JPS63104302A - ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ - Google Patents
ＳｉＣ薄膜サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS63104302A JPS63104302A JP24990586A JP24990586A JPS63104302A JP S63104302 A JPS63104302 A JP S63104302A JP 24990586 A JP24990586 A JP 24990586A JP 24990586 A JP24990586 A JP 24990586A JP S63104302 A JPS63104302 A JP S63104302A
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- JP
- Japan
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- thin film
- sic thin
- lead wire
- sic
- glass layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高耐熱性、高耐水性を要求される温度センサ
のＳｉＣ薄膜サーミスタに関するものである。
のＳｉＣ薄膜サーミスタに関するものである。
従来の技術
従来のＳｉＣ薄膜サーミスタは、第２図に示すようにア
ルミナ基板１上に、金属ペーストにて一対の対向電極２
ａ、２ｂを形成したのち、リード線取り出し部電極３ａ
、３ｂを除く前記対向電極２２Ｌ。
ルミナ基板１上に、金属ペーストにて一対の対向電極２
ａ、２ｂを形成したのち、リード線取り出し部電極３ａ
、３ｂを除く前記対向電極２２Ｌ。
２ｂが形成されている前記アルミナ基板１上にＳｉＣ薄
膜４を、スパッタリングにより形成し、前記リード線取
り出し部電極３ａ、３ｂにリード線８＆。
膜４を、スパッタリングにより形成し、前記リード線取
り出し部電極３ａ、３ｂにリード線８＆。
６ｂを接続したのち、アルミナ基板１上全面にわたって
ガラス層８にて被覆した構造であった。
ガラス層８にて被覆した構造であった。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、ＳｉＣ薄膜４が＋）−ド線
取り出し部電極３ａ、 ３ｂを除く対向主事が形成され
ているアルミナ基板１全面に形成されているため、この
上からガラス層８で被覆してもＳｉＣ薄膜４の端面はガ
ラス層８で完全に覆われていないため、煮沸、スチーム
等の過酷な条件下では、水分の吸着あるいは浸入により
抵抗値の異常低下をもたらし、耐水性面で保証し難い構
造であった。
取り出し部電極３ａ、 ３ｂを除く対向主事が形成され
ているアルミナ基板１全面に形成されているため、この
上からガラス層８で被覆してもＳｉＣ薄膜４の端面はガ
ラス層８で完全に覆われていないため、煮沸、スチーム
等の過酷な条件下では、水分の吸着あるいは浸入により
抵抗値の異常低下をもたらし、耐水性面で保証し難い構
造であった。
一方、リード線取り出し部電極？３Ｌ、３ｂにＩＪ−ド
線６ａ、 ６ｂを接続した後、アルミナ基板１上全面を
ガラス層８で覆って構成されているが、す−ド線６１．
ｅｂとガラス層８の熱膨張係数に差があるため、引出リ
ードに沿ってクラックが発生する場合があり、この時に
も同様に、煮沸、スチーム等の過酷な条件下では水分の
浸入により抵抗値の異常低下をもたらすという問題があ
った。本発明はこのような問題点を解決するもので、煮
沸。
線６ａ、 ６ｂを接続した後、アルミナ基板１上全面を
ガラス層８で覆って構成されているが、す−ド線６１．
ｅｂとガラス層８の熱膨張係数に差があるため、引出リ
ードに沿ってクラックが発生する場合があり、この時に
も同様に、煮沸、スチーム等の過酷な条件下では水分の
浸入により抵抗値の異常低下をもたらすという問題があ
った。本発明はこのような問題点を解決するもので、煮
沸。
スチーム等の過酷な条件下でも十分に使用に耐えうる耐
水性、耐湿性に優れたＳｉＣ薄膜サーミスタを提供する
ことを目的とするものである。
水性、耐湿性に優れたＳｉＣ薄膜サーミスタを提供する
ことを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、セラミック絶縁
基板上に対向電極を形成し、リード線取り出し部を除く
前記対向電極上にＳｉＣ薄膜を形成し、この上からＳｉ
Ｃ薄膜より大きな面積を有するガラス層でＳｉＣを完全
に被覆する。更に、リード線取り付は都電極上にリード
線を接続したのち、リード線補強用ガラスにてリード線
を被覆した構成とし、これら前記ＳｉＣ薄膜、ガラス層
、及びリード線の熱膨張係数が４０〜６０Ｘ１０／’Ｃ
のもので構成されたＳｉＣ薄膜サーミスタである。
基板上に対向電極を形成し、リード線取り出し部を除く
前記対向電極上にＳｉＣ薄膜を形成し、この上からＳｉ
Ｃ薄膜より大きな面積を有するガラス層でＳｉＣを完全
に被覆する。更に、リード線取り付は都電極上にリード
線を接続したのち、リード線補強用ガラスにてリード線
を被覆した構成とし、これら前記ＳｉＣ薄膜、ガラス層
、及びリード線の熱膨張係数が４０〜６０Ｘ１０／’Ｃ
のもので構成されたＳｉＣ薄膜サーミスタである。
作用
この構成により、ＳｉＣ薄膜は、この上からＳｉＣ薄膜
より大きな面積を有するＳｉＣ保護用ガラス層で完全に
被覆されていること、及び、リード線取シ出し都電極上
に接続したＦｅ−Ｎｉ合金線は、この上からリード線補
強用ガラスで被覆され、これらの前記ＳｉＣ薄膜、ガラ
ス層、及びＦｅ−Ｎｉ合金線の熱膨張係数が４０〜６０
×１ｏ／°ｃであることから、ＳｉＣ保護用ガラス層及
びリード線補強用ガラスにクラックの発生はみられず、
煮沸、スチーム等の過酷な条件下でも常に安定した電気
的特性を維持発揮することのできるＳｉＣ薄膜サーミス
タを提供することができる。
より大きな面積を有するＳｉＣ保護用ガラス層で完全に
被覆されていること、及び、リード線取シ出し都電極上
に接続したＦｅ−Ｎｉ合金線は、この上からリード線補
強用ガラスで被覆され、これらの前記ＳｉＣ薄膜、ガラ
ス層、及びＦｅ−Ｎｉ合金線の熱膨張係数が４０〜６０
×１ｏ／°ｃであることから、ＳｉＣ保護用ガラス層及
びリード線補強用ガラスにクラックの発生はみられず、
煮沸、スチーム等の過酷な条件下でも常に安定した電気
的特性を維持発揮することのできるＳｉＣ薄膜サーミス
タを提供することができる。
実施例
本発明の一実施例のＳｉＣ薄膜サーミスタを、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第１図に示すように、アルミナ基板１の上に、熱安定性
にすぐれたＰｔ−Ａｕペーストにて一対の対向電極２＆
、２ｂを形成したのち、リード線取り出し部電極３ａ、
３ｂを除く前記対向電極２Ｎ。
にすぐれたＰｔ−Ａｕペーストにて一対の対向電極２＆
、２ｂを形成したのち、リード線取り出し部電極３ａ、
３ｂを除く前記対向電極２Ｎ。
２ｂが形成されているアルミナ基板上に、基板の端部よ
り内側にＳｉＣ薄膜４をスパッタリングにより形成し感
温抵抗体とする。このＳｉＣ薄膜の面積より更に大きな
面積でＳｉＣ保護用ガラス層５をスクリーン印刷により
塗布、焼付して形成し、ＳｉＣ薄膜４をＳｉＣ保護用ガ
ラス５にて完全に被覆する。・更に前記リード線取り出
し部電極３Ｎ、３ｂ上にＦｅ−Ｎｉ合金線のリード線を
溶接にて接続した後、このリード線取り出し部をリード
線補強用ガラスアａ、７ｂで塗布、焼付けることにより
被覆して構成され、これら前記ＳｉＣ薄膜、ガラス層、
及びＦｅ−Ｎ１合金線の熱膨張係数は、４０〜６０Ｘ１
０”／’Ｃの範囲内にあるもので構成される。
り内側にＳｉＣ薄膜４をスパッタリングにより形成し感
温抵抗体とする。このＳｉＣ薄膜の面積より更に大きな
面積でＳｉＣ保護用ガラス層５をスクリーン印刷により
塗布、焼付して形成し、ＳｉＣ薄膜４をＳｉＣ保護用ガ
ラス５にて完全に被覆する。・更に前記リード線取り出
し部電極３Ｎ、３ｂ上にＦｅ−Ｎｉ合金線のリード線を
溶接にて接続した後、このリード線取り出し部をリード
線補強用ガラスアａ、７ｂで塗布、焼付けることにより
被覆して構成され、これら前記ＳｉＣ薄膜、ガラス層、
及びＦｅ−Ｎ１合金線の熱膨張係数は、４０〜６０Ｘ１
０”／’Ｃの範囲内にあるもので構成される。
発明の効果
以上のように本発明によれば、ＳｉＣ薄膜はガラス層で
完全に被覆されており、一方、リード線接続部は、Ｆｅ
−Ｎｉ合金線をリード線補強用ガラスで被覆し、これら
ＳｉＣ薄膜、ガラス層、及びＦｅ −Ｎｉ合金線の熱膨
張係数を４０〜６ｏＸ１ｏ／°ｃに選定しているため、
ガラス層にクラック等の発生はみられず、煮沸、スチー
ム等の過酷な条件下でも、水分がＳｉＣ薄膜部に浸入し
ないため抵抗値の異常低下を起こすことのない極めて安
定した電気特性を維持発揮するＳｉＣ薄膜サーミスタを
得ることができる。
完全に被覆されており、一方、リード線接続部は、Ｆｅ
−Ｎｉ合金線をリード線補強用ガラスで被覆し、これら
ＳｉＣ薄膜、ガラス層、及びＦｅ −Ｎｉ合金線の熱膨
張係数を４０〜６ｏＸ１ｏ／°ｃに選定しているため、
ガラス層にクラック等の発生はみられず、煮沸、スチー
ム等の過酷な条件下でも、水分がＳｉＣ薄膜部に浸入し
ないため抵抗値の異常低下を起こすことのない極めて安
定した電気特性を維持発揮するＳｉＣ薄膜サーミスタを
得ることができる。
第１図は本発明の一実施例におけるＳｉＣ薄膜サーミス
タの斜視図、第２図は従来のＳｉＣ薄膜サーミスタの斜
視図である。 １・・・・・アルミナ基板、２ａ、２ｂ・・・・・・Ｐ
ｔ −Ａｕ対向電極、３ａ、 ３ｂ・・・・・・ｐｔ−
人Ｕリード線取り出し部電極、４・・・・・・ＳｉＣ薄
膜、６・・・・・・ＳｉＣ保護用ガラス層、６２Ｌ 、
６ ｂ−・・・・・リード線、７ａ、７ｋ）・・・・
・・リード線補強用ガラス。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 円−Ａｕ電極 第２図
タの斜視図、第２図は従来のＳｉＣ薄膜サーミスタの斜
視図である。 １・・・・・アルミナ基板、２ａ、２ｂ・・・・・・Ｐ
ｔ −Ａｕ対向電極、３ａ、 ３ｂ・・・・・・ｐｔ−
人Ｕリード線取り出し部電極、４・・・・・・ＳｉＣ薄
膜、６・・・・・・ＳｉＣ保護用ガラス層、６２Ｌ 、
６ ｂ−・・・・・リード線、７ａ、７ｋ）・・・・
・・リード線補強用ガラス。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 円−Ａｕ電極 第２図
Claims (1)
- セラミック絶縁基板上に対向電極を形成し、この対向
電極上にＳｉＣの薄膜を形成させ、リード線取り出し部
電極を除く前記対向電極上に形成したＳｉＣ薄膜をガラ
ス層で完全に被覆し、前記リード線取り出し部電極にリ
ード線を接続し、このリード線取り出し部をガラスで被
覆し補強した構成とし、前記ＳｉＣ薄膜、ガラス層、及
びリード線の熱膨張係数が４０〜６０×１０／℃である
ことを特徴とするＳｉＣ薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24990586A JPS63104302A (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24990586A JPS63104302A (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63104302A true JPS63104302A (ja) | 1988-05-09 |
Family
ID=17199946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24990586A Pending JPS63104302A (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63104302A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011044621A (ja) * | 2009-08-23 | 2011-03-03 | Mitsubishi Materials Corp | 温度センサ |
| CN104508442A (zh) * | 2012-09-06 | 2015-04-08 | 三菱综合材料株式会社 | 温度传感器 |
-
1986
- 1986-10-21 JP JP24990586A patent/JPS63104302A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011044621A (ja) * | 2009-08-23 | 2011-03-03 | Mitsubishi Materials Corp | 温度センサ |
| CN101995304A (zh) * | 2009-08-23 | 2011-03-30 | 三菱综合材料株式会社 | 温度传感器 |
| CN104508442A (zh) * | 2012-09-06 | 2015-04-08 | 三菱综合材料株式会社 | 温度传感器 |
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