JPH0677204U - サーミスタ装置 - Google Patents

サーミスタ装置

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JPH0677204U
JPH0677204U JP015302U JP1530293U JPH0677204U JP H0677204 U JPH0677204 U JP H0677204U JP 015302 U JP015302 U JP 015302U JP 1530293 U JP1530293 U JP 1530293U JP H0677204 U JPH0677204 U JP H0677204U
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JP
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thermistor
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JP015302U
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英浩 井上
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Priority to DE4410468A priority patent/DE4410468C2/de
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1406Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1413Terminals or electrodes formed on resistive elements having negative temperature coefficient

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡易な工程で電極材料のマイグレーションを
防止することができ、かつサーミスタ素体外周部近傍の
チッピングを防止することのできるサーミスタ装置を得
る。 【構成】 オーミック電極12,13の外周端縁部12
a,13aが、サーミスタ素体11の外周端縁部11
a,11bより内側に位置し、オーミック電極12,1
3の外周端縁部12a,13aと、サーミスタ素体11
の外周端縁部11a,11bの間でギャップ部が形成さ
れており、かつオーミック電極12,13の外周端縁部
12a,13aがサーミスタ素体11と接している部分
を覆うように絶縁被覆部14,15が形成されているこ
とを特徴としている。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、サーミスタ素体の主面上にオーミック電極を設けたサーミスタ装置 に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
正特性(PTC)サーミスタ及び負特性(NTC)サーミスタにおいては、共 に、サーミスタ素体の両主面上に銀等を主成分とするオーミック電極を設けた構 造を有したものが知られている。図10及び図11は、このような従来の構造の サーミスタ装置を示しており、図10は斜視図、図11は断面図である。図10 及び図11を参照して、PTCサーミスタの場合、チタン酸バリウム等のセラミ ック材料からなるサーミスタ素体1の両主面上に、銀等を主成分とするオーミッ ク電極2,3が設けられている。このようなサーミスタ装置では、オーミック電 極2,3が外気に直接触れるため、オーミック電極2,3の間に電位差を与える とき、サーミスタ素体1の外周面1cにオーミック電極2,3の電極成分が析出 し、互いに近接するように移動して、電極2,3間で短絡してしまう場合があっ た。このような現象は、一般にマイグレーション現象と呼ばれており、特に高温 多湿の雰囲気中で著しく促進されるものである。
【0003】 また、従来のサーミスタ装置として、図12及び図13に示す構造のものが知 られている。図12は斜視図であり、図13は断面図である。図12及び図13 を参照して、この従来のサーミスタ装置では、サーミスタ素体1の両主面に、主 面よりも小さな面積のオーミック電極2,3が設けられており、オーミック電極 2,3の外周端縁部とサーミスタ素体1の外周端縁部との間にギャップ部1a, 1bが形成されている。このような構造のサーミスタ装置において、上述のマイ グレーション現象による短絡を防止する方法としては、ギャップ部1a,1bを 十分に大きくとる方法が考えられる。しかしながら、ギャップ部1a,1bを大 きくとると、サーミスタ素体1の発熱部と非発熱部との間の熱膨張による応力の 差により、また電界集中によるストレスによって、チッピングを生じるという問 題がある。
【0004】 このようなマイグレーション現象による短絡を防止することを目的として、実 開昭62−76504号公報には、サーミスタ素体の外周面上に樹脂被覆層を設 ける構造が提案されている。図14は、このような構造のサーミスタ装置を示す 断面図であり、図14に示すように、この提案の構造のサーミスタ装置では、サ ーミスタ素体1の外周面上に樹脂被覆層4が設けられている。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、サーミスタ素体外周面の樹脂被覆は、工程上複雑であり、コス トが高くなり、実用化に適さないという問題があった。
【0006】 本考案の目的は、このような従来の問題点を解消し、簡易な工程で電極材料の マイグレーションを防止することができ、かつサーミスタ素体の外周部近傍での チッピングを防止することができるサーミスタ装置の構造を提供することにある 。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本考案のサーミスタ装置では、オーミック電極の外周端縁部がサーミスタ素体 の外周端縁部より内側に位置し、オーミック電極の外周端縁部とサーミスタ素体 の外周端縁部の間でギャップ部が形成されるようにオーミック電極が設けられて おり、かつオーミック電極の外周端縁部がサーミスタ素体と接している部分を覆 うように絶縁被覆部が形成されていることを特徴としている 本考案において、サーミスタ素体の主面上に設けられるオーミック電極の材料 としては、従来からサーミスタ装置においてオーミック電極として用いられてい る材料を用いることができ、例えば、Ag、Ag+Zn/Sb、Ag+In、及 びAl等の金属または合金材料を用いることができる。
【0008】 また、本考案において、オーミック電極の外周端縁部とサーミスタ素体との接 触部分を覆うように設けられる絶縁被覆の材料としては、電気的な絶縁性を有し 被覆可能な材料であれば特に限定されることはないが、例えば、グレーズ(ガラ ス)や、エポキシ及びシリコン樹脂等を用いることができる。
【0009】
【作用】
本考案のサーミスタ装置では、オーミック電極の外周端縁部とサーミスタ素体 の外周端縁部の間でギャップ部が形成されるようにオーミック電極が設けられて いる。このようにサーミスタ素体の外周端縁部との間にギャップ部が設けられて いるため、ギャップ部の存在しない構造に比べマイグレーションが生じ難くなっ ている。さらにこの考案では、オーミック電極の外周端縁部がサーミスタ素体と 接している部分を覆うように絶縁被覆部が形成されている。このため、絶縁被覆 部によってマイグレーションの発生がさらに抑制される。
【0010】 また、本考案では、オーミック電極の外周端縁部とサーミスタ素体との接触部 分が絶縁被覆部によって覆われているため、サーミスタ素体外周部近傍における チッピングをこの絶縁被覆部によって防止することができる。
【0011】
【実施例】
図1〜図3は、本考案に従う第1の実施例を示しており、図1は断面図、図2 は正面図、図3は斜視図である。図1〜図3を参照して、サーミスタ素体11の 両側主面にはオーミック電極12,13がそれぞれ設けられている。オーミック 電極12,13は、その外周端縁部12a,13aが、サーミスタ素体11の外 周端縁部11a,11bより内側に位置するように設けられており、オーミック 電極12,13の外周端縁部12a,13aと、サーミスタ素体11の外周端縁 部11a,11bの間でギャップ部が形成されている。この実施例では、このギ ャップ部全体を覆うように、グレーズコートにより絶縁被覆部14,15が形成 されている。この絶縁被覆部14,15は、例えば、オーミック電極12,13 の印刷と同様に、スクリーン印刷により形成することができる。
【0012】 図4及び図5は、本考案に従う第2の実施例を示しており、図4は正面図、図 5は断面図である。図4及び図5を参照して、この実施例では、絶縁被覆部14 ,15が、オーミック電極12,13の外周部12a,13aとサーミスタ素体 11の外周端縁部11a,11bとの間のギャップ部のみならず、オーミック電 極12,13の外周部をも覆うように形成されている。
【0013】 図6及び図7は、本発明に従う第3の実施例を示しており、図6は正面図、図 7は断面図である。図6及び図7を参照して、この実施例では、絶縁被覆部14 ,15の外周端縁部とサーミスタ素体11の外周端縁部11a,11bとの間に 、絶縁被覆外周ギャップ部16,17が形成されている。このように、本考案で は、オーミック電極12,13の外周端縁部12a,13aがサーミスタ素体1 1と接している部分を絶縁被覆部14,15が覆っておればよく、絶縁被覆部1 4,15の外周に被覆されていないサーミスタ素体11が露出していてもよい。
【0014】 図8及び図9は、本考案に従う第1の実施例を示しており、図8は正面図、図 9は断面図である。図8及び図9を参照して、この実施例では絶縁被覆部14, 15が、オーミック電極12,13の外周端縁部12a,13aと、サーミスタ 素体11の外周端縁部11a,11bとの間のギャップ部の一部と、オーミック 電極12,13の外周部とを覆っている。この実施例のように、絶縁被覆部14 ,15の外周に、絶縁被覆部によって覆われていないサーミスタ素体11の部分 が存在し、かつ絶縁被覆部14,15によってオーミック電極12,13の外周 部が覆われていてもよい。
【0015】 以上のように、本考案に従う第1の実施例〜第4の実施例では、オーミック電 極12,13の外周端縁部12a,13aがサーミスタ素体11の外周端縁部1 1a,11bよりも内側に位置し、ギャップ部を形成しており、かつオーミック 電極12,13の外周端縁部12a,13aがサーミスタ素体11と接する部分 を覆うように絶縁被覆部14,15を設けることにより、電極成分のマイグレー ションを防止することができる。
【0016】 また、以上の実施例では、サーミスタ素体の両主面上に本考案に従う構造を適 用しているが、本考案の構造はサーミスタ素体の一方側主面にのみ適用してもよ い。
【0017】
【考案の効果】
本考案では、オーミック電極の外周端縁部がサーミスタ素体の外周端縁部より も内側に位置し、ギャップ部が形成されるようにオーミック電極を設けている。 従って、このギャップ部の存在により、オーミック電極の電極材料の成分がマイ グレーションし、短絡するのを防止することができる。
【0018】 また、本考案では、オーミック電極の外周端縁部がサーミスタ素体と接触して いる部分を覆うように絶縁被覆部が形成されているため、電極材料成分のマイグ レーションの起点となるオーミック電極の外周端縁部を覆うことができ、より有 効にマイグレーションを防止することができる。
【0019】 さらに、本考案では、絶縁被覆部が設けられているため、オーミック素体外周 部近傍でのチッピングの発生をも防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案に従う第1の実施例を示す断面図。
【図2】本考案に従う第1の実施例を示す正面図。
【図3】本考案に従う第1の実施例を示す斜視図。
【図4】本考案に従う第2の実施例を示す正面図。
【図5】本考案に従う第2の実施例を示す断面図。
【図6】本考案に従う第3の実施例を示す正面図。
【図7】本考案に従う第3の実施例を示す断面図。
【図8】本考案に従う第4の実施例を示す正面図。
【図9】本考案に従う第4の実施例を示す断面図。
【図10】従来のサーミスタ装置の一実施例を示す斜視
図。
【図11】図10に示す従来のサーミスタ装置の断面
図。
【図12】従来のサーミスタ装置の他の実施例を示す斜
視図。
【図13】図12に示す従来のサーミスタ装置の断面
図。
【図14】従来のサーミスタ装置のさらに他の実施例を
示す断面図。
【符号の説明】
11…サーミスタ素体 11a,11b…サーミスタ素体の外周端縁部 12,13…オーミック電極 12a,13a…オーミック電極の外周端縁部 14,15…絶縁被覆部 16,17…絶縁被覆外周ギャップ部

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 サーミスタ素体の主面上にオーミック電
    極を設けたサーミスタ装置において、 前記オーミック電極の外周端縁部が前記サーミスタ素体
    の外周端縁部より内側に位置し、オーミック電極の外周
    端縁部とサーミスタ素体の外周端縁部の間でギャップ部
    が形成されるようにオーミック電極が設けられており、
    かつオーミック電極の外周端縁部がサーミスタ素体と接
    している部分を覆うように絶縁被覆部が形成されている
    ことを特徴とする、サーミスタ装置。
JP015302U 1993-03-30 1993-03-30 サーミスタ装置 Pending JPH0677204U (ja)

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JP015302U JPH0677204U (ja) 1993-03-30 1993-03-30 サーミスタ装置
DE4410468A DE4410468C2 (de) 1993-03-30 1994-03-25 Thermistor-Bauelement
US08/220,286 US6201464B1 (en) 1993-03-30 1994-03-30 Thermistor device having uninsulated peripheral edge

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