JP2000331590A - 回路保護素子及びその製造方法 - Google Patents
回路保護素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000331590A JP2000331590A JP11248636A JP24863699A JP2000331590A JP 2000331590 A JP2000331590 A JP 2000331590A JP 11248636 A JP11248636 A JP 11248636A JP 24863699 A JP24863699 A JP 24863699A JP 2000331590 A JP2000331590 A JP 2000331590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- circuit protection
- protection element
- mica
- fuse element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な溶断特性が得られ、且つ容易に製造す
ることができる回路保護素子を提供する。 【解決手段】 角板状の基板の両側に電極１２を設け、
電極１２にまたがるようにヒューズエレメント１４を金
属被膜で形成し、金属被膜を保護膜１５で被覆した回路
保護素子１０において、基板としてマイカ系（又はマイ
カを含有している）セラミック基板、チタン酸アルミニ
ウム基板、もしくはワラストナイト基板１１を用い、金
属被膜からの熱伝導を低減した。
ることができる回路保護素子を提供する。 【解決手段】 角板状の基板の両側に電極１２を設け、
電極１２にまたがるようにヒューズエレメント１４を金
属被膜で形成し、金属被膜を保護膜１５で被覆した回路
保護素子１０において、基板としてマイカ系（又はマイ
カを含有している）セラミック基板、チタン酸アルミニ
ウム基板、もしくはワラストナイト基板１１を用い、金
属被膜からの熱伝導を低減した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回路保護素子に係
り、特に外形寸法が１〜２ｍｍ程度の角板状の基板に金
属被膜のヒューズエレメントを配置したチップ型のヒュ
ーズ素子に関する。
り、特に外形寸法が１〜２ｍｍ程度の角板状の基板に金
属被膜のヒューズエレメントを配置したチップ型のヒュ
ーズ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】チップ型のヒューズ素子としては、例え
ば図２に示す構造のものが知られている。これはアルミ
ナ等のセラミック基板２１の両側に電極部２２を設け、
両電極間に蓄熱層となる絶縁層２３を設け、その絶縁層
の上にヒューズエレメントとなる金属被膜を配置したも
のである。金属被膜２４は保護膜２５で被覆されてお
り、その形状は図２（ｂ）に示すように、その略中央部
に細幅の狭隘部２４ａを備えている。
ば図２に示す構造のものが知られている。これはアルミ
ナ等のセラミック基板２１の両側に電極部２２を設け、
両電極間に蓄熱層となる絶縁層２３を設け、その絶縁層
の上にヒューズエレメントとなる金属被膜を配置したも
のである。金属被膜２４は保護膜２５で被覆されてお
り、その形状は図２（ｂ）に示すように、その略中央部
に細幅の狭隘部２４ａを備えている。
【０００３】係るヒューズ素子においては、過電流が流
れると、ヒューズエレメントの狭隘部２４ａに電流が集
中し、発熱を起こすことによりヒューズエレメントが断
線し、この回路保護素子に接続された各種電子機器を保
護するようになっている。しかしながら、セラミック基
板２１は一般に熱伝導率が高く、熱が逃げやすい性質を
有している。このため、ガラス基板又はガラスエポキシ
樹脂等からなる絶縁材２３をヒューズエレメント２４と
セラミック基板２１との間に挿入して蓄熱部とし、これ
により溶断部である細幅の狭隘部２４ａに生じる熱が逃
げて冷却されることを防止している。
れると、ヒューズエレメントの狭隘部２４ａに電流が集
中し、発熱を起こすことによりヒューズエレメントが断
線し、この回路保護素子に接続された各種電子機器を保
護するようになっている。しかしながら、セラミック基
板２１は一般に熱伝導率が高く、熱が逃げやすい性質を
有している。このため、ガラス基板又はガラスエポキシ
樹脂等からなる絶縁材２３をヒューズエレメント２４と
セラミック基板２１との間に挿入して蓄熱部とし、これ
により溶断部である細幅の狭隘部２４ａに生じる熱が逃
げて冷却されることを防止している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
に鑑みて為されたもので、良好な溶断特性が得られ、且
つ容易に製造することができる回路保護素子を提供する
ことを目的とする。
に鑑みて為されたもので、良好な溶断特性が得られ、且
つ容易に製造することができる回路保護素子を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の回路保護素子
は、角板状の基板の両側に電極を設け、該電極に連通す
るようにヒューズエレメントを金属被膜で形成し、該金
属被膜を保護膜で被覆した回路保護素子において、前記
基板としてマイカ系（又はマイカを含有している）セラ
ミック基板、チタン酸アルミニウム基板、もしくはワラ
ストナイト基板を用い、前記金属被膜からの熱伝導を低
減したことを特徴とする。
は、角板状の基板の両側に電極を設け、該電極に連通す
るようにヒューズエレメントを金属被膜で形成し、該金
属被膜を保護膜で被覆した回路保護素子において、前記
基板としてマイカ系（又はマイカを含有している）セラ
ミック基板、チタン酸アルミニウム基板、もしくはワラ
ストナイト基板を用い、前記金属被膜からの熱伝導を低
減したことを特徴とする。
【０００６】上述した本発明によれば、角板状の基板を
マイカ系（又はマイカを含有している）セラミック基
板、チタン酸アルミニウム基板、もしくはワラストナイ
ト基板を用いたので、これらの材料は従来のアルミナ等
のセラミック基板と比較して、熱伝導率が一桁程度小さ
くなる。これにより、従来の蓄熱層である絶縁板の挿入
を必要とすることなく、良好なヒューズエレメントの溶
断特性が得られる。従って、絶縁板の挿入が不要となる
ことから、その構造をより簡素化することができ、製造
工程を短縮してその製造コストを低減することができ
る。
マイカ系（又はマイカを含有している）セラミック基
板、チタン酸アルミニウム基板、もしくはワラストナイ
ト基板を用いたので、これらの材料は従来のアルミナ等
のセラミック基板と比較して、熱伝導率が一桁程度小さ
くなる。これにより、従来の蓄熱層である絶縁板の挿入
を必要とすることなく、良好なヒューズエレメントの溶
断特性が得られる。従って、絶縁板の挿入が不要となる
ことから、その構造をより簡素化することができ、製造
工程を短縮してその製造コストを低減することができ
る。
【０００７】また、本発明の回路保護素子の製造方法
は、熱伝導率の低いシート状の基板を準備し、該基板上
の全面にＣｒ／Ｃｕの薄膜を形成し、レジストの塗布
後、フォトリソグラフィによりヒューズエレメント及び
電極部分のパターンを形成し、電解Ｃｕ鍍金により前記
パターンに従ってヒューズエレメント及び電極部分のＣ
ｕ膜を形成し、該ヒューズエレメント及び電極の一部を
被覆するようにガラスコート層を設け、更に該ガラスコ
ート層を被覆するようにオーバコート層を設け、そし
て、電極部の裏面及び端面に下地金属を形成してから電
極メッキを行うことを特徴とする。ここに、前記基板と
してマイカ系（又はマイカを含有している）セラミック
基板、チタン酸アルミニウム基板、もしくはワラストナ
イト基板を用いることが好ましい。
は、熱伝導率の低いシート状の基板を準備し、該基板上
の全面にＣｒ／Ｃｕの薄膜を形成し、レジストの塗布
後、フォトリソグラフィによりヒューズエレメント及び
電極部分のパターンを形成し、電解Ｃｕ鍍金により前記
パターンに従ってヒューズエレメント及び電極部分のＣ
ｕ膜を形成し、該ヒューズエレメント及び電極の一部を
被覆するようにガラスコート層を設け、更に該ガラスコ
ート層を被覆するようにオーバコート層を設け、そし
て、電極部の裏面及び端面に下地金属を形成してから電
極メッキを行うことを特徴とする。ここに、前記基板と
してマイカ系（又はマイカを含有している）セラミック
基板、チタン酸アルミニウム基板、もしくはワラストナ
イト基板を用いることが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１を参照しながら説明する。この回路保護素子１０
は、角板状の基板として従来のマイカ系（又はマイカを
含有している）セラミック基板、チタン酸アルミニウム
基板、もしくはワラストナイト基板１１を採用し、その
上に直接ヒューズエレメントである金属被膜を配置して
いる。基板１１の寸法としては、例えば２ｍｍ×１．２
５ｍｍ又は１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度の通常のチップ
部品のサイズが採用されている。電極部１２は、例え
ば、厚さ２〜２０μｍ程度のＣｕ鍍金膜がヒューズエレ
メント部１４と一体的に設けられている。そして、ヒュ
ーズエレメント部は図示するような狭隘部１４ａを有
し、過電流が流れるとここに電流が集中し、溶断するよ
うになっている。ヒューズエレメント部１４はガラス及
び／又はエポキシ樹脂等の保護膜１５により（例えば、
下地の第１層をガラスとし、その上の第２層をエポキシ
樹脂等の保護膜１５により）被覆され、保護されてい
る。
て図１を参照しながら説明する。この回路保護素子１０
は、角板状の基板として従来のマイカ系（又はマイカを
含有している）セラミック基板、チタン酸アルミニウム
基板、もしくはワラストナイト基板１１を採用し、その
上に直接ヒューズエレメントである金属被膜を配置して
いる。基板１１の寸法としては、例えば２ｍｍ×１．２
５ｍｍ又は１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度の通常のチップ
部品のサイズが採用されている。電極部１２は、例え
ば、厚さ２〜２０μｍ程度のＣｕ鍍金膜がヒューズエレ
メント部１４と一体的に設けられている。そして、ヒュ
ーズエレメント部は図示するような狭隘部１４ａを有
し、過電流が流れるとここに電流が集中し、溶断するよ
うになっている。ヒューズエレメント部１４はガラス及
び／又はエポキシ樹脂等の保護膜１５により（例えば、
下地の第１層をガラスとし、その上の第２層をエポキシ
樹脂等の保護膜１５により）被覆され、保護されてい
る。
【０００９】上述した回路保護素子１０によれば、ガラ
ス基板１１の熱伝導率が０．００２５程度であり、マイ
カ系（又はマイカを含有している）セラミック基板、チ
タン酸アルミニウム基板、もしくはワラストナイト基板
の場合は、約０．００４程度である。ここでマイカ系
（又はマイカを含有している）セラミックとは、ガラス
材料が約２分の１であり、残りがフッ素金雲母等の材料
から構成されている焼結体であり、熱伝導率等の性質は
ガラスに近く、結晶性を有するため、加工性においては
セラミックに近い性質を有している。このようにマイカ
系（又はマイカを含有している）セラミック基板、チタ
ン酸アルミニウム基板、もしくはワラストナイト基板を
用いることにより、熱伝導率が従来のセラミックに比べ
一桁以上低いため、従来の蓄熱層である絶縁材を用いる
ことなく、ヒューズエレメントの過電流による溶断時の
放熱を防止することができ、これにより安定した溶断特
性が得られる。
ス基板１１の熱伝導率が０．００２５程度であり、マイ
カ系（又はマイカを含有している）セラミック基板、チ
タン酸アルミニウム基板、もしくはワラストナイト基板
の場合は、約０．００４程度である。ここでマイカ系
（又はマイカを含有している）セラミックとは、ガラス
材料が約２分の１であり、残りがフッ素金雲母等の材料
から構成されている焼結体であり、熱伝導率等の性質は
ガラスに近く、結晶性を有するため、加工性においては
セラミックに近い性質を有している。このようにマイカ
系（又はマイカを含有している）セラミック基板、チタ
ン酸アルミニウム基板、もしくはワラストナイト基板を
用いることにより、熱伝導率が従来のセラミックに比べ
一桁以上低いため、従来の蓄熱層である絶縁材を用いる
ことなく、ヒューズエレメントの過電流による溶断時の
放熱を防止することができ、これにより安定した溶断特
性が得られる。
【００１０】次にこの回路保護素子の製造方法について
図３及び図４を参照しながら説明する。まず、図３
（ａ）に示すように、熱伝導率の低いシート状の基板１
を準備する。尚、図３に示す各図は、シート状の基板１
のうちの、後に１個の回路保護素子となる一部分のみを
示している。ここで、シート状の基板は、例えば１０ｃ
ｍ角程度の大きさを有し、その厚さは０．５ｍｍ程度で
あり、マイカ系（又はマイカを含有している）セラミッ
ク基板、チタン酸アルミニウム基板、もしくはワラスト
ナイト基板を用いている。尚、後に１個の回路保護素子
となる一部分のみの寸法は、例えば２ｍｍ×１．２５ｍ
ｍ又は１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度である。
図３及び図４を参照しながら説明する。まず、図３
（ａ）に示すように、熱伝導率の低いシート状の基板１
を準備する。尚、図３に示す各図は、シート状の基板１
のうちの、後に１個の回路保護素子となる一部分のみを
示している。ここで、シート状の基板は、例えば１０ｃ
ｍ角程度の大きさを有し、その厚さは０．５ｍｍ程度で
あり、マイカ系（又はマイカを含有している）セラミッ
ク基板、チタン酸アルミニウム基板、もしくはワラスト
ナイト基板を用いている。尚、後に１個の回路保護素子
となる一部分のみの寸法は、例えば２ｍｍ×１．２５ｍ
ｍ又は１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度である。
【００１１】次に、図３（ｂ）に示すように、全面にＣ
ｒ／Ｃｕの２層の金属薄膜２をスパッタリング等により
形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、フォトリソ
グラフィによりヒューズエレメント及び電極部分のレジ
ストパターン３の形成を行う。この工程は、まず全面に
フォトレジスト膜を塗布し、ヒューズエレメント及び電
極部分のパターンを有するガラスマスクを用いて露光を
行い、現像することで同図に示すようなフォトレジスト
膜のパターン３を形成する。
ｒ／Ｃｕの２層の金属薄膜２をスパッタリング等により
形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、フォトリソ
グラフィによりヒューズエレメント及び電極部分のレジ
ストパターン３の形成を行う。この工程は、まず全面に
フォトレジスト膜を塗布し、ヒューズエレメント及び電
極部分のパターンを有するガラスマスクを用いて露光を
行い、現像することで同図に示すようなフォトレジスト
膜のパターン３を形成する。
【００１２】次に、図３（ｄ）に示すようにヒューズエ
レメント及び電極部分に電解銅メッキによるＣｕ膜４を
形成する。即ち、図３（ｃ）に示す一部にレジスト膜３
が配置された下地に金属膜２を有する基板１の表面に電
解Ｃｕメッキを行うと、フォトレジスト膜で被覆された
部分にはメッキ膜が付かず、下地金属２が露出した部分
のみＣｕメッキ膜４が成長する。このようにして、ヒュ
ーズエレメント部及び電極部を構成するＣｕ膜４が形成
され、この厚さは２〜２０μｍ程度である。
レメント及び電極部分に電解銅メッキによるＣｕ膜４を
形成する。即ち、図３（ｃ）に示す一部にレジスト膜３
が配置された下地に金属膜２を有する基板１の表面に電
解Ｃｕメッキを行うと、フォトレジスト膜で被覆された
部分にはメッキ膜が付かず、下地金属２が露出した部分
のみＣｕメッキ膜４が成長する。このようにして、ヒュ
ーズエレメント部及び電極部を構成するＣｕ膜４が形成
され、この厚さは２〜２０μｍ程度である。
【００１３】次に、図３（ｅ）に示すようにフォトレジ
スト膜３の剥離を行い、更にその下地のスパッタリング
により形成したＣｕ／Ｃｒの金属薄膜層のエッチングを
行う。これにより、フォトレジスト膜で被覆されていた
部分に下地の絶縁体である基板１の表面が露出する。
スト膜３の剥離を行い、更にその下地のスパッタリング
により形成したＣｕ／Ｃｒの金属薄膜層のエッチングを
行う。これにより、フォトレジスト膜で被覆されていた
部分に下地の絶縁体である基板１の表面が露出する。
【００１４】次に、図４（ａ）に示すようにヒューズエ
レメント部及び電極の一部を被覆するようにガラスコー
ト層５を設ける。このガラスコート層５は、ガラスペー
ストをスクリーン印刷等により所定の部分に形成した後
に、加熱焼成及び／又は加温硬化して形成する。このガ
ラスコート層５は、ヒューズエレメントの溶断時にガラ
スが金属の溶断部分に入り込み、消弧する上で重要な役
割を果たしている。
レメント部及び電極の一部を被覆するようにガラスコー
ト層５を設ける。このガラスコート層５は、ガラスペー
ストをスクリーン印刷等により所定の部分に形成した後
に、加熱焼成及び／又は加温硬化して形成する。このガ
ラスコート層５は、ヒューズエレメントの溶断時にガラ
スが金属の溶断部分に入り込み、消弧する上で重要な役
割を果たしている。
【００１５】次に、図４（ｂ）に示すように裏面の電極
６を形成する。尚、この右図は基板の裏面側を示してい
る。この電極６は例えばＡｇペーストを用いてスクリー
ン印刷を行い、その後に加熱焼成することにより形成し
てもよく、また全面に金属をスパッタリングにより被着
して、フォトリソグラフィにより不要部分を除去するよ
うにして形成しても良い。また、メタルマスクによる部
分着膜で電極６をスパッタリングにより形成してもよ
い。
６を形成する。尚、この右図は基板の裏面側を示してい
る。この電極６は例えばＡｇペーストを用いてスクリー
ン印刷を行い、その後に加熱焼成することにより形成し
てもよく、また全面に金属をスパッタリングにより被着
して、フォトリソグラフィにより不要部分を除去するよ
うにして形成しても良い。また、メタルマスクによる部
分着膜で電極６をスパッタリングにより形成してもよ
い。
【００１６】次に、図４（ｃ）に示すように、表面側に
前述したガラスコート層を更に被覆するようにオーバコ
ート層７を形成する。これは例えばエポキシ樹脂等のペ
ーストをスクリーン印刷等により形成した後に加温硬化
して、エポキシ樹脂等の保護膜を形成する。そして、図
４（ｄ）に示すようにオーバコート層の表面にマーキン
グＭを行う。
前述したガラスコート層を更に被覆するようにオーバコ
ート層７を形成する。これは例えばエポキシ樹脂等のペ
ーストをスクリーン印刷等により形成した後に加温硬化
して、エポキシ樹脂等の保護膜を形成する。そして、図
４（ｄ）に示すようにオーバコート層の表面にマーキン
グＭを行う。
【００１７】上述したマーキングまでの工程は、シート
状の一枚の基板上で多数の単位となる回路保護素子とな
る部分を一括してバッチ処理するのであるが、マーキン
グの終了後にチップの短手方向に一時分割を行い、短冊
状に多数のチップが一連につながった状態とする。そし
て、図４（ｅ）に示すようにチップの長手方向端面にＮ
ｉ／Ｃｒのスパッタリングによる下地端面電極８を形成
する。
状の一枚の基板上で多数の単位となる回路保護素子とな
る部分を一括してバッチ処理するのであるが、マーキン
グの終了後にチップの短手方向に一時分割を行い、短冊
状に多数のチップが一連につながった状態とする。そし
て、図４（ｅ）に示すようにチップの長手方向端面にＮ
ｉ／Ｃｒのスパッタリングによる下地端面電極８を形成
する。
【００１８】次に、図４（ｆ）に示すように、電極部分
にＮｉ／ハンダによる電極メッキを行う。これは、まず
上述した短冊状の一連のチップをそれぞれのチップの長
手方向に沿って分割し、個々の回路保護素子１０とす
る。そして、例えば電解バレルメッキによりまずＮｉメ
ッキを行い、次に引き続きハンダメッキを行うことによ
り上述した電極メッキを施した電極９が形成される。
尚、Ｎｉメッキは電極部分のハンダ食われを防止するた
めであり、ハンダメッキを行うのはＮｉ層の酸化防止及
びハンダの接着性の確保のためである。これにより、表
面実装に好適なチップ型の回路保護素子が完成する。
にＮｉ／ハンダによる電極メッキを行う。これは、まず
上述した短冊状の一連のチップをそれぞれのチップの長
手方向に沿って分割し、個々の回路保護素子１０とす
る。そして、例えば電解バレルメッキによりまずＮｉメ
ッキを行い、次に引き続きハンダメッキを行うことによ
り上述した電極メッキを施した電極９が形成される。
尚、Ｎｉメッキは電極部分のハンダ食われを防止するた
めであり、ハンダメッキを行うのはＮｉ層の酸化防止及
びハンダの接着性の確保のためである。これにより、表
面実装に好適なチップ型の回路保護素子が完成する。
【００１９】このような回路保護素子の製造方法によれ
ば、蓄熱層となる絶縁材の装着の工程が不要となるの
で、材料コストが低減し、工程が短縮されるので、その
製造コストを低減できる。
ば、蓄熱層となる絶縁材の装着の工程が不要となるの
で、材料コストが低減し、工程が短縮されるので、その
製造コストを低減できる。
【００２０】尚、上記実施の形態はチップ型の回路保護
素子について説明したが、チップ型以外にも、角板状の
基板にヒューズエレメントを配置した各種の回路保護素
子に適用可能なことは勿論である。
素子について説明したが、チップ型以外にも、角板状の
基板にヒューズエレメントを配置した各種の回路保護素
子に適用可能なことは勿論である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、構
造が簡単で且つ溶断特性が改良された回路保護素子が提
供される。
造が簡単で且つ溶断特性が改良された回路保護素子が提
供される。
【図１】本発明の実施の形態の回路保護素子の（ａ）縦
断面図、（ｂ）平面図である。
断面図、（ｂ）平面図である。
【図２】従来の回路保護素子の（ａ）縦断面図、（ｂ）
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明の実施の形態の回路保護素子の製造工程
の前半部を示す左側が平面図であり、右側が断面図であ
る。断面図は左側の平面図のＣＣ線に沿った断面を示
す。
の前半部を示す左側が平面図であり、右側が断面図であ
る。断面図は左側の平面図のＣＣ線に沿った断面を示
す。
【図４】本発明の実施の形態の回路保護素子の製造工程
の前半部を示す左側が平面図であり、右側が断面図であ
る。断面図は左側の平面図のＡＡ線に沿った断面を示
す。
の前半部を示す左側が平面図であり、右側が断面図であ
る。断面図は左側の平面図のＡＡ線に沿った断面を示
す。
１，１１ マイカ系（又はマイカを含有している）セ
ラミック基板、チタン酸アルミニウム基板、もしくはワ
ラストナイト基板 ２ Ｃｒ／Ｃｕの２層の金属薄膜 ３ フォトレジスト膜 ４ Ｃｕメッキ膜 ５ ガラスコート層 ６ 裏面の電極 ７ オーバコート層 ８ 下地端面電極 ９ 電極メッキを施した電極 １０ 回路保護素子 １２ 電極 １４ ヒューズエレメント １５ 保護膜
ラミック基板、チタン酸アルミニウム基板、もしくはワ
ラストナイト基板 ２ Ｃｒ／Ｃｕの２層の金属薄膜 ３ フォトレジスト膜 ４ Ｃｕメッキ膜 ５ ガラスコート層 ６ 裏面の電極 ７ オーバコート層 ８ 下地端面電極 ９ 電極メッキを施した電極 １０ 回路保護素子 １２ 電極 １４ ヒューズエレメント １５ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市川 洋 長野県上伊那郡箕輪町大字中箕輪14016 コーア株式会社内 Ｆターム(参考） 5G502 BA08 BB13 BD02 BD20 JJ01
Claims (3)
- 【請求項１】 角板状の基板の両側に電極を設け、該電
極にまたがるようにヒューズエレメントを金属被膜で形
成し、該金属被膜を保護膜で被覆した回路保護素子にお
いて、 前記基板としてマイカ系（又はマイカを含有している）
セラミック基板、チタン酸アルミニウム基板、もしくは
ワラストナイト基板を用い、前記金属被膜からの熱伝導
を低減したことを特徴とする回路保護素子。 - 【請求項２】 熱伝導率の低いシート状の基板を準備
し、該基板上の全面にＣｒ／Ｃｕの薄膜を形成し、レジ
ストの塗布後、フォトリソグラフィによりヒューズエレ
メント及び電極部分のパターンを形成し、電解Ｃｕ鍍金
により前記パターンに従ってヒューズエレメント及び電
極部分のＣｕ膜を形成し、該ヒューズエレメント及び電
極の一部を被覆するようにガラスコート層を設け、更に
該ガラスコート層を被覆するようにオーバコート層を設
け、そして、電極部の裏面及び端面に下地金属を形成し
てから電極メッキを行うことを特徴とする回路保護素子
の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板としてマイカ系（又はマイカを
含有している）セラミック基板、チタン酸アルミニウム
基板、もしくはワラストナイト基板を用いたことを特徴
とする請求項２記載の回路保護素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11248636A JP2000331590A (ja) | 1999-03-18 | 1999-09-02 | 回路保護素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-74325 | 1999-03-18 | ||
| JP7432599 | 1999-03-18 | ||
| JP11248636A JP2000331590A (ja) | 1999-03-18 | 1999-09-02 | 回路保護素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331590A true JP2000331590A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=26415468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11248636A Pending JP2000331590A (ja) | 1999-03-18 | 1999-09-02 | 回路保護素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000331590A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009019903A1 (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Kamaya Electric Co., Ltd. | チップヒューズ及びその製造方法 |
| US7570148B2 (en) | 2002-01-10 | 2009-08-04 | Cooper Technologies Company | Low resistance polymer matrix fuse apparatus and method |
| JP2013539904A (ja) * | 2010-10-14 | 2013-10-28 | エイヴィーエックス コーポレイション | 低電流ヒューズ |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP11248636A patent/JP2000331590A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7570148B2 (en) | 2002-01-10 | 2009-08-04 | Cooper Technologies Company | Low resistance polymer matrix fuse apparatus and method |
| WO2009019903A1 (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Kamaya Electric Co., Ltd. | チップヒューズ及びその製造方法 |
| JP2009043513A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Kamaya Denki Kk | チップヒューズ及びその製造方法 |
| JP4510858B2 (ja) * | 2007-08-08 | 2010-07-28 | 釜屋電機株式会社 | チップヒューズ及びその製造方法 |
| JP2013539904A (ja) * | 2010-10-14 | 2013-10-28 | エイヴィーエックス コーポレイション | 低電流ヒューズ |
| US9847203B2 (en) | 2010-10-14 | 2017-12-19 | Avx Corporation | Low current fuse |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10354826B2 (en) | Fuse in chip design | |
| JP2008211257A (ja) | 集積型可融リンクを有するプリント回路板アセンブリ | |
| JPH03165501A (ja) | チップ形電気抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2001052593A (ja) | ヒューズおよびその製造方法 | |
| JP2001118701A (ja) | 電流検出用低抵抗器及びその製造方法 | |
| US4342020A (en) | Electrical network | |
| JP3774871B2 (ja) | 遅延型薄膜ヒューズ | |
| JP2006287063A (ja) | 電子部品 | |
| JP2002140975A (ja) | ヒューズ素子及びその製造方法 | |
| JP2000331590A (ja) | 回路保護素子及びその製造方法 | |
| JP2007227718A (ja) | 抵抗素子を有する電子部品およびその製造法 | |
| KR101075664B1 (ko) | 칩 저항기 및 이의 제조 방법 | |
| JP3567144B2 (ja) | チップ形抵抗器およびその製造方法 | |
| KR20110055272A (ko) | 솔더층이 증착된 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| JP2017112188A (ja) | 電子部品 | |
| JP3092451B2 (ja) | 角形薄膜チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2002231502A (ja) | フィレットレス形チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| JP3134067B2 (ja) | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| JPH10189306A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JP4306892B2 (ja) | 回路保護素子の製造方法 | |
| JP7209140B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
| JP2023157576A (ja) | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 | |
| JP2023082211A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPS6161988B2 (ja) | ||
| JPS61182964A (ja) | サ−マルヘツド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090602 |