端子１３、１３を被覆する外装樹脂１４と、
から構成される。
２ａ、１２ａが形成された温度検出素子である負特性サ
ーミスタ素子１２と、先端１３ａ、１３ａが端子電極１
２ａ、１２ａに半田（図示せず）などで取り付けられた
リード端子１３、１３と、負特性サーミスタ素子１２お
よびリード端子１３、１３を被覆する外装樹脂１４と、
から構成される。
【００１９】負特性サーミスタ素子１２は、チップ状の
負特性サーミスタ素体の対向する主面に一対の端子電極
１２ａ、１２ａを形成したものである。チップ状の負特
性サーミスタ素体は、角板状に限らず、円板状であって
もよい。
負特性サーミスタ素体の対向する主面に一対の端子電極
１２ａ、１２ａを形成したものである。チップ状の負特
性サーミスタ素体は、角板状に限らず、円板状であって
もよい。
【００２０】リード端子１３、１３は、材質がリン青銅
（硬度：１／２Ｈ）で、断面が長方形の板状であり、先
端１３ａ、１３ａ近傍にねじれを有し、先端１３ａ、１
３ａと他端１３ｂ、１３ｂとの厚み方向が９０度異なっ
ている。すなわち、リード端子１３、１３の先端１３
ａ、１３ａが平板状に向かい合っている。
（硬度：１／２Ｈ）で、断面が長方形の板状であり、先
端１３ａ、１３ａ近傍にねじれを有し、先端１３ａ、１
３ａと他端１３ｂ、１３ｂとの厚み方向が９０度異なっ
ている。すなわち、リード端子１３、１３の先端１３
ａ、１３ａが平板状に向かい合っている。
【００２１】リード端子１３、１３の材料は、リン青銅
の他、洋白、ベリリウム、ＳＵＳ、Ｃｕ−Ｔｉ合金また
はこれらにめっきを施したものなど、バネ性を有する材
質よりなることが望ましい。例えば、図２は、マザーボ
ードに搭載されるＣＰＵ２１の発熱温度を検知するため
に、温度センサ１１をＣＰＵ２１とつながるＤＣファン
２２に接触させたことを示す概略図である。リード端子
１３がバネ性を有することにより、負特性サーミスタ素
子１２とＤＣファン２２とを弾性接触させることができ
る。すなわち、接着剤などを用いず、またリード端子１
３の長さを個々に調整することなく、負特性サーミスタ
素子１２とＤＣファン２２との接触を確実にすることが
できる。なお、図２中の２３は、プリント基板２４とＣ
ＰＵ２１を接続するソケットを示す。
の他、洋白、ベリリウム、ＳＵＳ、Ｃｕ−Ｔｉ合金また
はこれらにめっきを施したものなど、バネ性を有する材
質よりなることが望ましい。例えば、図２は、マザーボ
ードに搭載されるＣＰＵ２１の発熱温度を検知するため
に、温度センサ１１をＣＰＵ２１とつながるＤＣファン
２２に接触させたことを示す概略図である。リード端子
１３がバネ性を有することにより、負特性サーミスタ素
子１２とＤＣファン２２とを弾性接触させることができ
る。すなわち、接着剤などを用いず、またリード端子１
３の長さを個々に調整することなく、負特性サーミスタ
素子１２とＤＣファン２２との接触を確実にすることが
できる。なお、図２中の２３は、プリント基板２４とＣ
ＰＵ２１を接続するソケットを示す。
【００２２】外装樹脂１４は、ポリエチレン系樹脂から
なり、負特性サーミスタ素子１２とリード端子１３、１
３の大部分を絶縁被覆している。負特性サーミスタ素子
１２とリード端子１３、１３とを同一樹脂で絶縁被覆す
る場合、ポリエチレン系樹脂の他、シリコン系樹脂など
が用いられる。
なり、負特性サーミスタ素子１２とリード端子１３、１
３の大部分を絶縁被覆している。負特性サーミスタ素子
１２とリード端子１３、１３とを同一樹脂で絶縁被覆す
る場合、ポリエチレン系樹脂の他、シリコン系樹脂など
が用いられる。
【００２３】負特性サーミスタ素子１２およびリード端
子１３、１３を絶縁被覆する外装樹脂は、必ずしも同一
である必要はない。負特性サーミスタ素子１２を絶縁被
覆する外装樹脂は、負特性サーミスタ素子１２を外部環
境から保護し、かつ絶縁性を保持することを目的として
おり、例えば絶縁性と耐熱性を有する強度の優れたエポ
キシ系樹脂、フェノール系樹脂、ガラスなどからなるこ
とが好ましい。リード端子１３、１３を絶縁被覆する外
装樹脂は、絶縁性に加え、可撓性を有するものであり、
例えばポリエチレン系樹脂からなることが好ましい。
子１３、１３を絶縁被覆する外装樹脂は、必ずしも同一
である必要はない。負特性サーミスタ素子１２を絶縁被
覆する外装樹脂は、負特性サーミスタ素子１２を外部環
境から保護し、かつ絶縁性を保持することを目的として
おり、例えば絶縁性と耐熱性を有する強度の優れたエポ
キシ系樹脂、フェノール系樹脂、ガラスなどからなるこ
とが好ましい。リード端子１３、１３を絶縁被覆する外
装樹脂は、絶縁性に加え、可撓性を有するものであり、
例えばポリエチレン系樹脂からなることが好ましい。
【００２４】温度センサ１１は、図３に示すような製造
方法で製造することができる。まず、チップ状の負特性
サーミスタ素体の両主面に、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔま
たはそれらを含む合金からなる端子電極１２ａ、１２ａ
を形成して、温度検出素子である負特性サーミスタ素子
１２を準備する。負特性サーミスタ素子１２の寸法は、
縦０．３ｍｍ〜１．５ｍｍ、横０．３ｍｍ〜１．５ｍ
ｍ、厚み０．３ｍｍ〜１．０ｍｍとする。
方法で製造することができる。まず、チップ状の負特性
サーミスタ素体の両主面に、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔま
たはそれらを含む合金からなる端子電極１２ａ、１２ａ
を形成して、温度検出素子である負特性サーミスタ素子
１２を準備する。負特性サーミスタ素子１２の寸法は、
縦０．３ｍｍ〜１．５ｍｍ、横０．３ｍｍ〜１．５ｍ
ｍ、厚み０．３ｍｍ〜１．０ｍｍとする。
【００２５】次に、図３（ａ）に示すような、帯状部１
５ａと、帯状部１５ａから直角方向に延びる複数の板状
リード部１５ｂを備えるリードフレーム１５を準備す
る。リードフレーム１５は、リン青銅からなる金属板に
化学エッチングあるいはプレスなどを行なうことにより
形成される。複数の板状リード部１５ｂは、一対の板状
リード部１５ｂ、１５ｂが複数対形成されたものであ
る。板状リード部１５ｂの幅は０．３ｍｍ〜０．６ｍ
ｍ、厚みは０．２ｍｍ〜０．３ｍｍとする。
５ａと、帯状部１５ａから直角方向に延びる複数の板状
リード部１５ｂを備えるリードフレーム１５を準備す
る。リードフレーム１５は、リン青銅からなる金属板に
化学エッチングあるいはプレスなどを行なうことにより
形成される。複数の板状リード部１５ｂは、一対の板状
リード部１５ｂ、１５ｂが複数対形成されたものであ
る。板状リード部１５ｂの幅は０．３ｍｍ〜０．６ｍ
ｍ、厚みは０．２ｍｍ〜０．３ｍｍとする。
【００２６】次に、図３（ｂ）に示すように、各板状リ
ード部１５ｂにプレスなどのねじり加工を施して、板状
リード部１５ｂの先端１５ｃの厚み方向を他端１５ｄか
ら９０度回転させる。これにより、一対の板状リード部
１５ｂ、１５ｂの先端１５ｃ、１５ｃが、平板状に向か
い合う。
ード部１５ｂにプレスなどのねじり加工を施して、板状
リード部１５ｂの先端１５ｃの厚み方向を他端１５ｄか
ら９０度回転させる。これにより、一対の板状リード部
１５ｂ、１５ｂの先端１５ｃ、１５ｃが、平板状に向か
い合う。
【００２７】板状リード部１５ｂにねじり加工を施す位
置は、リード端子１３のバネ性を大きくするために、先
端１５ｃ近傍、すなわち負特性サーミスタ素子１２取付
け部の直前に設けることが望ましい。
置は、リード端子１３のバネ性を大きくするために、先
端１５ｃ近傍、すなわち負特性サーミスタ素子１２取付
け部の直前に設けることが望ましい。
【００２８】上記の負特性サーミスタ素子１２と、ねじ
り加工を施したフレームリード１５とを準備した後、図
３（ｃ）に示すように、板状リード部１５ｂ先端１５ｃ
の平板状の面の間隙に負特性サーミスタ素子１２を装着
して、負特性サーミスタ素子１２の両主面の電極１２
ａ、１２ａと板状リード部１５ｂの先端１５ｃとを、半
田（図示せず）などを用いて接続する。
り加工を施したフレームリード１５とを準備した後、図
３（ｃ）に示すように、板状リード部１５ｂ先端１５ｃ
の平板状の面の間隙に負特性サーミスタ素子１２を装着
して、負特性サーミスタ素子１２の両主面の電極１２
ａ、１２ａと板状リード部１５ｂの先端１５ｃとを、半
田（図示せず）などを用いて接続する。
【００２９】さらに、図３（ｄ）に示すように、リード
フレーム１５の帯状部１５ａを上にして、負特性サーミ
スタ素子１２側から板状リード部１５ｂの所定位置まで
ポリエチレン系樹脂２５に浸漬し、硬化する。これによ
り、負特性サーミスタ素子１２と板状リード部の大部分
が、外装樹脂１４で絶縁被覆される。
フレーム１５の帯状部１５ａを上にして、負特性サーミ
スタ素子１２側から板状リード部１５ｂの所定位置まで
ポリエチレン系樹脂２５に浸漬し、硬化する。これによ
り、負特性サーミスタ素子１２と板状リード部の大部分
が、外装樹脂１４で絶縁被覆される。
【００３０】最後に、板状リード部１５ｂを所定の位置
で帯状部１５ａから切断して所望の長さのリード端子１
３とし、図１に示すような、所定のリード端子１３、１
３長さを有する温度センサ１１を得る。
で帯状部１５ａから切断して所望の長さのリード端子１
３とし、図１に示すような、所定のリード端子１３、１
３長さを有する温度センサ１１を得る。
【００３１】上記実施の形態の温度センサ１１は、負特
性サーミスタ素子１２の両主面に形成された端子電極１
２ａ、１２ａと、板状のリード端子１３、１３先端１３
ａ、１３ａの平板状の面とを接触させることができる。
したがって、接触面積が大きく、半田付け面積を大きく
とることができ、負特性サーミスタ素子１２とリード端
子１３、１３との接続を確実にすることができる。ま
た、取り付け位置が安定し、負特性サーミスタ素子１２
の向きや位置がずれにくい。さらに、リード端子１３、
１３がバネ性を有するので、負特性サーミスタ素子１２
と被測定物との接触を確実にすることができる。
性サーミスタ素子１２の両主面に形成された端子電極１
２ａ、１２ａと、板状のリード端子１３、１３先端１３
ａ、１３ａの平板状の面とを接触させることができる。
したがって、接触面積が大きく、半田付け面積を大きく
とることができ、負特性サーミスタ素子１２とリード端
子１３、１３との接続を確実にすることができる。ま
た、取り付け位置が安定し、負特性サーミスタ素子１２
の向きや位置がずれにくい。さらに、リード端子１３、
１３がバネ性を有するので、負特性サーミスタ素子１２
と被測定物との接触を確実にすることができる。
【００３２】なお、この発明の温度センサにおいて、温
度検出素子は負特性サーミスタ素子に限定される理由は
なく、正特性サーミスタなどに置き換えることは可能で
あり、種々の電子部品に適用することができる。
度検出素子は負特性サーミスタ素子に限定される理由は
なく、正特性サーミスタなどに置き換えることは可能で
あり、種々の電子部品に適用することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
リードフレームの板状リード部にねじり加工を施して、
板状のリード端子先端を平板状に向かい合わせることに
より、温度検出素子とリード端子との接触面積を大きく
し、接続を確実にすることができる。
リードフレームの板状リード部にねじり加工を施して、
板状のリード端子先端を平板状に向かい合わせることに
より、温度検出素子とリード端子との接触面積を大きく
し、接続を確実にすることができる。
【００３４】また、リード端子にバネ性を有する材質を
用いることで、接着剤などを用いずに温度検出素子と被
測定物との接触を確実にすることができる。また、リー
ド線の長さを個々に調整することなく、温度検出素子と
被測定物とを接触させることができる。さらに、振動な
どがあっても、バネ性で温度検出素子と被測定物との接
触が保持できる。
用いることで、接着剤などを用いずに温度検出素子と被
測定物との接触を確実にすることができる。また、リー
ド線の長さを個々に調整することなく、温度検出素子と
被測定物とを接触させることができる。さらに、振動な
どがあっても、バネ性で温度検出素子と被測定物との接
触が保持できる。
【００３５】以上のことから、より正確な温度検知が可
能な温度センサを容易に得ることができる。
能な温度センサを容易に得ることができる。
【図１】この発明に係る一つの実施の形態の温度センサ
の正面図である。
の正面図である。
【図２】この発明の温度センサをＣＰＵの温度検知に使
用した状態を示す概略図である。
用した状態を示す概略図である。
【図３】この発明の温度センサの製造方法を示してお
り、（ａ）はリードフレーム、（ｂ）は板状リード部に
ねじり加工を施した状態、（ｃ）は板状リード部に負特
性サーミスタを取り付けた状態を示す斜視図、（ｄ）は
負特性サーミスタ素子と板状リード部に絶縁被覆を行な
ったことを示す一部断面斜視図である。
り、（ａ）はリードフレーム、（ｂ）は板状リード部に
ねじり加工を施した状態、（ｃ）は板状リード部に負特
性サーミスタを取り付けた状態を示す斜視図、（ｄ）は
負特性サーミスタ素子と板状リード部に絶縁被覆を行な
ったことを示す一部断面斜視図である。
【図４】従来例の温度センサの製造過程である、負特性
サーミスタ素子を取り付けたリードフレームを示す斜視
図である。
サーミスタ素子を取り付けたリードフレームを示す斜視
図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）共に、図４において、板状リー
ド部先端で負特性サーミスタ素子の向きや位置がずれた
状態を示す斜視図である。
ド部先端で負特性サーミスタ素子の向きや位置がずれた
状態を示す斜視図である。
１１ 温度センサ １２ 負特性サーミスタ素子（温度検出素子） １２ａ 端子電極 １３ リード端子 １３ａ 先端 １４ 外装樹脂 １５ リードフレーム １５ａ 帯状部 １５ｂ 板状リード部 １５ｃ 先端
Claims (8)
- 【請求項１】 温度検出素子の両主面に形成された端子
電極に板状のリード端子が取り付けられており、 前記リード端子は、ねじれを有して先端が平板状に向か
い合っており、この先端の平板状の面と前記端子電極と
が、半田などで電気的に接続されていることを特徴とす
る温度センサ。 - 【請求項２】 前記リード端子は、バネ性を有すること
を特徴とする請求項１記載の温度センサ。 - 【請求項３】 前記リード端子のねじれは、リード端子
先端近傍に設けられていることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載の温度センサ。 - 【請求項４】 前記リード端子は、リン青銅、洋白、ベ
リリウム、ＳＵＳ、Ｃｕ−Ｔｉ合金またはこれらにめっ
きを施したもののいずれかよりなることを特徴する請求
項１〜請求項３のいずれかに記載の温度センサ。 - 【請求項５】 前記温度検出素子および前記リード端子
が絶縁被覆されていることを特徴とする請求項１〜請求
項４のいずれかに記載の温度センサ。 - 【請求項６】 前記温度検出素子は、負特性サーミスタ
素子であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいず
れかに記載の温度センサ。 - 【請求項７】 両主面に端子電極を形成した温度検出素
子を準備する工程と、 帯状部と、帯状部から直角方向に延びる一対の板状リー
ド部を複数対備えるリードフレームを成形する工程と、 各板状リード部にねじり加工を施し、一対の板状リード
部の先端を平板状に向かい合わせる工程と、 一対の板状リード部先端の間隙に温度検出素子を装着し
て、温度検出素子の端子電極と板状リード部先端の平板
状の面とを、半田などを用いて電気的に接続する工程
と、 各板状リード部を帯状部から切断し、所定長さの独立し
たリード端子とする工程と、を備えることを特徴とする
温度センサの製造方法。 - 【請求項８】 板状リード部先端に温度検出素子を取り
付けた後、前記温度検出素子と板状リード部とを絶縁被
覆する工程を、さらに備えることを特徴とする請求項７
記載の温度センサの製造方法。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP11146799A JP2000340403A (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 温度センサおよびその製造方法 |
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| DE10015831A DE10015831C2 (de) | 1999-04-09 | 2000-03-30 | Temperatursensor, Verfahren zur Herstellung desselben und Verfahren zur Befestigung desselben auf einer Schaltungsplatine |
| KR10-2000-0017569A KR100369312B1 (ko) | 1999-04-09 | 2000-04-04 | 온도 센서, 온도 센서의 제조 방법, 및 온도 센서를 회로기판에 장착하는 방법 |
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1999
- 1999-05-26 JP JP11146799A patent/JP2000340403A/ja active Pending
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