JP3134067B2 - 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子回路において電
流検出センサーとして組み込まれるように、低抵抗値と
安定した良好なＴＣＲ（抵抗温度特性、以下同じ）を備
えてなる低抵抗チップ抵抗器とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、低抵抗化を目的とした低抵抗チッ
プ抵抗器としては、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成さ
れる表電極と、該表電極を跨ぐように形成される抵抗膜
と、該抵抗膜を被覆する保護膜とを備えてなるものが一
般に知られている（特開平９−１８０９０３号公報参
照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の低抵抗チップ抵抗器においては、抵抗膜本来のＥ
ＳＤ(耐静電気破壊)特性等の電気的特性や、ある程度の
低抵抗値範囲が確保されているものの、安定した良好な
ＴＣＲが確保できているとは必ずしも言えない。この従
来の低抵抗チップ抵抗器において具体的に得られている
抵抗値は１００ｍΩ〜数Ωであり、ＴＣＲにあっては２
００ｐｐｍ／℃以上にとどまっているのが実状である。

【０００４】本発明は従来の技術の欠点に着目し、これ
を解決せんとしたものであり、その目的は、従来得られ
ていた各種特性を維持しつつ、低抵抗化とより良好なＴ
ＣＲの確保とを可能にする低抵抗チップ抵抗器及びその
製造方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的に鑑
みてなされたものであり、その要旨とするところは、絶
縁基板と、該絶縁基板上に形成される一対の表電極と、
該表電極を跨ぐように形成される抵抗膜と、該抵抗膜を
被覆する保護膜とを備えてなる低抵抗チップ抵抗器であ
って、上記表電極が、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズ下層
膜及び／又はＡｇ系メタルグレーズ上層膜からなる第１
表電極層と、該第１表電極層上に並設される膜厚３０μ
ｍ以上のＣｕめっき膜からなる第２表電極層とを含むこ
とを特徴とする低抵抗チップ抵抗器にある。

【０００６】この態様によれば、低抵抗チップ抵抗器の
表電極において、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズ下層膜及
び／又はＡｇ系メタルグレーズ上層膜からなる第１表電
極層と、該第１表電極層上に並設される膜厚３０μｍ以
上のＣｕめっき膜からなる第２表電極層とを採用したの
で、上述した第１表電極層と第２表電極層とが相俟っ
て、従来得られていた各種特性を維持しつつ、低抵抗化
とより良好なＴＣＲ（小さなＴＣＲ）の確保を可能にす
る。

【０００７】本発明の他の要旨は、上記低抵抗チップ抵
抗器を製造する方法であって、上記第２表電極層を電気
めっき法により形成することとし、第２表電極層の形成
に先立って、集合絶縁基板の縦横分割溝の部分、並びに
第２表電極層を形成する範囲を除く部分を被覆するよう
にめっきレジストを形成する工程と、第２表電極層の形
成後に、めっきレジストを除去する工程と、を含むこと
を特徴とする低抵抗チップ抵抗器の製造方法にある。

【０００８】この態様によれば、低抵抗チップ抵抗器を
製造する方法において、第２表電極層を電気めっき法に
より形成することとし、第２表電極層の形成に先立っ
て、集合絶縁基板の縦横分割溝の部分、並びに第２表電
極層を形成する範囲を除く部分を被覆するようにめっき
レジストを形成する工程と、第２表電極層の形成後に、
めっきレジストを除去する工程とを採用したので、比較
的厚いCuめっき膜からなる第２表電極層が集合絶縁基板
の縦横分割溝上に形成されることがなく、集合絶縁基板
の分割時におけるバリ（欠け）の発生を極力防止するこ
とができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明において採用する低抵抗チ
ップ抵抗器の持つ個々の平面サイズは、長さ方向（以
下、Ｌと称す）：１．６ｍｍ×幅方向（以下、Ｗと称
す）：０．８ｍｍ、Ｌ：２．０ｍｍ×Ｗ：１．２５ｍ
ｍ、L：３．２ｍｍ×Ｗ：１．６ｍｍ、Ｌ：３．５ｍｍ
×Ｗ：２．５ｍｍ、Ｌ：５．０ｍｍ×Ｗ：２．５ｍｍ、
Ｌ：６．３×Ｗ３．２ｍｍ等の態様がある。

【００１０】また、上記Ｃｕめっき膜からなる第２表電
極層は、第１表電極層上に３０μｍ以上の膜厚で形成さ
れるが、低抵抗チップ抵抗器の個々の平面サイズを考慮
すれば、現実的には３０μｍ〜４０μｍ程度の膜厚とす
ることが望ましい。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。

【００１２】図１に示す低抵抗チップ抵抗器は、絶縁基
板１と、該絶縁基板１に設けられた一対の表電極（２，
５，７）及び裏電極２'と、該表電極を跨ぐように形成
された抵抗膜３と、該抵抗膜３を被覆するように設けら
れた保護膜（４，９）と、上記基板端面に形成される端
面電極１０及び端面めっき膜１１と、を備えてなる。

【００１３】絶縁基板１は、アルミナ等からなる集合基
板を縦横分割溝１ａ，１ｂに沿って個片状に分割される
ことによって独立した単体チップである。

【００１４】表電極（２，５，７）は、該基板１の上面
に形成された膜厚１０μｍ以下の一対のＡｇ・Ｐｄ系メ
タルグレーズ下層膜２及びＡｇ系メタルグレーズ上層膜
５からなる第１表電極層２と、該第１表電極層上に形成
された膜厚３０μm以上のＣｕめっき膜７からなる第２
表電極層によって構成されている。ここでは、Ａｇ・Ｐ
ｄメタルグレーズ２及びＡｇ系メタルグレーズ５の両者
を採用しているが、何れか一方のみを採用する態様とし
てもよい。尚、基板１の下面には、１０μｍ以下の一対
のＡｇ系メタルグレーズ２'からなる裏電極が形成され
ている。

【００１５】抵抗膜３は、図示するように、上述した第
１表電極層のＡｇ・Ｐｄメタルグレーズ下層膜２及びＡ
ｇ系メタルグレーズ上層膜５によって各端部が挟み込ま
れるように配置されている。ここで、上記表電極におい
ては、第１表電極層の下層膜、上層膜、及び第２電極層
の順に面積抵抗が低くなるように配置してあり、結果と
して表電極の抵抗値が抵抗膜の抵抗値に影響することが
ないように低抵抗化を配慮している。

【００１６】また、保護膜（４，９）は、抵抗膜３の露
出部分を被覆するように形成される第１保護コート４
と、該第１保護コート４上からトリミングされた抵抗膜
３を被覆するように形成される第２保護コート９とから
なる。

【００１７】基板１の各端面に形成された端面電極１０
は、Ａｇ等を含む導電性樹脂塗料からなり、絶縁基板と
の密着性を確保し、上述の表電極と裏電極との電気的接
続を確保している。

【００１８】また、上記端面電極１０と表電極及び裏電
極の全体を被覆するように、端面めっき膜１１として、
下層Ｃｕめっき１１ａと、中層Ｎｉめっき１１ｂと、上
層はんだめっき１１ｃとを施している。尚、上記下層Ｃ
ｕめっきの形成は、めっき膜１１の抵抗値を低く保つよ
うに作用する。

【００１９】以下、上述した低抵抗チップ抵抗器１０の
製造方法について図２〜図５を参照して説明する。

【００２０】まず工程Ａにおいて、縦横分割溝１ａ，１
ｂを備えた集合基板の区画域毎に、Ａｇ・Ｐｄ系メタル
グレーズ（重量比 Ａｇ；７０ｗｔ％，Ｐｄ；３０ｗｔ
％）をその上面に印刷・乾燥（８５０℃）することによ
り膜厚１０μm以下の一対の第１表電極層下層膜２を形
成すると共に、Ａｇ系メタルグレーズをその下面に印刷
・乾燥（８５０℃）することにより膜厚１０μm以下の
一対の裏電極２'を形成する。

【００２１】また、工程A後の工程Ｂにおいて、上記第
１電極層のＡｇ・Ｐｄ系メタルグレーズ下層膜２を跨ぐ
ようにＡｇ・Ｐｄ系メタルグレーズ（重量比 Ａｇ；４
５ｗｔ％，Ｐｄ；５５ｗｔ％）を印刷・焼成（８５０
℃）することにより膜厚８μｍ〜２５μｍの抵抗膜３を
形成する。ここで抵抗膜３は、単層の態様に限られず、
印刷・焼成を繰り返して多層化の態様とすることができ
るほか、第１表電極層の上層膜又は下層膜による電極間
隔を調整することにより抵抗膜の抵抗値を所要の値に設
定するといった態様とすることができる。

【００２２】上述したように、第１表電極層下層膜２及
び抵抗膜３におけるＡｇ・Pd系メタルグレーズの重量比
を選択することにより、低抵抗化並びに小さなＴＣＲの
より簡易な確保に寄与することができる。

【００２３】次いで、工程Ｂ後の工程Ｃにおいて、Ａｇ
系メタルグレーズを印刷・焼成（６００℃）することに
より膜厚１０μｍ以下の第１表電極層上層膜５を形成す
る。

【００２４】更に、工程Ｃ後の工程Ｄにおいて、第１保
護コート４として硼珪酸鉛ガラスペーストを印刷・焼成
（６００℃）する。

【００２５】更にまた、工程Ｄ後の工程Ｅにおいて、図
４に示すように、めっきレジスト６としてピッチ系合成
樹脂を集合基板の縦横分割溝１ａ，１ｂの部分及び第２
表電極層７を形成する範囲を除く部分に印刷・硬化（２
００℃）する。

【００２６】そして、工程Ｅ後の工程Ｆにおいて、上記
第２表電極層７を形成する範囲の表面を希塩酸液で粗化
・洗浄する。この粗化・洗浄によれば、良好な電気的接
触と密着性とが確保され、抵抗膜と電極との良好な電流
路が確保される。

【００２７】工程F後の工程Ｇにおいては、集合絶縁基
板の状態で第１表電極層上層膜５上に電気めっき法によ
り膜厚３０μｍ以上のＣｕめっき膜からなる第２表電極
層７を形成する。

【００２８】また、工程G後の工程Ｈにおいては、剥離
材を用いてめっきレジストを除去する。

【００２９】更に、工程H後の工程Ｉにおいては、上記
第１保護コート４上より抵抗膜３をレーザートリミング
することによって所要の抵抗値に調整する。

【００３０】更にまた、工程I後の工程Ｊにおいては、
上記工程のトリミング跡８を被覆するようにエポキシ系
又はフェノール変成エポキシ系等の合成樹脂塗料を印刷
・硬化（２００℃）することにより上記第２保護コート
９を形成する。

【００３１】工程J後の工程Ｋにおいて、集合絶縁基板
１を縦分割溝１ａに沿って短冊状に分割する。

【００３２】そして、工程K後の工程Ｌにおいては、Ａ
ｇ等を含有する導電性樹脂材料を印刷・硬化（２００
℃）することにより端面電極１０を形成する。

【００３３】工程Ｌ後の工程Ｍにおいて、短冊状に分割
された集合絶縁基板１を横分割溝１ｂに沿って個片状に
更に分割することにより単体チップを得る。

【００３４】最後に、工程Ｍ後の工程Ｎにおいて、電気
めっき法により下層のＣｕめっき１１ａ、中層のニッケ
ルめっき１１ｂ、及びはんだめっき１１ｃとからなるめ
っき膜１１を形成し、本発明にかかる低抵抗チップ抵抗
器の製造が完了する。尚、上述した工程Ａと工程Ｂと
は、工程順序を逆にして実施することもできる。

【００３５】上述した実施例において得られた低抵抗チ
ップ抵抗器は、抵抗値範囲を２０mΩ程度にまで下げる
ことができ、図６に示すようにＴＣＲを７５ｐｐｍ／℃
〜１００ｐｐｍ／℃に抑制することができた。

【００３６】尚、図６は、上述した実施例におけるＬ：
２．０ｍｍ×Ｗ：１．２５ｍｍの平面サイズを有する単
体チップのものであって、公称抵抗値が２５mΩ、抵抗
値許容差±１％のものを試料とした低抵抗チップ抵抗器
において、２０℃を基準温度として、基準温度より４０
℃高い試験温度と、基準温度より３０℃低い試験温度と
で測定したときのＣｕめっき膜からなる第２表電極層の
膜厚及びＴＣＲの関係を示したグラフである。

【００３７】

【発明の効果】本発明の低抵抗チップ抵抗器は、低抵抗
チップ抵抗器の表電極において、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグ
レーズ下層膜及び／又はＡｇ系メタルグレーズ上層膜か
らなる第１表電極層と、該第１表電極層上に並設される
膜厚３０μｍ以上のＣｕめっき膜からなる第２表電極層
とを採用する態様としたので、上述した第１表電極層と
第２表電極層とが相俟って、従来得られていた各種特性
を維持しつつ、低抵抗化とより良好なＴＣＲ（小さなTC
R）の確保を可能にするといった効果を奏する。

【００３８】また本発明の低抵抗チップ抵抗器の製造方
法は、低抵抗チップ抵抗器を製造する方法において、第
２表電極層を電気めっき法により形成することとし、第
２表電極層の形成に先立って、集合絶縁基板の縦横分割
溝の部分、並びに第２表電極層を形成する範囲を除く部
分を被覆するようにめっきレジストを形成する工程と、
第２表電極層の形成後に、めっきレジストを除去する工
程とを採用する態様としたので、比較的厚膜のCuめっき
膜からなる第２表電極層が集合絶縁基板の縦横分割溝上
に形成されることがなく、集合絶縁基板の分割時におけ
るバリ（欠け）の発生を極力防止することができるとい
った効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の低抵抗チップ抵抗器の一実施例を示す
概略縦断面図である。

【図２】図１の低抵抗チップ抵抗器の製造方法を示す流
れ図である。

【図３】図２の工程B時の製造状況を示す概略平面図で
ある。

【図４】図２の工程E時の製造状況を示す概略断面図で
ある。

【図５】図２の工程Ｊ時の製造状況を示す概略断面図で
ある。

【図６】本発明におけるＣｕめっき膜からなる第２表電
極層の膜厚と低抵抗チップ抵抗器のＴＣＲの関係を示す
グラフである。

【符号の説明】

１ 絶縁基板 ２ 第１表電極層下層膜 ２' 裏電極 ３ 抵抗膜 ４ 第１保護コート ５ 第１表電極層上層膜 ６ めっきレジスト ７ 第２表電極層 ８ トリミング跡 ９ 第２保護コート １０ 端面電極 １１ 端面めっき膜

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01C 7/00

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、該絶縁基板上に形成される
   一対の表電極と、該表電極を跨ぐように形成される抵抗
   膜と、該抵抗膜を被覆する保護膜とを備えてなる低抵抗
   チップ抵抗器であって、 上記表電極が、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズ下層膜及び
   ／又はＡｇ系メタルグレーズ上層膜からなる第１表電極
   層と、該第１表電極層上に並設される膜厚３０μｍ以上
   のＣｕめっき膜からなる第２表電極層とを含むことを特
   徴とする低抵抗チップ抵抗器。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の低抵抗チップ抵抗器を
   製造する方法であって、 上記第２表電極層を電気めっき法により形成することと
   し、 第２表電極層の形成に先立って、集合絶縁基板の縦横分
   割溝の部分、並びに第２表電極層を形成する範囲を除く
   部分を被覆するようにめっきレジストを形成する工程
   と、 第２表電極層の形成後に、めっきレジストを除去する工
   程と、を含むことを特徴とする低抵抗チップ抵抗器の製
   造方法。