JP4729398B2 - チップ抵抗器 - Google Patents

Description

本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、低抵抗のチップ抵抗器に関するものである。

従来のチップ抵抗器においては、一対の上面電極間に抵抗体が接続されているものが一般的である。従来のチップ抵抗器の一例を示すと、図８に示すように構成されている。すなわち、チップ抵抗器Ｂ１は、絶縁基板１１０と、抵抗体１１２と、上面電極１１６と、一次コート１１４と、保護膜（二次コート）１１８と、下面電極１２０と、側面電極１２２と、メッキ１２４とを有している。メッキ１２４は、内側から順に銅（Ｃｕ）メッキ１２６と、ニッケル（Ｎｉ）メッキ１２８と、錫（Ｓｎ）メッキ１３０とから構成されている。そして、上面電極１１６と側面電極１２２とメッキ１２４とで電極部１４０が構成される。

チップ抵抗器Ｂ１全体の抵抗値やＴＣＲ（抵抗温度特性）は、抵抗体１１２のみならず電極部１４０の抵抗値も影響し、抵抗体の抵抗値が電極部の抵抗値と比べて十分高い場合には、チップ抵抗器Ｂ１全体の抵抗値やＴＣＲとしては、電極部の存在を無視できるが、抵抗体の抵抗値が低い場合には、抵抗体以外の構成、すなわち、電極部の抵抗値やＴＣＲが問題となる。

なお、出願人が出願時に知得している先行技術文献として特許文献１や特許文献２が存在する。
特開２０００−１０６３０２号公報 特開２００１−３５１８０９号公報

ここで、抵抗体１１２は、ＴＣＲが低いものが種々開発されているので、低抵抗値の抵抗体においてＴＣＲを低くすることができる。よって、図８において、抵抗体１１２における上面電極１１６との接続部分を除いた部分（つまり、抵抗体１１２の有効長部分）Ｒ１については、ＴＣＲを低くすることができる。

一方、上面電極１１６は、抵抗値は低いがＴＣＲは高いのが一般的であり、例えば、銀（Ａｇ）の場合にはＴＣＲは、約４０００×１０^-6／℃程度である。ここで、上面電極１１６の上方には銅メッキ１２６が設けられているので、これにより、上面電極１１６と側面電極１２２とメッキ１２４とからなる電極部１４０における上面側部分において、銅メッキ１２６が形成された領域Ｒ３については、銅メッキ１２６の存在により、抵抗値を低く抑えることができ、また、抵抗値を低くすることにより、領域Ｒ３のチップ抵抗器全体のＴＣＲに与える影響を小さくできるので、チップ抵抗器全体のＴＣＲを低くすることができる。また、メッキに銅メッキを用いない場合でも、メッキ厚を厚くすることによりメッキの抵抗値を低くできるので、これにより、結果として、領域Ｒ３のチップ抵抗器全体のＴＣＲに与える影響を小さくすることができる。つまり、上面電極１１６における保護膜１１８から露出した領域については、メッキを形成できるので、このメッキの抵抗値を低くすることにより、チップ抵抗器全体のＴＣＲを低くする対策を取ることができる。

しかし、上面電極１１６において保護膜１１８にカバーされている領域Ｒ２（この領域Ｒ２は、保護膜１１８にカバーされた上面電極１１６で、抵抗体１１２と接続した部分と、抵抗体１１２と接続されていない部分とからなる）は、上記のような対策を取ることができないことから、チップ抵抗器全体のＴＣＲを高くしてしまうという問題がある。特に、抵抗体１１２に銀パラジウム系の材料を用い、上面電極１１６に銀系の材料を用いた場合には、パラジウムが上面電極１１６に拡散するので、抵抗体１１２と上面電極１１６の接続部分の抵抗値が上面電極１１６自体の抵抗値よりも高くなり、結果として、該接続部分のチップ抵抗器全体のＴＣＲに与える影響が大きくなり、ＴＣＲを十分低くすることができないという問題がある。

そのような問題に対する方法として、図９のチップ抵抗器Ｂ２に示すように、抵抗体１１２と上面電極１１６の接続部分では、上面電極１１６を抵抗体１１２の上面に積層させ、また、保護膜１１８が上面電極１１６をカバーしないように形成することにより、上面電極１１６が保護膜１１８にカバーされないようにできるので、ＴＣＲを低くする対策を取ることができない領域が形成されてしまうのを防止できるが、保護膜１１８が上面電極１１６に乗り上げないように精度よく形成するのは困難であり、保護膜１１８が上面電極１１６に乗り上げてしまうと保護膜１１８でカバーされた領域はＴＣＲを低く抑える対策を取ることができない。一方、保護膜１１８が上面電極１１６に乗り上げないように形成するために、保護膜１１８と上面電極１１６との間に隙間ができてしまうと、抵抗体１１２が露出してしまい、抵抗体１１２を保護することができず問題となる。

また、上記特許文献１においても、第１表電極層下層膜や第１表電極層上層膜の上方には銅により形成された第２表電極層が設けられているので、上方に第２表電極層が設けられた領域は、抵抗値を低くできるが、上方に第２表電極層が設けられていない領域は、そのような対策を取ることができないので、チップ抵抗器全体のＴＣＲを十分低くすることができないという問題がある。

また、上記特許文献２においても、端子電極にはコートにカバーされた領域が存在するため、その領域ではＴＣＲを低く抑えるための対策を取ることができない。

そこで、本発明は、抵抗体を保護しつつ、チップ抵抗器全体のＴＣＲを十分低く抑えることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。

本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、絶縁基板の上面に設けられた抵抗体と、抵抗体における両端領域を除く領域を被覆する第１保護膜と、抵抗体の両端領域に接続して設けられた一対の電極部で、抵抗体における第１保護膜に被覆されていない両端領域を被覆するように形成され、一部が第１保護膜に乗り上げる状態で形成され、銀系厚膜又は銀パラジウム系厚膜により形成された一対の上面電極と、絶縁基板の側面に形成され、上面電極の上面の一部に積層して形成された断面略コ字状の側面電極と、電極部の外側を構成し、上面電極における側面電極から露出した領域で第１保護膜に乗り上げた領域を被覆するメッキで、複数のメッキ層を有し、複数のメッキ層における１つのメッキ層が銅メッキであるメッキと、を有する電極部と、第１保護膜の上面に設けられ、第１保護膜の上面領域の一部を被覆し、上面電極には接しない第２保護膜と、を有することを特徴とする。

この第１の構成のチップ抵抗器においては、第１保護膜が抵抗体の上面に形成され、さらに、上面電極が抵抗体の第１保護膜から露出した部分を被覆するとともに、第１保護膜に乗り上げる状態に形成されているので、上面電極は第１保護膜にカバーされておらず、また、電極部にはメッキが形成されているので、メッキの一部に抵抗値の低い銅メッキを設けることにより、電極部の抵抗値を低く抑えることができ、よって、電極部の全ての領域について、チップ抵抗器全体のＴＣＲに与える影響を小さくすることができ、結果として、チップ抵抗器全体のＴＣＲを十分小さくすることができる。つまり、上面電極は第１保護膜にカバーされていないので、ＴＣＲを低く抑えるための対策を取ることができない領域が存在せず、上面電極の全ての領域に対して、チップ抵抗器全体のＴＣＲを低く抑えるための対策を取ることができ、チップ抵抗器全体のＴＣＲを低く抑えることが可能となる。また、抵抗体は、第１保護膜や上面電極にカバーされているので、抵抗体を十分保護することが可能となる。よって、抵抗体を保護しつつ、チップ抵抗器全体のＴＣＲを十分低く抑えることができるチップ抵抗器を提供することができる。また、複数のメッキ層における１つのメッキ層が銅メッキであるので、銅はＮｉメッキやＳｎメッキに比べて抵抗値が低く、メッキに銅を用いることにより、効率よく電極部の抵抗値を低くすることができる。また、第２保護膜が設けられているので、第１保護膜と抵抗体にトリミング溝を形成した場合に、トリミング溝を第２保護膜により被覆することが可能となる。

また、第２には、上記第１の構成において、抵抗体を被覆する上記第１保護膜が、ガラス系厚膜により形成されていることを特徴とする。

また、第３には、上記第１又は第２の構成において、抵抗体が、銀パラジウム系厚膜により形成されていることを特徴とする。つまり、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）のＴＣＲは、約０〜５０×１０^-6／℃程度と低いので、抵抗体を銀パラジウム系材料により構成することにより、チップ抵抗器全体のＴＣＲを低く抑えることができる。

また、第４の構成として以下の構成としてもよい。すなわち、「チップ抵抗器であって、絶縁基板と、絶縁基板の上面に設けられた抵抗体で、銀パラジウム系厚膜により形成された抵抗体と、抵抗体における両端領域を除く領域を被覆する第１保護膜で、ガラス系厚膜により形成された第１保護膜と、第１保護膜の上面領域の一部を被覆する第２保護膜と、抵抗体の両端領域に接続して設けられた一対の電極部で、抵抗体における第１保護膜に被覆されていない両端領域を被覆するように形成され、一部が第１保護膜に乗り上げる状態で形成された一対の上面電極で、銀系厚膜又は銀パラジウム系厚膜により形成された上面電極と、絶縁基板の下面の両側に形成された一対の下面電極と、上面電極と下面電極とに接続されるとともに断面略コ字状の側面電極と、上面電極と下面電極と側面電極とからなる構成の外面を被覆するように形成されたメッキで、複数のメッキ層からなり、最も内側のメッキ層が銅メッキであるメッキと、を有する電極部と、を有することを特徴とするチップ抵抗器。」としてもよい。

また、第５の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、「チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、各チップ抵抗器ごとの抵抗体の両端領域を除く領域を被覆するように第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、抵抗体の両端領域を被覆するとともに、第１保護膜に乗り上げる状態に一対の上面電極を形成する上面電極形成工程と、抵抗体と第１保護膜とをトリミングしてトリミング溝を形成することにより抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、第１保護膜の上面に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程で、トリミング溝を被覆するように第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、基板素体を一次分割して、短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対して側面電極を形成する側面電極形成工程と、側面電極が形成された短冊状基板を二次分割して、チップ片を形成する二次分割工程と、形成されたチップ片に対して、複数のメッキ層で、そのうちの１つが銅メッキであるメッキ層からなるメッキを形成するメッキ工程と、を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。」としてもよい。

上記第５の構成のチップ抵抗器の製造方法により製造されたチップ抵抗器によれば、第１保護膜が抵抗体の上面に形成され、さらに、上面電極が抵抗体の第１保護膜から露出した部分を被覆するとともに、第１保護膜に乗り上げる状態に形成されているので、上面電極は保護膜にカバーされておらず、また、電極部にはメッキが形成されているので、メッキの一部に抵抗値の低いメッキを設ける（例えば、銅メッキ）ことにより、電極部の抵抗値を低く抑えることができ、よって、電極部の全ての領域について、チップ抵抗器全体のＴＣＲに与える影響を小さくすることができ、結果として、チップ抵抗器全体のＴＣＲを十分小さくすることができる。つまり、上面電極は保護膜にカバーされていないので、ＴＣＲを低く抑えるための対策を取ることができない領域が存在せず、上面電極の全ての領域に対して、チップ抵抗器全体のＴＣＲを低く抑えるための対策を取ることができ、チップ抵抗器全体のＴＣＲを低く抑えることが可能となる。

本発明に基づくチップ抵抗器によれば、保護膜が抵抗体の上面に形成され、さらに、上面電極が抵抗体の保護膜から露出した部分を被覆するとともに、保護膜に乗り上げる状態に形成されているので、上面電極は保護膜にカバーされておらず、また、電極部にはメッキが形成されているので、メッキの一部に抵抗値の低いメッキを設ける（例えば、銅メッキ）ことにより、電極部の抵抗値を低く抑えることができ、よって、電極部の全ての領域について、チップ抵抗器全体のＴＣＲに与える影響を小さくすることができ、結果として、チップ抵抗器全体のＴＣＲを十分小さくすることができる。また、抵抗体は、保護膜や上面電極にカバーされているので、抵抗体を十分保護することが可能となる。よって、抵抗体を保護しつつ、チップ抵抗器全体のＴＣＲを十分低く抑えることができるチップ抵抗器を提供することができる。また、複数のメッキ層における１つのメッキ層が銅メッキであるので、銅はＮｉメッキやＳｎメッキに比べて抵抗値が低く、メッキに銅を用いることにより、効率よく電極部の抵抗値を低くすることができる。また、第２保護膜が設けられているので、保護膜と抵抗体にトリミング溝を形成した場合に、トリミング溝を第２保護膜により被覆することが可能となる。

本発明においては、抵抗体を保護しつつ、チップ抵抗器全体のＴＣＲを十分低く抑えることができるチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。なお、図面において、Ｙ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に直角な方向であり、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。

本発明に基づくチップ抵抗器Ａは、図１〜図３に示すように構成され、絶縁基板１０と、抵抗体１２と、第１保護膜１４と、上面電極１６と、第２保護膜１８と、下面電極２０と、側面電極２２と、メッキ２４とを有している。

ここで、チップ抵抗器Ａについてさらに詳しく説明すると、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器Ａの基礎部材、すなわち、基体として用いられている。

また、抵抗体１２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の上面に設けられている。つまり、抵抗体１２は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））（Ｘ１−Ｘ２方向）に矩形状の帯状に形成され、具体的には、絶縁基板１０のＸ１側の端部からＸ２側の端部にまで帯状に形成されている（図１、図２参照）。また、抵抗体１２は、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の幅よりも小さく形成されていて、絶縁基板１０の端部とは間隔が形成されている（図２参照）。この抵抗体１２は、具体的には、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）系厚膜（例えば、銀とパラジウムの相対比率が、重量％において、Ａｇ：Ｐｄ＝４０：６０〜５０：５０（好適には、４５：５５重量％）の銀パラジウム系厚膜）である。この抵抗体１２は、上記チップ抵抗器Ａとして電気的特性を担う機能素子である。なお、この抵抗体１２には、トリミング溝Ｔ１が形成されている。

なお、抵抗体１２の材料としては、他の材料でもよく、例えば、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）又は銅ニッケル系厚膜としてもよい。

また、第１保護膜（保護膜）１４は、抵抗体１２の一部と絶縁基板１０の一部を被覆するように形成されている。すなわち、図１、図２に示すように、第１保護膜１４は、平面視においては矩形状に形成され、Ｙ１−Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成され、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、抵抗体１２の長さよりも短く形成され、抵抗体１２の両側は、第１保護膜１４から露出している。つまり、第１保護膜１４は、平面視において、図２のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。つまり、第１保護膜１４は、抵抗体１２の両端領域を除く領域を被覆している。すなわち、抵抗体１２において第１保護膜１４から露出した両側の端部領域が両端領域である。この第１保護膜１４は、高温焼成（例えば、８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃））のガラス（ガラス系厚膜）により形成されている。例えば、第１保護膜１４は、結晶化ガラス系厚膜により形成されている。なお、この第１保護膜１４には、トリミング溝Ｔ２が形成されていて、この第１保護膜１４は、トリミング可能な材料により形成されている。

また、上面電極１６は、図１に示すように、主に、上記抵抗体１２の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、上面電極１６は、抵抗体１２の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、上面電極１６は、抵抗体１２の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。この上面電極１６は、主として抵抗体１２の上面に積層して形成されているが、内側の領域は、第１保護膜１４に乗り上げる（つまり、積層する）状態で形成されている。また、上面電極１６のＹ１−Ｙ２方向の端部の領域の一部は、抵抗体１２からはみ出ている関係で絶縁基板１０の上面に形成されている。すなわち、上面電極１６のＹ１−Ｙ２方向の幅は、抵抗体１２のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも若干大きく形成されていて、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。この上面電極１６は、銀（Ａｇ）系厚膜（具体的には、銀系メタルグレーズ厚膜）又は銀パラジウム系厚膜（具体的には、パラジウムの上面電極全体に対する含有率が、抵抗体よりは低い（例えば、パラジウムの含有率が０．５〜２５重量％の銀パラジウム系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

以上のように、第１保護膜１４が抵抗体１２の両側（つまり、両端領域）を除く領域をカバーし、さらに、上面電極１６が、第１保護膜１４から露出した抵抗体１２の領域、つまり、両端領域をカバーしているので、抵抗体１２を十分保護している。

また、第２保護膜１８は、第１保護膜１４の上面の領域の一部を被覆するように形成されている。すなわち、図１、図２に示すように、第２保護膜１８は、平面視においては矩形状に形成され、Ｙ１−Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅よりも小さく、抵抗体１２の幅よりも大きく形成されている。また、Ｘ１−Ｘ２方向には、一対の上面電極１６間の長さよりも短く形成されている。つまり、第２保護膜１８は、図２のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。すなわち、この第２保護膜１８は、第１保護膜１４のトリミング溝Ｔ２を被覆するために形成されるので、第１保護膜１４のトリミング溝Ｔ２をカバーできる領域に形成すればよい。また、第２保護膜１８は、ガラス（例えば、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜）又は樹脂（例えば、エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。なお、第２保護膜１８は、電極部４０を構成する各部（つまり、電極部４０は、上面電極１６と、下面電極２０と、側面電極２２と、メッキ２４とにより構成される）には接していないが、第２保護膜１８が第１保護膜１４よりも小さく形成されていれば、電極部４０を構成する各部と接していてもよい。

また、下面電極２０は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、下面電極２０は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、下面電極２０は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。なお、下面電極２０のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。すなわち、下面電極２０は、図３のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。この下面電極２０は、銀系厚膜（具体的には、銀系メタルグレーズ厚膜）又は銀パラジウム系厚膜（具体的には、パラジウムの含有率が、抵抗体よりは低い銀パラジウム系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

また、側面電極２２は、上面電極１６の一部と、下面電極２０の一部と、絶縁基板１０の上面の一部と、絶縁基板１０の側面と、絶縁基板１０の下面の一部を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極２２は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極２２の上面部分は、Ｘ１−Ｘ２方向には上面電極１６の長さよりも短く形成され、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。また、側面電極２０の側面部分は、絶縁基板１０の１つの側面（つまり、一方の側面電極２０においてはＸ１側の側面であり、他方の側面電極２０においてはＸ２側の側面）の全面と、Ｙ１側とＹ２側の側面の一部に形成されている。また、側面電極２２の下面部分は、Ｘ１−Ｘ２方向には下面電極２０の長さよりも短く形成され、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。つまり、側面電極２２の下面部分は、図３のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。なお、側面電極２２は、銀系厚膜（具体的には、銀系メタルグレーズ厚膜）又は導電性樹脂（例えば、銀含有エポキシ樹脂）により形成されている。すなわち、焼成温度の関係で、第２保護膜１８をガラスにより形成する場合には、側面電極２２は銀系厚膜により形成されるが、第２保護膜１８を樹脂により形成する場合には、側面電極２２は該導電性樹脂により形成されることになる。

また、メッキ２４は、銅メッキ２６と、ニッケルメッキ２８と、錫メッキ３０とから構成されていて、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。

銅メッキ２６は、上面電極１６の一部と、側面電極２２と、下面電極２０の一部とを被覆するように形成されている。つまり、上面電極１６と側面電極２２と下面電極２０の露出部分を被覆するように形成されている。この銅メッキ２６は、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。この銅メッキ２６は、電極部４０の抵抗値を低く抑えて、チップ抵抗器全体のＴＣＲを低く抑えるために形成されている。

また、ニッケルメッキ２８は、銅メッキ２６の表面を被覆するように形成され、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケルにて形成されており、上面電極１６等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。

また、錫メッキ３０は、ニッケルメッキ２８の表面を被覆するように形成され、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ３０は、上記チップ抵抗器Ａの配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ３０は、錫メッキ以外に、はんだが用いられる場合もある。

なお、図１に示すように、電極部４０の上面の高さが、第２保護膜１８の上面の高さ以上の高さに形成する（又は、電極部４０の上面の高さを第２保護膜１８の上面の高さよりも高く形成する）のが好ましい。つまり、チップ抵抗器Ａを第２保護膜１８側を下向きにして配線基板に実装できるようにすることにより、チップ抵抗器Ａの抵抗体１２と配線基板間の電流経路を短くでき、結果として、はんだを含めた抵抗値やＴＣＲを低く抑えることが可能となる。

なお、図２は、チップ抵抗器Ａを上面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、抵抗体１２、第１保護膜１４、上面電極１６、第２保護膜１８について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。同様に、図３は、チップ抵抗器Ａを下面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、下面電極２０、側面電極２２について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。

上記構成のチップ抵抗器Ａの製造方法について、図４〜図６等を使用して説明する。まず、予め一次スリットと二次スリットとが表裏両面に設けられた無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）（基板素体）を用意し、このアルミナ基板の下面（裏面、底面としてもよい）に下面電極を形成する（図４のＳ１１、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。この場合の下面電極用ペーストは、銀系メタルグレーズペースト又は銀パラジウム系メタルグレーズペーストである。なお、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極を形成する。つまり、Ｘ方向（このＸ方向は二次スリットの方向である）に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板の領域について、境界位置（つまり、一次スリット）となる位置を跨ぐように１つの印刷領域で下面電極を形成する。さらには、Ｙ方向（このＹ方向は一次スリットの方向であり、Ｘ方向とは直角の方向である）には、帯状に連続して下面電極を形成する。

次に、該アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）（図５のＷ１参照）に抵抗体を形成する（図４のＳ１２、図５のＷ２参照、抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成（８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）して抵抗体Ｇ１２を形成する。なお、この抵抗体ペーストは、銀パラジウム系ペースト（具体的には、銀パラジウム系メタルグレーズペースト）である。なお、他の材料により抵抗体を形成してもよい。この抵抗体Ｇ１２は、Ｘ方向の複数の抵抗体１２分の抵抗体であり、抵抗体ペーストの印刷の際、アルミナ基板においてＸ方向（上面電極間方向）に抵抗体ペーストを帯状に連続して印刷する。つまり、アルミナ基板において、最終的に個々のチップ抵抗器となった場合のＸ方向に連なる一連の絶縁基板１０の領域（これを「集合領域」とする。この集合領域は、基板素体における個々のチップ抵抗器形成領域が直線状に複数連なる領域であるともいえる）において、該集合領域の一方の端部から他方の端部にまで１本の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。つまり、Ｘ方向に複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。また、Ｙ方向には、抵抗体ペーストは、絶縁基板１０のＹ方向の幅よりも小さい幅に形成する。なお、図５においては、抵抗体Ｇ１２については見やすくするためにハッチングを付して示してある。また、図５、図６は、アルミナ基板を上面側から見た状態を示す図である。

次に、第１保護膜Ｇ１４を形成する（図４のＳ１３、図５のＷ３参照、第１保護膜形成工程）。つまり、一対の一次スリットＪ１間の所定領域にＹ方向に帯状に第１保護膜用ペーストを印刷した後に乾燥・焼成（８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）させる。なお、第１保護膜Ｇ１４の焼成温度は、抵抗体Ｇ１２の焼成温度と同じとするのが好ましい。この場合の第１保護膜用ペーストは、ガラスペーストである。以上のように、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に第１保護膜を形成する。なお、第１保護膜Ｇ１４は、Ｘ方向には、１つのチップ抵抗器における抵抗体の両側が露出するように形成する。この第１保護膜Ｇ１４は、第１保護膜１４の複数分であるといえる。

次に、上面電極Ｇ１６を形成する（図４のＳ１４、図６のＷ４参照、上面電極形成工程）。すなわち、第１保護膜Ｇ１４から露出している抵抗体Ｇ１２をカバーし、一部が第１保護膜Ｇ１４に乗り上げる状態に上面電極Ｇ１６を矩形状に形成する。つまり、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。なお、上面電極Ｇ１６の焼成温度は、抵抗体Ｇ１２や第１保護膜Ｇ１４の焼成温度と同じとするのが好ましい。この場合の上面電極ペーストは、銀系メタルグレーズペースト又は銀パラジウム系メタルグレーズペーストである。なお、図６において、上面電極Ｇ１６は、チップ抵抗器Ａにおける上面電極１６の２つ分の上面電極である。つまり、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。また、上面電極Ｇ１６は、Ｙ方向には、抵抗体Ｇ１２の幅よりも若干大きく形成する。

次に、抵抗体Ｇ１２をトリミングして抵抗値を調整する（図４のＳ１５、図６のＷ５参照、抵抗値調整工程）。つまり、レーザートリミングにより、第１保護膜Ｇ１４と抵抗体Ｇ１２とを同時にトリミングしてトリミング溝を形成する。

次に、第１保護膜Ｇ１４の上面の領域の一部を被覆するように第２保護膜１８を形成する（図４のＳ１６、図６のＷ６参照、第２保護膜形成工程）。つまり、個々のチップ抵抗器の領域ごとに１つの第２保護膜１８を矩形状に形成し、トリミング溝を被覆するようにする。つまり、個々のチップ抵抗器の領域ごとに第２保護膜用ペーストを印刷した後に乾燥・焼成（５９０℃〜６１０℃（好適には６００℃）による焼成）させる。この場合の第２保護膜用ペーストは、ガラスペーストである。なお、第２保護膜１８を樹脂により形成する場合には、樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化（１９０℃〜２１０℃（好適には２００℃）による硬化）させる。

その後は、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図４のＳ１７参照、一次分割工程）。つまり、抵抗体Ｇ１２と第１保護膜Ｇ１４と上面電極Ｇ１６と第２保護膜１８とが形成されたアルミナ基板５を一次スリットＪ１に沿って分割して、１つの抵抗器分のアルミナ基板の部分を直線状に配列してなる短冊状基板を形成する。

次に、該短冊状基板に対して、側面電極を形成する（図４のＳ１８参照、側面電極形成工程）。つまり、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成（５９０℃〜６１０℃（好適には６００℃）する。この場合の側面電極用ペーストは、銀系メタルグレーズペーストである。なお、第２保護膜１８を樹脂により形成する場合には、この側面電極も樹脂、つまり、導電性樹脂（例えば、銀含有エポキシ樹脂）により形成するので、側面電極用ペーストとしての導電性樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化する。また、スパッタ法により側面電極を金属薄膜で形成してもよい。その後、二次スリットに沿って二次分割して、チップ片を形成する（図４のＳ１９参照、二次分割工程）。

次に、形成されたチップ片に対して、メッキを形成して、チップ抵抗器Ａとする（図４のＳ２０参照、メッキ工程）。つまり、銅メッキを形成し、その後、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成して、チップ抵抗器Ａとする。

上記のように構成されるチップ抵抗器Ａは、配線基板に実装して使用する。すなわち、通常のチップ抵抗器と同様に、チップ抵抗器Ａと配線基板との間にはんだを介在させてチップ抵抗器Ａを配線基板に接続させる。

なお、チップ抵抗器Ａを配線基板に実装するに当たっては、チップ抵抗器Ａを第２保護膜１８を配線基板側として実装するのが好ましい。すなわち、第２保護膜１８を配線基板側とすることにより、電極部４０と配線基板間の電流経路を短くすることができ、よって、はんだの部分の温度変化による抵抗値変化の影響をなるべく小さくすることができ、結果として、チップ抵抗器Ａとはんだとからなる構成におけるＴＣＲを低く抑えることが可能となる。

本実施例のチップ抵抗器Ａによれば、第１保護膜１４が抵抗体１２の上面に形成され、さらに、上面電極１６が抵抗体１２と第１保護膜１４の上面に形成されているので、上面電極１６は保護膜にカバーされておらず、また、上面電極１６の上方にメッキ２４が形成されているので、メッキの一部に抵抗値の低いメッキを設ける（つまり、銅メッキ２６がこれに当たる）ことにより、電極部４０の抵抗値を低く抑えることができ、よって、電極部４０の全ての領域について、チップ抵抗器Ａ全体のＴＣＲに与える影響を小さくすることができ、結果として、チップ抵抗器全体のＴＣＲを十分小さくすることができる。

つまり、上面電極１６は、保護膜にカバーされていないので、ＴＣＲを低く抑えるための対策を取ることができない領域が存在せず、上面電極１６の全ての領域に対して、チップ抵抗器全体のＴＣＲを低く抑えるための対策（例えば、メッキの抵抗値を低くしたり、メッキ厚を厚くする）を取ることができ、チップ抵抗器全体のＴＣＲを低く抑えることが可能となる。

ここで、銅メッキ２６を設けた場合でも、上面電極１６自体の抵抗値やＴＣＲが低くなるわけではなく、また、電極部４０全体のＴＣＲが低くなるわけではないが、電極部４０の抵抗値を低くできるので、電極部４０自体のＴＣＲが低くならなくても、電極部４０のチップ抵抗器全体のＴＣＲに与える影響を小さくできるので、チップ抵抗器全体としてＴＣＲを低く抑えることができるのである。

特に、上面電極１６を銀系厚膜により形成した場合でも、銀自体のＴＣＲは高いものの、銅メッキ２６が設けられていることにより、電極部４０の抵抗値を低くでき、よって、電極部４０のチップ抵抗器全体のＴＣＲに与える影響を小さくできるので、チップ抵抗器全体としてＴＣＲを低く抑えることができるのである。

また、抵抗体１２は、保護膜（つまり、第１保護膜１４と第２保護膜１８）と、電極部４０によりカバーされているので、抵抗体１２を十分保護することができる。

なお、上記の構成においては、抵抗体１２は、絶縁基板１０の上面の端部から端部まで形成されているとして説明したが、図７のチップ抵抗器Ａ’に示すように、抵抗体１２のＸ１の端部とＸ２側の端部が絶縁基板１０の上面の端部にまで形成されていない構成としてもよい。

この場合には、チップ抵抗器の製造に際しては、当然、抵抗体を各チップ抵抗器ごとに長方形状に独立して形成して、抵抗体が一次スリットに至らないようにすることになる。

また、上記の説明において、基本的に、抵抗体１２をＡｇＰｄ系厚膜、上面電極１６をＡｇ系厚膜として説明したが、これに限らず、抵抗体１２をＣｕＮｉ系厚膜、上面電極１６をＣｕ系厚膜としてもよい。

また、上記の説明において、第１保護膜１４を高温焼成のガラスにより形成するものとしたが、低温焼成（具体的には、５９０℃〜６１０℃（好適には６００℃））のホウ珪酸鉛ガラスにより形成してもよい。なお、第１保護膜１４に低温焼成ガラスを使用する場合には、上面電極１６は、第１保護膜１４と同様の焼成温度の銀系厚膜若しくは銀パラジウム系厚膜とする。

本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。 本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。 本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。 本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示すフローチャート図である。 本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。 本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。 本発明の他の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。 従来のチップ抵抗器の構成を示す断面図である。 従来のチップ抵抗器の問題点を解決する方法として想定されるチップ抵抗器の構成を示す断面図である。

符号の説明

Ａ、Ａ’、Ｂ１、Ｂ２ チップ抵抗器
１０、１１０ 絶縁基板
１２、１１２ 抵抗体
１４ 第１保護膜
１６、１１６ 上面電極
１８ 第２保護膜
２０、１２０ 下面電極
２２、１２２ 側面電極
２４、１２４ メッキ
２６、１２６ 銅メッキ
２８、１２８ ニッケルメッキ
３０、１３０ 錫メッキ
１１８ 保護膜

Claims (3)

1. チップ抵抗器であって、
   絶縁基板と、
   絶縁基板の上面に設けられた抵抗体と、
   抵抗体における両端領域を除く領域を被覆する第１保護膜と、
   抵抗体の両端領域に接続して設けられた一対の電極部で、
   抵抗体における第１保護膜に被覆されていない両端領域を被覆するように形成され、一部が第１保護膜に乗り上げる状態で形成され、銀系厚膜又は銀パラジウム系厚膜により形成された一対の上面電極と、
   絶縁基板の側面に形成され、上面電極の上面の一部に積層して形成された断面略コ字状の側面電極と、
   電極部の外側を構成し、上面電極における側面電極から露出した領域で第１保護膜に乗り上げた領域を被覆するメッキで、複数のメッキ層を有し、複数のメッキ層における１つのメッキ層が銅メッキであるメッキと、を有する電極部と、
   第１保護膜の上面に設けられ、第１保護膜の上面領域の一部を被覆し、上面電極には接しない第２保護膜と、
   を有することを特徴とするチップ抵抗器。
2. 抵抗体を被覆する上記第１保護膜が、ガラス系厚膜により形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 抵抗体が、銀パラジウム系厚膜により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ抵抗器。

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