JP7117114B2 - チップ抵抗器 - Google Patents

Description

本発明は、チップ抵抗器に関する。

従来、様々な電子機器の配線基板に表面実装されるチップ抵抗器が広く知られている。特許文献１には、チップ抵抗器の一例が開示されている。当該チップ抵抗器は、絶縁基板と、絶縁基板の両端にそれぞれ配置された一対の上面電極および一対の裏面電極と、一対の上面電極に導通する抵抗体と、一対の上面電極と一対の裏面電極とを相互に導通させる一対の側方電極（端面電極）とを備える。当該チップ抵抗器は、一対の上面電極、裏面電極および側方電極を覆う一対の外部電極をさらに備える。一対の外部電極の各々は、上面電極、裏面電極および側方電極を覆うニッケルめっき層と、ニッケルめっき層を覆う錫めっき層とを含む。

当該チップ抵抗器では、一対の上面電極および一対の裏面電極は、銀などが含有された導電性ペーストを絶縁基板に印刷した後、当該ペーストを焼成することにより形成される。一般的に、一対の裏面電極の厚さは、一対の上面電極の厚さよりも小である。これにより、一対の裏面電極の形成過程において、当該ペーストに取り込まれていた気泡が浮かび上がり、一対の裏面電極の表面に露出することがある。一対の裏面電極の表面に気泡が露出すると、一対の外部電極において、一対の裏面電極を覆う部分に空隙が形成されやすくなる。したがって、チップ抵抗器の品質低下が懸念される。また、チップ抵抗器を配線基板に実装する際、実装に用いられるハンダは、熱により一対の外部電極を構成する錫めっき層と一体となった合金となる。このため、一対の外部電極に空隙が形成されていると、当該合金の内部に気泡が発生するため、配線基板に対するチップ抵抗器の実装強度の低下が懸念される。

特開２００８－５３２５１号公報

本発明は上記事情に鑑み、一対の外部電極に形成される空隙を抑制することが可能なチップ抵抗器を提供することをその課題とする。

本発明によれば、厚さ方向において互いに反対側を向く上面および裏面を有し、並びに前記厚さ方向に対して直交する第１方向において互いに離間し、かつ前記上面および前記裏面の双方につながる一対の側面を有する基板と、前記第１方向において互いに離間し、かつ前記上面に接する一対の上面電極と、前記上面に配置され、かつ一対の前記上面電極に導通する抵抗体と、前記第１方向において互いに離間し、かつ前記裏面に接する一対の裏面電極と、一対の前記側面に個別に接し、かつ一対の前記上面電極および一対の前記裏面電極の双方に個別に導通する一対の側方電極と、一対の前記上面電極、一対の前記裏面電極および一対の前記側方電極を個別に覆う一対の外部電極と、を備え、一対の前記裏面電極は、前記裏面から前記厚さ方向に向けて膨出していることを特徴とするチップ抵抗器が提供される。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記裏面電極の各々は、前記厚さ方向において前記裏面から最も離れた第１下垂部と、前記第１方向において一対の前記第１下垂部の間に位置する膨出面と、を有し、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に対して直交する第２方向から視て、前記膨出面は、全体にわたって前記裏面から離れる向きに膨らんだ弧をなしている。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記側方電極の構成材料は、銀および合成樹脂を含む。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記側方電極の各々は、前記厚さ方向から視て前記上面に重なり、かつ前記上面電極の一部を覆う上面部と、前記厚さ方向から視て前記裏面に重なり、かつ前記裏面電極の一部を覆う裏面部と、前記側面を覆い、かつ前記上面部および前記裏面部の双方につながる側面部と、を有し、一対の前記裏面部は、一対の前記裏面電極から前記厚さ方向に向けて膨出している。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記裏面部の各々は、前記厚さ方向において前記裏面から最も離れた第２下垂部を有し、前記第１方向において、一対の前記第１下垂部は、一対の前記第２下垂部の間に位置する。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記上面部は、一対の前記上面電極から前記厚さ方向に向けて膨出している。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記側面部は、一対の前記側面から前記第１方向に向けて膨出している。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記外部電極の各々は、前記裏面電極および前記裏面部の双方を覆う実装部を有し、一対の前記実装部の各々には、前記裏面に向けて凹む陥入部が形成されている。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記陥入部は、前記第２方向に延びている。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記裏面電極の構成材料は、銀およびガラスを含む。

本発明の実施において好ましくは、前記基板は、前記第１方向における前記裏面の両端に位置し、かつ前記裏面および一対の前記側面の双方に対して傾斜する一対の裏部切欠面を有し、前記第１方向において、一対の前記裏面電極は、前記裏面と一対の前記裏部切欠面との境界よりも前記裏面の内方に位置する。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記裏面電極の構成材料は、銀および合成樹脂を含む。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記側方電極は、金属薄膜により構成される。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記裏面電極の構成材料は、銀およびガラスを含む。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記裏面電極の構成材料は、銀および合成樹脂を含む。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記外部電極の各々は、前記上面電極、前記裏面電極および前記側方電極を覆う第１外部電極と、前記第１外部電極を覆う第２外部電極と、を含み、一対の前記第２外部電極の構成材料は、錫を含む。

本発明の実施において好ましくは、一対の前記第１外部電極の構成材料は、ニッケルを含む。

本発明にかかるチップ抵抗器によれば、一対の外部電極に形成される空隙を抑制することが可能となる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図である。 図１に対して一対の外部電極、および上部保護層（保護層）の図示を省略した平面図である。 図１に示すチップ抵抗器の底面図である。 図３に対して一対の外部電極、および上部保護層（保護層）の図示を省略した底面図である。 図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 図５の部分拡大図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する底面図である。 図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する平面図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する平面図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する平面図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する平面図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する平面図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する平面図である。 図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図１６の部分拡大図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する平面図である。 図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。 図１９の部分拡大図である。 図１に示すチップ抵抗器の作用効果を説明する部分拡大断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の断面図である。 図２２の部分拡大図である。 図２２に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する平面図である。 図２４のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う断面図である。 本発明の第３実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図である。 図２６に対して一対の外部電極、および上部保護層（保護層）の図示を省略した平面図である。 図２６に示すチップ抵抗器の底面図である。 図２８に対して一対の外部電極、および上部保護層（保護層）の図示を省略した底面図である。 図２６のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。 図３０の部分拡大図である。 図２６に示すチップ抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 本発明の第４実施形態にかかるチップ抵抗器の断面図である。 図３３の部分拡大図である。

本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について、添付図面に基づいて説明する。

〔第１実施形態〕
図１～図６に基づき、本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ１０について説明する。チップ抵抗器Ａ１０は、基板１０、抵抗体２０、一対の電極３０および保護層４０を備える。なお、図２および図４は、理解の便宜上、一対の電極３０を構成する一対の外部電極３４（詳細は後述）、および保護層４０の上部保護層４２（詳細は後述）の図示を省略している。

チップ抵抗器Ａ１０の説明においては、便宜上、基板１０の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する一方向を「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向を「第２方向ｙ」と呼ぶ。「厚さ方向ｚ」、「第１方向ｘ」および「第２方向ｙ」は、後述するチップ抵抗器Ａ２０～チップ抵抗器Ａ４０の説明においても適用する。

チップ抵抗器Ａ１０は、様々な電子機器の配線基板に表面実装される。チップ抵抗器Ａ１０は、当該配線基板に流れる電流を制限する、または電流を検出するという機能を有する。チップ抵抗器Ａ１０は、厚膜（メタルグレーズ皮膜）型の抵抗器である。図１に示すように、厚さ方向ｚから視て、チップ抵抗器Ａ１０は矩形状である。第１方向ｘは、厚さ方向ｚから視たチップ抵抗器Ａ１０の長手方向に相当する。

基板１０は、図１および図５に示すように、抵抗体２０、一対の電極３０および保護層４０が配置された電気絶縁部材である。厚さ方向ｚから視て、基板１０は、第１方向ｘに沿った一対の周縁を長辺とする矩形状である。チップ抵抗器Ａ１０の使用の際、抵抗体２０から熱が発生するため、基板１０は、放熱性に優れていることが求められる。このため、基板１０の構成材料は、熱伝導率が比較的高いことが望ましい。チップ抵抗器Ａ１０では、基板１０の構成材料は、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）である。図５に示すように、基板１０は、上面１１、裏面１２、一対の側面１３、一対の上部切欠面１４１および一対の裏部切欠面１４２を有する。

図５に示すように、上面１１および裏面１２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。上面１１は、図５の上方を向く。上面１１には、抵抗体２０が配置される。裏面１２は、図５の下方を向く。チップ抵抗器Ａ１０を配線基板に実装した際、裏面１２は、当該配線基板に対向する。上面１１および裏面１２は、ともに平坦である。

図２、図４および図５に示すように、一対の側面１３は、第１方向ｘにおいて互いに離間している。一対の側面１３は、上面１１および裏面１２の双方につながっている。これにより、一対の側面１３は、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向く。

図５に示すように、一対の上部切欠面１４１は、第１方向ｘにおける上面１１の両端に位置する。一対の上部切欠面１４１の各々は、上面１１および側面１３の双方につながっている。また、一対の上部切欠面１４１の各々は、上面１１および側面１３の双方に対して傾斜している。

図５に示すように、一対の裏部切欠面１４２は、第１方向ｘにおける裏面１２の両端に位置する。一対の裏部切欠面１４２の各々は、裏面１２および側面１３の双方につながっている。また、一対の裏部切欠面１４２の各々は、裏面１２および側面１３の双方に対して傾斜している。

抵抗体２０は、図１、図２および図５に示すように、基板１０の上面１１に配置され、かつ一対の電極３０に導通する受動素子である。厚さ方向ｚから視て、抵抗体２０は、第１方向ｘに延びる帯状である。チップ抵抗器Ａ１０では、抵抗体２０の構成材料は、金属粒子およびガラスを含む。当該金属粒子は、酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）、または銀（Ａｇ）－パラジウム（Ｐｄ）合金などである。

図２および図５に示すように、抵抗体２０には、厚さ方向ｚに貫通するトリミング溝２１が形成されている。トリミング溝２１は、抵抗体２０と、抵抗体２０を覆う保護層４０の下部保護層４１（詳細は後述）との双方に一体となって形成されている。厚さ方向ｚから視て、トリミング溝２１はＬ字状である。第２方向ｙにおける抵抗体２０の一端の一部は、トリミング溝２１により開口している。

一対の電極３０は、図１～図５に示すように、第１方向ｘにおいて互いに離間した状態で基板１０に配置された導電部材である。一対の電極３０は、第１方向ｘにおける抵抗体２０の両端において抵抗体２０に導通している。チップ抵抗器Ａ１０を配線基板に実装した際、一対の電極３０は、当該配線基板にハンダ接合される。これにより、一対の電極３０は、抵抗体２０と当該配線基板との導電経路を構成している。図１～図５に示すように、一対の電極３０の各々は、上面電極３１、裏面電極３２、側方電極３３および外部電極３４を備える。

一対の上面電極３１は、図２および図５に示すように、第１方向ｘにおいて互いに離間した状態で基板１０の上面１１に接している。一対の上面電極３１は、第１方向ｘにおける抵抗体２０の両端に接している。これにより、一対の上面電極３１は、抵抗体２０に導通している。一対の上面電極３１は、第２方向ｙに延びる帯状である。一対の上面電極３１の構成材料は、銀およびガラスを含む。一対の上面電極３１の各々の厚さｔａは、２５～３５μｍである。

図５に示すように、一対の上面電極３１は、基板１０の一対の上部切欠面１４１に個別に接している。一対の上面電極３１の各々には、上面凹部３１１が形成されている。上面凹部３１１は、第１方向ｘにおける上面電極３１の一端に位置する。上面凹部３１１は、厚さ方向ｚにおいて基板１０の上面１１が向く側を向く上面電極３１の上面３１Ａから、上部切欠面１４１に向けて凹んでいる。

一対の裏面電極３２は、図４および図５に示すように、第１方向ｘにおいて互いに離間した状態で基板１０の裏面１２に接している。一対の裏面電極３２は、第２方向ｙに延びる帯状である。図６に示すように、第１方向ｘにおいて、一対の裏面電極３２は、裏面１２と基板１０の一対の裏部切欠面１４２との境界よりも裏面１２の内方に位置する。これにより、裏面１２には、第１方向ｘにおいて、裏面１２と裏部切欠面１４２との境界と、裏面電極３２との間に隙間１２１が設けられている。チップ抵抗器Ａ１０では、一対の裏面電極３２の構成材料は、銀およびガラスを含む。

図６に示すように、一対の裏面電極３２は、基板１０の裏面１２から厚さ方向ｚに向けて膨出している。一対の裏面電極３２の各々は、第１下垂部３２１、第１膨出面３２２および第２膨出面３２３を有する。

図６に示すように、第１下垂部３２１は、厚さ方向ｚにおいて基板１０の裏面１２から最も離れて位置する裏面電極３２の表面の一部である。裏面１２から第１下垂部３２１までの厚さｔｂは、６～７μｍである。

図６に示すように、第１膨出面３２２は、第１方向ｘにおいて一対の第１下垂部３２１の間に位置する裏面電極３２の表面の一部である。第１膨出面３２２が、本発明にかかる特許請求の範囲に記載の「膨出面」に相当する。第２方向ｙから視て、第１膨出面３２２は、全体にわたって基板１０の裏面１２から離れる向きに膨らんだ弧をなしている。

図６に示すように、第２膨出面３２３は、第１方向ｘにおいて第１下垂部３２１に対して第１膨出面３２２とは反対側に位置する裏面電極３２の表面の一部である。第２方向ｙから視て、第２膨出面３２３は、全体にわたって基板１０の裏面１２から離れる向きに膨らんだ弧をなしている。

一対の側方電極３３は、図２、図４および図５に示すように、基板１０の一対の側面１３に個別に接している。一対の側方電極３３は、一対の上面電極３１および一対の裏面電極３２の双方に個別に導通している。チップ抵抗器Ａ１０では、一対の側方電極３３の構成材料は、銀および合成樹脂を含む。当該合成樹脂は、たとえばエポキシ樹脂である。

図５に示すように、一対の側方電極３３の各々は、上面部３３１、裏面部３３２および側面部３３３を有する。

図２および図５に示すように、上面部３３１は、厚さ方向ｚから視て基板１０の上面１１に重なり、かつ上面電極３１の一部を覆っている。これにより、一対の上面部３３１は、一対の上面電極３１に個別に導通している。チップ抵抗器Ａ１０では、一対の上面部３３１は、一対の上面電極３１から厚さ方向ｚに向けて膨出している。

図４および図５に示すように、裏面部３３２は、厚さ方向ｚから視て基板１０の裏面１２に重なり、かつ裏面電極３２の一部を覆っている。これにより、一対の裏面部３３２は、一対の裏面電極３２に個別に導通している。図６に示すように、チップ抵抗器Ａ１０では、一対の裏面部３３２は、一対の裏面電極３２、および基板１０の一対の隙間１２１の双方から厚さ方向ｚに向けて膨出している。裏面部３３２は、第２下垂部３３２Ａ、第３膨出面３３２Ｂおよび第４膨出面３３２Ｃを有する。

図６に示すように、第２下垂部３３２Ａは、厚さ方向ｚにおいて基板１０の裏面１２から最も離れて位置する裏面部３３２の表面の一部である。裏面１２から第２下垂部３３２Ａまでの厚さｔｃは、１０～１１μｍである。

図６に示すように、第３膨出面３３２Ｂは、第１方向ｘにおいて一対の第２下垂部３３２Ａの間に位置する裏面部３３２の表面の一部である。第２方向ｙから視て、第３膨出面３３２Ｂは、全体にわたって基板１０の裏面１２から離れる向きに膨らんだ弧をなしている。

図６に示すように、第４膨出面３３２Ｃは、第１方向ｘにおいて第２下垂部３３２Ａに対して第３膨出面３３２Ｂとは反対側に位置する裏面部３３２の表面の一部である。第２方向ｙから視て、第４膨出面３３２Ｃは、全体にわたって基板１０の裏面１２から離れる向きに膨らんだ弧をなしている。

図５に示すように、側面部３３３は、基板１０の側面１３を覆っている。厚さ方向ｚにおける側面部３３３の両端において、側面部３３３は、上面部３３１および裏面部３３２の双方につながっている。これにより、一対の側方電極３３は、一対の上面電極３１および一対の裏面電極３２の双方に個別に導通することとなる。チップ抵抗器Ａ１０では、一対の側面部３３３は、一対の側面１３から第１方向ｘに向けて膨出している。

一対の外部電極３４は、図１、図３および図５に示すように、一対の上面電極３１、一対の裏面電極３２および一対の側方電極３３を個別に覆っている。これにより、一対の外部電極３４は、一対の上面電極３１、一対の裏面電極３２および一対の側方電極３３のいずれにも導通している。

図３および図５および示すように、チップ抵抗器Ａ１０では、一対の外部電極３４の各々は、裏面電極３２、および側方電極３３の裏面部３３２の双方を覆う実装部３４１を有する。一対の実装部３４１の各々には、基板１０の裏面１２に向けて凹む陥入部３４１Ａが形成されている。図６に示すように、陥入部３４１Ａは、第１方向ｘにおいて裏面電極３２の第２膨出面３２３と、裏面部３３２の第３膨出面３３２Ｂとの境界近傍に位置する。図３に示すように、一対の陥入部３４１Ａは、第２方向ｙに延びている。

図５および図６に示すように、一対の外部電極３４の各々は、第１外部電極３４Ａおよび第２外部電極３４Ｂを含む。第１外部電極３４Ａは、上面電極３１、裏面電極３２および側方電極３３を覆っている。一対の第１外部電極３４Ａの構成材料は、ニッケル（Ｎｉ）を含む。第２外部電極３４Ｂは、第１外部電極３４Ａを覆っている。一対の第２外部電極３４Ｂの構成材料は、錫（Ｓｎ）を含む。

保護層４０は、図１および図５に示すように、抵抗体２０を覆っている。保護層４０は、下部保護層４１および上部保護層４２を有する。

図２および図５に示すように、下部保護層４１は、抵抗体２０の一部を覆っている。第１方向ｘにおける下部保護層４１の両端から、抵抗体２０が第１方向ｘに向けてはみ出している。下部保護層４１には、先述したトリミング溝２１が形成されている。下部保護層４１の構成材料は、ガラスを含む。

図１および図５に示すように、上部保護層４２は、抵抗体２０の一部、および下部保護層４１の双方を覆っている。上部保護層４２は、基板１０の上面１１の一部と、一対の上面電極３１の一部との双方をも覆っている。上部保護層４２の構成材料は、たとえば黒色のエポキシ樹脂である。

次に、図７～図２０に基づき、チップ抵抗器Ａ１０の製造方法の一例について説明する。なお、図１６が示す断面位置は、図１５が示す断面位置と同一である。

最初に、図７に示すように、厚さ方向ｚにおいて互いに離間した上面８１１および裏面８１２を有するシート状の基材８１に、裏面８１２に接する複数の裏面電極８２を形成する。裏面８１２には、第２方向ｙに沿った複数の一次溝８１Ａと、第１方向ｘに沿った複数の二次溝８１Ｂとが設けられている。複数の一次溝８１Ａおよび複数の二次溝８１Ｂは、ともに裏面８１２から厚さ方向ｚに凹んでいる。複数の一次溝８１Ａおよび複数の二次溝８１Ｂは、上面８１１にも設けられている。上面８１１における複数の一次溝８１Ａおよび複数の二次溝８１Ｂの形成位置は、裏面８１２における複数の一次溝８１Ａおよび複数の二次溝８１Ｂの形成位置に対応している。上面８１１および裏面８１２において、複数の一次溝８１Ａおよび複数の二次溝８１Ｂにより区画された複数の領域８０の各々が、チップ抵抗器Ａ１０の基板１０に相当する。基材８１の構成材料は、たとえばアルミナである。

図７に示すように、複数の裏面電極８２は、基材８１の裏面８１２に位置する複数の領域８０において、第１方向ｘにおいて互いに離間した状態で個別に形成される。複数の領域８０の各々において、領域８０を区画する一対の一次溝８１Ａの間に一対の裏面電極８２が形成される。一対の裏面電極８２が、チップ抵抗器Ａ１０の一対の裏面電極３２に相当する。これにより、図８に示すように、第１方向ｘにおいて一次溝８１Ａと裏面電極８２との間に位置する裏面８１２には、隙間８１２Ａが設けられる。チップ抵抗器Ａ１０では、複数の裏面電極８２は、銀粒子およびガラスフリットが含有されたペーストを裏面８１２に印刷した後、当該ペーストを焼成することにより形成される。

図８に示すように、複数の裏面電極８２の各々は、第１下垂部８２１、第１膨出面８２２および第２膨出面８２３を有する。第１下垂部８２１は、厚さ方向ｚにおいて基材８１の裏面８１２から最も離れて位置する裏面電極８２の表面の一部である。第１下垂部８２１が、チップ抵抗器Ａ１０の裏面電極３２の第１下垂部３２１に相当する。裏面８１２に位置する複数の領域８０の各々において、第１膨出面８２２は、一対の第１下垂部８２１の間に位置する裏面電極８２の表面の一部である。第１膨出面８２２が、チップ抵抗器Ａ１０の裏面電極３２の第１膨出面３２２に相当する。第２膨出面８２３は、第１方向ｘにおいて第１下垂部８２１とは反対側に位置する裏面電極８２の表面の一部である。第２膨出面８２３が、チップ抵抗器Ａ１０の裏面電極３２の第２膨出面３２３に相当する。

次いで、図９に示すように、基材８１の上面８１１に接する複数の上面電極８３を形成する。複数の上面電極８３は、第１方向ｘにおいて隣り合う２つの上面電極８３が互いに離間した状態で、上面８１１に設けられた複数の一次溝８１Ａを跨いで形成される。これにより、複数の上面電極８３の各々は、上面８１１に位置し、かつ第１方向ｘにおいて隣り合う２つの領域８０の双方に接している。また、複数の領域８０の各々には、第１方向ｘにおいて互いに離間した一対の上面電極８３のそれぞれ一部が形成される。一対の上面電極８３のそれぞれ一部が、チップ抵抗器Ａ１０の一対の上面電極３１に相当する。複数の上面電極８３は、銀粒子およびガラスフリットが含有されたペーストを裏面８１２に印刷した後、当該ペーストを焼成することにより形成される。

次いで、図１０に示すように、基材８１の上面８１１に接する複数の抵抗体８４を形成する。複数の抵抗体８４は、上面８１１に位置する複数の領域８０に個別に形成される。複数の領域８０の各々における抵抗体８４が、チップ抵抗器Ａ１０の抵抗体２０に相当する。複数の領域８０の各々において、第１方向ｘにおける抵抗体８４の両端は、一対の上面電極８３に接する。複数の抵抗体８４は、金属粒子およびガラスフリットが含有されたペーストを裏面８１２に印刷した後、当該ペーストを焼成することにより形成される。当該金属粒子は、酸化ルテニウム、または銀－パラジウム合金などである。

次いで、図１１に示すように、複数の抵抗体８４を個別に覆う下部保護層８５１を形成する。複数の下部保護層８５１の各々が、チップ抵抗器Ａ１０の下部保護層４１（保護層４０）に相当する。複数の下部保護層８５１は、ガラスペーストを複数の抵抗体８４に個別に印刷した後、当該ガラスペーストを焼成することにより形成される。

次いで、図１２に示すように、厚さ方向ｚに貫通する複数のトリミング溝８４１を、複数の抵抗体８４および複数の下部保護層８５１の双方に個別に形成する。複数のトリミング溝８４１の各々が、チップ抵抗器Ａ１０の抵抗体２０および下部保護層４１（保護層４０）の双方に形成されたトリミング溝２１に対応する。複数のトリミング溝８４１は、レーザトリミング装置により形成される。

複数のトリミング溝８４１の各々は、次の手順により形成される。最初に、トリミング溝８４１の形成対象となる抵抗体８４の第１方向ｘにおける両端に、抵抗値測定用のプローブを接触させる。次いで、第２方向ｙにおける抵抗体８４の一端から、抵抗体８４および下部保護層８５１の双方を厚さ方向ｚに貫通する溝を第２方向ｙに沿って形成する。抵抗体８４の抵抗値が所定の値（チップ抵抗器Ａ１０の抵抗値）に近い値になるまで溝を形成した後、当該溝の終端から今度は第１方向ｘに沿った溝を形成する。抵抗体８４の抵抗値が所定の値となったとき、当該溝の形成を終了する。以上より、複数のトリミング溝８４１の各々が形成される。

次いで、図１３に示すように、複数の抵抗体８４および複数の下部保護層８５１の双方と、複数の上面電極８３のそれぞれ一部ずつとを覆う複数の上部保護層８５２を形成する。複数の上部保護層８５２は、第１方向ｘにおいて互いに離間した状態で、かつ第２方向ｙに延びる帯状となるように形成される。複数の上部保護層８５２は、基材８１の上面８１１に設けられた複数の二次溝８１Ｂを跨いでいる。上面８１１に位置する複数の領域８０における上部保護層８５２の一部が、チップ抵抗器Ａ１０の上部保護層４２（保護層４０）に相当する。複数の上部保護層８５２は、エポキシ樹脂を主剤としたペーストを複数の抵抗体８４および複数の下部保護層８５１の双方に一体となって印刷した後、当該ペーストを熱硬化させることにより形成される。

次いで、図１４に示すように、基材８１を複数の一次溝８１Ａに沿って分割する。これにより、第２方向ｙに延びる帯状である複数の基材８１が得られる。図１５に示すように、本工程において、基材８１の上面８１１に設けられた複数の一次溝８１Ａが第１方向ｘに分断されることにより、第１方向ｘにおいて互いに離間した一対の上部切欠面８１４Ａが基材８１に現れる。複数の領域８０の各々に現れる一対の上部切欠面８１４Ａが、チップ抵抗器Ａ１０の基板１０の一対の上部切欠面１４１に相当する。また、本工程において、基材８１の裏面８１２に設けられた複数の一次溝８１Ａが第１方向ｘに分断されることにより、第１方向ｘにおいて互いに離間した一対の裏部切欠面８１４Ｂが基材８１に現れる。複数の領域８０の各々に現れる一対の裏部切欠面８１４Ｂが、チップ抵抗器Ａ１０の基板１０の一対の裏部切欠面１４２に相当する。さらに、本工程において、一対の側面８１３が、第１方向ｘにおける基材８１の両端に現れる。厚さ方向ｚにおいて、一対の側面８１３は、一対の上部切欠面８１４Ａと一対の裏部切欠面８１４Ｂとに挟まれている。

次いで、図１６に示すように、基材８１の一対の側面８１３に個別に接する一対の側方電極８６を形成する。一対の側方電極８６は、一対の裏面電極８２および一対の上面電極８３のそれぞれ一部に個別に接している。複数の領域８０の各々における一対の側方電極８６が、チップ抵抗器Ａ１０の一対の側方電極３３に相当する。一対の側方電極８６は、エポキシ樹脂を主剤とし、かつ銀粒子が含有されたペーストを、一対の裏面電極８２および一対の上面電極８３のそれぞれ一部に接するまで一対の側面８１３に塗布した後、当該ペーストを乾燥させることにより形成される。

図１６に示すように、一対の側方電極８６の各々は、上面部８６１、裏面部８６２および側面部８６３を有する。上面部８６１は、厚さ方向ｚから視て基材８１の上面８１１に重なり、かつ上面電極８３の一部を覆っている。上面部８６１が、チップ抵抗器Ａ１０の側方電極３３の上面部３３１に相当する。裏面部８６２は、厚さ方向ｚから視て基材８１の裏面８１２に重なり、かつ裏面電極８２の一部を覆っている。裏面部８６２が、チップ抵抗器Ａ１０の側方電極３３の裏面部３３２に相当する。側面部８６３は、側面８１３を覆っている。側面部８６３が、側面部８６３が、チップ抵抗器Ａ１０の側方電極３３の側面部３３３に相当する。

図１７に示すように、一対の側方電極８６の裏面部８６２の各々は、第２下垂部８６２Ａ、第３膨出面８６２Ｂおよび第４膨出面８６２Ｃを有する。第２下垂部８６２Ａは、厚さ方向ｚにおいて基材８１の裏面８１２から最も離れて位置する裏面部８６２の表面の一部である。第２下垂部８６２Ａが、チップ抵抗器Ａ１０の裏面部３３２（側方電極３３）の第２下垂部３３２Ａに相当する。第３膨出面８６２Ｂは、第１方向ｘにおいて一対の第２下垂部８６２Ａの間に位置する裏面部８６２の表面の一部である。第３膨出面８６２Ｂが、チップ抵抗器Ａ１０の裏面部３３２の第３膨出面３３２Ｂに相当する。第４膨出面８６２Ｃは、第１方向ｘにおいて第２下垂部８６２Ａに対して第３膨出面８６２Ｂとは反対側に位置する裏面部８６２の表面の一部である。第４膨出面８６２Ｃが、チップ抵抗器Ａ１０の裏面部３３２の第４膨出面３３２Ｃに相当する

次いで、図１８に示すように、基材８１を二次溝８１Ｂに沿って分割する。これにより、複数の個片となった基材８１が得られる。個片となった基材８１が、チップ抵抗器Ａ１０の基板１０に相当する。個片となった基材８１には、一対の裏面電極８２、一対の上面電極８３、抵抗体８４、下部保護層８５１、上部保護層８５２および一対の側方電極８６が配置されている。

最後に、図１９に示すように、個片となった基材８１に配置された一対の裏面電極８２、一対の上面電極８３および一対の側方電極８６を個別に覆う一対の外部電極８７を形成する。一対の外部電極８７が、チップ抵抗器Ａ１０の一対の外部電極３４に相当する。一対の外部電極８７の各々は、第１外部電極８７Ａおよび第２外部電極８７Ｂを含む。第１外部電極８７Ａが、チップ抵抗器Ａ１０の外部電極３４の第１外部電極３４Ａに相当する。第２外部電極８７Ｂが、チップ抵抗器Ａ１０の外部電極３４の第２外部電極３４Ｂに相当する。

一対の第１外部電極８７Ａおよび一対の第２外部電極８７Ｂは、それぞれ電解バレルめっきにより形成される。一対の第１外部電極８７Ａは、基材８１から露出した一対の裏面電極８２、一対の上面電極８３および一対の側方電極８６にニッケルを析出させることにより形成される。一対の第２外部電極８７Ｂは、一対の第１外部電極８７Ａに錫を析出させることにより形成される。以上の工程を経ることによって、チップ抵抗器Ａ１０が製造される。

図２０に示すように、一対の外部電極８７の各々は、実装部８７１を有する。実装部８７１は、裏面電極８２、および側方電極８６の裏面部８６２の双方を覆っている。実装部８７１が、チップ抵抗器Ａ１０の外部電極３４の実装部３４１に相当する。実装部８７１には、基材８１の裏面８１２に向けて凹む陥入部８７１Ａが形成されている。陥入部８７１Ａが、チップ抵抗器Ａ１０の外部電極３４の実装部３４１に形成された陥入部３４１Ａに相当する。

次に、チップ抵抗器Ａ１０の作用効果について説明する。

チップ抵抗器Ａ１０の構成によれば、図５および図６に示すように、一対の裏面電極３２は、基板１０の裏面１２から厚さ方向ｚに向けて膨出している。これにより、一対の裏面電極３２において、裏面１２から表面（第１下垂部３２１、第１膨出面３２２および第２膨出面３２３）に至るまでの厚さが従来よりも一様に大となるため、一対の裏面電極３２の表面に露出する気泡を抑制できる。このため、一対の外部電極３４の各々において、裏面電極３２を覆う実装部３４１に形成される空隙が抑制される。したがって、チップ抵抗器Ａ１０によれば、一対の外部電極３４に形成される空隙を抑制することが可能となる。

一対の裏面電極３２の各々は、図６に示すように、第１下垂部３２１および第１膨出面３２２を有する。第１膨出面３２２は、第１方向ｘにおいて一対の第１下垂部３２１の間に位置する。第２方向ｙから視て、第１膨出面３２２は、全体にわたって基板１０の裏面１２から離れる向きに膨らんだ弧をなしている。これにより、一対の第１膨出面３２２を覆う一対の第１外部電極３４Ａ（外部電極３４）は、全体にわたって裏面１２から離れる向きに膨らんだ形状となる。

図２２は、チップ抵抗器Ａ１０を配線基板５０に実装する際、一対の裏面電極３２の付近における状態を示している。チップ抵抗器Ａ１０は、導電接合層５１により配線基板５０に接合される。導電接合層５１は、一対の第２外部電極３４Ｂ（外部電極３４）とハンダとの合金であり、かつ熱により溶融された状態となっている。一対の外部電極３４に空隙が存在する場合、導電接合層５１に複数の気泡５１１が発生する。そこで、一対の第１外部電極３４Ａ（外部電極３４）が、全体にわたって基板１０の裏面１２から離れる向きに膨らんだ形状をとることにより、複数の気泡５１１が一対の第１外部電極３４Ａに沿って導電接合層５１の外部に向けて移動する。これは、チップ抵抗器Ａ１０の自重により導電接合層５１が厚さ方向ｚに押しつぶされるためである。これにより、導電接合層５１における複数の気泡５１１が減少するため、配線基板５０に対するチップ抵抗器Ａ１０の実装強度の低下が回避される。

一対の側方電極３３の各々は、裏面電極３２の一部を覆う裏面部３３２を有する。一対の裏面部３３２は、一対の裏面電極３２から厚さ方向ｚに向けて膨出している。これにより、一対の裏面部３３２に覆われた一対の裏面電極３２の部分の表面に気泡が露出していた場合であっても、一対の裏面部３３２により当該気泡が覆われる。したがって、一対の外部電極３４の各々において、裏面部３３２を覆う実装部３４１の部分に形成される空隙を、より効果的に抑制できる。

一対の側方電極３３の各々は、裏面部３３２に加えて、上面部３３１および側面部３３３を有する。一対の上面部３３１は、一対の上面電極３１から厚さ方向ｚに向けて膨出している。一対の側面部３３３は、基板１０の一対の側面１３から第１方向ｘに向けて膨出している。一対の側方電極３３を形成する際、一対の裏面部３３２を、一対の裏面電極３２から厚さ方向ｚに向けて膨出した形状となるように形成すると、一対の上面部３３１および一対の側面部３３３がこのような形状となる。

一対の側方電極３３の裏面部３３２の各々は、一対の第２下垂部３３２Ａを有する。第１方向ｘにおいて、一対の裏面電極３２の第１下垂部３２１は、一対の第２下垂部３３２Ａの間に位置する。これにより、一対の外部電極３４の実装部３４１の各々には、基板１０の裏面１２に向けて凹む陥入部３４１Ａが形成される。図２２に示すように、一対の陥入部３４１Ａに導電接合層５１が接することによって、投錨（アンカー）効果により配線基板５０に対するチップ抵抗器Ａ１０の実装強度を向上させることができる。一対の陥入部３４１Ａが第２方向ｙに延びることによって、配線基板５０に対するチップ抵抗器Ａ１０の実装強度は、より向上する。

基板１０は、第１方向ｘにおける裏面１２の両端に位置する一対の裏部切欠面１４２を有する。第１方向ｘにおいて、一対の裏面電極３２は、裏面１２と一対の裏部切欠面１４２との境界よりも裏面１２の内方に位置する。これにより、チップ抵抗器Ａ１０の製造において、図１４に示すように、基材８１を一次溝８１Ａに沿って分割する際、複数の裏面電極８２に損傷が発生することを防止できる。複数の裏面電極８２は、複数の上面電極８３よりも曲げに対して弱い。これは、一対の裏面電極３２の厚さは、一対の上面電極３１の厚さよりも小であるためと、チップ抵抗器Ａ１０では、一対の裏面電極３２がガラスを含むためである。

〔第２実施形態〕
図２２および図２３に基づき、本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ２０について説明する。これらの図において、先述したチップ抵抗器Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。なお、図２２が示す断面位置は、図５が示す断面位置と同一である。

チップ抵抗器Ａ２０では、一対の裏面電極３２および一対の側方電極３３の構成が、先述したチップ抵抗器Ａ１０と異なる。

チップ抵抗器Ａ２０では、一対の裏面電極３２の構成材料は、銀および合成樹脂を含む。当該合成樹脂は、たとえばエポキシ樹脂である。図２２および図２３に示すように、一対の裏面電極３２は、基板１０の一対の裏部切欠面１４２に個別に接している。

図２３に示すように、基板１０の裏面１２から、裏面電極３２の第１下垂部３２１までの厚さｔｂは、１３～１４μｍである。チップ抵抗器Ａ２０の裏面電極３２にかかる厚さｔｂは、チップ抵抗器Ａ１０の裏面電極３２にかかる厚さｔｂよりも大である。厚さ方向ｚから視て、第２方向ｙに延びる裏面電極３２の第２膨出面３２３の周縁は、側面１３に重なっている。

図２３に示すように、基板１０の裏面１２から、側方電極３３の裏面部３３２の第２下垂部３３２Ａまでの厚さｔｃは、１７～１８μｍである。チップ抵抗器Ａ１０にかかる厚さｔｃは、チップ抵抗器Ａ１０にかかる厚さｔｃよりも大である。

次に、図２４および図２５に基づき、チップ抵抗器Ａ２０の製造方法の一例について説明する。

チップ抵抗器Ａ２０の製造方法の一例では、先述したチップ抵抗器Ａ１０の製造方法の一例に対して、複数の裏面電極８２を形成する工程が異なる。このため、ここでは、複数の裏面電極８２を形成する工程について説明する。

図２４に示すように、複数の裏面電極８２は、第１方向ｘにおいて隣り合う２つの裏面電極８２が互いに離間した状態で、基材８１の裏面８１２に設けられた複数の一次溝８１Ａを跨いで形成される。これにより、複数の裏面電極８２の各々は、裏面８１２に位置し、かつ第１方向ｘにおいて隣り合う２つの領域８０の双方に接している。また、複数の領域８０の各々には、第１方向ｘにおいて互いに離間した一対の裏面電極８２のそれぞれ一部が形成される。一対の裏面電極８２のそれぞれ一部が、チップ抵抗器Ａ２０の一対の裏面電極３２に相当する。チップ抵抗器Ａ２０では、複数の裏面電極８２は、エポキシ樹脂を主剤とし、かつ銀粒子が含有されたペーストを裏面８１２に印刷した後、当該ペーストを熱硬化させることにより形成される。

図２５に示すように、複数の裏面電極８２の各々は、一対の第１下垂部８２１および一対の第２膨出面８２３を有する。一対の第２膨出面８２３は、第１方向ｘにおいて一対の第１下垂部８２１の間に位置する。一対の第２膨出面８２３は、基板１０の裏面８１２に設けられた一次溝８１Ａにおいて互いにつながっている。

次に、チップ抵抗器Ａ２０の作用効果について説明する。

チップ抵抗器Ａ２０の構成によれば、図２２および図２３に示すように、一対の裏面電極３２は、基板１０の裏面１２から厚さ方向ｚに向けて膨出している。したがって、チップ抵抗器Ａ２０によっても、一対の外部電極３４に形成される空隙を抑制することが可能となる。

チップ抵抗器Ａ２０では、一対の裏面電極３２にかかる厚さｔｂは、チップ抵抗器Ａ１０の一対の裏面電極３２にかかる厚さｔｂよりも大である。これにより、一対の裏面電極３２の表面に露出する気泡を、チップ抵抗器Ａ１０よりもさらに抑制することができる。

〔第３実施形態〕
図２６～図３１に基づき、本発明の第３実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ３０について説明する。これらの図において、先述したチップ抵抗器Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。

チップ抵抗器Ａ３０では、一対の裏面電極３２、一対の側方電極３３および一対の構成が、先述したチップ抵抗器Ａ１０と異なる。

チップ抵抗器Ａ３０では、一対の裏面電極３２の構成材料は、チップ抵抗器Ａ１０の一対の裏面電極３２の構成材料と同一である。図３０および図３１に示すように、一対の裏面電極３２は、基板１０の一対の裏部切欠面１４２に個別に接している。図３１に示すように、基板１０の裏面１２から、裏面電極３２の第１下垂部３２１までの厚さｔｂは、６～７μｍである。このため、チップ抵抗器Ａ３０の裏面電極３２にかかる厚さｔｂは、チップ抵抗器Ａ１０の裏面電極３２にかかる厚さｔｂと同一である。厚さ方向ｚから視て、第２方向ｙに延びる裏面電極３２の第２膨出面３２３の周縁は、側面１３に重なっている。

チップ抵抗器Ａ３０では、一対の側方電極３３は、金属薄膜により構成される。当該金属は、たとえばニッケル－クロム（Ｃｒ）合金である。図３０に示すように、一対の側方電極３３の上面部３３１は、一対の上面電極３１に沿った形状をなしており、かつ一対の上面電極３１から厚さ方向ｚに向けて膨出していない。図２６および図２７に示すように、第１方向ｘにおける一対の上面部３３１の長さは、第１方向ｘにおけるチップ抵抗器Ａ１０の一対の上面部３３１の長さよりも小である。

図３０および図３１に示すように、一対の側方電極３３の裏面部３３２は、一対の裏面電極３２に沿った形状をなしており、かつ一対の裏面電極３２から厚さ方向ｚに向けて膨出していない。このため、裏面部３３２は、チップ抵抗器Ａ１０と異なり、第２下垂部３３２Ａ、第３膨出面３３２Ｂおよび第４膨出面３３２Ｃを有さない。図２８および図２９に示すように、第１方向ｘにおける一対の裏面部３３２の長さは、第１方向ｘにおけるチップ抵抗器Ａ１０の一対の裏面部３３２の長さよりも小である。

図３０に示すように、一対の側方電極３３の側面部３３３は、基板１０の一対の側面１３に沿った形状をなしており、かつ一対の側面１３から第１方向ｘに向けて膨出していない。

図２８および図３１に示すように、チップ抵抗器Ａ３０では、一対の外部電極３４の実装部３４１には、陥入部３４１Ａが形成されていない。

次に、図３２に基づき、チップ抵抗器Ａ３０の製造方法の一例について説明する。

チップ抵抗器Ａ３０の製造方法の一例では、先述したチップ抵抗器Ａ１０の製造方法の一例に対して、複数の裏面電極８２を形成する工程と、一対の側方電極８６を形成する工程とが異なる。これらの工程のうち、複数の裏面電極８２を形成する工程は、図２４および図２５に示すチップ抵抗器Ａ２０の製造方法の一例における複数の裏面電極８２を形成する工程と同様である。このため、ここでは、一対の側方電極８６を形成する工程について説明する。なお、図３２が示す断面位置は、図１６が示す断面位置と同一である。

図３２に示すように、一対の側方電極８６は、基材８１の一対の側面８１３に個別に接するように形成される。一対の側方電極８６は、一対の裏面電極８２および一対の上面電極８３のそれぞれ一部に個別に接している。一対の側方電極８６は、スパッタリング法によりニッケル－クロム合金を、一対の側面８１３と、一対の裏面電極８２および一対の上面電極８３のそれぞれ一部ずつとに成膜することによって形成される。

次に、チップ抵抗器Ａ３０の作用効果について説明する。

チップ抵抗器Ａ３０の構成によれば、図３０および図３１に示すように、一対の裏面電極３２は、基板１０の裏面１２から厚さ方向ｚに向けて膨出している。したがって、チップ抵抗器Ａ３０によっても、一対の外部電極３４に形成される空隙を抑制することが可能となる。

チップ抵抗器Ａ３０では、一対の側方電極３３は、金属薄膜により構成される。これにより、第１方向ｘにおけるチップ抵抗器Ａ３０の寸法を、第１方向ｘにおけるチップ抵抗器Ａ１０の寸法よりも小とすることができる。

〔第４実施形態〕
図３３および図３４に基づき、本発明の第４実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ４０について説明する。これらの図において、先述したチップ抵抗器Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。なお、図３３が示す断面位置は、図３０が示す断面位置と同一である。

チップ抵抗器Ａ４０では、一対の裏面電極３２の構成が、先述したチップ抵抗器Ａ３０と異なる。

チップ抵抗器Ａ４０では、一対の裏面電極３２の構成材料は、銀および合成樹脂を含む。当該合成樹脂は、たとえばエポキシ樹脂である。図３３および図３４に示すように、一対の裏面電極３２は、基板１０の一対の裏部切欠面１４２に個別に接している。

図３４に示すように、基板１０の裏面１２から、裏面電極３２の第１下垂部３２１までの厚さｔｂは、１３～１４μｍである。チップ抵抗器Ａ４０の裏面電極３２にかかる厚さｔｂは、チップ抵抗器Ａ３０の裏面電極３２にかかる厚さｔｂよりも大である。厚さ方向ｚから視て、第２方向ｙに延びる裏面電極３２の第２膨出面３２３の周縁は、側面１３に重なっている。

次に、チップ抵抗器Ａ４０の作用効果について説明する。

チップ抵抗器Ａ４０の構成によれば、図３３および図３４に示すように、一対の裏面電極３２は、基板１０の裏面１２から厚さ方向ｚに向けて膨出している。したがって、チップ抵抗器Ａ２０によっても、一対の外部電極３４に形成される空隙を抑制することが可能となる。

チップ抵抗器Ａ４０では、一対の裏面電極３２にかかる厚さｔｂは、チップ抵抗器Ａ３０の一対の裏面電極３２にかかる厚さｔｂよりも大である。これにより、一対の裏面電極３２の表面に露出する気泡を、チップ抵抗器Ａ３０よりもさらに抑制することができる。

本発明は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０：チップ抵抗器
１０：基板
１１：上面
１２：裏面
１２１：隙間
１３：側面
１４１：上部切欠面
１４２：裏部切欠面
２０：抵抗体
２１：トリミング溝
３０：電極
３１：上面電極
３１Ａ：上面
３２：裏面電極
３２１：第１下垂部
３２２：第１膨出面
３２３：第２膨出面
３３：側方電極
３３１：上面部
３３２：裏面部
３３２Ａ：第２下垂部
３３２Ｂ：第３膨出面
３３２Ｃ：第４膨出面
３３３：側面部
３４：外部電極
３４Ａ：第１外部電極
３４Ｂ：第２外部電極
３４１：実装部
３４１Ａ：陥入部
４０：保護層
４１：下部保護層
４２：上部保護層
５０：配線基板
５１：導電接合層
５１１：気泡
８０：領域
８１：基材
８１Ａ：一次溝
８１Ｂ：二次溝
８１１：上面
８１２：裏面
８１３：側面
８１４Ａ：上部切欠面
８１４Ｂ：裏部切欠面
８２：裏面電極
８２１：第１下垂部
８２２：第１膨出面
８２３：第２膨出面
８３：上面電極
８４：抵抗体
８４１：トリミング溝
８５１：下部保護層
８５２：上部保護層
８６：側方電極
８６１：上面部
８６２：裏面部
８６２Ａ：第２下垂部
８６２Ｂ：第３膨出面
８６２Ｃ：第４膨出面
８６３：側面部
８７：外部電極
８７Ａ：第１外部電極
８７Ｂ：第２外部電極
８７１：実装部
８７１Ａ：陥入部
ｔａ，ｔｂ，ｔｃ：厚さ
ｚ：厚さ方向
ｘ：第１方向
ｙ：第２方向

Claims (10)

1. 厚さ方向において互いに反対側を向く上面および裏面を有し、並びに前記厚さ方向に対して直交する第１方向において互いに離間し、かつ前記上面および前記裏面の双方につながる一対の側面を有する基板と、
   前記第１方向において互いに離間し、かつ前記上面に接する一対の上面電極と、
   前記上面に配置され、かつ前記一対の上面電極に導通する抵抗体と、
   前記第１方向において互いに離間し、かつ前記裏面に接する一対の裏面電極と、
   前記一対の側面に個別に接するとともに、前記一対の上面電極および前記一対の裏面電極の双方に個別に導通する一対の側方電極と、
   前記一対の上面電極、前記一対の裏面電極および前記一対の側方電極を個別に覆う一対の外部電極と、を備え、
   前記一対の裏面電極は、前記厚さ方向に向けて膨出しており、
   前記一対の裏面電極の各々は、前記厚さ方向において前記裏面から最も離れた第１下垂部と、前記第１方向において前記第１下垂部を基準として前記一対の側面のいずれかが位置する側とは反対側に位置する第１膨出面と、前記第１方向において前記第１下垂部を基準として前記第１膨出面とは反対側に位置する第２膨出面と、を有し、
   前記厚さ方向および前記第１方向に対して直交する第２方向に視て、前記第１膨出面は、全体にわたって前記裏面から離れる向きに膨らんだ弧をなしており、
   前記一対の側方電極の各々は、前記一対の裏面電極の各々の前記第２膨出面を個別に覆い、かつ前記厚さ方向に向けて膨出する裏面部を有し、
   前記裏面部は、前記厚さ方向において前記裏面から最も離れた第２下垂部を有し、
   前記第２下垂部は、前記第１方向において前記一対の側面のいずれかと前記第１下垂部との間に位置しており、
   前記裏面と前記第２下垂部との間の前記厚さ方向の距離は、前記裏面と前記第１下垂部との間の前記厚さ方向の距離よりも長く、
   前記裏面部は、前記第１下垂部から離れており、
   前記一対の外部電極の各々は、前記一対の裏面電極のいずれかと、前記裏面部と、を覆う実装部を有し、
   前記実装部には、前記裏面に向けて凹む陥入部が形成されている、チップ抵抗器。
2. 前記陥入部は、前記第２方向に延びている、請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 前記一対の側方電極の各々は、前記厚さ方向に視て前記上面に重なり、かつ前記一対の上面電極のいずれかの一部を覆う上面部を有し、
   前記上面部は、前記厚さ方向に向けて膨出している、請求項２に記載のチップ抵抗器。
4. 前記一対の側方電極の各々は、前記一対の側面のいずれかを覆い、かつ前記上面部および前記裏面部の双方につながる側面部を有し、
   前記側面部は、前記第１方向に向けて膨出している、請求項３に記載のチップ抵抗器。
5. 前記一対の側方電極の構成材料は、銀および合成樹脂を含む、請求項１ないし４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
6. 前記一対の裏面電極の構成材料は、銀およびガラスを含む、請求項１ないし５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
7. 前記基板は、前記裏面の前記第１方向の両側に位置し、かつ前記裏面および前記一対の側面の双方に対して傾斜する一対の裏部切欠面を有し、
   前記第１方向において、前記一対の裏面電極は、前記裏面と前記一対の裏部切欠面との境界よりも前記裏面の内方に位置する、請求項６に記載のチップ抵抗器。
8. 前記一対の裏面電極の構成材料は、銀および合成樹脂を含む、請求項１ないし５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
9. 前記一対の外部電極の各々は、第１外部電極と、前記第１外部電極を覆う第２外部電極と、を含み、
   前記第１外部電極は、前記一対の上面電極のいずれかと、前記一対の裏面電極のいずれかと、前記一対の側方電極のいずれかと、を覆い、
   前記第２外部電極の構成材料は、錫を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
10. 前記第１外部電極の構成材料は、ニッケルを含む、請求項９に記載のチップ抵抗器。

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