JP2003303702A - 温度検出素子およびこれを備える回路基板 - Google Patents
温度検出素子およびこれを備える回路基板Info
- Publication number
- JP2003303702A JP2003303702A JP2002105040A JP2002105040A JP2003303702A JP 2003303702 A JP2003303702 A JP 2003303702A JP 2002105040 A JP2002105040 A JP 2002105040A JP 2002105040 A JP2002105040 A JP 2002105040A JP 2003303702 A JP2003303702 A JP 2003303702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature detecting
- detecting element
- heat receiving
- temperature
- receiving portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K3/00—Thermometers giving results other than momentary value of temperature
- G01K3/005—Circuits arrangements for indicating a predetermined temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/008—Thermistors
Abstract
(57)【要約】
【課題】温度検出対象に対する温度検出感度を高いもの
にできるとともに、安定性高く高精度に温度検出できる
温度検出素子を提供する。 【解決手段】素子本体部３の表面に電極部４，５を備え
るとともに、該電極部４，５とは別に熱伝導性が高い熱
受容部６を素子本体部３の表面に備える温度検出素子
１。特に、温度検出素子１としてはチップ型部品からな
る正特性サーミスタである。
にできるとともに、安定性高く高精度に温度検出できる
温度検出素子を提供する。 【解決手段】素子本体部３の表面に電極部４，５を備え
るとともに、該電極部４，５とは別に熱伝導性が高い熱
受容部６を素子本体部３の表面に備える温度検出素子
１。特に、温度検出素子１としてはチップ型部品からな
る正特性サーミスタである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばサーミス
タなどの温度検出素子およびこれを備える回路基板に関
する。
タなどの温度検出素子およびこれを備える回路基板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】電気電子機器の小型化の進展に伴い、そ
れに搭載されるパワートランジスタや、パワーＩＣなど
の部品に対する放熱などの対策はますます重要である。
そのため、このような部品の温度を高精度に検出できる
必要性は高い。このような実情からこれらパワーＩＣな
どの部品の温度を検出する温度検出素子の需要は拡大さ
れている。
れに搭載されるパワートランジスタや、パワーＩＣなど
の部品に対する放熱などの対策はますます重要である。
そのため、このような部品の温度を高精度に検出できる
必要性は高い。このような実情からこれらパワーＩＣな
どの部品の温度を検出する温度検出素子の需要は拡大さ
れている。
【０００３】図１０は、このような温度検出素子の一例
としてチップ型に構成された正特性サーミスタ１を示
す。この正特性サーミスタ１は、素子本体部３と、電極
部４，５とを有する。電極部４，５は、回路基板の配線
パターンに半田付けするために設けられている。
としてチップ型に構成された正特性サーミスタ１を示
す。この正特性サーミスタ１は、素子本体部３と、電極
部４，５とを有する。電極部４，５は、回路基板の配線
パターンに半田付けするために設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、チップ型サ
ーミスタ等の温度検出素子では温度検出対象部品に近づ
けて設置する必要がある。従来の温度検出素子の場合、
回路基板上の配線や他部品との配置の関係から、温度検
出対象部品に十分近づけることができない場合があり、
温度検出が精度良く行えないことがあった。また、熱源
と温度検出素子との位置関係のみならず、周囲の状況
や、基板の熱放散係数などによって、温度検出素子の感
熱条件が異なったりすることがあるから、検知精度が左
右されやすい。
ーミスタ等の温度検出素子では温度検出対象部品に近づ
けて設置する必要がある。従来の温度検出素子の場合、
回路基板上の配線や他部品との配置の関係から、温度検
出対象部品に十分近づけることができない場合があり、
温度検出が精度良く行えないことがあった。また、熱源
と温度検出素子との位置関係のみならず、周囲の状況
や、基板の熱放散係数などによって、温度検出素子の感
熱条件が異なったりすることがあるから、検知精度が左
右されやすい。
【０００５】本発明は、上記実状に鑑みてなされたもの
であって、温度検出対象に対する高精度な温度検出がで
きる温度検出素子を提供することを解決課題としてい
る。
であって、温度検出対象に対する高精度な温度検出がで
きる温度検出素子を提供することを解決課題としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
温度検出素子は、素子本体部と、前記素子本体部に設け
られた電極部と、温度検出対象側から伝導される熱を受
容する熱受容部とを含むことを特徴とする。
温度検出素子は、素子本体部と、前記素子本体部に設け
られた電極部と、温度検出対象側から伝導される熱を受
容する熱受容部とを含むことを特徴とする。
【０００７】請求項１に係る温度検出素子によれば、熱
受容部を備えていることによって、素子本体部に対して
温度検出対象からの熱が伝導されやすい。そのため、従
来では温度検出対象からの熱による感温が十分に行えな
いほどにその温度検出対象から少し離れた箇所に温度検
出素子を配置しなければならない場合でも、熱受容部へ
の温度検出対象からの熱の伝導を図ることができる。し
たがって、そのように検出対象と温度検出素子との間に
おける温度検出用の熱的な結合が良好に行えるものとな
るので、その温度検出を精度良く行うことができる。
受容部を備えていることによって、素子本体部に対して
温度検出対象からの熱が伝導されやすい。そのため、従
来では温度検出対象からの熱による感温が十分に行えな
いほどにその温度検出対象から少し離れた箇所に温度検
出素子を配置しなければならない場合でも、熱受容部へ
の温度検出対象からの熱の伝導を図ることができる。し
たがって、そのように検出対象と温度検出素子との間に
おける温度検出用の熱的な結合が良好に行えるものとな
るので、その温度検出を精度良く行うことができる。
【０００８】なお、回路基板上に本発明に係る温度検出
素子を設ける場合、温度検出対象と温度検出素子との間
を熱伝導可能にランドを設けることで、温度検出素子の
熱受容部をそのランドに半田付けすれば、熱受容部がラ
ンドを通して温度検出対象から熱伝導されやすくなり、
温度検出が一層良好に行える利点がある。本発明の構成
を採用可能な温度検出素子としては、正特性サーミス
タ、負特性サーミスタなどがある。
素子を設ける場合、温度検出対象と温度検出素子との間
を熱伝導可能にランドを設けることで、温度検出素子の
熱受容部をそのランドに半田付けすれば、熱受容部がラ
ンドを通して温度検出対象から熱伝導されやすくなり、
温度検出が一層良好に行える利点がある。本発明の構成
を採用可能な温度検出素子としては、正特性サーミス
タ、負特性サーミスタなどがある。
【０００９】本発明の請求項２に係る温度検出素子は、
請求項１に記載の温度検出素子において、前記素子本体
部と前記電極部と前記熱受容部との全体形状がチップ型
に構成されていることを特徴とする。
請求項１に記載の温度検出素子において、前記素子本体
部と前記電極部と前記熱受容部との全体形状がチップ型
に構成されていることを特徴とする。
【００１０】請求項２に係る温度検出素子によれば、チ
ップ型部品に温度検出素子が構成されているから、この
温度検出素子は温度検出が必要な回路基板上へ実装し易
い。
ップ型部品に温度検出素子が構成されているから、この
温度検出素子は温度検出が必要な回路基板上へ実装し易
い。
【００１１】本発明の請求項３に係る温度検出素子は、
請求項１または２に記載の温度検出素子において、前記
素子本体部が、正特性サーミスタとして機能する部分に
構成されていることを特徴とする。
請求項１または２に記載の温度検出素子において、前記
素子本体部が、正特性サーミスタとして機能する部分に
構成されていることを特徴とする。
【００１２】請求項３に係る温度検出素子によれば、温
度上昇に伴い抵抗値も増加していくから、その抵抗値と
温度との関係により簡易に温度検出できる。
度上昇に伴い抵抗値も増加していくから、その抵抗値と
温度との関係により簡易に温度検出できる。
【００１３】本発明の請求項４に係る温度検出素子は、
請求項１から３のいずれかに記載の温度検出素子におい
て、前記素子本体部は直方体状に構成されており、前記
熱受容部は、前記素子本体部の表面の少なくとも一側面
以上に備えられていることを特徴とする。
請求項１から３のいずれかに記載の温度検出素子におい
て、前記素子本体部は直方体状に構成されており、前記
熱受容部は、前記素子本体部の表面の少なくとも一側面
以上に備えられていることを特徴とする。
【００１４】請求項４に係る温度検出素子によれば、直
方体状の素子本体部表面の少なくとも一側面以上に熱受
容部が備えられていることから、その熱受容部が形成さ
れた面を温度検出対象側に臨ませておくことで、温度検
出対象側からの熱を良好に受容できる状態にして温度感
知できる。なお、熱受容部が素子本体部に腹巻状に形成
されている場合には、素子本体部の全周に環状に熱受容
部が備えられることになるから、回路基板に温度検出素
子を付設する際に、熱受容部を温度検出対象側に臨ませ
るように温度検出素子の姿勢を調整する手間を少なくで
きる。
方体状の素子本体部表面の少なくとも一側面以上に熱受
容部が備えられていることから、その熱受容部が形成さ
れた面を温度検出対象側に臨ませておくことで、温度検
出対象側からの熱を良好に受容できる状態にして温度感
知できる。なお、熱受容部が素子本体部に腹巻状に形成
されている場合には、素子本体部の全周に環状に熱受容
部が備えられることになるから、回路基板に温度検出素
子を付設する際に、熱受容部を温度検出対象側に臨ませ
るように温度検出素子の姿勢を調整する手間を少なくで
きる。
【００１５】本発明の請求項５に係る温度検出素子は、
請求項１から４のいずれかに記載の温度検出素子におい
て、さらに前記温度検出対象側から熱を伝導する伝導体
が、前記熱受容部に設けられていることを特徴とする。
請求項１から４のいずれかに記載の温度検出素子におい
て、さらに前記温度検出対象側から熱を伝導する伝導体
が、前記熱受容部に設けられていることを特徴とする。
【００１６】請求項５に係る温度検出素子によれば、ラ
ンドなどの伝導体を別途回路基板などに付設しなくて
も、その伝導体を通して温度検出素子の熱受容部に温度
検出対象側から熱が良好に伝導される。したがって、そ
の伝導体を通して温度検出対象側からの熱が温度検出素
子に一層伝導されやすくなり、検出精度も一層良いもの
となる。
ンドなどの伝導体を別途回路基板などに付設しなくて
も、その伝導体を通して温度検出素子の熱受容部に温度
検出対象側から熱が良好に伝導される。したがって、そ
の伝導体を通して温度検出対象側からの熱が温度検出素
子に一層伝導されやすくなり、検出精度も一層良いもの
となる。
【００１７】本発明の請求項６に係る温度検出素子は、
請求項１から５のいずれかに記載の温度検出素子におい
て、前記熱受容部は、前記素子本体部の表面素材に対し
て非オーミック性接触の金属薄膜層を有することを特徴
とする。
請求項１から５のいずれかに記載の温度検出素子におい
て、前記熱受容部は、前記素子本体部の表面素材に対し
て非オーミック性接触の金属薄膜層を有することを特徴
とする。
【００１８】請求項６に係る温度検出素子によれば、素
子本体部の表面素材に対して非オーミック性接触の金属
材料を熱受容部に有することで、素子本体部に対して検
出に悪影響を与える電気的結合が熱受容部を通して生じ
ないようにできる。ここで、素子本体部としては、例え
ば、ＢａＴｉＯ3、Ｍｎ−Ｎｉ系酸化物が用いられると
ともに、これに対して熱受容部の非オーミック接触性を
有する金属材料としては、例えば、銀、金、白金もしく
はそれらの合金などが採用される。
子本体部の表面素材に対して非オーミック性接触の金属
材料を熱受容部に有することで、素子本体部に対して検
出に悪影響を与える電気的結合が熱受容部を通して生じ
ないようにできる。ここで、素子本体部としては、例え
ば、ＢａＴｉＯ3、Ｍｎ−Ｎｉ系酸化物が用いられると
ともに、これに対して熱受容部の非オーミック接触性を
有する金属材料としては、例えば、銀、金、白金もしく
はそれらの合金などが採用される。
【００１９】本発明の請求項７に係る温度検出素子は、
請求項６に記載の温度検出素子において、前記熱受容部
は、前記非オーミック性接触の金属薄膜層に対する表層
として半田濡れ性を有する接合用薄膜層を有することを
特徴とする。
請求項６に記載の温度検出素子において、前記熱受容部
は、前記非オーミック性接触の金属薄膜層に対する表層
として半田濡れ性を有する接合用薄膜層を有することを
特徴とする。
【００２０】請求項７に係る温度検出素子によれば、回
路基板に設けた熱伝導用のランドに対して、接合用薄膜
層によって温度検出素子の熱受容部を半田付けすること
ができ、回路基板上の温度検出対象から温度検出のため
の熱伝導を簡易に行えるようにできる。
路基板に設けた熱伝導用のランドに対して、接合用薄膜
層によって温度検出素子の熱受容部を半田付けすること
ができ、回路基板上の温度検出対象から温度検出のため
の熱伝導を簡易に行えるようにできる。
【００２１】本発明の請求項８に係る温度検出素子は、
請求項１から５のいずれかに記載の温度検出素子におい
て、前記素子本体部の表面に絶縁材層が設けられてお
り、前記熱受容部は、前記素子本体部の表面に対して前
記絶縁材層を介して設けられていることを特徴とする。
請求項１から５のいずれかに記載の温度検出素子におい
て、前記素子本体部の表面に絶縁材層が設けられてお
り、前記熱受容部は、前記素子本体部の表面に対して前
記絶縁材層を介して設けられていることを特徴とする。
【００２２】請求項８に係る温度検出素子によれば、絶
縁材層が素子本体部の表面と、熱受容部との間に介在さ
せてあることから、熱受容部を介して素子本体部に電流
が流れ込むような不具合を回避できる。また、熱受容部
を構成する素材として、素子本体部の表面素材に対して
オーミック性接触の金属材料を採用することも可能とな
り、安価に構成できる。
縁材層が素子本体部の表面と、熱受容部との間に介在さ
せてあることから、熱受容部を介して素子本体部に電流
が流れ込むような不具合を回避できる。また、熱受容部
を構成する素材として、素子本体部の表面素材に対して
オーミック性接触の金属材料を採用することも可能とな
り、安価に構成できる。
【００２３】本発明の請求項９に係る温度検出素子を備
える回路基板は、請求項１から９のいずれかに記載の温
度検出素子と、前記温度検出素子が備える前記熱受容部
に対して熱結合可能なランドとを含むことを特徴とす
る。
える回路基板は、請求項１から９のいずれかに記載の温
度検出素子と、前記温度検出素子が備える前記熱受容部
に対して熱結合可能なランドとを含むことを特徴とす
る。
【００２４】請求項９に係る温度検出素子を備える回路
基板によれば、回路基板のランドを介して温度検出素子
の熱受容部へ温度検出対象側から熱伝導することができ
る。これにより、温度検出精度を高くできるとともに、
温度検出対象に対する温度検出素子の配置設計の対応性
を高めることになる。
基板によれば、回路基板のランドを介して温度検出素子
の熱受容部へ温度検出対象側から熱伝導することができ
る。これにより、温度検出精度を高くできるとともに、
温度検出対象に対する温度検出素子の配置設計の対応性
を高めることになる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００２６】（実施形態１）図１から図３に、本発明に
係る温度検出素子の実施形態の一例を示す。図１は、温
度検出素子の一例としての正特性サーミスタの外観を示
す斜視図、図２は、基板に搭載された正特性サーミスタ
やその周辺部品を示す平面図、図３は、基板に搭載され
た正特性サーミスタやその周辺部品を示す縦断面図であ
る。
係る温度検出素子の実施形態の一例を示す。図１は、温
度検出素子の一例としての正特性サーミスタの外観を示
す斜視図、図２は、基板に搭載された正特性サーミスタ
やその周辺部品を示す平面図、図３は、基板に搭載され
た正特性サーミスタやその周辺部品を示す縦断面図であ
る。
【００２７】図１を参照して、正特性サーミスタ１は、
チップ型部品として、素子本体部３と、電極部４，５
と、熱受容部６とで構成されている。
チップ型部品として、素子本体部３と、電極部４，５
と、熱受容部６とで構成されている。
【００２８】素子本体部３は、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ3）を主体とする素子であって、横長の直方体状
に形成されている。
ＴｉＯ3）を主体とする素子であって、横長の直方体状
に形成されている。
【００２９】電極部４，５は、素子本体部３の長手方向
両端面それぞれに接合されている。
両端面それぞれに接合されている。
【００３０】熱受容部６は、素子本体部３の長手方向で
の中央に所定幅を有する状態で、素子本体部３の外周全
周にわたって形成されている。この形成過程を説明する
と、素子本体部３の表面にスパッタリング法により所定
幅の銀（Ａｇ）の薄膜層が形成される。この銀の薄膜層
上に電解めっき法により錫（Ｓｎ）の薄膜層が積層形成
される。熱受容部６は、この銀の薄膜層を下層側に、錫
の薄膜層を上層側とする２つの薄膜層で構成されてい
る。
の中央に所定幅を有する状態で、素子本体部３の外周全
周にわたって形成されている。この形成過程を説明する
と、素子本体部３の表面にスパッタリング法により所定
幅の銀（Ａｇ）の薄膜層が形成される。この銀の薄膜層
上に電解めっき法により錫（Ｓｎ）の薄膜層が積層形成
される。熱受容部６は、この銀の薄膜層を下層側に、錫
の薄膜層を上層側とする２つの薄膜層で構成されてい
る。
【００３１】ここで、銀の薄膜層は、素子本体部３に対
して非オーミック性接触である。これによって、熱受容
部６は、銀の薄膜層が下層側とされることによって、素
子本体部３に対して電気的に結合しないように図られて
いる。熱受容部６は、錫の薄膜層が上層側に施されてい
るので、熱受容部６の表面は、半田濡れ性を有する。熱
受容部６の表面層は、銀の薄膜層に対してコーティング
された半田の薄膜層で構成されてもよい。熱受容部６
は、電極部４，５と接しないよう、電極部４，５に対し
て間隔をおいて形成されている。熱受容部６は、素子本
体部３の表面から突出しない状態で薄膜に形成されてい
る。これによって、熱受容部６の表面と素子本体部３の
表面とは、面一とされている。この場合、熱受容部６の
表面と素子本体部３の表面とが面一である必要は必ずし
もなく、素子本体部３の表面に積層されても良い。正特
性サーミスタ１の寸法(長さ×幅×高さ)は、１．６ｍｍ
×０．８ｍｍ×０．８ｍｍである。ただし、正特性サー
ミスタ１の寸法は、この寸法に限定されない。
して非オーミック性接触である。これによって、熱受容
部６は、銀の薄膜層が下層側とされることによって、素
子本体部３に対して電気的に結合しないように図られて
いる。熱受容部６は、錫の薄膜層が上層側に施されてい
るので、熱受容部６の表面は、半田濡れ性を有する。熱
受容部６の表面層は、銀の薄膜層に対してコーティング
された半田の薄膜層で構成されてもよい。熱受容部６
は、電極部４，５と接しないよう、電極部４，５に対し
て間隔をおいて形成されている。熱受容部６は、素子本
体部３の表面から突出しない状態で薄膜に形成されてい
る。これによって、熱受容部６の表面と素子本体部３の
表面とは、面一とされている。この場合、熱受容部６の
表面と素子本体部３の表面とが面一である必要は必ずし
もなく、素子本体部３の表面に積層されても良い。正特
性サーミスタ１の寸法(長さ×幅×高さ)は、１．６ｍｍ
×０．８ｍｍ×０．８ｍｍである。ただし、正特性サー
ミスタ１の寸法は、この寸法に限定されない。
【００３２】図２および図３を参照して、７は回路基
板、８はパワーＩＣ、９はランドをそれぞれ示す。回路
基板７上に、温度検出対象としてのパワーＩＣ８が搭載
されている。銅箔からなるランド９が回路基板７におけ
るパワーＩＣ８を搭載した面領域から横外側に延出され
ている。正特性サーミスタ１は、ランド９の端部に位置
させられて回路基板７上に実装されている。正特性サー
ミスタ１の各電極部４，５は、回路基板７の不図示の配
線パターンに半田付けされている。正特性サーミスタ１
の熱受容部６は、ランド９上に位置される状態でランド
９に対して半田Ｈにより半田付けされている。ランド９
が電極部４，５に対して電気絶縁されるよう、ランド９
は正特性サーミスタ１の電極部４，５間に収められてい
る。ランド９と熱受容部６それぞれの横幅は、同幅ない
しはほぼ同幅に設定されている。
板、８はパワーＩＣ、９はランドをそれぞれ示す。回路
基板７上に、温度検出対象としてのパワーＩＣ８が搭載
されている。銅箔からなるランド９が回路基板７におけ
るパワーＩＣ８を搭載した面領域から横外側に延出され
ている。正特性サーミスタ１は、ランド９の端部に位置
させられて回路基板７上に実装されている。正特性サー
ミスタ１の各電極部４，５は、回路基板７の不図示の配
線パターンに半田付けされている。正特性サーミスタ１
の熱受容部６は、ランド９上に位置される状態でランド
９に対して半田Ｈにより半田付けされている。ランド９
が電極部４，５に対して電気絶縁されるよう、ランド９
は正特性サーミスタ１の電極部４，５間に収められてい
る。ランド９と熱受容部６それぞれの横幅は、同幅ない
しはほぼ同幅に設定されている。
【００３３】この構成により、ランド９を通してパワー
ＩＣ８の熱がランド９を介して正特性サーミスタ１の熱
受容部６に伝導される。正特性サーミスタ１は、その伝
導された熱に対応する検出信号を出力する。ランド９を
介してパワーＩＣ８側から熱伝導されるから、ランド９
がない場合と比較して、精度良い温度検出に必要な熱の
伝導がされ易い。したがって、熱受容部６が正特性サー
ミスタ１に設けられていることによって、温度検出対象
側であるパワーＩＣ８からの熱は、ランド９を通して伝
導され易い。このことと相俟って、正特性サーミスタ１
による温度検出精度が従来と比較して高い。この場合、
ランド９は、直線状に延出されたものに限定されず、部
品等の配置構成などに応じて適宜屈曲された形状でもよ
い。さらに、熱受容部６は、パワーＩＣ８などの温度検
出対象素子に設けられた放熱端子などの放熱部に直接接
触もしくは半田付け等などの間接接触で熱結合されても
よい。
ＩＣ８の熱がランド９を介して正特性サーミスタ１の熱
受容部６に伝導される。正特性サーミスタ１は、その伝
導された熱に対応する検出信号を出力する。ランド９を
介してパワーＩＣ８側から熱伝導されるから、ランド９
がない場合と比較して、精度良い温度検出に必要な熱の
伝導がされ易い。したがって、熱受容部６が正特性サー
ミスタ１に設けられていることによって、温度検出対象
側であるパワーＩＣ８からの熱は、ランド９を通して伝
導され易い。このことと相俟って、正特性サーミスタ１
による温度検出精度が従来と比較して高い。この場合、
ランド９は、直線状に延出されたものに限定されず、部
品等の配置構成などに応じて適宜屈曲された形状でもよ
い。さらに、熱受容部６は、パワーＩＣ８などの温度検
出対象素子に設けられた放熱端子などの放熱部に直接接
触もしくは半田付け等などの間接接触で熱結合されても
よい。
【００３４】（実施形態２）実施形態１とは別形態を成
す実施形態２について図に基づいて説明する。図４
（ａ）は、温度検出素子を示す斜視図、図４（ｂ）は温
度検出素子の熱受容部における縦断面側面図である。
す実施形態２について図に基づいて説明する。図４
（ａ）は、温度検出素子を示す斜視図、図４（ｂ）は温
度検出素子の熱受容部における縦断面側面図である。
【００３５】図４を参照して、正特性サーミスタ１は、
チップ部品として、直方体状に構成される素子本体部３
と、その素子本体部３の両端に設けられた電極部４，５
と、熱受容部６とを含む。熱受容部６は、電極部４，５
間において素子本体部３の表面に積層形成される状態で
設けられている。
チップ部品として、直方体状に構成される素子本体部３
と、その素子本体部３の両端に設けられた電極部４，５
と、熱受容部６とを含む。熱受容部６は、電極部４，５
間において素子本体部３の表面に積層形成される状態で
設けられている。
【００３６】正特性サーミスタ１の熱受容部６は、絶縁
層１０と、金属薄膜１１と、伝導体としての突起部１２
とを有する。絶縁層１０は、素子本体部３の２つの側面
に貼り付けられたシリコンゴムまたはシリコン樹脂の薄
膜片で構成されている。金属薄膜１１は、絶縁層１０の
表面に形成された例えば銅を素材とする薄膜で構成され
ている。突起部１２は、金属薄膜１１の一端部に、同じ
く銅を素材とする板状のもので構成されている。この場
合、突起部１２は、金属薄膜１１が形成されている面に
対して直交する方向に沿って突出されている。
層１０と、金属薄膜１１と、伝導体としての突起部１２
とを有する。絶縁層１０は、素子本体部３の２つの側面
に貼り付けられたシリコンゴムまたはシリコン樹脂の薄
膜片で構成されている。金属薄膜１１は、絶縁層１０の
表面に形成された例えば銅を素材とする薄膜で構成され
ている。突起部１２は、金属薄膜１１の一端部に、同じ
く銅を素材とする板状のもので構成されている。この場
合、突起部１２は、金属薄膜１１が形成されている面に
対して直交する方向に沿って突出されている。
【００３７】図５を参照して、正特性サーミスタ１の突
起部１２は、例えば回路基板７に搭載されたパワーＩＣ
８のパッケージ８Ａと回路基板７との間に差し込まれ
る。パワーＩＣ８側から熱受容部６への熱は、突起部１
２を通して、伝導される。この場合、実施形態１とは異
なり熱受容部６は、ランドなどに半田付けされなくても
良い。この熱受容部６では、素子本体部３表面に絶縁層
１０を介して金属薄膜１１が設けられるから、金属薄膜
１１の素材として、オーミック性接触の金属を採用する
ことができる。
起部１２は、例えば回路基板７に搭載されたパワーＩＣ
８のパッケージ８Ａと回路基板７との間に差し込まれ
る。パワーＩＣ８側から熱受容部６への熱は、突起部１
２を通して、伝導される。この場合、実施形態１とは異
なり熱受容部６は、ランドなどに半田付けされなくても
良い。この熱受容部６では、素子本体部３表面に絶縁層
１０を介して金属薄膜１１が設けられるから、金属薄膜
１１の素材として、オーミック性接触の金属を採用する
ことができる。
【００３８】本発明は、上記各実施形態に限定されず、
以下の変形例が考えられる。
以下の変形例が考えられる。
【００３９】（１）上記実施形態では、温度検出素子と
して負特性サーミスタを採用することも可能である。
して負特性サーミスタを採用することも可能である。
【００４０】（２）熱受容部として用いられる非オーミ
ック性接触の金属材料としては、金、白金、または、こ
れらまたは銀を含む合金であっても良い。
ック性接触の金属材料としては、金、白金、または、こ
れらまたは銀を含む合金であっても良い。
【００４１】（３）図６（ａ），（ｂ）に示すように、
正特性サーミスタのチップ部品で構成される正特性サー
ミスタ１は、横長の直方体状に外形形状が構成されると
ともに、その長手方向両端にそれぞれ電極部４，５を備
える。これら電極部４，５間に、素子本体部３の表面に
積層形成される状態で熱受容部６が設けられる。
正特性サーミスタのチップ部品で構成される正特性サー
ミスタ１は、横長の直方体状に外形形状が構成されると
ともに、その長手方向両端にそれぞれ電極部４，５を備
える。これら電極部４，５間に、素子本体部３の表面に
積層形成される状態で熱受容部６が設けられる。
【００４２】図６（ａ），（ｂ）に示される正特性サー
ミスタ１の熱受容部６の場合、素子本体部３の２つの側
面にシリコンゴムまたはシリコン樹脂の薄膜片が貼り付
けられてなる絶縁層１０と、この絶縁層１０の表面に形
成された例えば銅からなる金属薄膜１１とにより構成さ
れる。
ミスタ１の熱受容部６の場合、素子本体部３の２つの側
面にシリコンゴムまたはシリコン樹脂の薄膜片が貼り付
けられてなる絶縁層１０と、この絶縁層１０の表面に形
成された例えば銅からなる金属薄膜１１とにより構成さ
れる。
【００４３】（４）図７（ａ），（ｂ）に示すように、
正特性サーミスタのチップ部品で構成される正特性サー
ミスタ１は、横長の直方体状に外形形状が構成されると
ともに、その長手方向両端にそれぞれ電極部４，５が設
けられている。これら電極部４，５間には、素子本体部
３の表面に積層形成される状態で熱受容部６が設けられ
ている。
正特性サーミスタのチップ部品で構成される正特性サー
ミスタ１は、横長の直方体状に外形形状が構成されると
ともに、その長手方向両端にそれぞれ電極部４，５が設
けられている。これら電極部４，５間には、素子本体部
３の表面に積層形成される状態で熱受容部６が設けられ
ている。
【００４４】図７（ａ），（ｂ）に示される正特性サー
ミスタ１の熱受容部６の場合、素子本体部３の１つの側
面にシリコンゴムまたはシリコン樹脂の薄膜片を貼り付
けられてなる絶縁層１０と、この絶縁層１０の表面に形
成された例えば銅からなる金属薄膜１１とにより構成さ
れる。金属薄膜１１の下端に横向きに突出する伝導体と
しての突起部１２が設けられる。
ミスタ１の熱受容部６の場合、素子本体部３の１つの側
面にシリコンゴムまたはシリコン樹脂の薄膜片を貼り付
けられてなる絶縁層１０と、この絶縁層１０の表面に形
成された例えば銅からなる金属薄膜１１とにより構成さ
れる。金属薄膜１１の下端に横向きに突出する伝導体と
しての突起部１２が設けられる。
【００４５】（５）図８に示すように、正特性サーミス
タのチップ部品で構成される正特性サーミスタ１は、横
長の直方体状に外形形状が構成されるとともに、その両
端にそれぞれ電極部４，５が設けられている。これら電
極部４，５間には、素子本体部３の表面に積層形成され
る状態で熱受容部６が設けられている。
タのチップ部品で構成される正特性サーミスタ１は、横
長の直方体状に外形形状が構成されるとともに、その両
端にそれぞれ電極部４，５が設けられている。これら電
極部４，５間には、素子本体部３の表面に積層形成され
る状態で熱受容部６が設けられている。
【００４６】図８に示される正特性サーミスタ１の熱受
容部６の場合、素子本体部３の２つの側面にシリコンゴ
ムまたはシリコン樹脂の薄膜片を貼り付けられてなる絶
縁層１０ａ，１０ｂと、この絶縁層１０ａ，１０ｂの表
面に形成された例えば銅からなる金属薄膜１１ａ，１１
ｂとにより構成されている。１つの面の絶縁層１０ａ
は、両電極部４，５の間に収まる小幅のものとなってお
り、その幅内に金属薄膜１１ａが形成されている。もう
１つの面の絶縁層１０ｂは、両電極部４，５に一部重な
るよう広幅のものとなっており、その幅内に金属薄膜１
１ｂが形成されている。この金属薄膜１１ｂは金属薄膜
１１ａよりも広幅となっている。したがって、幅広のこ
の金属薄膜１１ｂおよび金属薄膜１１ａは、電極部４，
５とは電気的に絶縁されているとともに、幅広に形成し
た金属薄膜１１ｂを備えていることにより、その金属薄
膜１１ｂへ熱伝導し易いものとなっている。
容部６の場合、素子本体部３の２つの側面にシリコンゴ
ムまたはシリコン樹脂の薄膜片を貼り付けられてなる絶
縁層１０ａ，１０ｂと、この絶縁層１０ａ，１０ｂの表
面に形成された例えば銅からなる金属薄膜１１ａ，１１
ｂとにより構成されている。１つの面の絶縁層１０ａ
は、両電極部４，５の間に収まる小幅のものとなってお
り、その幅内に金属薄膜１１ａが形成されている。もう
１つの面の絶縁層１０ｂは、両電極部４，５に一部重な
るよう広幅のものとなっており、その幅内に金属薄膜１
１ｂが形成されている。この金属薄膜１１ｂは金属薄膜
１１ａよりも広幅となっている。したがって、幅広のこ
の金属薄膜１１ｂおよび金属薄膜１１ａは、電極部４，
５とは電気的に絶縁されているとともに、幅広に形成し
た金属薄膜１１ｂを備えていることにより、その金属薄
膜１１ｂへ熱伝導し易いものとなっている。
【００４７】（６）図９（ａ），（ｂ）に示すように、
正特性サーミスタのチップ部品で構成される正特性サー
ミスタ１は、横長の直方体状に外形形状が構成されると
ともに、その長手方向両端にそれぞれ電極部４，５が設
けられている。これら電極部４，５間には、素子本体部
３の表面に積層形成される状態で熱受容部６が設けられ
ている。
正特性サーミスタのチップ部品で構成される正特性サー
ミスタ１は、横長の直方体状に外形形状が構成されると
ともに、その長手方向両端にそれぞれ電極部４，５が設
けられている。これら電極部４，５間には、素子本体部
３の表面に積層形成される状態で熱受容部６が設けられ
ている。
【００４８】図９（ａ），（ｂ）に示される正特性サー
ミスタ１の熱受容部６の場合、素子本体部３の３つの側
面にシリコンゴムまたはシリコン樹脂の薄膜片を貼り付
けてなる絶縁層１０と、該絶縁層１０の表面に形成され
た例えば銅からなる金属薄膜１１とにより構成されてい
る。
ミスタ１の熱受容部６の場合、素子本体部３の３つの側
面にシリコンゴムまたはシリコン樹脂の薄膜片を貼り付
けてなる絶縁層１０と、該絶縁層１０の表面に形成され
た例えば銅からなる金属薄膜１１とにより構成されてい
る。
【００４９】（７）本発明の実施形態として、図示しな
いが、上記のような絶縁層は、素子本体部における電極
部を設けていない表面の全面を覆うように形成されたも
のでも良い。また、絶縁層は上述したシリコンゴムまた
はシリコン樹脂に限定されるものでなく、電気的絶縁性
のある各種材料を適用可能である。
いが、上記のような絶縁層は、素子本体部における電極
部を設けていない表面の全面を覆うように形成されたも
のでも良い。また、絶縁層は上述したシリコンゴムまた
はシリコン樹脂に限定されるものでなく、電気的絶縁性
のある各種材料を適用可能である。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、熱受容部を備えている
ことによって、素子本体部に対して温度検出対象からの
熱が伝導されやすくなっていることから、従来では温度
検出対象からの熱による感温が十分に行えないほどにそ
の温度検出対象から少し離れた箇所に温度検出素子を配
置しなければならない場合でも、熱受容部への温度検出
対象からの熱の伝導を図ることができる。したがって、
そのように検出対象との温度検出に関する温度検出素子
の結合が良好に行えるものとなるので、その温度検出対
象の温度検出を精度良く行うことができる。
ことによって、素子本体部に対して温度検出対象からの
熱が伝導されやすくなっていることから、従来では温度
検出対象からの熱による感温が十分に行えないほどにそ
の温度検出対象から少し離れた箇所に温度検出素子を配
置しなければならない場合でも、熱受容部への温度検出
対象からの熱の伝導を図ることができる。したがって、
そのように検出対象との温度検出に関する温度検出素子
の結合が良好に行えるものとなるので、その温度検出対
象の温度検出を精度良く行うことができる。
【図１】 本発明に係るチップ型正特性サーミスタの一
例の外観を示す斜視図
例の外観を示す斜視図
【図２】 図１の正特性サーミスタを基板に配置した状
態の一例を示す平面図
態の一例を示す平面図
【図３】 図２における要部縦断面図
【図４】 別実施形態の正特性サーミスタの外観を示す
斜視図（ａ）と、要部縦断面側面図（ｂ）
斜視図（ａ）と、要部縦断面側面図（ｂ）
【図５】 図４の正特性サーミスタを基板に配置した状
態の一例を示す要部縦断面側面図
態の一例を示す要部縦断面側面図
【図６】 別実施形態の正特性サーミスタの外観を示す
斜視図（ａ）と、要部縦断面側面図（ｂ）
斜視図（ａ）と、要部縦断面側面図（ｂ）
【図７】 別実施形態の正特性サーミスタの外観を示す
斜視図（ａ）と、要部縦断面側面図（ｂ）
斜視図（ａ）と、要部縦断面側面図（ｂ）
【図８】 別実施形態の正特性サーミスタの外観を示す
斜視図
斜視図
【図９】 別実施形態の正特性サーミスタの外観を示す
斜視図（ａ）と、要部縦断面側面図（ｂ）
斜視図（ａ）と、要部縦断面側面図（ｂ）
【図１０】 従来のチップ型正特性サーミスタの外観を
示す斜視図
示す斜視図
１ 温度検出素子
３ 素子本体部
４，５ 電極部
６ 熱受容部
７ 回路基板
９ ランド
Claims (9)
- 【請求項１】 素子本体部と、 前記素子本体部に設けられた電極部と、 温度検出対象側から伝導される熱を受容する熱受容部
と、 を含む、ことを特徴とする温度検出素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載の温度検出素子におい
て、 前記素子本体部と前記電極部と前記熱受容部との全体形
状がチップ型に構成されている、ことを特徴とする温度
検出素子。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の温度検出素子
において、 前記素子本体部が、正特性サーミスタとして機能する部
分に構成されている、ことを特徴とする温度検出素子。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載の温度
検出素子において、 前記素子本体部は直方体状に構成されており、 前記熱受容部は、前記素子本体部の表面の少なくとも一
側面以上に備えられている、ことを特徴とする温度検出
素子。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載の温度
検出素子において、 さらに前記温度検出対象側から熱を伝導する伝導体が、
前記熱受容部に設けられている、ことを特徴とする温度
検出素子。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれかに記載の温度
検出素子において、 前記熱受容部は、前記素子本体部の表面素材に対して非
オーミック性接触の金属薄膜層を有する、ことを特徴と
する温度検出素子。 - 【請求項７】 請求項６に記載の温度検出素子におい
て、 前記熱受容部は、前記非オーミック性接触の金属薄膜層
に対する表層として半田濡れ性を有する接合用薄膜層を
有する、ことを特徴とする温度検出素子。 - 【請求項８】 請求項１から５のいずれかに記載の温度
検出素子において、 前記素子本体部の表面に絶縁材層が設けられており、 前記熱受容部は、前記素子本体部の表面に対して前記絶
縁材層を介して設けられている、ことを特徴とする温度
検出素子。 - 【請求項９】 請求項１から８のいずれかに記載の温度
検出素子と、 前記温度検出素子が備える前記熱受容部に対して熱結合
可能なランドと、 を含む、ことを特徴とする回路基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002105040A JP3815362B2 (ja) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | 温度検出素子およびこれを備える回路基板 |
| TW092104013A TW584722B (en) | 2002-04-08 | 2003-02-26 | Temperature detection device and circuit board having the same |
| KR1020030016095A KR100616743B1 (ko) | 2002-04-08 | 2003-03-14 | 온도 검출 소자 및 이것을 구비하는 회로 기판 |
| CNB031084397A CN100405626C (zh) | 2002-04-08 | 2003-03-31 | 温度检测元件以及装备它的电路基板 |
| DE10315519A DE10315519B4 (de) | 2002-04-08 | 2003-04-04 | Temperaturerfassungselement und mit demselben versehenes Schaltungssubstrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002105040A JP3815362B2 (ja) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | 温度検出素子およびこれを備える回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003303702A true JP2003303702A (ja) | 2003-10-24 |
| JP3815362B2 JP3815362B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=28786361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002105040A Expired - Fee Related JP3815362B2 (ja) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | 温度検出素子およびこれを備える回路基板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3815362B2 (ja) |
| KR (1) | KR100616743B1 (ja) |
| CN (1) | CN100405626C (ja) |
| DE (1) | DE10315519B4 (ja) |
| TW (1) | TW584722B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005278344A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Denso Corp | モータ制御装置 |
| JP2007093453A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Mitsubishi Materials Corp | 表面実装型温度センサ |
| JP2009088031A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びこれを備えた回路基板 |
| CN102290438A (zh) * | 2010-04-19 | 2011-12-21 | 韩国电子通信研究院 | 可变栅极场效应晶体管以及包含它的电气和电子设备 |
| US8587224B1 (en) | 2010-04-19 | 2013-11-19 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Variable gate field-effect transistor and electrical and electronic apparatus including the same |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7327026B2 (en) * | 2003-11-12 | 2008-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vacuum diode-type electronic heat pump device and electronic equipment having the same |
| DE102005038466B4 (de) * | 2005-08-13 | 2007-12-13 | Sitronic Gesellschaft für elektrotechnische Ausrüstung mbH. & Co. KG | Sensoranordnung zur Temperaturmessung |
| KR101040647B1 (ko) * | 2010-04-29 | 2011-06-10 | 문구도 | 하중분산형 신발 겉창 |
| KR101040648B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2011-06-10 | 문구도 | 하중분산형 신발 겉창 |
| JP5928829B2 (ja) * | 2013-01-31 | 2016-06-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3011672A1 (de) * | 1980-03-26 | 1981-10-01 | Draloric Electronic GmbH, 8500 Nürnberg | Temperatursensor |
| JP3058305B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2000-07-04 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ及びその製造方法 |
| DE19516260C1 (de) * | 1995-04-27 | 1996-10-02 | Mannesmann Ag | Anordnung zur Temperaturerfassung an einem Meßwandler |
| JPH09210802A (ja) * | 1996-02-02 | 1997-08-15 | Sharp Corp | 表面実装用温度検出素子 |
| DE19708653C2 (de) * | 1997-03-04 | 1999-07-08 | Telefunken Microelectron | Vorrichtung zur Bestimmung der Temperatur mindestens eines auf einem Trägerkörper mit geringer Wärmeleitfähigkeit angeordneten Halbleiterbauelements |
| JP3926424B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2007-06-06 | セイコーインスツル株式会社 | 熱電変換素子 |
| DE19816941A1 (de) * | 1998-04-16 | 1999-10-21 | Viessmann Werke Kg | Temperatursensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2000266608A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Murata Mfg Co Ltd | 温度センサ |
| JP2001141575A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサ素子およびその素子を用いた温度センサ |
-
2002
- 2002-04-08 JP JP2002105040A patent/JP3815362B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-26 TW TW092104013A patent/TW584722B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-14 KR KR1020030016095A patent/KR100616743B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-03-31 CN CNB031084397A patent/CN100405626C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-04 DE DE10315519A patent/DE10315519B4/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005278344A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Denso Corp | モータ制御装置 |
| JP2007093453A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Mitsubishi Materials Corp | 表面実装型温度センサ |
| JP2009088031A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びこれを備えた回路基板 |
| CN102290438A (zh) * | 2010-04-19 | 2011-12-21 | 韩国电子通信研究院 | 可变栅极场效应晶体管以及包含它的电气和电子设备 |
| US8587224B1 (en) | 2010-04-19 | 2013-11-19 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Variable gate field-effect transistor and electrical and electronic apparatus including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10315519A1 (de) | 2003-11-27 |
| KR100616743B1 (ko) | 2006-08-28 |
| TW200305007A (en) | 2003-10-16 |
| TW584722B (en) | 2004-04-21 |
| KR20030081021A (ko) | 2003-10-17 |
| CN1450668A (zh) | 2003-10-22 |
| JP3815362B2 (ja) | 2006-08-30 |
| CN100405626C (zh) | 2008-07-23 |
| DE10315519B4 (de) | 2005-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7871848B2 (en) | Semiconductor power module package without temperature sensor mounted thereon and method of fabricating the same | |
| JP3815362B2 (ja) | 温度検出素子およびこれを備える回路基板 | |
| JP2904654B2 (ja) | フィルム型抵抗器 | |
| JPH09210802A (ja) | 表面実装用温度検出素子 | |
| JP2005142189A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005129826A (ja) | パワー半導体装置 | |
| JP6790684B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2017203629A (ja) | 温度センサの実装構造 | |
| JP2002184601A (ja) | 抵抗器 | |
| CN110121635B (zh) | 温度测定装置 | |
| CN209929256U (zh) | 具有高导热基板的大电流熔断器 | |
| KR101075664B1 (ko) | 칩 저항기 및 이의 제조 방법 | |
| JPH11288803A (ja) | 表面実装サーミスタ部品 | |
| JP4487825B2 (ja) | 温度検出素子 | |
| JP3832165B2 (ja) | ポリマｐｔｃサーミスタ | |
| JP2006278793A (ja) | 温度検出素子 | |
| US5506447A (en) | Hybrid integrated circuit | |
| JP2020060464A (ja) | 赤外線センサ及びその製造方法 | |
| JP2001217101A (ja) | 電流検出用抵抗器 | |
| US20040055782A1 (en) | Surface-mounting type electronic circuit unit having no melting of solder attaching electric part thereto | |
| CN110211852B (zh) | 具有高导热基板的大电流熔断器及其制作方法 | |
| JP2500773Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2771567B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JP3826465B2 (ja) | ポリマｐｔｃサーミスタの製造方法 | |
| JPH06260730A (ja) | プリント配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050510 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050927 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060516 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060529 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090616 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |