JPS6297391A - 薄膜回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「技術分野」 本発明は、例えばサーマルヘッド、ハイブリー２ドＩＣ
基板などに用いられる薄膜回路に関し、特にそれらの導
体薄膜の構造に関する。

「従来技術およびその問題点」 サーマルヘフド、ハイブリッドＩＣ）ふ板などの薄膜回
路においては、基板上に通電用の導体ＦＷ膜を有してい
る。これらの導体薄膜は、一般にＡＩ等の全屈薄膜を蒸
着、スパッタリング等により形成した後、エツチングし
てパターン化することにより形成している。

例えば従来のサーマルヘッドは、第３図に示すように、
アルミナ等の絶縁性基板１　、）Ｈに、ガラスグレーズ
層２を部分的に形成し、さらに、発熱抵抗体層３、導体
層４．酸化防止層５．＃摩耗層６を順次積層した構成と
なっている。この場合、酸化防止層５および耐摩耗層６
は、導体層４を保護するものであるが、基板１の表面精
度、薄膜形成時のバラツキなどにより、ピンホール７が
生じることがある。

サーマルヘッドは、その回路面を手で触れないことが注
意事項とされているが、取扱いに誤って罫で触れてしま
うことがある。このため、人体の汗等に含まれるＣＩイ
オンがピンホール７を通して導体層４に接触し、特に高
温高湿の雰囲気においては２導体層４が腐食されて断線
に至るという問題が生じていた。

「発明の目的」 本発明の目的は、丘記従来技術の問題点を解決し、導体
薄膜を覆う保護膜にピンポールが存在しても、人体など
の接触による導体薄膜の腐食が発生せず、断線による事
故の少ない信頼性に優れた薄膜回路を提供することにあ
る。

「発明の構成」 本発明による薄膜回路は、Ａ１の薄膜上にＭＯ１■より
選ばれた一種の薄膜を積層形成した導体薄膜を有するこ
とを特徴とする。

このように、ＡＩの薄膜上にさらにＭＯ１■より選ばれ
た一種の薄膜を積層形成したことにより、　Ｍ。

またはりの薄膜は、ＣＩイオン等によって腐食されない
ので、導体薄膜を覆う保護膜のピンホールなどから侵入
したＣＩイオン等によるＡＩ薄膜の腐食を防ＩＦするこ
とがで息る。したがって、薄膜回路の信頼性を高めるこ
とができる。

本発明において、ＡＩ薄膜の腐食防止のため、Ｎｏ、　
Ｖより選ばれた一種の薄膜を用いる理由は。

口、ＶがＡ１に対して選択エツチングが可能なためであ
る。すなわち、薄膜回路においては、導体薄膜を外部回
路に接続するため半田付は可能な端子部を設ける必要が
あり、この端子部においてはＭｏまたはＶの薄膜を除去
しなければならず、その際にＭｏまたはＶの薄膜のみを
選択的にエツチング液で除去するようにするためである
。

なお、ＭＯまたはＶの薄膜は、例えばスパッタリング、
真空蒸着などの手段によって形成することができる。

ｒ発明の実施例」 第１図および第２図には本発明をサーマルヘッドに適用
した実施例が示されている。

アルミナからなる絶縁性基板ｌ上に、ガラスフリットと
有機バインダーとの混合ペーストをスクリーン印刷し焼
成して、ガラスグレーズ層２を形成する０次に、絶縁性
基板１およびガラスグレーズ層２上に、Ｔａ２Ｎをスパ
ッタリングして発熱抵抗体層３を厚さ０．０５　ｇ　ｍ
で形成する。

そして、発熱抵抗体層３上に、厚さ１．５牌履のＡ１薄
膜８および厚さ０．３４ｍのＭｏ薄膜９をスパッタリン
グにより形成して二層からなる導体層４を構成する。こ
の成膜操作は、次のようにして行なうことができる。ま
ず、ＡＩメタ−ットを用いて上記基板ｌを１００℃に加
熱しながらアルゴンガス圧０．６Ｐａ（４，５Ｘ　１Ｏ
−３Ｔｏｒｒ）の雰囲気中で高周波マグネトロン・スパ
ッタリングを行なうことにより、Ａ１薄膜８を形成する
。続いてＭＯメタ−ットに切り換え、これを用いて前記
ＡＩＲ膜８が形成された基板１を同様に１００°Ｃに加
熱しながらＡｌ薄膜８の形成時と同じアルゴンガス圧で
高周波マグネトロンスパッタリングを行なうことにより
、Ｍｏ薄膜８を形成する。このように、チャンへ−内に
ＡＩとＭＯの２種類のターゲツトを設けることにより、
Ａ　Ｉ　薄膜８をスパッタ成膜した後、基板１を大気に
さらすことなく、直ちにに０薄膜９をスパッタ成膜する
ことができる。なお、Ａｌ薄膜８およびＭＯ薄１１９９
からなる導体Ｆ：４は、第２図に示すように、個別電極
ライン４１．４２．４３．４４．４５．４８．４７と共
通電極ライン４８とにパターンエツチングし、それらの
間に発熱ドント部Ａを形成する。

こうして導体層４を形成した後、その上のへ７ト而１１
に厚さ２　ｐ−ｔｎの５ｉＱ２からなる酸化防止層５お
よび厚さ５　ｇｔｎのＴａ７０ｓからなる耐斤耗層６を
順次積層する。そして、個別電極ライン４１．４２゜４
３．４４．４５．４８．４７と共通電極ライン４８の端
子部１０の部分は、Ｍｏｉ！ｌ膜９のみを選択エツチン
グしてＡｌ薄膜８を露出させる。こうして、サーマルヘ
ッドを得る。なお、第１図中、７はピンホールを表わし
ている。

このサーマルヘッドは、素手で触れて高温高湿の雰囲気
（６０°Ｃ１９５％Ｒ１（）中に放置したところ。

断線による不良品発生率は皆無であった。なお、比較の
ため、ＭｏＱ膜９を設けない従来のサーマルヘッドにつ
いて上記と同様に不良品発生率を測定したところ、６５
％であった。なお、Ｅ記Ｍｏ薄膜の代りにＶ薄膜を用い
たサーマルヘッドにおいても、上記と同様な結果が得ら
れた。

「発明の効果」 以上説明したように、本発明によれば、Ａ１薄膜りにＮ
ｏまたはＶ薄膜を形成して導体薄膜を構成したので１回
路面を手で触れてもＣｔイオン等によるＡ１１ｌ膜の腐
食を防止することができる。したがって、断線による！
ＩＳ故をなくシ、信頼性を高めることがでさる、また、
ＭＯまたはＶ薄膜は、Ａ１薄膜に対して選択エツチング
が可能なので、端子部の処理に際しても不都合を生じな
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明をサーマルヘッドに適用した実施例を示
す部分断面図、第２図は同サーマルヘッドの平面構成図
、第３図は従来のサーマルへ−２１の一例を示す部分断
面図である。 図中、ｌは基板、４は導体層、８はＡＩ薄膜、９はＭｏ
薄膜である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ａｌの薄膜上にＭｏ、Ｖより選ばれた一種の薄膜
   を積層形成した導体薄膜を有することを特徴とする薄膜
   回路。
2. （２）特許請求の範囲第１項において、サーマルヘッド
   に使用される薄膜回路。