JP2008084905A

JP2008084905A - チップ抵抗器

Info

Publication number: JP2008084905A
Application number: JP2006260060A
Authority: JP
Inventors: Masaki Iida; 雅紀飯田
Original assignee: Taiyosha Electric Co Ltd
Current assignee: Taiyosha Electric Co Ltd
Priority date: 2006-09-26
Filing date: 2006-09-26
Publication date: 2008-04-10

Abstract

【課題】電子回路基板３０と裏面電極１３との半田接合部３２における熱応力に起因する疲労、クラック、破断等の欠点を防止でき、かつ低コストのチップ抵抗器１０を提供すること。
【解決手段】ガラス成分を含有するためにセラミック製の絶縁基板１１に強固に密着する焼成銀を第１裏面電極１４として絶縁基板１１の裏面に直接被着し、焼成銀に比してヤング率が低く、そのため熱応力の緩和効果を有する樹脂銀からなる第２裏面電極１５を第１裏面電極１４に積層して裏面電極を２層構造にする。裏面電極１３が強固に絶縁基板１１に固着され、かつ電子回路基板３０に実装したとき熱応力に起因する疲労、クラック、破断の発生を防止してチップ抵抗器１０の耐久寿命が向上する。
【選択図】図５

Description

本発明はチップ抵抗器に関し、より詳しくはチップ抵抗器の裏面電極の構造に関する。

チップ抵抗器の一形式として、セラミック製絶縁基板の表面に一対の表面電極と、両表面電極を接続する抵抗体層を形成し、抵抗体層を絶縁性保護膜で被覆し、絶縁基板の裏面に一対の裏面電極を形成し、絶縁基板の両側面に表面電極と裏面電極を接続する一対の側面電極を形成し、表面電極、側面電極及び裏面電極をニッケル等でメッキしたチップ抵抗器が実用に供されている。
かかる構造のチップ抵抗器は電子回路基板の表面に形成したランドに裏面電極を載置し、半田で裏面電極をランドに接合して回路基板に実装される。

この種のチップ抵抗器を電子回路基板に半田で接合した場合、チップ抵抗器への通電が繰り返されると、半田接合部に熱応力が発生し、そのため接合部の疲労、クラック、破断等が生じる。このような欠点を防止する方法として、特開平１１−６８２８４号公報には、半田接合部となる裏面電極及び側面電極に複数の微細凹凸を形成し、微細凹凸によって熱応力を分散吸収するようにしたチップ抵抗器が提案されている。
特開平１１−６８２８４号公報

上記した従来のチップ抵抗器は裏面電極や側面電極に微細凹凸を形成するため、エッチング加工あるいは放電加工を必要とするため、製造工程が複雑化し、製造コストのアップが避けられない。
本発明はかかる問題点に鑑み、電子回路基板と裏面電極との半田接合部における熱応力に起因する疲労、クラック、破断等の欠点を防止でき、かつ低コストのチップ抵抗器を提供することを目的とする。

請求項１に記載の本発明は、セラミック製絶縁基板の表面に一対の表面電極と、両表面電極を接続する抵抗体層を形成し、前記絶縁基板の裏面に一対の裏面電極を形成し、前記絶縁基板の両側面に前記表面電極と前記裏面電極を接続する側面電極を形成したチップ抵抗器であって、
前記裏面電極が前記絶縁基板の裏面に被着した焼成銀から成る第１裏面電極と、該第１裏面電極に少なくとも一部を覆うように積層した導電性樹脂から成る第２裏面電極を備えたことを特徴とする。

請求項２に記載の本発明は、セラミック製絶縁基板の表面に一対の表面電極と、両表面電極を接続する抵抗体層を形成し、前記絶縁基板の裏面に一対の裏面電極を形成し、前記絶縁基板の両側面に前記表面電極と前記裏面電極を接続する側面電極を形成したチップ抵抗器であって、
前記裏面電極を焼成銀で構成するとともに、前記側面電極を導電性樹脂で構成し、かつ前記裏面電極の全体を前記側面電極で被覆するようにしたことを特徴とする。

そして、好ましくは、前記両裏面電極間を結ぶ二次方向と直交する一次方向における前記裏面電極の端部と絶縁基板の端部との間に所定幅の一次間隙を形成する。
さらに好ましくは、前記二次方向における前記裏面電極の端部と前記絶縁基板の端部との間に所定幅の二次間隙を形成する。

請求項１に記載の発明によれば、ガラス成分を含有するためにセラミック製の絶縁基板に強固に密着する焼成銀を第１裏面電極として絶縁基板の裏面に被着し、焼成銀に比してヤング率が低く、そのため熱応力の緩和効果の高い導電性樹脂からなる第２裏面電極を第１裏面電極に積層して裏面電極を構成したので、裏面電極は強固に絶縁基板に固着でき、かつ電子回路基板に実装したとき熱応力に起因する疲労、クラック、破断の発生を防止して耐久寿命の長いチップ抵抗器を製造できる。
請求項２に記載の本発明によれば、裏面電極を焼成銀で構成し、この裏面電極の全体を導電性樹脂製の側面電極で被覆したので、請求項１に記載の発明と同様に裏面電極が強固に絶縁基板に固着されるとともに熱応力による疲労等を防止できる。

また、本発明に係るチップ抵抗器は、通常のチップ抵抗器製造工程に、例えば側面電極として広くチップ抵抗器の製造に用いられている樹脂銀を印刷、乾燥、硬化して第２裏電極を形成する工程を追加するだけで製造可能であるので、低コストにより熱応力に起因する欠点を防止したチップ抵抗器を製造できる。

また、一次間隙及び／又は二次間隙を形成することにより、裏面電極の端部と絶縁基板の端部の間に段差部を区画形成することができる。このため、チップ抵抗器を回路基板に半田付けするとき半田が一次間隙及び／又は二次間隙によって区画形成された段差部に充填されるので、その分半田量が増加し、より一層、熱応力の緩和効果が増大する。

以下に本発明を添付図面に基づき説明する。図１は本発明の第１実施例に係るチップ抵抗器の構造を示す模式的断面図である。当該チップ抵抗器１０は、長方形のセラミック製絶縁基板１１、絶縁基板１１の短辺に沿って形成された一対の表面電極１２と一対の裏面電極１３、抵抗体層１６、一次コート層１７、二次コート層１８、側面電極１９、中間電極２０及び外部電極２１から構成される。

図２及び図３にチップ抵抗器１０の裏面電極の部分を拡大して図示する。裏面電極１３は焼成銀から成る基板１１の裏面に直接被着した第１裏面電極１４と、第１裏面電極１４に積層した、樹脂銀から成る第２裏面電極１５から成る２層構造を備えている。

図３において符号１１ａは基板の裏面電極間方向である二次方向Ａにおける端部を示す。また符号１１ｂは二次方向Ａと直交する一次方向Ｂにおける端部を示す。第１裏面電極１４の二次方向端部１４ａと基板１１の二次方向端部１１ａとの間には所定幅の二次間隙が形成されている。また、第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂと基板１１の一次方向端部１１ｂとの間にも所定幅の一次間隙が形成されている。

第２裏面電極１５は第１裏面電極１４の全体を被覆するように積層されている。また、第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと基板１１の二次方向端部１１ａとの間には所定幅の二次間隙が形成されている。第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂと基板１１の一次方向端部１１ｂとの間にも所定幅の二次間隙が形成されている。側面電極１９は樹脂銀から成り、表面電極１２の一部と裏面電極１３の一部及び基板１１の側面全体を覆うように被着され、表面電極１２と裏面電極１３を電気的に接続している。

第１裏面電極１４の端部１４ａ，１４ｂと基板端部１１ａ，１１ｂとの間に一次間隙と二次間隙を形成し、さらに第１裏面電極１４に積層した第２裏面電極１５の端部１５ａ，１５ｂと基板端部１１ａ，１１ｂとの間にも一次間隙と二次間隙を形成したので、図２に示すように、裏面電極１３は第１裏面電極１４が含まれる中央部が厚く盛り上がり、第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと基板１１の二次方向端部１１ａとの間、及び第２裏面電極の一次方向端部１５ｂと基板１１の一次方向端部１１ｂ間に段差部が形成される。また、第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａの反対側の端部１５ｃの付近にも段差部が形成される。これまで第２裏面電極１５と側面電極１９は樹脂銀としたが、これに限らずカーボンレジン系又は樹脂ニッケル系などの導電性樹脂であればいずれでも良い。これ以降も同様である。

本実施例に係るチップ抵抗器１０の構造は以上の通りであって、以下にその製造工程を図４に従って説明する。
第１工程では、一次（表面電極間方向と直角の方向）、二次（表面電極間方向）の２種類の分割用スリット（図示せず）を形成した高純度アルミナから成るセラミック製絶縁基板１１の表面と裏面に銀系の電極ペーストを印刷乾燥し、第２工程で、焼成して一対の表面電極１２と一対の第１裏面電極１４を形成する。表面電極１２及び第１裏面電極１４を成す銀系の電極ペーストは８５０℃の温度で焼成する。

第３工程で一対の表面電極間１２を接続するように、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを印刷、乾燥し、第４工程で焼成して抵抗体層１６を形成する。

第５工程で、抵抗体層１６の上にホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷、乾燥し、第６工程で焼成して一次コート層１７を形成する。この一次コート層１７は次ぎに行う抵抗体層１６のトリミング時の熱衝撃を緩和し、トリミング溝先端の微少クラックの発生を防止するために形成される。

第７工程で、一次コート層１７の上から抵抗体層１６にレーザを放射してトリミング溝１６ａ（図１参照）を形成し抵抗値を目標値に修正する。

第８工程で、第１裏面電極１４の上から樹脂銀を印刷し、１００〜１５０℃の雰囲気中で乾燥して第２裏面電極１５を形成する。第２裏面電極１５となる樹脂銀には、好ましくは体積比で銀３５〜４５％、樹脂５５〜６５％のものを用いる。

第９工程で、一次コート層１７の上から抵抗体層１６を被覆するようにエポキシ樹脂系のペーストを印刷し、乾燥して二次コート層１８を形成する。この二次コート層１８によって抵抗体層１６は外部環境から絶縁され、機械的衝撃から保護される。

第１０工程では、乾燥した第２裏面電極と二次コート層を例えば２００℃雰囲気中に投入して硬化させる。

第１１工程で、一次スリットから基板１１を短冊状に分割する。短冊状の基板１１には二次スリットで区画された多数のチップ片が並列形成されている。第１２工程で、この短冊状の基板１１の両分割面に樹脂銀系の電極ペーストを印刷し、乾燥する。続いて第１３工程で、２００℃の雰囲気中に投入して硬化させ、側面電極１９を形成する。側面電極１９により表面電極１２と裏面電極１３が接続される。そして、第１４工程で短冊状の基板１１を二次スリットに沿って分割し、個々のチップ片１０にする。

二次スリットから分割した個々のチップ片１０は、続いて、第１５工程で、ニッケルめっき及び錫めっきを順に施し、表面電極１２、側面電極１９、及び裏面電極１３を被覆する中間電極２０（ニッケルめっき層）、外部電極２１（錫めっき層）を形成する。ここに、中間電極２０は側面電極１９のはんだ喰われを防止するため、また、外部電極２１は半田付け性を良好にするため施される。

本実施例に係るチップ抵抗器１０の構造及び製造工程は以上の通りであって、回路基板３０に実装するには図５に示すように、裏面電極１３を回路基板３０のランド３１に載置し、半田付けする。半田３２は裏面電極１３の周縁に形成された段差部に浸入してチップ抵抗器１０が回路基板３０に固着される。

本実施例のチップ抵抗器１０は本発明によれば、ガラス成分を含有するためにセラミック製の絶縁基板１１に強固に密着する焼成銀を第１裏面電極１４として絶縁基板１１の裏面に直接被着し、焼成銀に比してヤング率が低く、そのため熱応力の緩和効果を有する樹脂銀からなる第２裏面電極１５を第１裏面電極１４に積層して裏面電極１３を２層構造としたので、裏面電極１３が強固に絶縁基板に固着され、かつ電子回路基板３０に実装したとき熱応力に起因する疲労、クラック、破断の発生を防止してチップ抵抗器の耐久寿命が向上する。

また、通常のチップ抵抗器製造工程に、例えば側面電極１９として広くチップ抵抗器１０の製造に用いられている樹脂銀を印刷、乾燥、硬化して第２裏電極１５を形成する第８工程と第１０工程を追加するだけで製造可能であるので、低コストにより熱応力に起因する欠点を防止したチップ抵抗器１０を製造できる。

一次間隙及び二次間隙を形成したので、裏面電極１３の端部と絶縁基板１１の端部間に段差部が区画形成される。従って、チップ抵抗器１０を回路基板３０に半田付けするとき半田３２が段差部に充填し、それだけ半田量が増加する。このため一層熱応力の緩和効果が増大する。

ところで、本実施例に係るチップ抵抗器１０の製造工程では、第８工程として第２裏面電極１５の印刷乾燥工程を入れているが、樹脂製の第２裏面電極１５は２００℃で硬化させるので、後工程に２００℃以上の温度が加わらないのであれば、工程の順序は変更可能である。従って、例えば、第６工程の一次コート層１７の焼成工程と第７工程のトリミング工程の間に第２裏面電極１５の印刷乾燥工程や硬化工程を入れたり、第９工程の二次コート層の印刷乾燥工程の次に第２裏面電極１５の印刷乾燥工程を入れ、二次コート層１８と第２裏面電極１５の硬化工程を同時に行うことも可能である。

また、本実施例におけるチップ抵抗器１０の二次コート層１８はエポキシ樹脂を使用したが、一次コート層１７と同じほう珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを使用することもできる。ガラスペーストで二次コート層１８を形成する場合、６００℃の焼成工程が必要となるので、硬化温度が２００℃の樹脂を使用する第２裏面電極１５の印刷乾燥及び硬化工程は二次コート層１８の焼成工程の後に入れることになる。

本発明の第２実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図６に拡大して図示する。第２実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂは基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。

第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂは基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。
他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器１０と同じであるので、説明を省略する。

第２実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａ側と反二次方向端部１５ｃ側に段差部を形成できる。

第３実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図７に拡大して図示する。第３実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂは基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。
なお、他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器１０と同じである。

第３実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａ側と反二次方向端部１５ｃ側に段差部を形成できる。又、一次方向端部１４ｂ側にも浅い段差部を形成できる。

第４実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図８及び図９に示す。第１裏面電極１４は裏面電極１３の中央部が盛り上がるように所要の厚みをもって形成され、第２裏面電極１５によって略全体が覆われている。第２裏面電極１５の幅は第１裏面電極１４より広く、長さは若干短く設定されている。そして、側面電極１９により裏面電極１３の略全体が覆われている。

第１裏面電極１４の二次方向端部１４ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａ間には間隙が形成されている。第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間、及び第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂ間にも間隙が形成されている。

第４実施例に係るチップ抵抗器では、第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａ側と反二次方向端部１５ｃ側に深い段差部を形成できる。

本発明の第５実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図１０及び図１１に示す。第５実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第２裏面電極１５は第１裏面電極１４の一部、より詳しくは第１裏面電極１４の反二次方向端部側１４ｃの縁部を覆うように積層されている。第２裏面電極１５の長さは第１裏面電極１４より短く設定されている。

第１裏面電極１４の二次方向端部１４ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間に間隙が形成されている。第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂは絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。

第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間及び第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂとの間にも間隙が形成されている。
他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第５実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ｃ側に深い段差部を形成できる。

本発明の第６実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図１２に示す。第６実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の二次方向端部１４ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間及び第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂとの間に間隙が形成されている。第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間及び第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂと絶縁基板の一次方向端部１１ｂとの間にも間隙が形成されている。
なお、第６実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第５実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第６実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ａ側と一次方向端部１５ｂ側に深い段差部を形成できる。又、一次方向端部１５ｂ側にも浅い段差部を形成できる。

本発明の第７実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図１３に示す。第７実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の二次方向端部１４ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間に間隙が形成されている。第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間にも間隙が形成されている。第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂは絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。
なお、第７実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第５実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第７実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ａ側に深い段差部を形成できる。

本発明の第８実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図１４に示す。第８実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４は第２裏面電極１５より長く設定されている。第１裏面電極１４の二次方向端部１４ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間及び第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂと絶縁基板１１に一次方向端部１１ｂとの間に間隙が形成されている。第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間及び第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂと絶縁基板の一次方向端部１１ｂとの間にも間隙が形成されている。
なお、第８実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第５実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第８実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ｃ側と一次方向端部１５ｂ側に深い段差部を形成できる。また、一次方向端部１４b側に浅い段差部を形成できる。

本発明の第９実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図１５及び図１６に示す。第９実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の幅は第２裏面電極１５より狭く設定されている。そして、第１裏面電極１４と第２裏面電極の二次方向端部１４ａ、１５ａは絶縁基板１１の二次方向端部１１ａまで延び、第１裏面電極１４と第２裏面電極１５の一次方向端部１４ｂ、１５ｂも絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。第２裏面電極１５は第１裏面電極１４の全体を覆っている。側面電極１９は裏面電極を部分的に覆っている。
なお、第９実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第９実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ｃ側に段差部を形成できる。

本発明の第１０実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図１７に示す。第１０実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂとの間に隙間が形成されている。
なお、第１０実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第９実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第１０実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ｃ側に深い段差部を形成できる。また、一次方向端部１４bにも浅い段差部を形成できる。

本発明の第１１実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図１８に示す。第１１実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の一次方向端部と絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂとの間に間隙が形成されている。第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂとの間にも間隙が形成されている。第１裏面電極１４の長さは第２裏面電極１５の長さより短く設定されている。
なお、第１１実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第９実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第１１実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ｃ側と一次方向端部１５ｂ側に段差部を形成できる。

本発明の第１２実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図１９及び図２０に示す。第１２実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の幅は第２裏面電極１５より狭く設定されている。そして、第１裏面電極１４と第２裏面電極の二次方向端部１４ａ、１５ａは絶縁基板１１の二次方向端部１１ａまで延び、第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂも絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂと絶縁基板１１の一次方向端部との間に間隙が形成されている。側面電極１９は裏面電極１３を部分的に覆っている。
なお、第１２実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第１２実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ｃ側と一次方向端部１５ｂ側に段差部を形成できる。

本発明の第１３実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図２１及び図２２に示す。第１３実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の幅は第２裏面電極１５より狭く、第２裏面電極１５の長さは第１裏面電極より短く設定されている。そして、第１裏面電極１４の二次方向端部１４ａは絶縁基板１１の二次方向端部１１ａまで延び、第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂも絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間及び一次方向端部１５ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂとの間に間隙が形成されている。第２裏面電極１５は第１裏面電極を部分的に覆うように積層されている。側面電極１９は裏面電極１３を部分的に覆っている。
なお、第１３実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第１３実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ｃ側と一次方向端部１５ｂ側に段差部を形成できる。

本発明の第１４実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図２３に示す。第１４実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の長さは第２裏面電極１５の長さより短く設定されている。第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂの間に間隙が形成されている。
なお、第１４実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１３実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第１４実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ｃ側と一次方向端部１５ｂ側に段差部を形成できる。

本発明の第１５実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図２４に示す。第１５実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂは絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間に間隙が形成され、第２裏面電極の一次方向端部１５ｂは絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。
なお、第１５実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１３実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第１５実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ｃ側に段差部を形成できる。

本発明の第１６実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図２５に示す。第１６実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の長さは第２裏面電極１５の長さより長く設定されている。第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂとの間、第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間及び一次方向端部１５ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂとの間に間隙が形成されている。
なお、第１６実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第１６実施例に係るチップ抵抗器によれば、第２裏面電極１５の反二次方向端部１５ｃ側と一次方向端部１５ｂ側に段差部を形成できる。

本発明の第１７実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図２６及び図２７に示す。第１実施例〜第１６実施例に係るチップ抵抗器にあっては裏面電極１３を焼成銀製の第１裏面電極１４と、第１裏面電極に積層した樹脂銀製の第２裏面電極１５の２層構造に構成したが、第１７実施例に係るチップ抵抗器では、裏面電極１３が焼成銀の一層で構成されている。そして、裏面電極１３の全体が樹脂銀製の側面電極１９で覆われている。

図２７に示すように、裏面電極１３の二次方向端部１３ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間に隙間が形成されている。裏面電極１３の一次方向端部１３ｂは絶縁基板の一次方向端部１１ｂまで延びている。
なお、第１７実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第１７実施例に係るチップ抵抗器は、ガラス成分を含有するためにセラミック製の絶縁基板１１に強固に密着する焼成銀製の裏面電極１３を絶縁基板１１の裏面に直接被着し、焼成銀に比してヤング率が低く、そのため熱応力の緩和効果を有する樹脂銀製の側面電極１９で裏面電極１３全体を被覆したので、回路基板に実装したとき裏面電極１３の熱応力に起因する疲労、クラック、破断の発生を防止できる。裏面電極１３の二次方向端部１３ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間に間隙を形成したので、回路基板に実装したとき、間隙によって段差部が形成され、半田の充填量が増加する。このため、裏面電極１３の熱応力による疲労等をより防止できる。

本発明の第１８実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図２８に示す。第１８実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３の二次方向端部１３ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間及び裏面電極１３の一次方向端部１３ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂとの間に間隙が形成されている。
なお、第１８実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１７実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第１８実施例に係るチップ抵抗器では、裏面電極１３の二次方向端部１３ａ側と一次方向端部１３ｂ側に段差部を形成できる。

本発明の第１９実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図２９及び図３０に示す。第１９実施例に係るチップ抵抗器は焼成銀製の一層構造を有する裏面電極１３を備え、裏面電極１３全体が樹脂銀製の側面電極１９で覆われている。図３０に示すように、裏面電極１３の二次方向端部１３ａは絶縁基板１１の二次方向端部１１ａまで延び、裏面電極１３の一次方向端部１３ｂは絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。
なお、第１９実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第１９実施例に係るチップ抵抗器によれば、樹脂銀製の側面電極で裏面電極１３を覆ったので、熱応力により裏面電極１３に発生する不具合を防止できる。

本発明の第２０実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極を図３１に示す。第２０実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３の一次方向端部１３ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂとの間に間隙が形成されている。なお、第２０実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１９実施例に係るチップ抵抗器と同じである。第２０実施例に係るチップ抵抗器では裏面電極の反二次方向端部１３ｃ側と一次方向端部１３ｂ側に段差部を形成できる。

第２１実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図３２及び図３３に示す。
裏面電極１３は第１裏面電極１４と第２裏面電極２２から構成され、第１裏面電極１４と第２裏面電極２２はいずれも焼成銀から成る。第２裏面電極２２は裏面電極１３の中央部が盛り上がるように所要の厚みをもって形成されている。第２裏面電極２２の幅は第１裏面電極１４より狭く、長さは短く設定されている。そして、裏面電極１３全体が樹脂銀製の側面電極１９で覆われている。

第１裏面電極１４の二次方向端部１４ａと一次方向端部はそれぞれ絶縁基板１１の二次方向端部１１ａと一次方向端部まで延びている。第２裏面電極１５の二次方向端部１５ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａとの間、及び第２裏面電極１５の一次方向端部１５ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂ間にはそれぞれ間隙が形成されている。そして、裏面電極１３全体が樹脂銀から成る側面電極１９で覆われている。なお、第２１実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第２１実施例に係るチップ抵抗器は、第２裏面電極２２の周囲に段差部を形成できる。

本発明の第２２実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図３４に示す。第２２実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第２裏面電極２２の一次方向端部２２ｂは絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。そして、裏面電極１３全体が樹脂銀から成る側面電極１９で覆われている。なお、第２２実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第２１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第２２実施例に係るチップ抵抗器では、第２裏面電極２２の二次方向端部２２ａと反二次方向端部２２ｃ側に段部を形成できる。

本発明の第２３実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図３５に示す。第２３実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極の一次方向端部１４ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂ間に間隙が形成されている。また、第２裏面電極２２の二次方向端部２２ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａ間及び第２裏面電極の一次方向端部２２ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂ間にも間隙が形成されている。そして、裏面電極１３全体が樹脂銀から成る側面電極１９で覆われている。
なお、第２３実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第２１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第２３実施例に係るチップ抵抗器では、第２裏面電極２２の周囲に段差部を形成できる。

本発明の第２４実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図２４に示す。第２４実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂ間に間隙が形成されている。第２裏面電極の一次方向端部２２ｂは絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。そして、裏面電極１３全体が樹脂銀から成る側面電極１９で覆われている。
なお、第２４実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第２１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第２４実施例に係るチップ抵抗器では第２裏面電極２２の二次方向端部２２ａと反二次方向端部２２ｃ側に段差部が形成できる。また、一次方向端部１４bの一部にも段差部を形成できる。

本発明の第２５実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図３７及び図３８に示す。
裏面電極１３は第１裏面電極１４と第２裏面電極２２から構成され、第１裏面電極１４と第２裏面電極２２はいずれも焼成銀から成る。第２裏面電極２２は裏面電極１３の中央部が盛り上がるように所要の厚みをもって形成されている。第２裏面電極２２の幅は第１裏面電極１４より狭く、長さは短く設定されている。そして、裏面電極１３全体が樹脂銀製の側面電極１９で覆われている。

第１裏面電極１４の二次方向端部１４ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａ間に間隙が形成され、第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂは絶縁基板１１の一次方向端部まで延びている。第２裏面電極２２の二次方向端部２２ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａ間及び第２裏面電極の一次方向端部２２ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂ間に間隙が形成されている。
なお、第２５実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第１実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第２５実施例に係るチップ抵抗器では、第２裏面電極２２の周囲に段差部を形成できる。

本発明の第２６実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図３９に示す。第２６実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第２裏面電極の一次方向端部２２ｂは絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。
なお、第２６実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第２５実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第２６実施例に係るチップ抵抗器では、第２裏面電極２２の二次方向端部２２ａと反二次方向端部２２ｃ側に段差部が形成できる。

本発明の第２７実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図４０に示す。第２７実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の二次方向端部１４ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａ間、第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂ間、第２裏面電極２２の二次方向端部２２ａと絶縁基板１１の二次方向端部１１ａ間及び第２裏面電極２２の一次方向端部２２ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂ間に間隙が形成されている。
なお、第２７実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第２５実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第２７実施例に係るチップ抵抗器では第２裏面電極２２の周囲に段差部を形成できる。

本発明の第２８実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を図４１に示す。第２８実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極１３を構成する第１裏面電極１４の一次方向端部１４ｂと絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂ間に間隙が形成されている。第２裏面電極２２の一次方向端部２２ｂは絶縁基板１１の一次方向端部１１ｂまで延びている。
なお、第２８実施例に係るチップ抵抗器の他の構成は第２５実施例に係るチップ抵抗器と同じである。

第２８実施例に係るチップ抵抗器では、第２裏面電極２２の二次方向端部２２ａと反二次方向端部２２ｃ側に段差部を形成できる。また、一次方向端部１４bの一部にも段差部を形成できる。
尚、実施例２１から２８まで第２裏面電極２２を焼成銀としたが、これに限らず樹脂銀でも良い。

本発明の実施例に係るチップ抵抗器の構造を模式的に示す中央部横断断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す模式的部分拡大断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。同チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。同チップ抵抗器と配線基板の接合を示す模式的部分拡大断面図である。本発明の第２実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第３実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第４実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す模式的部分拡大断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第５実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す模式的部分拡大断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第６実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第７実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第８実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第９実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す模式的部分拡大断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第１０実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第１１実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第１２実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す模式的部分拡大断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第１３実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す模式的部分拡大断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第１４実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第１５実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第１６実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第１７実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す模式的部分拡大断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第１８実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第１９実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す模式的部分拡大断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第２０実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第２１実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す模式的部分拡大断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第２２実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第２３実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第２４実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第２５実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す模式的部分拡大断面図である。同チップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第２６実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第２７実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。本発明の第２８実施例に係るチップ抵抗器の裏面電極部分を示す平面図である。

符号の説明

１０…チップ抵抗器
１１…セラミック製絶縁基板
１１ａ…絶縁基板の二次方向端部
１１ｂ…絶縁基板の一次方向端部
１２…表面電極
１３…裏面電極
１４…第１裏面電極
１４ａ…第１裏面電極の二次方向端部
１４ｂ…第１裏面電極の一次方向端部
１５…第２裏面電極
１５ａ…第２裏面電極の二次方向端部
１５ｂ…第２裏面電極の一次方向端部
１６…抵抗体層
１９…側面電極
２２…第２裏面電極

Claims

セラミック製絶縁基板の表面に一対の表面電極と、両表面電極を接続する抵抗体層を形成し、前記絶縁基板の裏面に一対の裏面電極を形成し、前記絶縁基板の両側面に前記表面電極と前記裏面電極を接続する側面電極を形成したチップ抵抗器であって、
前記裏面電極が前記絶縁基板の裏面に被着した焼成銀から成る第１裏面電極と、該第１裏面電極の少なくとも一部を覆うように積層した導電性樹脂から成る第２裏面電極を備えたことを特徴とするチップ抵抗器。
セラミック製絶縁基板の表面に一対の表面電極と、両表面電極を接続する抵抗体層を形成し、前記絶縁基板の裏面に一対の裏面電極を形成し、前記絶縁基板の両側面に前記表面電極と前記裏面電極を接続する側面電極を形成したチップ抵抗器であって、
前記裏面電極を焼成銀で構成するとともに、前記側面電極を導電性樹脂で構成し、かつ前記裏面電極の全体を前記側面電極で被覆するようにしたことを特徴とするチップ抵抗器。
前記両裏面電極間を結ぶ二次方向と直交する一次方向における前記裏面電極の端部と絶縁基板の端部との間に所定幅の一次間隙を形成したことを特徴する請求項１又は２に記載のチップ抵抗器。
前記二次方向における前記裏面電極の端部と前記絶縁基板の端部との間に所定幅の二次間隙を形成したことを特徴とする請求項１又は２又は３に記載のチップ抵抗器。