JP2015207609A - チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁基板の下面側に熱応力を緩和するために樹脂による熱応力緩和層を設けたチップ抵抗器において、一次分割した際に該熱応力緩和層のバリの発生を防止することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器Ａは、絶縁基板１０の下面に設けられ、銀系厚膜により形成された下面電極４０と、下面電極４０の下面に形成され、樹脂系厚膜により形成された樹脂膜４２と、下面電極４０の下面から樹脂膜４２の下面に形成され、樹脂銀系厚膜により形成された下面電極４４とを有し、樹脂膜４２と下面電極４４とは、絶縁基板１０の電極間方向の端部と間隔を介して形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、チップ抵抗器に関するものである。

従来より、図１０に示すチップ抵抗器が存在する。図１０に示すチップ抵抗器Ｑは、絶縁基板３１０と、抵抗体３２０と、上面電極３３０と、下面電極３４０と、側面電極３５０と、メッキ３６０と、カバーコート３７０と、保護膜３８０とを有しており、メッキ３６０は、内側層のニッケルメッキ３６２と、外側層の錫メッキ３６４の２層により形成されている。なお、側面電極３５０は、通常、銀系メタルグレーズ厚膜により形成されている。

このようなチップ抵抗器Ｑは、図１１に示すように、配線基板２００の表面に形成されたランド２０２にハンダフィレット２１０を介して実装される。つまり、チップ抵抗器Ｑの下面電極３４０側をランド２０２に載置し、ハンダフィレット２１０を介してランド２０２とメッキ３６０が接続される。

図１０に示すチップ抵抗器においては、チップ抵抗器Ｑを図１１に示すように、ハンダフィレット２１０を介して配線基板２００のランド２０２に実装した場合に、チップ抵抗器周辺の温度環境が変化することにより、ハンダフィレット２１０とチップ抵抗器Ｑとの接合部分に熱応力が発生し、該接合部にクラックが生じる可能性がある。また、チップ抵抗器Ｑへの通電が繰り返されることによっても、該接合部分に熱応力が発生する。クラックとしては、例えば、図１１に示すように下面電極３４０の下方位置でクラックＫが発生する。該接合部にクラックが発生すると、チップ抵抗器Ｑとハンダフィレット２１０の接合が十分でなくなり、チップ抵抗器の本体の特性を得られなくなる可能性がある。

上記の熱応力に対応するチップ抵抗器として、出願人は、特許文献１の実施例４において、絶縁基板１０の下面の全面に樹脂による絶縁膜１２を設け、該絶縁膜１２の下面に下面電極４０を設けることにより熱応力を緩和したチップ抵抗器を提案している。また、出願人は、特許文献１の明細書における段落［０１４０］において、絶縁膜を下面電極の領域のみに形成してもよい旨を開示している。つまり、熱応力緩和層としての絶縁膜を設けることにより、熱応力を緩和している。

また、特許文献２の実施例２及び実施例３においては、アルミナ基板の裏面の全面に裏面樹脂層１０９（２０９）を設けたチップ状電子部品が開示され、裏面樹脂層１０９（２０９）を設けることにより電子部品のたわみ強度を確保している。つまり、熱応力緩和層としての裏面樹脂層を設けることにより、熱応力を緩和している。

特開２０１１−１６５７５２号公報 特開平８−２５５７０１号公報

しかし、上記特許文献１に示すチップ抵抗器においては、アルミナ基板（複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものであり、平板状のグリーンシートを予め焼成したもの）の裏面の全面に絶縁膜を形成した後に下面電極を形成し、その後、一次スリットに沿って分割するので、絶縁膜を分割した際のバリが発生するという問題がある。このバリによって側面電極を正確に形成することができず、側面電極と下面電極の電気的接続を阻害する要因となっていた。また、該バリによって、チップ抵抗器の側面に突起が形成されてしまう。

上記特許文献２のチップ状電子部品の場合にも、アルミナ基板の裏面の全面に裏面樹脂層を形成するので、実際の製造に際しては、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを有するアルミナ基板の裏面の全面に樹脂層を形成した後に一次分割することになるので、樹脂層によるバリが発生する。

また、特許文献１の明細書における段落［０１４０］に記載されているように、絶縁膜を下面電極の領域のみに形成する場合でも、実際には、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを有するアルミナ基板に対して、隣接するチップ抵抗器の絶縁膜とともに帯状に形成することになるので、一次分割した際に絶縁膜によるバリが発生する。

そこで、絶縁基板の下面側に熱応力を緩和するために樹脂による熱応力緩和層を設けたチップ抵抗器において、一次分割した際に該熱応力緩和層のバリの発生を防止することができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。

本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、絶縁基板と、該絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられ抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、一対の電極部における各電極部が、抵抗体と接続し、絶縁基板の上面に設けられた上面電極と、絶縁基板の下面に設けられ、銀系厚膜により形成された第１下面電極と、第１下面電極の下面に形成され、樹脂系厚膜により形成された樹脂膜と、第１下面電極の下面から樹脂膜の下面に形成され、樹脂銀系厚膜により形成された第２下面電極と、を有し、一対の電極部における一方の電極部で、絶縁基板の電極間方向の一方である第１方向の端部側に設けられた電極部において、樹脂膜における第１方向の端部が、絶縁基板の第１方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成され、第２下面電極における第１方向の端部が、絶縁基板の第１方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成され、一対の電極部における他方の電極部で、絶縁基板の電極間方向の他方である第２方向の端部側に設けられた電極部において、樹脂膜における第２方向の端部が、絶縁基板の第２方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成され、第２下面電極における第２方向の端部が、絶縁基板の第２方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成されていることを特徴とする。

第１の構成のチップ抵抗器においては、樹脂膜と第２下面電極は絶縁基板の端部とは間隔を介して形成されているので、チップ抵抗器の製造に際して、樹脂膜や第２下面電極にバリが形成されない。

また、樹脂膜が設けられていて、チップ抵抗器の配線基板への実装状態において、樹脂膜が絶縁基板とハンダフィレット間に配置され、さらに、第２下面電極が絶縁基板とハンダフィレット間に配置され、第２下面電極には樹脂が含まれていることにより柔軟性があるので、樹脂膜と第２下面電極によって熱応力を緩和することができる。

また、第２には、上記第１の構成において、上記一方の電極部において、樹脂膜における第２方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第２方向の端部が樹脂膜により被覆して形成され、第２下面電極の第２方向の端部が樹脂膜の下面に位置することにより、樹脂膜の第２方向の端部が外部に露出して形成され、上記他方の電極部において、樹脂膜における第１方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第１方向の端部が樹脂膜により被覆して形成され、第２下面電極の第１方向の端部が樹脂膜の下面に位置することにより、樹脂膜の第１方向の端部が外部に露出して形成されていることを特徴とすることを特徴とする。

よって、樹脂膜の内側の端部は第２下面電極に被覆されておらず、これにより、電極部の表面にメッキを形成した場合でも、樹脂膜の内側の端部にはメッキが形成されずに、樹脂膜の内側の端部は外部に露出しているので、樹脂膜は熱変化により伸縮しやすい構造となっていて、その点でも熱応力を緩和することができる。

また、樹脂膜の内側の端部は絶縁基板に接して形成され、第１下面電極は樹脂膜に被覆されて露出していないので、第１下面電極において、内側の端部のみにメッキが形成されてしまって、メッキ領域が不連続となることがない。

また、第３には、上記第１の構成において、上記一方の電極部において、樹脂膜における第２方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第２方向の端部が樹脂膜により被覆して形成され、第２下面電極の第２方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、樹脂膜が第２下面電極により被覆して形成され、上記他方の電極部において、樹脂膜における第１方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第１方向の端部が樹脂膜により被覆して形成され、第２下面電極の第１方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、樹脂膜が第２下面電極により被覆して形成されていることを特徴とすることを特徴とする。

よって、樹脂膜の内側の端部は絶縁基板に接して形成され、第１下面電極は樹脂膜に被覆されて露出していないので、第１下面電極において、内側の端部のみにメッキが形成されてしまって、メッキ領域が不連続となることがない。

また、第４には、上記第１の構成において、上記一方の電極部において、樹脂膜における第２方向の端部が第１下面電極の下面に位置して形成され、第２下面電極の第２方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、樹脂膜が第２下面電極により被覆されるとともに、第１下面電極の第２方向の端部が第２下面電極により被覆して形成され、上記他方の電極部において、樹脂膜における第１方向の端部が第１下面電極の下面に位置して形成され、第２下面電極の第１方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、樹脂膜が第２下面電極により被覆されるとともに、第１下面電極の第１方向の端部が第２下面電極により被覆して形成されていることを特徴とする。

よって、樹脂膜の内側の端部は絶縁基板に接して形成され、第１下面電極は樹脂膜に被覆されて露出していないので、第１下面電極において、内側の端部のみにメッキが形成されてしまって、メッキ領域が不連続となることがない。

また、第５には、絶縁基板と、該絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられ抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、一対の電極部における各電極部が、抵抗体と接続し、絶縁基板の上面に設けられた上面電極と、絶縁基板の下面に設けられ、銀系厚膜により形成された第１下面電極と、第１下面電極の下面に形成され、樹脂銀系厚膜により形成された第２下面電極と、を有し、一対の電極部における一方の電極部で、絶縁基板の電極間方向の一方である第１方向の端部側に設けられた電極部において、第２下面電極における第１方向の端部が、絶縁基板の第１方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成され、一対の電極部における他方の電極部で、絶縁基板の電極間方向の他方である第２方向の端部側に設けられた電極部において、第２下面電極における第２方向の端部が、絶縁基板の第２方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成されていることを特徴とする。

第５の構成のチップ抵抗器においては、第２下面電極は絶縁基板の端部とは間隔を介して形成されているので、チップ抵抗器の製造に際して、第２下面電極にバリが形成されない。

また、樹脂銀厚膜により形成された第２下面電極が設けられていて、チップ抵抗器の配線基板への実装状態において、第２下面電極が絶縁基板とハンダフィレット間に配置されるので、この第２下面電極によって熱応力を緩和することができる。

なお、上記第５の構成において、上記一方の電極部において、第２下面電極における第２方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第２方向の端部が第２下面電極により被覆して形成され、上記他方の電極部において、第２下面電極における第１方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第１方向の端部が第２下面電極により被覆して形成されていることを特徴とするものとしてもよい。

また、上記第５の構成において、上記一方の電極部において、第２下面電極における第２方向の端部が第１下面電極の下面に位置して形成され、上記他方の電極部において、第２下面電極における第１方向の端部が第１下面電極の下面に位置して形成されていることを特徴とするものとしてもよい。

また、第６には、上記第１から第５までのいずれかの構成において、上面電極の上面及び第１下面電極の下面に接続し、絶縁基板の側面に設けられた側面電極を有することを特徴とする。

また、第７には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に第１下面電極を形成する第１下面電極形成工程であって、チップ抵抗器の電極間方向に隣接する２つの領域を有するとともに、電極間方向と直角の方向である電極間直角方向にチップ抵抗器複数個分の領域を有する第１下面電極形成領域に銀系ペーストを印刷し、印刷した銀系ペーストを乾燥・焼成することにより第１下面電極を形成する第１下面電極形成工程と、基板素体の上面に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、第１下面電極に積層して、電極間直角方向にチップ抵抗器複数個分の領域を有する樹脂膜形成領域に樹脂ペーストを印刷し、印刷した樹脂ペーストを乾燥・硬化させることにより樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程であって、基板素体においてチップ抵抗器となるそれぞれの領域である個別チップ抵抗器領域における電極間方向の一方である第１方向の端部側においては、樹脂膜形成領域における第１方向の端部が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して樹脂膜を形成し、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の他方である第２方向の端部側においては、樹脂膜形成領域における第２方向の端部が、第２方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、第１下面電極及び樹脂膜に積層して、電極間直角方向にチップ抵抗器複数個分の領域を有する第２下面電極形成領域に樹脂銀系ペーストを印刷して、印刷した樹脂銀系ペーストを乾燥・硬化させることにより第２下面電極を形成する第２下面電極形成工程であって、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の一方である第１方向の端部側においては、第２下面電極形成領域における第１方向の端部が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して第２下面電極を形成し、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の他方である第２方向の端部側においては、第２下面電極形成領域における第２方向の端部が、第２方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して第２下面電極を形成する第２下面電極形成工程と、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域間の境界位置を介して基板素体を分割して短冊状基板を形成する一次分割工程と、を有することを特徴とする。

第７の構成のチップ抵抗器の製造方法においては、樹脂膜形成工程と第２下面電極形成工程において、樹脂膜や第２下面電極が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域間の境界位置と電極間方向に間隔を介して形成されるので、一次分割工程において、樹脂膜や第２下面電極にバリが形成されない。

また、製造されたチップ抵抗器においては、樹脂膜が設けられていて、チップ抵抗器の配線基板への実装状態において、樹脂膜が絶縁基板とハンダフィレット間に配置され、さらに、第２下面電極が絶縁基板とハンダフィレット間に配置され、第２下面電極には樹脂が含まれていることにより柔軟性があるので、樹脂膜と第２下面電極によって熱応力を緩和することができる。

なお、上記第７の構成において、形成部材形成工程を「第１下面電極形成工程の後に行なう形成部材形成工程であって、基板素体の上面に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程」としてもよい。

また、上記第７の構成において、樹脂膜形成工程において、個別チップ抵抗器領域における第１方向の端部側においては、樹脂膜における第２方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第２方向の端部が樹脂膜により被覆して形成され、個別チップ抵抗器領域における第２方向の端部側においては、樹脂膜における第１方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第１方向の端部が樹脂膜により被覆して形成されることを特徴とするものとしてもよい。

また、上記第７の構成において、第２下面電極形成工程において、個別チップ抵抗器領域における第１方向の端部側においては、樹脂膜の第２方向の端部が外部に露出するように、第２下面電極の第２方向の端部が樹脂膜の下面に位置するように第２下面電極を形成し、個別チップ抵抗器領域における第２方向の端部側においては、樹脂膜の第１方向の端部が外部に露出するように、第２下面電極の第１方向の端部が樹脂膜の下面に位置するように第２下面電極を形成することを特徴とするものとしてもよい。

また、第８には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に第１下面電極を形成する第１下面電極形成工程であって、チップ抵抗器の電極間方向に隣接する２つの領域を有するとともに、電極間方向と直角の方向である電極間直角方向にチップ抵抗器複数個分の領域を有する第１下面電極形成領域に銀系ペーストを印刷し、印刷した銀系ペーストを乾燥・焼成することにより第１下面電極を形成する第１下面電極形成工程と、基板素体の上面に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、第１下面電極に積層して、電極間直角方向にチップ抵抗器複数個分の領域を有する第２下面電極形成領域に樹脂銀系ペーストを印刷して、印刷した樹脂銀系ペーストを乾燥・硬化させることにより第２下面電極を形成する第２下面電極形成工程であって、基板素体においてチップ抵抗器となるそれぞれの領域である個別チップ抵抗器領域における電極間方向の一方である第１方向の端部側においては、第２下面電極形成領域における第１方向の端部が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して第２下面電極を形成し、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の他方である第２方向の端部側においては、第２下面電極形成領域における第２方向の端部が、第２方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して第２下面電極を形成する第２下面電極形成工程と、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域間の境界位置を介して基板素体を分割して短冊状基板を形成する一次分割工程と、を有することを特徴とする。

第８の構成のチップ抵抗器の製造方法においては、第２下面電極形成工程において、第２下面電極が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域間の境界位置と電極間方向に間隔を介して形成されるので、一次分割工程において、第２下面電極にバリが形成されない。

また、製造されたチップ抵抗器においては、樹脂銀厚膜により形成された第２下面電極が設けられていて、チップ抵抗器の配線基板への実装状態において、第２下面電極が絶縁基板とハンダフィレット間に配置されるので、この第２下面電極によって熱応力を緩和することができる。

なお、上記第８の構成において、形成部材形成工程を「第１下面電極形成工程の後に行なう形成部材形成工程であって、基板素体の上面に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程」としてもよい。

なお、上記第７又は第８の構成において、短冊状基板に対して樹脂銀系ペーストを印刷・乾燥・硬化させることにより、上面電極の上面及び第１下面電極の下面に接続し、絶縁基板の側面に設けられた側面電極を断面略コ字状に形成する側面電極形成工程と、短冊状基板を電極間方向の境界位置に沿って分割してチップ状基板を形成する二次分割工程と、側面電極と上面電極と第１下面電極と第２下面電極における外部に露出した領域にメッキを形成するメッキ形成工程と、を有することを特徴とするものとしてもよい。

本発明に基づく請求項１〜４に記載のチップ抵抗器によれば、樹脂膜と第２下面電極は絶縁基板の端部とは間隔を介して形成されているので、チップ抵抗器の製造に際して、樹脂膜や第２下面電極にバリが形成されない。

また、請求項５に記載のチップ抵抗器によれば、第２下面電極は絶縁基板の端部とは間隔を介して形成されているので、チップ抵抗器の製造に際して、第２下面電極にバリが形成されない。

また、請求項７に記載のチップ抵抗器の製造方法によれば、樹脂膜形成工程と第２下面電極形成工程において、樹脂膜や第２下面電極が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域間の境界位置と電極間方向に間隔を介して形成されるので、一次分割工程において、樹脂膜や第２下面電極にバリが形成されない。

また、請求項８に記載のチップ抵抗器の製造方法によれば、第２下面電極形成工程において、第２下面電極が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域間の境界位置と電極間方向に間隔を介して形成されるので、一次分割工程において、第２下面電極にバリが形成されない。

実施例１のチップ抵抗器の断面図であり、図２におけるＰ−Ｐ断面図である。 実施例１のチップ抵抗器の平面図である。 実施例１のチップ抵抗器の底面図である。 実施例１のチップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。 実施例１のチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。 実施例１のチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。 実施例１のチップ抵抗器を配線基板に実装した状態を示す断面図である。 実施例２のチップ抵抗器の要部断面図である。 実施例３のチップ抵抗器の要部断面図である。 従来におけるチップ抵抗器の構成を示す断面図である 従来におけるチップ抵抗器を配線基板に実装した状態を示す断面図である。

本発明においては、絶縁基板の下面側に熱応力を緩和するために樹脂による熱応力緩和層を設けたチップ抵抗器において、一次分割した際に該熱応力緩和層のバリの発生を防止することができるチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。

本発明に基づくチップ抵抗器Ａは、図１〜図３に示すように構成され、絶縁基板（基板）１０と、抵抗体２０と、一対の電極部３０と、カバーコート（一次コート）７０と、保護膜（二次コート）８０と、を有している。

ここで、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器Ａの基礎部材、すなわち、基体として用いられている。なお、絶縁基板１０の大きさは、平面視において、長辺が１．０ｍｍ〜７．０ｍｍ、短辺が０．５ｍｍ〜３．５ｍｍとなっていて、具体的には、長辺が１．６ｍｍで短辺が０．８ｍｍ、長辺が３．２ｍｍで短辺が１．６ｍｍ、長辺が５．０ｍｍで短辺が２．５ｍｍ、長辺が２．０ｍｍで短辺が１．２５ｍｍの場合が挙げられる。

また、抵抗体２０は、図１に示すように、絶縁基板１０の上面に層状に設けられ、長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）（電極間方向（抵抗体２０における一対の上面電極３２との接続位置を結ぶ方向、他においても同じ）、通電方向としてもよい））に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。この抵抗体２０の電極間方向の端部は絶縁基板１０の端部までは形成されておらず、抵抗体２０の電極間方向の端部と絶縁基板１０の電極間方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。また、抵抗体２０の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の端部は絶縁基板１０の端部までは形成されておらず、抵抗体２０の幅方向の端部と絶縁基板１０の幅方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。この抵抗体２０は、図１に示すように、全体に方形状（具体的には、長方形状）を呈し、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜により形成されている。

また、電極部３０は、絶縁基板１０における電極間方向の端部にそれぞれ設けられ、上面電極３２と、下面電極（第１下面電極）４０と、樹脂膜４２と、下面電極（第２下面電極）４４と、側面電極５０と、メッキ６０とを有している。

上面電極３２は、絶縁基板１０の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に層状に一対形成されていて、平面視において略方形状を呈している。つまり、一方の上面電極３２は、絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の上面電極３２は、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。また、上面電極３２の幅方向の幅は、抵抗体２０の幅方向の幅よりも大きく、絶縁基板１０の幅方向の幅よりも小さく形成され、上面電極３２と絶縁基板１０の端部には隙間が形成されているが、絶縁基板１０の幅方向の幅と略同一に形成してもよい。この上面電極３２は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

また、上面電極３２の抵抗体２０側の端部領域は、抵抗体２０の端部領域の上面に積層して形成されている。つまり、上面電極３２における外側の領域（絶縁基板１０の端部（電極間方向の端部）側の領域）は、絶縁基板１０の上面に形成されているが、内側の領域は、抵抗体２０の上面に積層して形成されている。なお、抵抗体２０の端部領域が上面電極３２の端部領域の上面に積層した構成としてもよい。

また、下面電極４０は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向の両端部領域に層状に一対形成されていて、底面視において略方形状を呈している。つまり、一方の下面電極４０は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の下面電極４０は、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。この下面電極４０の長さ（電極間方向の長さ）は、上面電極３２の長さと略同一であるが、下面電極４０の長さは任意としてもよい。また、下面電極４０の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。つまり、下面電極４０は、絶縁基板１０の幅方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されている。この下面電極４０は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

また、樹脂膜４２は、下面電極４０の下面から絶縁基板１０の下面にかけて積層して形成され（つまり、下面電極４０の下面と絶縁基板１０の下面に形成されている）、樹脂膜４２の外側（電極間方向における外側）の端部は下面電極４０の下面に位置し、樹脂膜４２の外側の端部と絶縁基板１０の端部とは間隔が形成され、樹脂膜４２の内側の端部は、絶縁基板１０の下面に位置している。すなわち、Ｘ１側の樹脂膜４２においては、樹脂膜４２の外側の端部は、Ｘ１側の下面電極４０の下面に位置し、樹脂膜４２の外側の端部と絶縁基板１０のＸ１側の端部間には、間隔ａ１が形成され（つまり、樹脂膜４２のＸ１側（第１方向）の端部が、絶縁基板１０のＸ１側の端部と間隔を介して形成されている）、樹脂膜４２の内側の端部は、絶縁基板１０の下面に接している。また、Ｘ２側の樹脂膜４２においては、樹脂膜４２の外側の端部は、Ｘ２側の下面電極４０の下面に位置し、樹脂膜４２の外側の端部と絶縁基板１０のＸ２側の端部間には、間隔ａ２が形成され（つまり、樹脂膜４２のＸ２側（第２方向）の端部が、絶縁基板１０のＸ２側の端部と間隔を介して形成されている）、樹脂膜４２の内側の端部は、絶縁基板１０の下面に接している。

また、樹脂膜４２の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。つまり、樹脂膜４２は、絶縁基板１０の幅方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されている。これにより、下面電極４０の内側の端部は、樹脂膜４２に被覆されて露出しない構成となっている。

また、樹脂膜４２は、熱硬化型の樹脂系厚膜（例えば、エポキシ樹脂系厚膜）により形成されている。なお、樹脂膜４２は、エポキシ樹脂に限らず、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂における少なくともいずれか等の他の樹脂であってもよい。

また、下面電極４４は、下面電極４０の下面から樹脂膜４２の下面にかけて積層して形成され（つまり、下面電極４０の下面と樹脂膜４２の下面とに接して形成されている）、下面電極４４の外側（電極間方向における外側）の端部は下面電極４０の下面に接し、下面電極４４の外側の端部と絶縁基板１０の端部とは間隔が形成され、下面電極４４の内側の端部は、樹脂膜４２の下面に位置している。なお、下面電極４４の内側の端部は絶縁基板１０の下面には接しておらず、これにより、樹脂膜４２の内側の端部は外部に露出した状態となっている。すなわち、Ｘ１側の下面電極４４においては、下面電極４４の外側の端部は、Ｘ１側の下面電極４０の下面に位置し、下面電極４４の外側の端部と絶縁基板１０のＸ１側の端部間には、間隔ｂ１が形成され（つまり、下面電極４４のＸ１側（第１方向）の端部が、絶縁基板１０のＸ１側の端部と間隔を介して形成されている）、下面電極４４の内側の端部は、樹脂膜４２の下面に位置している。また、Ｘ２側の下面電極４４においては、下面電極４４の外側の端部は、Ｘ２側の下面電極４０の下面に位置し、下面電極４４の外側の端部と絶縁基板１０のＸ２側の端部間には、間隔ｂ２が形成され（つまり、下面電極４４のＸ２側（第２方向）の端部が、絶縁基板１０のＸ２側の端部と間隔を介して形成されている）、下面電極４４の内側の端部は、樹脂膜４２の下面に位置している。

また、下面電極４４の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。つまり、下面電極４４は、絶縁基板１０の幅方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されている。

なお、下面電極４４は樹脂膜４２の内側の端部を被覆しておらず、樹脂膜４２の表面にはメッキ６０が形成されないので、樹脂膜４２の内側の端部は、外部に露出した構成となっている。また、樹脂膜４２の内側の端部を除く領域は、下面電極４４により被覆されている。

この下面電極４４は、樹脂銀系厚膜により形成され、略均一の厚膜に形成されている。この下面電極４４は、樹脂と銀粉末とを含む樹脂銀系厚膜であり、具体的には、エポキシ樹脂と銀粉末とを均一に混練してなる下面電極用ペーストにより構成された熱硬化型の樹脂・銀系厚膜である。ここで、下面電極４４全体における樹脂と銀との比率は、例えば、重量比で、樹脂が１０〜２５％（好適には、１４〜１６％）で、銀粉末が７５〜９０％（好適には８４〜８６％）であり、容積比では、樹脂が５５〜６５％で、銀粉末が３５〜４５％となっている。なお、下面電極４４を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂には限られず、フェノール樹脂でもよく、また、エポキシ樹脂とフェノール樹脂とを混合したもの等他の樹脂であってもよい。

また、側面電極５０は、上面電極３２の一部と、下面電極４０の一部と、絶縁基板１０の側面（つまり、Ｘ１側の側面と、Ｘ２側の側面）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極５０は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極５０は、樹脂銀系厚膜により形成され、略均一の厚膜に形成されている。

この側面電極５０は、樹脂と銀粉末とを含む樹脂銀系厚膜であり、具体的には、エポキシ樹脂と銀粉末とを均一に混練してなる側面電極用ペーストにより構成された熱硬化型の樹脂・銀系厚膜である。ここで、側面電極５０全体における樹脂と銀との比率は、重量比で、樹脂が１０〜２５％（好適には、１４〜１６％）で、銀粉末が７５〜９０％（好適には８４〜８６％）であり、容積比では、樹脂が５５〜６５％で、銀粉末が３５〜４５％となっている。なお、側面電極５０を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂には限られず、フェノール樹脂でもよく、また、エポキシ樹脂とフェノール樹脂とを混合したもの等他の樹脂であってもよい。

なお、図１においては、側面電極５０は、下面電極４４には接しない構成となっているが、側面電極５０が下面電極４４に接する構成としてもよい。

また、メッキ６０は、側面電極５０の外側（つまり、露出した領域）の面と、上面電極３２の露出領域と、下面電極４０の露出領域と、下面電極４４の外側（つまり、露出した領域）の面とに形成され、側面電極５０と、上面電極３２の一部と、下面電極４０の一部と、下面電極４４とを被覆して形成されている。

つまり、側面電極５０の外側の面と、上面電極３２の露出領域と、下面電極４０の露出領域と、下面電極４４の外側の面とに形成されたニッケルメッキ（Ｎｉメッキ）６２と、ニッケルメッキ６２の外側にニッケルメッキ６２を被覆して形成された錫メッキ（Ｓｎメッキ）６４とから構成されていて、Ｘ１側の端部領域とＸ２側の端部領域にそれぞれ設けられている。つまり、チップ抵抗器の電極部の表面にメッキ６０が設けられていて、内側層がニッケルメッキで、外側層が錫メッキとなっている。ニッケルメッキ６２と錫メッキ６４とは、それぞれ略均一の厚膜に形成されている。ニッケルメッキ６２と錫メッキ６４は、例えば、電気メッキにより形成される。なお、絶縁基板１０の下面側においては、側面電極５０の下面から下面電極４４の下面にかけてメッキ６０が形成されているが、樹脂膜４２の外側の面（表面）には、メッキ６０は形成されていない。なお、錫メッキ６４の代わりに、ハンダメッキとしてもよい。

また、カバーコート７０は、抵抗体２０の上面に層状に形成され、抵抗体２０へのトリミング時の熱衝撃を緩和するために形成される。このカバーコート７０は、電極間方向には、トリミング溝形成位置の領域を被覆するとともに上面電極３２に接して形成し、これにより、抵抗体２０は、上面電極３２とカバーコート７０により被覆される。また、カバーコート７０の幅方向の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成する。このカバーコート７０は、ガラス系材料により形成され、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成される。なお、抵抗体２０とカバーコート７０には、トリミング溝９０が形成されている。

また、保護膜８０は、カバーコート７０と、上面電極３２の一部を被覆するように設けられている。この保護膜８０の形成位置をさらに詳しく説明すると、幅方向には、絶縁基板１０の幅と略同一に形成され、さらに、電極間方向には、抵抗体２０の長さと略同一に形成され、保護膜８０の電極間方向の端部位置は、抵抗体２０の電極間方向の端部位置と水平方向において略同一の位置となっている。この保護膜８０は、エポキシ樹脂系厚膜により形成されている。以上のように、保護膜８０は、主として、抵抗体２０を保護するものである。

上記構成のチップ抵抗器Ａの製造方法について、図４〜図６を使用して説明する。まず、上面に一次スリットと二次スリットとが形成されたアルミナ基板Ｇ１０（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものであり、平板状のグリーンシート（含有率９６％程度のアルミナを含有するグリーンシート）を予め焼成したものである）（基板素体）を用意し、アルミナ基板の下面（すなわち、裏面）に下面電極Ｇ４０を形成する（Ｓ１１、第１下面電極形成工程）（図５参照）。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成する。この銀系ペーストとしては、例えば、焼成温度が約８５０℃の銀系ペーストとする。なお、後述するステップＳ１６において保護膜８０を樹脂系ペーストにより形成する一方で、下面電極Ｇ４０の形成においては焼成を行なうことから、下面電極Ｇ４０は保護膜８０の形成後には形成できないので、予め下面電極Ｇ４０を形成しておくのである。

なお、図５に示すように、この下面電極の形成に際しては、隣接する個別チップ抵抗器領域（基板素体においてチップ抵抗器となるそれぞれの領域）（基板素体における各チップ抵抗器となる領域）について同時に下面電極Ｇ４０を形成する。つまり、Ｘ方向（このＸ方向は、電極間方向であるとともに、二次スリットの方向である）に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板の領域について、境界位置（つまり、上面側に設けられている一次スリットに対応する位置）となる位置を跨ぐように１つの印刷領域で下面電極を形成する。さらには、Ｙ方向（このＹ方向は一次スリットの方向であり、Ｘ方向とは直角の方向である）（電極間直角方向）には、帯状に連続して下面電極を形成する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に下面電極を形成し、さらに、Ｘ方向に隣接する２つの下面電極については、その２つの下面電極をまとめて形成する。この下面電極Ｇ４０は、複数分の下面電極４０であるといえ、下面電極Ｇ４０が形成される領域が第１下面電極形成領域となる。

次に、アルミナ基板の上面に抵抗体２０を形成する（Ｓ１２、抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペースト（例えば、酸化ルテニウム系ペースト（具体的には、酸化ルテニウム系メタルグレーズペースト））を印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体２０を形成する。

次に、アルミナ基板の上面に上面電極３２を形成する（Ｓ１３、上面電極形成工程）。すなわち、上面電極ペーストをその一部が抵抗体に積層するように印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズペースト）である。この銀系ペーストとしては、例えば、焼成温度が約８５０℃の銀系ペーストとする。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。

次に、トリミングによる抵抗値調整の前にカバーコート７０を形成する（Ｓ１４）。つまり、ホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷して焼成し、カバーコート７０を形成する。この場合、カバーコート７０は、電極間方向とは直角の方向であるカバーコート形成方向に帯状に形成し、該カバーコート形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度にカバーコートを形成して、チップ抵抗器複数個分のカバーコートを帯状に連続して形成してもよい。

次に、抵抗体２０にトリミング溝を形成してトリミングを行なうことにより抵抗値を調整する（Ｓ１５、抵抗体調整工程）。つまり、レーザートリミングにより抵抗体２０にトリミング溝を形成する。

次に、保護膜８０を形成する（Ｓ１６、保護膜形成工程）。つまり、カバーコート７０の全体と上面電極３２の一部（内側の領域）とを覆うように保護膜を形成する。つまり、保護膜用ペースト（エポキシ系の樹脂ペースト）を印刷し、乾燥・硬化させる。この場合、保護膜は、電極間方向とは直角の方向である保護膜形成方向に帯状に形成し、該保護膜形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度に保護膜を形成する。

上記抵抗体形成工程から保護膜形成工程までが、「チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程」に当たる。

なお、図５、図６は、アルミナ基板を下面側から見た状態を示す図であるが、縦方向の一点鎖線Ｊ１’と横方向の一点鎖線Ｊ２’とは個々のチップ抵抗器の境界位置を示し、縦方向の一点鎖線Ｊ１’は一次スリットＪ１に対応する境界位置を示し、横方向の一点鎖線Ｊ２’は二次スリットＪ２に対応する境界位置を示すものである。

次に、下面電極Ｇ４０から絶縁基板１０に至る樹脂膜Ｇ４２を形成する（Ｓ１７、樹脂膜形成工程）（図６参照）。つまり、熱硬化型の樹脂ペースト（例えば、エポキシ樹脂のペースト）を印刷し、乾燥・硬化させる。樹脂ペーストとしては、例えば、乾燥温度が約２００℃の樹脂ペーストを用いる。樹脂膜Ｇ４２が形成される領域が樹脂膜形成領域となる。

なお、図６に示すように、樹脂膜Ｇ４２の形成に際しては、一次スリットに対応する境界位置Ｊ１’側の端部（外側の端部）は、該境界位置Ｊ１’と間隔を介して形成する。つまり、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の一方である第１方向の端部側においては、樹脂膜形成領域における第１方向の端部が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して樹脂膜Ｇ４２を形成し、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の他方である第２方向の端部側においては、樹脂膜形成領域における第２方向の端部が、第２方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して樹脂膜Ｇ４２を形成する。さらに、境界位置Ｊ１’側とは反対側の端部（内側の端部）は、絶縁基板１０に接するように形成する。さらには、Ｙ方向（このＹ方向は一次スリットの方向であり、Ｘ方向とは直角の方向である）には、帯状に連続して樹脂膜Ｇ４２を形成する。つまり、Ｙ方向には複数の個別チップ抵抗器領域分まとめて一連の帯状に樹脂膜を形成する。この樹脂膜Ｇ４２は、一次スリットの方向に沿った複数分の樹脂膜４２であるといえる。

次に、下面電極Ｇ４０から樹脂膜Ｇ４２に至る下面電極Ｇ４４を形成する（Ｓ１８、第２下面電極形成工程）（図６参照）。つまり、樹脂銀ペーストを印刷し、乾燥・硬化させる。樹脂銀ペーストとしては、例えば、乾燥温度が約２００℃の樹脂銀ペーストを用いる。下面電極Ｇ４４が形成される領域が第２下面電極形成領域となる。

なお、図６に示すように、下面電極Ｇ４４の形成に際しては、境界位置Ｊ１’側の端部（外側の端部）は、下面電極Ｇ４０に接するとともに、該境界位置Ｊ１’と間隔を介するように形成する。つまり、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の一方である第１方向の端部側においては、第２下面電極形成領域における第１方向の端部が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して下面電極Ｇ４４を形成し、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の他方である第２方向の端部側においては、第２下面電極形成領域における第２方向の端部が、第２方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して下面電極Ｇ４４を形成する。さらに、境界位置Ｊ１’側と反対側の端部は樹脂膜Ｇ４２の内側の端部が露出する位置に形成する。さらには、Ｙ方向（このＹ方向は一次スリットの方向であり、Ｘ方向とは直角の方向である）には、帯状に連続して下面電極Ｇ４４を形成する。つまり、Ｙ方向には複数の個別チップ抵抗器領域分まとめて一連の帯状に下面電極を形成する。この下面電極Ｇ４４は、一次スリットの方向に沿った複数分の下面電極４４であるといえる。

次に、一次スリットに沿って一次分割して短冊状基板とし（Ｓ１９、一次分割工程）、その後、上記短冊状基板に対して、側面電極５０を形成する（Ｓ２０、側面電極形成工程）。つまり、側面電極用ペースト（樹脂銀ペースト）を短冊状基板に印刷し、乾燥・硬化させる。樹脂銀ペーストとしては、例えば、乾燥温度が約２００℃の樹脂銀ペーストを用いる。

その後、二次スリットに沿って二次分割する（Ｓ２１、二次分割工程）。次に、メッキ６０を形成する（Ｓ２２メッキ工程）。つまり、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成する。以上のようにして、チップ抵抗器Ａを形成する。

上記の製造工程によれば、樹脂膜Ｇ４２は一次スリットに対応した境界位置Ｊ１’に達しておらず該境界位置Ｊ１’と間隔を介して形成されているので、一次分割した際に、樹脂膜Ｇ４２のバリが発生せず、さらには、樹脂銀厚膜により形成された下面電極Ｇ４４も一次スリットに対応した境界位置Ｊ１’に達しておらず該境界位置Ｊ１’と間隔を介して形成されているので、一次分割した際に、下面電極Ｇ４４のバリが発生しない。

本実施例のチップ抵抗器Ａの使用状態について説明すると、通常のチップ抵抗器と同様に、配線基板（プリント基板としてもよい）に実装して使用する。配線基板への実装においては、図７に示すように、チップ抵抗器Ａは、配線基板２００上に形成されたランド２０２に下面電極４４がランド２０２側としてランド２０２に対向するようにして、ハンダフィレット２１０を介して実装される。なお、チップ抵抗器Ａをハンダフィレット２１０を介して実装した状態では、錫メッキ６４はハンダフィレット２１０と一体になるので、図７において、錫メッキ６４は描かれていない。

本実施例のチップ抵抗器Ａにおいては、樹脂膜４２が設けられていて、チップ抵抗器Ａの配線基板への実装状態において、樹脂膜４２が絶縁基板１０とハンダフィレット２１０間に配置されるので、この樹脂膜４２によって熱応力を緩和することができる。なお、熱応力の発生原因としては、チップ抵抗器周辺の温度環境が変化することや、チップ抵抗器への通電が繰り返されることが挙げられる。

さらに、チップ抵抗器Ａの配線基板への実装状態において、下面電極４４が絶縁基板１０とハンダフィレット２１０間に配置され、下面電極４４には樹脂が含まれていることにより柔軟性があるので、樹脂膜４２と下面電極４４とが積層していることによる相乗効果により、熱応力を緩和することができる。

また、樹脂膜４２と下面電極４４は絶縁基板１０の端部とは間隔を介して形成されているので、チップ抵抗器の製造に際して、樹脂膜４２や下面電極４４にバリが形成されず、これにより側面電極５０を正確に形成することができ、側面電極５０と下面電極４０の電気的接続が阻害されることがない。また、樹脂膜４２や下面電極４４にバリが形成されないので、チップ抵抗器の側面に突起が形成されてしまうことがない。

さらには、樹脂膜４２の内側の端部は下面電極４４に被覆されておらず、これにより樹脂膜４２の内側の端部にはメッキ６０が形成されずに、樹脂膜４２の内側の端部は外部に露出しているので、樹脂膜４２は熱変化により伸縮しやすい構造となっていて、その点でも熱応力を緩和することができる。つまり、仮に、樹脂膜４２の全てが下面電極４４に被覆されていて、樹脂膜４２の内側の端部も下面電極４４に被覆されている構造の場合には、下面電極４４の表面にメッキが形成されてしまうので、図１〜図３に示す構造（つまり、樹脂膜４２の内側の端部が外部に露出している構造）に比べると、樹脂膜４２が熱変化により伸縮しにくいが、樹脂膜４２の内側の端部が外部に露出した構造とすることにより、より熱応力を緩和することができる。

また、樹脂膜４２の内側の端部は絶縁基板１０に接して形成され、下面電極４０は樹脂膜４２に被覆されて露出していないので、下面電極４０において、内側の端部のみにメッキが形成されてしまって、メッキ領域が不連続となることがない。つまり、樹脂膜４２の内側の端部が絶縁基板１０に接しておらず、下面電極４０の内側の端部が露出している場合には、下面電極４０の内側の端部の箇所にもメッキが形成され、下面電極４４のメッキと不連続になってしまうが、本実施例の場合には、そのようにメッキ領域が不連続となることがない。

次に、実施例２のチップ抵抗器について図８を使用して説明する。図８に示すチップ抵抗器Ｂ１、Ｂ２は、チップ抵抗器Ａにおいて、樹脂膜４２の内側の領域が外部に露出しているのに対して、樹脂膜４２の内側の領域が下面電極４４により被覆されている点が異なる。

すなわち、図８（ａ）に示すチップ抵抗器Ｂ１においては、下面電極４４は、下面電極４０の下面から絶縁基板１０の下面にかけて形成され（つまり、下面電極４０の下面と樹脂膜４２の下面と絶縁基板１０の下面に形成されている）、下面電極４４の外側（電極間方向における外側）の端部は下面電極４０の下面に接し、下面電極４４の外側の端部と絶縁基板１０の端部とは間隔が形成され、下面電極４４の内側の端部は、絶縁基板１０の下面に位置している。

また、下面電極４４の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。つまり、下面電極４４は、絶縁基板１０の幅方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されている。

なお、メッキ６０は、下面電極４４の表面に形成されているので、メッキ６０の下面電極側の端部は、絶縁基板１０の下面に接している。

チップ抵抗器Ｂ１の上記以外の構成は、実施例１のチップ抵抗器Ａと同様であるので、詳しい説明を省略する。

また、チップ抵抗器Ｂ１の製造方法についても、下面電極Ｇ４４を帯状に形成する際に下面電極Ｇ４４の内側の端部が絶縁基板１０に接するように形成する以外はチップ抵抗器Ａの場合と同様であるの詳しい説明を省略する。また、チップ抵抗器Ｂ１の使用状態についても、チップ抵抗器Ａと同様に、図７に示すように配線基板に実装する。

次に、図８（ｂ）に示すチップ抵抗器Ｂ２は、チップ抵抗器Ｂ１と略同一の構成であるが、樹脂膜４２の内側の端部が絶縁基板１０の下面にまで達しておらず、樹脂膜４２の内側の端部が下面電極４０の下面に位置している点が異なる。つまり、樹脂膜４２は、その上側には下面電極４０の下面のみに接して形成され、下面電極４４は、下面電極４０の下面と樹脂膜４２の下面と下面電極４０の内側の端部と絶縁基板１０の下面とに接して形成されている。チップ抵抗器Ｂ２の上記以外の構成は、チップ抵抗器Ｂ１と同様であるので、詳しい説明を省略する。

また、チップ抵抗器Ｂ２の製造方法についても、樹脂膜Ｇ４２を帯状に形成する際に樹脂膜Ｇ４２の内側の端部が下面電極Ｇ４０の下面に位置し、下面電極Ｇ４４を帯状に形成する際に下面電極Ｇ４４の内側の端部が絶縁基板１０に接するように形成する以外はチップ抵抗器Ａの場合と同様であるの詳しい説明を省略する。また、チップ抵抗器Ｂ２の使用状態についても、チップ抵抗器Ａと同様に、図７に示すように配線基板に実装する。

チップ抵抗器Ｂ１、Ｂ２においては、樹脂膜４２が設けられていて、チップ抵抗器Ｂ１、Ｂ２の配線基板への実装状態において、樹脂膜４２が絶縁基板１０とハンダフィレット間に配置されるので、この樹脂膜４２によって熱応力を緩和することができる。さらに、チップ抵抗器Ｂ１、Ｂ２の配線基板への実装状態において、下面電極４４が絶縁基板１０とハンダフィレット間に配置され、下面電極４４には樹脂が含まれていることにより柔軟性があるので、樹脂膜４２と下面電極４４とが積層していることによる相乗効果により、熱応力を緩和することができる。

また、樹脂膜４２と下面電極４４は絶縁基板１０の端部とは間隔を介して形成されているので、一次分割により樹脂膜４２や下面電極４４にバリが形成されず、これにより側面電極５０を正確に形成することができ、側面電極５０と下面電極４０の電気的接続が阻害されることがない。また、樹脂膜４２や下面電極４４にバリが形成されないので、チップ抵抗器の側面に突起が形成されてしまうことがない。

また、樹脂膜４２の内側の端部は絶縁基板１０に接して形成され、下面電極４０は樹脂膜４２に被覆されて露出していないので、下面電極４０において、内側の端部のみにメッキが形成されてしまって、メッキ領域が不連続となることがない。

次に、実施例３のチップ抵抗器について図９を使用して説明する。図９に示すチップ抵抗器Ｃ１、Ｃ２は、チップ抵抗器Ａ、Ｂ１、Ｂ２において、下面電極４０と樹脂膜４２と下面電極４４とが設けられているのに対して、樹脂膜４２が設けられていない点が異なる。

すなわち、図９（ａ）に示すチップ抵抗器Ｃ１においては、下面電極４４は、下面電極４０の下面から絶縁基板１０の下面にかけて形成され（つまり、下面電極４０の下面と絶縁基板１０の下面とに接して形成されている）、下面電極４４の外側（電極間方向における外側）の端部は下面電極４０の下面に接し、下面電極４４の外側の端部と絶縁基板１０の端部とは間隔が形成され（つまり、一対の電極部３０における一方の電極部で、絶縁基板１０の電極間方向の一方であるＸ１側（第１方向）の端部側に設けられた電極部３０において、下面電極４４におけるＸ１側の端部が、絶縁基板１０のＸ１側の端部と電極間方向に間隔を介して形成され、一対の電極部における他方の電極部で、絶縁基板の電極間方向の他方であるＸ２側（第２方向）の端部側に設けられた電極部において、下面電極（Ｘ１側の下面電極４４と左右対象位置の下面電極）におけるＸ２側の端部が、絶縁基板１０のＸ２側の端部と電極間方向に間隔を介して形成されている）、下面電極４４の内側の端部は、絶縁基板１０の下面に位置している。これにより、下面電極４０の内側の端部は、下面電極４４に被覆されている。下面電極４４の厚みは、下面電極４０の厚みよりも大きく形成され、下面電極４０の厚みの略２倍の厚みに形成されている。

また、下面電極４４の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。つまり、下面電極４４は、絶縁基板１０の幅方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されている。

下面電極４４は、チップ抵抗器Ａ、Ｂ１、Ｂ２における下面電極４４と同様に、樹脂銀厚膜により形成されている。すなわち、下面電極４４は、樹脂と銀粉末とを含む樹脂銀系厚膜であり、具体的には、エポキシ樹脂と銀粉末とを均一に混練してなる下面電極用ペーストにより構成された熱硬化型の樹脂・銀系厚膜である。

なお、メッキ６０は、下面電極４４の表面に形成されているので、メッキ６０の下面電極側の端部は、絶縁基板１０の下面に接している。

チップ抵抗器Ｃ１においては、下面電極４０と下面電極４４の間には樹脂膜は設けられておらず、樹脂が含まれている下面電極４４が応力緩和層として機能する。

チップ抵抗器Ｃ１の上記以外の構成は、実施例１のチップ抵抗器Ａと同様であるので、詳しい説明を省略する。

また、チップ抵抗器Ｃ１の製造方法についても、樹脂膜を形成せず、また、下面電極Ｇ４４を帯状に形成する際に下面電極Ｇ４４の内側の端部が絶縁基板１０に接するように形成する以外はチップ抵抗器Ａの場合と同様であるの詳しい説明を省略する。また、チップ抵抗器Ｃ１の使用状態についても、チップ抵抗器Ａと同様に、図７に示すように配線基板に実装する。

また、図９（ｂ）に示すチップ抵抗器Ｃ２は、チップ抵抗器Ｃ１と略同一の構成であるが、下面電極４４の内側の端部が絶縁基板１０の下面にまで達しておらず（つまり、下面電極４４は、上側には下面電極４０の下面にのみ接して形成されている）、下面電極４４の内側の端部が下面電極４０の下面に位置している点が異なる。これにより、メッキ６０は、下面電極４０の内側の端部にも形成されている。

チップ抵抗器Ｃ２の上記以外の構成は、チップ抵抗器Ｃ１と同様であるので、詳しい説明を省略する。

また、チップ抵抗器Ｃ２の製造方法についても、樹脂膜を形成せず、また、下面電極Ｇ４４を帯状に形成する際に下面電極Ｇ４４の内側の端部が下面電極Ｇ４０の下面に位置するように形成する以外はチップ抵抗器Ａの場合と同様であるの詳しい説明を省略する。また、チップ抵抗器Ｃ２の使用状態についても、チップ抵抗器Ａと同様に、図７に示すように配線基板に実装する。

チップ抵抗器Ｃ１、Ｃ２においては、樹脂銀厚膜により形成された下面電極４４が設けられていて、チップ抵抗器Ｃ１、Ｃ２の配線基板への実装状態において、下面電極４４が絶縁基板１０とハンダフィレット間に配置されるので、この下面電極４４によって熱応力を緩和することができる。

また、下面電極４４は絶縁基板１０の端部とは間隔を介して形成されているので、一次分割により下面電極４４にバリが形成されず、これにより側面電極５０を正確に形成することができ、側面電極５０と下面電極４０の電気的接続が阻害されることがない。また、下面電極４４にバリが形成されないので、チップ抵抗器の側面に突起が形成されてしまうことがない。

なお、図８及び図９においては、チップ抵抗器の電極間方向における一方の略半分の構成のみ表しているが、他方の略半分の構成は当然該一方の略半分の構成に対して左右対称に表れる。

また、図面において、Ｙ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に直角な方向であり、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。

Ａ、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２ チップ抵抗器
１０ 絶縁基板
２０ 抵抗体
３０ 電極部
３２ 上面電極
４０、４４ 下面電極
４２ 樹脂膜
５０ 側面電極
６０ メッキ
６２ ニッケルメッキ
６４ 錫メッキ
７０ カバーコート
８０ 保護膜

Claims (8)

1. 絶縁基板と、該絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられ抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、
   一対の電極部における各電極部が、
   抵抗体と接続し、絶縁基板の上面に設けられた上面電極と、
   絶縁基板の下面に設けられ、銀系厚膜により形成された第１下面電極と、
   第１下面電極の下面に形成され、樹脂系厚膜により形成された樹脂膜と、
   第１下面電極の下面から樹脂膜の下面に形成され、樹脂銀系厚膜により形成された第２下面電極と、
   を有し、
   一対の電極部における一方の電極部で、絶縁基板の電極間方向の一方である第１方向の端部側に設けられた電極部において、樹脂膜における第１方向の端部が、絶縁基板の第１方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成され、第２下面電極における第１方向の端部が、絶縁基板の第１方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成され、
   一対の電極部における他方の電極部で、絶縁基板の電極間方向の他方である第２方向の端部側に設けられた電極部において、樹脂膜における第２方向の端部が、絶縁基板の第２方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成され、第２下面電極における第２方向の端部が、絶縁基板の第２方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
2. 上記一方の電極部において、樹脂膜における第２方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第２方向の端部が樹脂膜により被覆して形成され、第２下面電極の第２方向の端部が樹脂膜の下面に位置することにより、樹脂膜の第２方向の端部が外部に露出して形成され、
   上記他方の電極部において、樹脂膜における第１方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第１方向の端部が樹脂膜により被覆して形成され、第２下面電極の第１方向の端部が樹脂膜の下面に位置することにより、樹脂膜の第１方向の端部が外部に露出して形成されていることを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 上記一方の電極部において、樹脂膜における第２方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第２方向の端部が樹脂膜により被覆して形成され、第２下面電極の第２方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、樹脂膜が第２下面電極により被覆して形成され、
   上記他方の電極部において、樹脂膜における第１方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、第１下面電極の第１方向の端部が樹脂膜により被覆して形成され、第２下面電極の第１方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、樹脂膜が第２下面電極により被覆して形成されていることを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
4. 上記一方の電極部において、樹脂膜における第２方向の端部が第１下面電極の下面に位置して形成され、第２下面電極の第２方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、樹脂膜が第２下面電極により被覆されるとともに、第１下面電極の第２方向の端部が第２下面電極により被覆して形成され、
   上記他方の電極部において、樹脂膜における第１方向の端部が第１下面電極の下面に位置して形成され、第２下面電極の第１方向の端部が絶縁基板の下面に接して形成されることにより、樹脂膜が第２下面電極により被覆されるとともに、第１下面電極の第１方向の端部が第２下面電極により被覆して形成されていることを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
5. 絶縁基板と、該絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられ抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、
   一対の電極部における各電極部が、
   抵抗体と接続し、絶縁基板の上面に設けられた上面電極と、
   絶縁基板の下面に設けられ、銀系厚膜により形成された第１下面電極と、
   第１下面電極の下面に形成され、樹脂銀系厚膜により形成された第２下面電極と、
   を有し、
   一対の電極部における一方の電極部で、絶縁基板の電極間方向の一方である第１方向の端部側に設けられた電極部において、第２下面電極における第１方向の端部が、絶縁基板の第１方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成され、
   一対の電極部における他方の電極部で、絶縁基板の電極間方向の他方である第２方向の端部側に設けられた電極部において、第２下面電極における第２方向の端部が、絶縁基板の第２方向の端部と電極間方向に間隔を介して形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
6. 上面電極の上面及び第１下面電極の下面に接続し、絶縁基板の側面に設けられた側面電極を有することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５に記載のチップ抵抗器。
7. チップ抵抗器の製造方法であって、
   チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に第１下面電極を形成する第１下面電極形成工程であって、チップ抵抗器の電極間方向に隣接する２つの領域を有するとともに、電極間方向と直角の方向である電極間直角方向にチップ抵抗器複数個分の領域を有する第１下面電極形成領域に銀系ペーストを印刷し、印刷した銀系ペーストを乾燥・焼成することにより第１下面電極を形成する第１下面電極形成工程と、
   基板素体の上面に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、
   第１下面電極に積層して、電極間直角方向にチップ抵抗器複数個分の領域を有する樹脂膜形成領域に樹脂ペーストを印刷し、印刷した樹脂ペーストを乾燥・硬化させることにより樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程であって、基板素体においてチップ抵抗器となるそれぞれの領域である個別チップ抵抗器領域における電極間方向の一方である第１方向の端部側においては、樹脂膜形成領域における第１方向の端部が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して樹脂膜を形成し、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の他方である第２方向の端部側においては、樹脂膜形成領域における第２方向の端部が、第２方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、
   第１下面電極及び樹脂膜に積層して、電極間直角方向にチップ抵抗器複数個分の領域を有する第２下面電極形成領域に樹脂銀系ペーストを印刷して、印刷した樹脂銀系ペーストを乾燥・硬化させることにより第２下面電極を形成する第２下面電極形成工程であって、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の一方である第１方向の端部側においては、第２下面電極形成領域における第１方向の端部が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して第２下面電極を形成し、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の他方である第２方向の端部側においては、第２下面電極形成領域における第２方向の端部が、第２方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して第２下面電極を形成する第２下面電極形成工程と、
   第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域間の境界位置を介して基板素体を分割して短冊状基板を形成する一次分割工程と、
   を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
8. チップ抵抗器の製造方法であって、
   チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に第１下面電極を形成する第１下面電極形成工程であって、チップ抵抗器の電極間方向に隣接する２つの領域を有するとともに、電極間方向と直角の方向である電極間直角方向にチップ抵抗器複数個分の領域を有する第１下面電極形成領域に銀系ペーストを印刷し、印刷した銀系ペーストを乾燥・焼成することにより第１下面電極を形成する第１下面電極形成工程と、
   基板素体の上面に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、
   第１下面電極に積層して、電極間直角方向にチップ抵抗器複数個分の領域を有する第２下面電極形成領域に樹脂銀系ペーストを印刷して、印刷した樹脂銀系ペーストを乾燥・硬化させることにより第２下面電極を形成する第２下面電極形成工程であって、基板素体においてチップ抵抗器となるそれぞれの領域である個別チップ抵抗器領域における電極間方向の一方である第１方向の端部側においては、第２下面電極形成領域における第１方向の端部が、第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して第２下面電極を形成し、個別チップ抵抗器領域における電極間方向の他方である第２方向の端部側においては、第２下面電極形成領域における第２方向の端部が、第２方向に隣接する個別チップ抵抗器領域との間の境界位置と電極間方向に間隔を介して第２下面電極を形成する第２下面電極形成工程と、
   第１方向に隣接する個別チップ抵抗器領域間の境界位置を介して基板素体を分割して短冊状基板を形成する一次分割工程と、
   を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。

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