JP5249566B2 - チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、電流値検出用の低抵抗のチップ抵抗器に関するものである。

従来より、電流検出用のチップ抵抗器として、低抵抗のチップ抵抗器が存在する。従来における電流検出用の低抵抗チップ抵抗器は、図５に示すように構成され、チップ抵抗器Ｂ１は、絶縁基板１１０と、抵抗体１１２と、側面電極１１６と、保護膜１２０と、メッキ１２１と、を有している。メッキ１２１は、ニッケルメッキ１２２と、錫メッキ１２４とから構成されている。このチップ抵抗器Ｂ１においては、側面電極１１６とメッキ１２１とで電極部を形成している。また、抵抗体１１２は、銀系厚膜により形成されていて、この銀系厚膜には、銀とガラスとが混合されている。

また、出願人は、ジャンパーチップ部品であって、絶縁基板の上側に形成された導体が、絶縁基板の一対の端部にまで至る第１導体と、該第１導体の上面に形成された第２導体で、絶縁基板の一対の端部間方向において第１導体の端部にまで至らない第２導体を有するものを出願している（特許文献１）。つまり、特許文献１においては、図６に示す構成のジャンパーチップが開示されており、ジャンパーチップＢ２は、絶縁基板２１０と、導体２１２と、側面電極２１６と、保護膜２２０と、メッキ２２１と、を有し、導体２１２は、第１導体２１３と、第２導体２１４とを有しており、また、メッキ２２１は、ニッケルメッキ２２２と、錫メッキ２２４とを有している。
特開２００５−７８８７４号公報

しかし、図５に示すチップ抵抗器においては、抵抗体１１２に含まれるガラス成分が抵抗体１１２の上側と下側に表出する。このガラス成分は、絶縁基板１１０を構成するアルミナとの接合には問題ないものの、抵抗体１１２の上側において、メッキ１２１と抵抗体１１２の密着強度が弱くなるという問題が生じる。特に、低抵抗のチップ抵抗器の場合には、抵抗体１１２の厚みが比較的厚くなるので、その分、抵抗体１１２の上側に表出するガラス成分も多くなり、メッキ１２１との密着強度が低下する。メッキ１２１と抵抗体１１２との密着強度が弱い場合には、例えば、温度変化によりメッキ１２１が収縮することによりメッキ１２１が抵抗体１１２から剥がれる可能性がある。特に、側面電極１１６とメッキ１２１と抵抗体１１２の端部により構成される電極部においては、メッキが抵抗体から剥がれてしまうと、チップ抵抗器Ｂ１自体の抵抗値が変化してしまい電流検出用のチップ抵抗器として適さない。

また、図５に示す低抵抗チップ抵抗器においては、銀系厚膜は硫化しやすいため、硫化ガス雰囲気中で使用すると、メッキが抵抗体から剥がれた場合に、銀系厚膜で構成された抵抗体が硫化してしまい故障に至る可能性がある。つまり、具体的には、保護膜とメッキの接合部分から硫化ガス（例えば、硫化水素）が侵入して、抵抗体に含まれる銀と硫化ガスが反応して絶縁物である硫化銀となり、抵抗体が部分的に消失して抵抗値が変化してしまう等故障の原因となる可能性がある。

また、図６に示すジャンパーチップ部品の構成を電流検出用のチップ抵抗器に適用した場合でも、メッキ２２１が第２導体２１４にも接しており、導体２１２において厚みの厚い領域がメッキ２２１に接しているので、表面に表出するガラス成分により第２導体２１４とメッキ２２１の密着強度が低下する。

そこで、本発明は、低抵抗のチップ抵抗器において、抵抗体とメッキとの密着強度を高くすることにより、抵抗値変動のおそれを小さくして、電流検出用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。

本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、絶縁基板の上面に形成された抵抗体で、絶縁基板の上面に形成された膜厚部と、絶縁基板の上面に膜厚部における電極間方向の両端部から連設された膜薄部で、膜厚部よりも小さい厚みに形成された膜薄部とを有し、膜厚部が膜薄部と一体に形成された抵抗体と、抵抗体の上面に形成された保護膜で、膜厚部の全ての領域を被覆する保護膜と、少なくとも、膜薄部の上面の一部と絶縁基板の側面に形成された側面電極と、膜薄部の上面における保護膜と側面電極間の領域と、側面電極とを被覆するメッキと、を有することを特徴とする。

この第１の構成のチップ抵抗器においては、抵抗体が膜厚部と膜薄部とで構成され、膜薄部がメッキと接しているので、膜薄部の表面に表出するガラス成分を少なくでき、メッキとの密着強度を向上させることができる。これにより、メッキが抵抗体と剥がれることによる抵抗値変動のおそれを小さくして、電流検出用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供することができる。

また、第２には、上記第１の構成において、上記膜薄部が、７μｍ〜１４μｍの厚みに形成されていることを特徴とする。よって、膜薄部が７μｍ以上に形成されているので、抵抗体としての十分な強度を得ることができ、また、１４μｍ以下に形成されているので、メッキとの密着強度を向上させることができる。

また、第３には、上記第１又は第２の構成において、上記保護膜がほう珪酸鉛ガラスにより形成され、側面電極が焼成による銀系厚膜により形成されていることを特徴とする。よって、側面電極が焼成による銀系厚膜により形成されているので、メッキ処理の直前に側面電極を焼成により形成することになり、抵抗体の露出部分や側面電極ペーストの表面の有機物を焼失させることができ、抵抗体及び側面電極とメッキとの密着強度を向上させることができる。また、保護膜がほう珪酸鉛ガラスにより形成されているので、側面電極を焼成により形成しても保護膜が焼失してしまうことがない。

また、第４には、上記第１から第３までのいずれかの構成において、上記抵抗体が、重量比で、７２〜７８％の銀と、１６〜２２％のパラジウムと、３〜７％のガラスとを有することを特徴とする。よって、抵抗体が耐硫化特性を得ることができる。

また、第５には、上記第１から第４までのいずれかの構成において、上記メッキが、膜薄部の上面における保護膜と側面電極間の領域と、側面電極とを被覆する銅メッキと、該銅メッキの外側に形成されたニッケルメッキと、該ニッケルメッキの外側に形成された錫メッキとを有することを特徴とする。よって、メッキの内側に銅メッキが形成されているので、メッキ自体の抵抗値を下げることができる。

また、第６には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面の各チップ抵抗器の領域に、膜厚部と、膜厚部における電極間方向の端部から連設された膜薄部で、膜厚部よりも小さい厚みに形成された膜薄部とを有し、膜厚部が膜薄部と一体に形成された抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、抵抗体の上面に、ほう珪酸鉛ガラスを含有する保護膜ペーストを印刷・乾燥・焼成することにより保護膜を形成する保護膜形成工程で、膜厚部の全ての領域を被覆するとともに少なくとも膜薄部の端部側が露出するように保護膜を形成する保護膜形成工程と、基板素体を電極間方向と直角方向の境界線に沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対して側面電極ペーストを印刷・乾燥・焼成することにより側面電極を断面略コ字状に形成する側面電極形成工程で、抵抗体の上面に形成された領域の端部と保護膜の端部との間に抵抗体の膜薄部が露出するように側面電極を形成する側面電極形成工程と、短冊状基板を電極間方向の境界線に沿って分割する二次分割工程と、抵抗体の膜薄部の露出領域と側面電極とにメッキを形成するメッキ形成工程と、を有することを特徴とする。

この第６の構成のチップ抵抗器の製造方法によれば、製造されたチップ抵抗器においては、抵抗体が膜厚部と膜薄部とで構成され、膜薄部がメッキと接しているので、膜薄部の表面に表出するガラス成分を少なくでき、メッキとの密着強度を向上させることができる。これにより、メッキが抵抗体と剥がれることによる抵抗値変動のおそれを小さくして、電流検出用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供することができる。また、メッキ処理の直前に側面電極を焼成により形成することになり、抵抗体の露出部分や側面電極ペーストの表面の有機物を焼失させることができ、抵抗体及び側面電極とメッキとの密着強度を向上させることができる。また、保護膜がほう珪酸鉛ガラスにより形成されているので、側面電極を焼成により形成しても保護膜が焼失してしまうことがない。

また、以下の構成としてもよい。すなわち、第７には、上記第６の構成において、上記抵抗体形成工程が、絶縁基板の上面に膜薄部の厚みを有する第１抵抗層を帯状に形成する第１抵抗層形成工程と、第１抵抗層とともに膜厚部を形成するように第２抵抗層を形成する第２抵抗層形成工程で、該第１抵抗層の上面の膜厚部形成領域に、膜厚部の厚みから第１抵抗層の厚みを減じた厚みの第２抵抗層を形成する第２抵抗層形成工程と、を有することを特徴とする。

また、第８には、上記第６の構成において、上記抵抗体形成工程が、絶縁基板の上面の膜厚部形成領域に、膜厚部の厚みから第１抵抗層の厚みを減じた厚みの第２抵抗層を形成する第２抵抗層形成工程と、絶縁基板の上面及び第２抵抗層の上面に帯状に第１抵抗層を形成する第１抵抗層形成工程で、膜薄部の厚みを有する第１抵抗層を形成する第１抵抗層形成工程と、を有することを特徴とする。

本発明に基づくチップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法によれば、抵抗体が膜厚部と膜薄部とで構成され、膜薄部がメッキと接しているので、膜薄部の表面に表出するガラス成分を少なくでき、メッキとの密着強度を向上させることができる。これにより、メッキが抵抗体と剥がれることによる抵抗値変動のおそれを小さくして、電流検出用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供することができる。

本発明においては、低抵抗のチップ抵抗器において、抵抗体とメッキとの密着強度を高くすることにより、抵抗値変動のおそれを小さくして、電流検出用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。なお、図において、Ｙ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に直角な方向であり、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。

本発明に基づくチップ抵抗器Ａは、低抵抗のチップ抵抗器であり、主として、電流検出用に用いられるものであり、抵抗値としては、具体的には、１９ｍΩ〜２１ｍΩのものである。

このチップ抵抗器Ａは、図１に示すように、絶縁基板１０と、抵抗体１２と、下面電極１６と、側面電極１８と、保護膜２０と、メッキ２１と、を有している。このチップ抵抗器Ａにおいては、側面電極１８と下面電極１６とメッキ２１とで電極部を形成しており、電極間方向の両側に一対の電極部が形成されているといえる。

ここで、絶縁基板１０は、含有率９６％（重量比）程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、チップ抵抗器Ａの基礎部材として用いられている。

また、抵抗体１２は、絶縁基板１０の上面に接して形成され、全体に略層状を呈し、平面形状は略方形状（略帯状としてもよい）を呈しており、厚さが厚い膜厚部１３と、厚さが薄い膜薄部１４とを有している。この抵抗体１２は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されていて、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）とガラスとが含有されていて、抵抗体全体に対する含有量は、重量比で、銀は７２〜７８％、パラジウムは１６〜２２％、ガラスは３〜７％となっている。また、銀とパラジウムの合計重量に対してパラジウムが重量比で１８〜２４％含有されている。

この膜厚部１３は、平面形状が略方形状を呈した層状であり、その厚みは膜薄部１４よりも厚く形成され、具体的には、１４μｍよりも大きく２７μｍ以下の厚み（好適には、１８〜２０μｍの厚み）に形成されている。

また、膜薄部１４は、膜厚部１３の電極間方向の端部に連設され、平面形状が略方形状を呈した層状であり、その厚みは膜厚部１３よりも薄く形成され、具体的には、７μｍ〜１４μｍの厚みに形成されている。すなわち、７μｍ未満の場合には、抵抗体としての強度が十分でなく、１４μｍより厚い場合には、ガラス成分が表出するためにメッキ２１との密着強度が低下するためである。

なお、電極間方向と直角の方向である幅方向（Ｘ１−Ｘ２方向及びＺ１−Ｚ２方向に直角な方向）においては、膜厚部１３と膜薄部１４とは同じ幅に形成されている。また、抵抗体１２は、絶縁基板１０の電極間方向には絶縁基板１０の一方の端部から他方の端部にまで形成され、また、幅方向には、絶縁基板１０の幅よりも短く形成されていて、絶縁基板１０の端部との間に所定の距離が設けられている。

また、抵抗体１２における膜厚部１３は、後述する保護膜２０により被覆されていて、平面視において、膜厚部１３の輪郭は、保護膜２０の輪郭よりも内側にあり、例えば、電極間方向（Ｘ１−Ｘ２方向）においては、膜厚部１３の領域Ｒ１は、保護膜２０の領域Ｒ２の内側にあり、また、電極間方向と直角の方向である幅方向においても、膜厚部１３の領域は、保護膜２０の領域の内側にある。

また、下面電極１６は、絶縁基板１０の下面に接して形成され、絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されていて、底面視において略方形状を呈している。下面電極１６の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）は、任意であるが、例えば、絶縁基板１０の端部と保護膜２０間の距離Ｒ３と略同一の長さに形成されている。また、下面電極１６のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一に形成されている。この下面電極１６は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

また、側面電極１８は、上記絶縁基板１０の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）の両端に一対形成されており、上面及び側面及び底面を被覆するように略コ字状に形成されている。つまり、この側面電極１８は、抵抗体１２の上面の一部（つまり、膜薄部１４のの上面の一部）と、絶縁基板１０の側面と、下面電極１６の下面の一部とに接して被覆している。この側面電極１８の幅方向の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと同一に形成されている。なお、側面電極１８は、膜薄部１４の一部を被覆しているが、膜厚部１３には接していない。この側面電極１８は、銀系厚膜（例えば、銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。なお、この側面電極１８には、パラジウムは含有されていない。

また、保護膜２０は、抵抗体１２の上面に接して形成され、膜厚部１３の領域の全体を被覆するとともに膜薄部１４の領域の一部を被覆するように形成されている。すなわち、この保護膜２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、幅方向には、抵抗体１２の幅よりも広く形成され、該絶縁基板１０の幅よりも若干小さく形成されていて、幅方向には抵抗体１２を被覆している。さらに、電極間方向には、膜厚部１３の長さよりも長く形成されて膜厚部１３を被覆し、抵抗体１２の長さよりも短く形成されて、膜薄部１４の一部が保護膜２０から露出している。この保護膜２０は、ほう珪酸鉛ガラスにより形成されている。

また、メッキ２１は、銅メッキ２２と、ニッケルメッキ２４と、錫メッキ２６とを有している。

ここで、銅メッキ２２は、電気メッキにより上記保護膜２０の端部に接触し、かつ、上記抵抗体１２と、側面電極１８とを被覆するように略均一の膜厚で配設されている。つまり、メッキ２１は、抵抗体１２における膜薄部１４の露出部分と側面電極１８と下面電極１６の露出部分に接してこれらを被覆している。つまり、膜薄部１４における保護膜２０及び側面電極１８に被覆されていない露出領域の上面に銅メッキ２２が被覆している。この銅メッキ２２は、銅（Ｃｕ）により形成されていて、メッキ２１全体の抵抗値を下げるために形成されている。また、ニッケルメッキ２４は、電気メッキにより銅メッキ２２の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ２４は、ニッケルにて形成されており、上記抵抗体１２、側面電極１８等のはんだ喰われを防止するために形成されている。また、錫メッキ２６は、電気メッキにより上記ニッケルメッキ２４の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ２６は、錫にて形成されており、上記チップ抵抗器Ａの配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ２６は、錫以外にはんだが用いられる場合もある。

上記構成のチップ抵抗器Ａの製造方法について、図２、図３等を使用して説明する。まず、予め一次スリットＪ１や二次スリットＪ２が設けられたアルミナ基板（基板素体）（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）の表側の面に、第１抵抗層１２ａを形成する（Ｓ１１、第１抵抗層形成工程）。つまり、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成する。抵抗体ペーストとしては、銀とパラジウムとガラスとが含有され抵抗体ペーストが用いられる。焼成温度としては、例えば、８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃）とする。なお、この第１抵抗層１２ａの厚みは、膜薄部１４の厚みとなるので、具体的には、７μｍ〜１４μｍの厚みに形成される。

この第１抵抗層１２ａは、Ｘ方向の複数のチップ抵抗器分の抵抗体であり、抵抗体ペーストの印刷の際、アルミナ基板においてＸ方向（電極部間方向）に導体ペーストを帯状に連続して印刷する。つまり、アルミナ基板において、一次スリットと二次スリットとで囲まれる個々の領域においてＸ１−Ｘ２方向につながる領域について一度に印刷する。より具体的には、アルミナ基板において、最終的に個々のチップ抵抗器となった場合のＸ１−Ｘ２方向に連なる一連の絶縁基板１０の領域（これを「集合領域」とする。この集合領域は、基板素体における個々のチップ抵抗器形成領域が直線状に複数連なる領域であるともいえる）において、該集合領域の一方の端部から他方の端部にまで１本の帯状に導体ペーストを印刷する。つまり、Ｘ１−Ｘ２方向に複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に導体ペーストを印刷する。なお、Ｙ１−Ｙ２方向には、抵抗体ペーストは、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さい幅に形成する。

次に、第２抵抗層１２ｂを第１抵抗層１２ａの上面に形成する（Ｓ１２、第２抵抗層形成工程）。つまり、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成する。抵抗体ペーストとしては、銀とパラジウムとガラスとが含有された抵抗体ペーストが用いられる。焼成温度としては、例えば、８４０℃〜８６０℃（好適には８５０℃）とする。この第２抵抗層１２ｂの厚みは、膜厚部１３の厚みが、第１抵抗層１２ａの厚みと第２抵抗層１２ｂの厚みの和となるので、所望の膜厚部１３の厚みから第１抵抗層１２ａの厚みを減じた厚みとする。

なお、この第２抵抗層１２ｂの形成に際しては、抵抗体ペーストを各チップ抵抗器ごとに印刷する。つまり、抵抗体ペーストを一次スリットと二次スリットとで囲まれる個々の領域にそれぞれ印刷される。つまり、第１抵抗層１２ａ上の一次スリットと二次スリットとで囲まれた個々の領域に、完成状態において、抵抗体１２の全体のＸ１−Ｘ２方向の長さよりも短く、また、第１抵抗層１２ａとＹ１−Ｙ２方向に同一幅となるように抵抗体ペーストを印刷し、その後、乾燥、焼成を行う。なお、第２抵抗層１２ｂの抵抗体ペーストを印刷し、乾燥、焼成することにより、第１抵抗層１２ａと第２抵抗層１２ｂとは一体に構成される。つまり、第１抵抗層１２ａと第２抵抗層１２ｂとは、同一の材料により形成されているので、第２抵抗層１２ｂを形成した際には、抵抗体１２が全体に一体に構成されることになる。上記ステップＳ１１とステップＳ１２とにより、上記抵抗体形成工程が構成される。

以上のように、第１抵抗層１２ａの上面に第２抵抗層１２ｂを形成することにより、抵抗体１２が形成され、第１抵抗層１２ａと第２抵抗層１２ｂとが重なった領域が、膜厚部１３となる。なお、第２抵抗層１２ｂを形成したらトリミングを行なう（トリミング工程）。すなわち、抵抗体１２の膜厚部１３にトリミング溝を形成して、抵抗値の調整を行なう。

なお、上記の説明では、第１抵抗層１２ａを形成した後に第２抵抗層１２ｂを形成するものとして説明したが、第２抵抗層１２ｂを形成した後に第１抵抗層１２ａを形成してもよい。この場合でも、第１抵抗層１２ａと第２抵抗層１２ｂとは一体に構成されるので、結果としては、第１抵抗層１２ａを形成後に第２抵抗層１２ｂを形成する場合と比べて、同じ構成となる。

そして、図２、図３に示すように、保護膜２０を形成する（つまり、ほう珪酸鉛ガラスを含有する保護膜ペーストを印刷・乾燥・焼成させる）（Ｓ１３、保護膜形成工程）。つまり、第２抵抗層１２ｂを被覆するように一次スリットＪ１と二次スリットＪ２とで区画された各領域ごとに保護膜２０を形成する。なお、焼成・硬化温度としては、保護膜がほう珪酸鉛ガラスにより形成されるので、例えば、５９０℃〜６１０℃（好適には６００℃）で焼成する。

その後は、一次スリットＪ１（この一次スリットＪ１が、電極間方向と直角方向の境界線となる）に沿ってアルミナ基板を一次分割した（Ｓ１４、一次分割工程）後、一次分割により形成された短冊状基板に側面電極を形成する（具体的には、複数のチップ抵抗器分の側面電極を形成する）（Ｓ１５、側面電極形成工程）。側面電極における抵抗体の上面に形成された領域の端部と保護膜の端部との間に抵抗体の膜薄部が露出するように側面電極を形成する。また、側面電極の形成に際しては、側面電極ペーストを印刷した後に乾燥・焼成する。側面電極ペーストとしては、銀とガラスとが含有された側面電極ペーストが用いられる。焼成温度としては、例えば、５９０℃〜６１０℃（好適には６００℃）とする。
、その後、二次スリットＪ２（この二次スリットＪ２が、電極間方向の境界線となる）に沿って二次分割する（Ｓ１６、二次分割工程）。そして、メッキ２１を形成して（Ｓ１７、メッキ形成工程）チップ抵抗器Ａを形成する。

上記のように製造されたチップ抵抗器Ａは、電流検出用のチップ抵抗器として、配線基板（プリント基板としてもよい）に実装して使用する。配線基板への実装においては、図４に示すように、チップ抵抗器Ａは、保護膜２０側を配線基板側として、配線基板１００上に形成されたランド１０２にハンダフィレット１１０を介して実装される。なお、上記とは異なり、下面電極１６側を配線基板側として実装してもよい。

上記構成のチップ抵抗器Ａにおいては、抵抗体１２が、膜厚部１３と膜薄部１４とで構成され、膜薄部１４がメッキ２１と接しており、膜薄部１４は７μｍ〜１４μｍの厚みに形成されているので、膜薄部１４の表面に表出するガラス成分を少なくでき、メッキ２１との密着強度を向上させることができる。これにより、メッキ２１が抵抗体１２と剥がれることによる抵抗値変動のおそれを小さくして、電流検出用のチップ抵抗器として好適なチップ抵抗器を提供することができる。すなわち、ガラス分を含む側面電極１８よりも純金属であるメッキ２１（特に銅メッキ２２）の方が抵抗値が小さいことから、抵抗体１２から側面電極１８に至る経路よりも抵抗体１２からメッキ２１に至る経路が主たる電流経路となるので、メッキ２１の抵抗体１２に対する密着強度を向上させることにより、チップ抵抗器自体の抵抗値が変化するおそれを小さくして、電流値検出用に適したチップ抵抗器とすることができる。

また、抵抗体のパラジウムの比率を銀とパラジウムの合計重量に対して重量比で１８〜２４％にすることにより、硫化ガスによる抵抗体に含まれる銀の硫化を十分に防止することができる。また、抵抗体のパラジウムの比率を銀とパラジウムの合計重量に対して重量比で２５％以上に増加させると、抵抗体の抵抗値が上昇して電流検出用のチップ抵抗器に適さなくなるが、抵抗体のパラジウムの比率を１８〜２４％にすることにより、電流検出用のチップ抵抗器に適することができる。

また、膜厚部１３は、膜薄部１４よりも厚く形成され、この膜厚部１３の厚みを調整することにより抵抗体１２を所望の抵抗値に調整することができ、膜厚部１３の厚みを厚くすることにより低抵抗の抵抗体を形成することができる。なお、この膜厚部１３は保護膜２０に被覆されていて、メッキ２１とは接しないので、メッキ２１が抵抗体１２に対して密着強度が弱くなるおそれはない。

また、上記チップ抵抗器の製造方法によれば、メッキ処理の直前に側面電極を焼成により形成することにより、抵抗体１２の露出部分（つまり、膜薄部１４の露出部分）や側面電極ペーストの表面の有機物を焼失させることができ、抵抗体１２及び側面電極１８とメッキ２１（特に、銅メッキ２２）との密着強度を向上させることができる。また、保護膜２０がほう珪酸鉛ガラスにより形成されているので、側面電極１８を焼成により形成しても保護膜が焼失してしまうことがない。

本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。 本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を説明するための説明図である。 本発明の実施例に基づくチップ抵抗器が配線基板に実装された状態を示す断面図である。 従来におけるチップ抵抗器の構成を示す断面図である。 従来におけるジャンパーチップの構成を示す断面図である。

符号の説明

Ａ チップ抵抗器
１０ 絶縁基板
１２ 抵抗体
１３ 膜厚部
１４ 膜薄部
１６ 下面電極
１８ 側面電極
２０ 保護膜
２１ メッキ
２２ 銅メッキ
２４ ニッケルメッキ
２６ 錫メッキ

Claims (6)

1. チップ抵抗器であって、
   絶縁基板と、
   絶縁基板の上面に形成された抵抗体で、絶縁基板の上面に形成された膜厚部と、絶縁基板の上面に膜厚部における電極間方向の両端部から連設された膜薄部で、膜厚部よりも小さい厚みに形成された膜薄部とを有し、膜厚部が膜薄部と一体に形成された抵抗体と、
   抵抗体の上面に形成された保護膜で、膜厚部の全ての領域を被覆する保護膜と、
   少なくとも、膜薄部の上面の一部と絶縁基板の側面に形成された側面電極と、
   膜薄部の上面における保護膜と側面電極間の領域と、側面電極とを被覆するメッキと、
   を有することを特徴とするチップ抵抗器。
2. 上記膜薄部が、７μｍ〜１４μｍの厚みに形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 上記保護膜がほう珪酸鉛ガラスにより形成され、側面電極が焼成による銀系厚膜により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ抵抗器。
4. 上記抵抗体が、重量比で、７２〜７８％の銀と、１６〜２２％のパラジウムと、３〜７％のガラスとを有することを特徴とする請求項１又は２又は３に記載のチップ抵抗器。
5. 上記メッキが、膜薄部の上面における保護膜と側面電極間の領域と、側面電極とを被覆する銅メッキと、該銅メッキの外側に形成されたニッケルメッキと、該ニッケルメッキの外側に形成された錫メッキとを有することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４に記載のチップ抵抗器。
6. チップ抵抗器の製造方法であって、
   チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面の各チップ抵抗器の領域に、膜厚部と、膜厚部における電極間方向の端部から連設された膜薄部で、膜厚部よりも小さい厚みに形成された膜薄部とを有し、膜厚部が膜薄部と一体に形成された抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
   抵抗体の上面に、ほう珪酸鉛ガラスを含有する保護膜ペーストを印刷・乾燥・焼成することにより保護膜を形成する保護膜形成工程で、膜厚部の全ての領域を被覆するとともに少なくとも膜薄部の端部側が露出するように保護膜を形成する保護膜形成工程と、
   基板素体を電極間方向と直角方向の境界線に沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、
   短冊状基板に対して側面電極ペーストを印刷・乾燥・焼成することにより側面電極を断面略コ字状に形成する側面電極形成工程で、抵抗体の上面に形成された領域の端部と保護膜の端部との間に抵抗体の膜薄部が露出するように側面電極を形成する側面電極形成工程と、
   短冊状基板を電極間方向の境界線に沿って分割する二次分割工程と、
   抵抗体の膜薄部の露出領域と側面電極とにメッキを形成するメッキ形成工程と、
   を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。

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