JP4510858B2 - チップヒューズ及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 58
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
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- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
- H01H85/0411—Miniature fuses
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- H—ELECTRICITY
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- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/0039—Means for influencing the rupture process of the fusible element
- H01H85/0047—Heating means
- H01H85/0056—Heat conducting or heat absorbing means associated with the fusible member, e.g. for providing time delay
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- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
- H01H85/046—Fuses formed as printed circuits
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
- H01H85/0411—Miniature fuses
- H01H2085/0414—Surface mounted fuses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/05—Component parts thereof
- H01H85/055—Fusible members
- H01H85/08—Fusible members characterised by the shape or form of the fusible member
- H01H85/10—Fusible members characterised by the shape or form of the fusible member with constriction for localised fusing
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Description
したがって、チップヒューズに通電してヒューズ要素部の温度が上昇すると、その熱は下方に伝わり蓄熱層に蓄えられる一方で、上方に伝わった熱は保護層を介して絶縁基板から放熱され、これにより、発熱量が比較的大きくなる高定格電流域において、温度上昇を抑制することができ、且つ、ヒューズ要素部の溶断を遅延させることが可能になる。
また本発明では、蓄熱層、ヒューズ膜及び保護層の何れの層も、特許文献1の切欠き部のように製造工程を煩雑にする構成を必要とせず、感光基を有する樹脂材料を主成分とするシート材料を絶縁基板上に貼り付け、シート材料にフォトマスクを介して露光した後に、シート材料の所定部を除去して蓄熱層を形成するので、蓄熱層の配置や平面形状の寸法精度が向上する。また蓄熱層の材料として使用する、樹脂材料を主成分とするシート材料は、その厚さが均一性に富むものであるため、蓄熱層の厚さの寸法精度も向上する。
以上のように、蓄熱層の厚さ、形状及び配置の寸法精度が向上することにより、チップヒューズの製造時における良好な歩留が可能になる。
図1(a)〜(f)は本発明のチップヒューズ10を製造する工程を示した平面図であり、図2は図1(f)のA−A線におけるチップヒューズ10の断面図である。
チップヒューズ10は、絶縁基板11の上に蓄熱層12が形成され、蓄熱層12の上にヒューズ膜13が設けられ、ヒューズ膜13は、両端に配置された表電極部13aと、これら両端の表電極部13aを接続するヒューズ要素部13bとを有し、ヒューズ要素部13bの上にはNiとSnめっき膜またはSnめっき膜が形成され、このめっき膜が溶断部14となる。さらに、ヒューズ要素部13bの上には、蓄熱層12よりも熱伝導性が高い材料からなる第一の保護層15が設けられ、第一の保護層15の上に第二の保護層16が形成され、絶縁基板11の裏側の両端に裏電極17が設けられ、絶縁基板11の両端面に端面電極18が設けられ、電極めっき膜19が表電極13a、端面電極18及び裏電極17を覆うように設けられる。
このように蓄熱層12とヒューズ膜13が重ね合わされることにより、絶縁基板11における両端の表電極部13aで挟まれた領域11a(ヒューズ要素部の形成される領域)には、蓄熱層12とヒューズ膜13の何れによっても覆われていない面が生じ、この面上を、図1(d)のように第一の保護層15で被覆することで、第一の保護層15はヒューズ要素部13bと絶縁基板11の両方に接触するものとなる。
チップヒューズを製造するための集合絶縁基板としては、例えば、アルミナの純度が96%程度のアルミナ基板を使用することができる。この集合絶縁基板上に複数層にわたり各構成が形成されるとともに、縦方向、横方向に切断されることにより、チップヒューズは製造されるものであるが、図1(a)〜(f)では、製造過程における集合絶縁基板上の一区画、すなわち、一つのチップヒューズの平面図が示される。
最初に、レーザー等の手段により集合絶縁基板(図示せず)に切断用の溝(図示せず)を刻設する。集合絶縁基板には、予め切断用の溝が形成されたものもあり、その場合には、溝の刻設工程は省かれる。
蓄熱層12を形成するため、絶縁基板11上にシート状材料を貼る。シート状材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂及び感光基を含み、厚さ30μ程度に形成されたB状態のものを使用することができる。貼り付け工程を、所定温度、所定圧力で行うことにより、シート状材料は接着後に厚さ25μ程度になる。蓄熱層12を更に厚くする場合には、同様のシート状材料を同様の条件で貼り重ねる。
次に、シート状材料の上にフォトマスクを介して露光した後、炭酸ナトリウム溶液をスプレーにより吹き付けることにより、シート状材料は、図1(a)に示したような形状に形成され、絶縁基板上には蓄熱層12で被覆されていない領域11aが形成される。
以上のように蓄熱層12を形成すれば、その熱伝導率をほぼ0.05W/m℃程度にできる。また上述のように、シート状材料として感光基を含むものを使用すれば、蓄熱層12の寸法精度が高まり、蓄熱層12の上に形成する第一の保護膜15と絶縁基板11との接触面積が高精度化し、溶断特性のばらつきを低減することができる。
蓄熱層12を形成した絶縁基板11上に電解銅箔を貼り付ける。この貼り付け工程は、常温よりも高い温度で所定圧力を所定時間加えることにより行われる。次に、電解銅箔の上にネガタイプのドライフィルムを貼るか、又は液状のレジストを塗布し、その上からフォトマスクを介して露光した後、電解銅箔をエッチングしてドライフィルム又は液状レジストを剥離させる。
以上のような工程により、ヒューズ膜13が図1(b)に示したように形成される。ヒューズ膜13は蓄熱層12よりも若干小さく、ほぼ同じ形状であり、絶縁基板11に接触せず、絶縁基板11上の領域11aは蓄熱層12とヒューズ膜13の何れによっても被覆されない状態で維持される。
ヒューズ要素部13bのほぼ中央部には、電気めっき法により、NiとSnめっき膜またはSnめっき膜を設けることで、図1(c)に示したような溶断部14を形成し、これによりヒューズ膜13の溶断特性にM効果を得る。
絶縁基板11上において、蓄熱層12及びヒューズ膜13で被覆されていない領域11aへの熱伝導率を高めるため、図1(d)に示したように、第一の保護層15を形成する。第一保護膜15は、ヒューズ要素部13bに生じた熱を絶縁基板11へと伝えて放熱させるものである。
さらに詳細に説明すれば、第一の保護層15は、熱伝導率がほぼ0.05W/m℃程度
である蓄熱層12と比較して、これよりも高いほぼ0.1W/m℃程度の熱伝導率になる
ように、熱伝導性の高い材料から形成する。そのような材料としては、例えば、エポキシ樹脂のなかに、珪酸アルミ、窒化アルミ、アルミナ等の無機フィラーが分散された材料を挙げることができる。その材料に含まれる無機フィラーの含有率は20%〜50%程度が適切である。その含有率が20%以下であれば、スクリーン印刷性が低下し、特に滲みという不具合が発生する。さらに、それを適用したチップヒューズは表面温度が75℃以下という前記規定値より高くなる問題が発生する。また、50%以上であってもスクリーン印刷性が低下し、特に、擦れという不具合が発生する。さらに、それを適用したチップヒューズは溶断特性が所定の目標値を満足することができない。
第一の保護層15を形成した後、その上に感光性ソルダーレジストを設け、エポキシ系樹脂材料により、図1(e)のように第二の保護層16を形成する。
第一及び第二の保護層15,16を形成した後に、絶縁基板11の裏側にスクリーン印刷法で銀ペーストを塗布して焼き付け、裏電極17を形成する。次に、集合絶縁基板を縦溝に沿って切断して短冊状の基板を形成し、この短冊状基板の長辺方向の側面に銀ペーストを塗布して焼き付けること、またはスパッタ法により、Cr膜とNi膜を製膜すること
により端面電極18を形成する。さらに、短冊状の基板を横溝に沿って切断し、一個ずつのチップとし、バレルめっき法によりダミーとともに籠に入れ、Cu膜、Ni膜及びSn膜からなる電極めっき膜19を形成すれば、図1(f)に示したように、本発明のチップヒューズ10が完成する。
11 絶縁基板
12 蓄熱層
13 ヒューズ膜
13a 表電極部
13b ヒューズ要素部
14 溶断部
15 第一の保護層
Claims (3)
- 絶縁基板上に蓄熱層が形成され、蓄熱層の上には絶縁基板に接触しないようにヒューズ膜が形成され、当該ヒューズ膜は両端に配置される表電極部の間にヒューズ要素部を有し、
前記蓄熱層よりも熱伝導性が高い材料からなる保護層が両表電極部間に設けられて前記ヒューズ要素部を被覆し、前記蓄熱層が、ヒューズ要素部の形成される領域の全てを覆わない大きさに形成されることにより、前記保護層が部分的に絶縁基板に接触するものであるチップヒューズ。 - 前記蓄熱層は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料を主成分とする膜からなり、前記保護層は、フィラーとして無機物を含む樹脂材料からなることを特徴とする請求項1に記載のチップヒューズ。
- 絶縁基板上に蓄熱層が形成され、蓄熱層の上にヒューズ膜が形成され、ヒューズ膜は両端に配置される表電極部の間にヒューズ要素部を有し、ヒューズ要素部が保護層により被覆されるチップヒューズの製造方法であって、
集合絶縁基板上においてヒューズ要素部を形成するための領域の全てを覆わない大きさに蓄熱層を形成する工程と、絶縁基板に接触しないように、蓄熱層の上に該蓄熱層よりも若干小さく、ほぼ同じ形状のヒューズ膜を形成するとともに、表電極部の間にヒューズ要素部を形成する工程と、前記蓄熱層よりも熱伝導性が高い材料からなる保護層を前記両表電極部間に設けてヒューズ要素部を被覆する工程とを含むことにより、前記ヒューズ要素部の溶断を遅延させることを特徴とするチップヒューズの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007206314A JP4510858B2 (ja) | 2007-08-08 | 2007-08-08 | チップヒューズ及びその製造方法 |
KR1020087023290A KR101037300B1 (ko) | 2007-08-08 | 2008-02-28 | 칩 퓨즈 및 그 제조방법 |
PCT/JP2008/053547 WO2009019903A1 (ja) | 2007-08-08 | 2008-02-28 | チップヒューズ及びその製造方法 |
CN2008800004039A CN101542670B (zh) | 2007-08-08 | 2008-02-28 | 芯片熔丝及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007206314A JP4510858B2 (ja) | 2007-08-08 | 2007-08-08 | チップヒューズ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009043513A JP2009043513A (ja) | 2009-02-26 |
JP4510858B2 true JP4510858B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=40341142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007206314A Active JP4510858B2 (ja) | 2007-08-08 | 2007-08-08 | チップヒューズ及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4510858B2 (ja) |
KR (1) | KR101037300B1 (ja) |
CN (1) | CN101542670B (ja) |
WO (1) | WO2009019903A1 (ja) |
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-
2008
- 2008-02-28 WO PCT/JP2008/053547 patent/WO2009019903A1/ja active Application Filing
- 2008-02-28 CN CN2008800004039A patent/CN101542670B/zh active Active
- 2008-02-28 KR KR1020087023290A patent/KR101037300B1/ko active IP Right Grant
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CN101542670B (zh) | 2012-06-20 |
CN101542670A (zh) | 2009-09-23 |
KR20090040249A (ko) | 2009-04-23 |
KR101037300B1 (ko) | 2011-05-26 |
JP2009043513A (ja) | 2009-02-26 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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