JP4198133B2 - チップ抵抗器とその製造方法 - Google Patents
チップ抵抗器とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4198133B2 JP4198133B2 JP2005192423A JP2005192423A JP4198133B2 JP 4198133 B2 JP4198133 B2 JP 4198133B2 JP 2005192423 A JP2005192423 A JP 2005192423A JP 2005192423 A JP2005192423 A JP 2005192423A JP 4198133 B2 JP4198133 B2 JP 4198133B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface electrode
- auxiliary
- electrode
- auxiliary upper
- cover coat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
本発明は,チップ型にした絶縁基板に,少なくとも一つの抵抗膜と,その両端に対する端子電極と,前記抵抗膜を覆うオーバーコートとを形成して成るチップ抵抗器,及びこのチップ抵抗器を製造する方法に関するものである。
従来,この種のチップ抵抗器は,絶縁基板における中央の部分に,抵抗膜を覆うオーバーコートが高く突出した形態で,大きな段差を有する構成であったから,このチップ抵抗器を,真空吸着式のコレットにて吸着するときにおいて,吸着不能になるとか,或いは,オーバーコートに割れが発生する等の不具合があった。
これに加えて,前記抵抗膜に両端に対する両端子電極のうち絶縁基板の上面に,前記抵抗膜に電気的に繋がるように形成する上面電極を,電気抵抗の小さい銀を主成分とする導電性ペーストにて,薄膜にして形成していることにより,この上面電極には,当該上面電極の表面に半田付けのための金属メッキ層が形成されているといえども,大気中の硫化水素等の硫黄ガスによって銀が硫化銀になるように,硫黄成分によってマグレーション等の腐食が発生することになって,この上面電極の断線に至るという不具合がある。
そこで,従来のチップ抵抗器においては,例えば,特許文献1及び2に記載されているように,前記したように,銀を主成分とする導電性ペーストにて形成した上面電極に,銀を除く金属による導電性ペースト製の補助上面電極を,前記オーバーコートに対して一部重なるように,厚く重ねて形成することにより,段差を無くするか,小さくするとともに,前記上面電極における硫化等の腐食を抑制するという構成にしている。
特開平8−236302号公報
特開2002−184602号公報
前記した従来のチップ抵抗器は,前記両特許文献に記載されているように,前記補助上面電極がカバーコートに対して重なる部分が,銀系導電性ペーストによる上面電極の真上に位置しているという構造である。
この場合,前記上面電極を被覆する補助上面電極が,例え,ニッケル等のように銀を除く金属による導電性ペーストがあるとしても,この補助上面電極は,材質の異なるカーバーコートに対して完全には一体化されていないことにより,前記補助上面電極のうち前記オーバーコートに重なる部分がオーバーコートから剥離したり,前記オーバーコートに対して重なる部分に割れが発生したりすることが多々発生する。
従って,前記補助上面電極がカバーコートに対して重なる部分が,前記上面電極の真上に位置しているという構造であると,前記補助上面電極のうち前記オーバーコートに重なる部分に剥離又は割れが発生した場合に,大気空気が,直ちに,その下層の上面電極にまで侵入することになるから,上面電極に,前記大気空気中の硫黄成分等によってマグレーション等の腐食が発生することになる。
つまり,前記従来の構造では,前記上面電極に対するマグレーション等の腐食防止の効果が低く,換言すると,耐マグレーション等の耐腐食性が低いという問題があった。
本発明は,耐マグレーション等の耐腐食性を確実に向上できるようにしたチップ抵抗器と,その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
この技術的課題を達成するため本発明のチップ抵抗器は,請求項1に記載したように,「チップ型にした絶縁基板の上面に,少なくとも一つの抵抗膜とその両端に対する上面電極とを形成して成るチップ抵抗器において,
前記両上面電極の上面に,第1補助上面電極を前記上面電極の全体を被覆するように形成する一方,前記抵抗膜の上面に,これを被覆するカバーコートを,当該カバーコートの両端に,前記第1補助上面電極における上面のうちその左右両外側に被覆することなく前記上面電極に対して重なる部分のみを被覆するようにした延長部を一体に設けて形成し,前記カバーコートにおける上面のうち前記両延長部を除く部分に,このカバーコートを被覆するオーバーコートを形成し,前記カバーコートにおける両延長部の上面に,この延長部を被覆する第2補助上面電極を,当該第2補助上面電極の一部が前記延長部の左右外側において第1補助上面電極に重なり接合し,且つ,当該第2補助上面電極の一部が前記オーバーコートの端部に重なるように形成し,更に,前記絶縁基板の左右両端面に,側面電極を,当該側面電極の一部が前記第2補助上面電極における上面の一部に重なるように形成し,前記第2補助上面電極及び前記側面電極の表面に,金属メッキ層を形成する。」
ことを特徴としている。
前記両上面電極の上面に,第1補助上面電極を前記上面電極の全体を被覆するように形成する一方,前記抵抗膜の上面に,これを被覆するカバーコートを,当該カバーコートの両端に,前記第1補助上面電極における上面のうちその左右両外側に被覆することなく前記上面電極に対して重なる部分のみを被覆するようにした延長部を一体に設けて形成し,前記カバーコートにおける上面のうち前記両延長部を除く部分に,このカバーコートを被覆するオーバーコートを形成し,前記カバーコートにおける両延長部の上面に,この延長部を被覆する第2補助上面電極を,当該第2補助上面電極の一部が前記延長部の左右外側において第1補助上面電極に重なり接合し,且つ,当該第2補助上面電極の一部が前記オーバーコートの端部に重なるように形成し,更に,前記絶縁基板の左右両端面に,側面電極を,当該側面電極の一部が前記第2補助上面電極における上面の一部に重なるように形成し,前記第2補助上面電極及び前記側面電極の表面に,金属メッキ層を形成する。」
ことを特徴としている。
また,本発明の製造方法は,請求項4に記載したように,
「チップ型にした絶縁基板の上面に,少なくとも一つの抵抗膜とその両端に対する上面電極とを形成する工程と,
前記両上面電極の上面に,第1補助上面電極を前記上面電極の全体を被覆するように重ねて形成する工程と, 前記抵抗膜の上面に,これを被覆するカバーコートを,当該カバーコートの両端に,前記第1補助上面電極における上面のうちその左右両外側に被覆することなく前記上面電極に対して重なる部分のみを被覆するようにした延長部を一体に設けて形成する工程と,
前記カバーコートにおける上面のうち前記両延長部を除く部分に,このカバーコートを被覆するオーバーコートを形成する工程と,
前記カバーコートにおける両延長部の上面に,この延長部を被覆する第2補助上面電極を,当該第2補助上面電極の一部が前記延長部の左右外側において第1補助上面電極に重なり接合し,且つ,当該第2補助上面電極の一部が前記オーバーコートの端部に重なるように形成する工程と,
前記絶縁基板の左右両端面に,側面電極を,当該側面電極の一部が前記第2補助上面電極における上面の一部に重なるように形成する工程と,
前記第2補助上面電極及び前記側面電極の表面に,金属メッキ層を形成する工程と,
を備えている。」
ことを特徴としている。
「チップ型にした絶縁基板の上面に,少なくとも一つの抵抗膜とその両端に対する上面電極とを形成する工程と,
前記両上面電極の上面に,第1補助上面電極を前記上面電極の全体を被覆するように重ねて形成する工程と, 前記抵抗膜の上面に,これを被覆するカバーコートを,当該カバーコートの両端に,前記第1補助上面電極における上面のうちその左右両外側に被覆することなく前記上面電極に対して重なる部分のみを被覆するようにした延長部を一体に設けて形成する工程と,
前記カバーコートにおける上面のうち前記両延長部を除く部分に,このカバーコートを被覆するオーバーコートを形成する工程と,
前記カバーコートにおける両延長部の上面に,この延長部を被覆する第2補助上面電極を,当該第2補助上面電極の一部が前記延長部の左右外側において第1補助上面電極に重なり接合し,且つ,当該第2補助上面電極の一部が前記オーバーコートの端部に重なるように形成する工程と,
前記絶縁基板の左右両端面に,側面電極を,当該側面電極の一部が前記第2補助上面電極における上面の一部に重なるように形成する工程と,
前記第2補助上面電極及び前記側面電極の表面に,金属メッキ層を形成する工程と,
を備えている。」
ことを特徴としている。
前記した構成にすることにより,側面電極及び金属メッキ層を,上面電極に対して,第2補助上面電極及び第1補助上面電極を介して電気的に確実に導通することができ,しかも,オーバーコートの上面とその左右両側における上面の部分との間における段差を小さく又は無くすることができる状態のもとで,前記上面電極の全体を,前記第2補助上面電極及び第1補助上面電極と,その間におけるカバーコートの延長部との三重に被覆することができる。
従って,前記第2補助上面電極のうちオーバコートの端部に重なる部分に,剥離又は割れが発生しても,大気空気が,前記上面電極にまで侵入することを,前記第1補助上面電極及びカバーコートの延長部によって確実に阻止することができるから,耐マグレーション等の耐腐食性を大幅に向上できる。
この場合において,請求項2に記載したように,前記第1補助上面電極及び前記第2補助上面電極のうち少なくとも第2補助上面電極を,Pdを含む銀系導電性ペーストにて形成することにより,この第2補助上面電極における比抵抗を低減できるものでありながら,この第2補助上面電極にマグレーション等の腐食が発生することをPdの存在によって低減できるから,耐マグレーション等の耐腐食性をより向上することができる。
また,請求項3に記載したように,前記第1補助上面電極及び前記第2補助上面電極のうち少なくとも第2補助上面電極を,銀を除く卑金属による導電性ペーストにて形成することにより,耐マグレーション等の耐腐食性を,材料費のアップを招来することなく,より向上できる。
以下,本発明の実施の形態を図面について説明する。
図1は,本発明の実施の形態によるチップ抵抗器1を示す。
このチップ抵抗器1は,以下に述べるような構成である。
すなわち,チップ型にした絶縁基板2の上面には,少なくとも一つの抵抗膜3とその両端に対する上面電極4とが形成されている。
前記両上面電極4の上面に,第1補助上面電極5を重ねて形成するに,この第1補助上面電極5における横幅寸法W1を前記上面電極4における横幅寸法W0よりも大きくすることにより,前記上面電極4の全体を被覆するようにして構成する。
一方,前記抵抗膜3の上面に,これを覆うカバーコート6を重ねて形成するに,このカバーコート6の両端に,第1補助上面電極5を被覆して前記絶縁基板2における左右両端面2aにまで延びる延長部6を一体に設けるようにして形成する。
この場合,前記カバーコート6の両延長部6aにおける幅寸法W2は,前記上面電極4における幅寸法W0と,前記第1補助上面電極5における幅寸法W1との中間に設定され,これにより,前記第1補助上面電極5における上面のうちその左右両外側に前記延長部6aでは被覆されていない非被覆部5aを設けるように構成されている。
前記カバーコート6における上面のうち前記両延長部6aを除く部分には,このカバーコート6を被覆するオーバーコート7が形成されている。
一方,前記カバーコート6における両延長部6aの上面には,この延長部6aを被覆する第2補助上面電極8が形成されている。
この第2補助上面電極8は,その横幅寸法W3を,前記カバーコート6の延長部6aにおける横幅寸法W2よりも大きくすることにより,その左右両側における一部が前記延長部6aの左右外側の非被覆部5aにおいて第1補助上面電極5に対して重なって接合され,更に,当該第2補助上面電極8における一部が前記オーバーコート7の端部に重なるように形成されている。
また,前記絶縁基板2の左右両端面2aの各々には,側面電極9が,当該側面電極9における一部が前記第2補助上面電極8における上面の一部と,前記絶縁基板2における下面の一部とに重なるように形成されている。
更に,前記両第2補助上面電極8及び前記両側面電極9の表面には,金属メッキ層10が形成されている。
この金属メッキ層10は,例えば,ニッケルメッキ層を下地として,この表面に,錫又は半田のメッキ層を形成することによって構成されている。
この構成において,側面電極9及び金属メッキ層10を,上面電極4に対して,第2補助上面電極8及び第1補助上面電極5を介して電気的に確実に導通することができる一方,オーバーコート7の上面とその左右両側の部分との間における段差を,前記第1補助上面電極5,カバーコート6における延長部6a及び第2補助上面電極8によって,小さく又は無くすることができる。
そして,前記上面電極4の全体を,前記第2補助上面電極8及び第1補助上面電極5と,その間におけるカバーコート6の延長部6aとの三重に被覆することができるから,例え,前記第2補助上面電極8のうちオーバコート7の端部に重なる部分に,剥離又は割れが発生しても,大気空気が,前記上面電極4にまで侵入することを,前記第1補助上面電極5及びカバーコート6の延長部6aによって確実に阻止することができる。
次に,前記構成によるチップ抵抗器1は,以下に述べる順序の工程によって製造される。
先ず,第1の製造工程において,図3に示すように,チップ型にした絶縁基板2の上面に,横幅寸法W0にした上面電極4を,銀系導電性ペーストのスクリーン印刷による塗布と,その後における焼成とで,左右一対形成する。
次いで,第2の製造工程において,図4及び図5に示すように,前記絶縁基板2の上面のうち前記両上面電極4の間の部分に,抵抗膜3を,その材料ペーストのスクリーン印刷による塗布と,その後における焼成とで,当該抵抗膜3における両端が前記両上面電極4に対して電気的に導通するように形成する。
この場合において,第1の製造工程で前記抵抗膜3を形成し,第2の製造工程で前記上面電極4を形成するようにしても良い。また,前記絶縁基板2の下面に左右の一対の下面電極を成形する場合は,この下面電極を,その材料ペーストのスクリーン印刷による塗布と,その後における焼成で形成したのち,前記第1の製造工程に入るようにする。
なお,これらの工程が終わると,前記抵抗膜3の部分のみを,ガラスによるアンダーコート(図せず)にて被覆したのち,前記抵抗膜3における抵抗値を,前記上面電極4に通電用プローブを接触して測定しながら,前記抵抗膜3に対して前記アンダーコートの上からトリミングを行うことにより,所定の抵抗値になるようにトリミング調整を行う。
次いで,第3の製造工程において,図6〜図8に示すように,前記両上面電極4の上面に,第1補助上面電極5を,その材料ペーストのスクリーン印刷による塗布と,その後における焼成とで,重ねて形成する。
この場合,この第1補助上面電極5における横幅寸法W1を,前記上面電極4における横幅寸法W0よりも大きくすることにより,この第1補助上面電極5にて前記上面電極4の全体を被覆するように構成する。
また,この第1補助上面電極5は,銀を主成分とする銀系導電性ペーストとか,Pdを含む銀系導電性ペーストとか,又は,銀を除く金属,例えばニケッル等の卑金属を主成分とする卑金属系導電性ペーストにて形成されており,銀系導電性ペースト又はPdを含む銀系導電性ペーストによるときには,比抵抗を下げることができ,Pdを含む銀系導電性ペースト又は卑金属系導電性ペーストによるときには,当該第1補助上面電極5にマグレーション等の発生しないことにより,前記銀系導電性ペーストによる上面電極4の耐マグレーション等の耐腐食性を向上できる。
次いで,第4の製造工程において,図9〜図11に示すように,前記抵抗膜3の上面に,これを覆うカバーコート6を,そのガラス材料ペーストのスクリーン印刷による塗布と,その後における焼成とで,重ねて形成する。
このカバーコート6を,その両端に,前記第1補助上面電極5を被覆して前記絶縁基板2における左右両端面2aにまで延びる延長部6を一体に設けるようにして形成する。
この場合,前記カバーコート6の両延長部6aにおける幅寸法W2を,前記上面電極4における幅寸法W0と,前記第1補助上面電極5における幅寸法W1との中間に設定することにより,前記第1補助上面電極5における上面のうちその左右両外側に前記延長部6aでは被覆されていない非被覆部5aを設けるようにしている。
次いで,第5の製造工程において,図12及び図13に示すように,前記カバーコート6における上面のうち前記両延長部6aを除く部分に,このカバーコート6を被覆するオーバーコート7を,ガラス材料ペーストのスクリーン印刷による塗布とその後における焼成とシートを形成するか,或いは,液状合成樹脂のスクリーン印刷による塗布とその後における硬化処理とで重ねて形成する。
次いで,第6の製造工程において,図14〜図16に示すように,前記カバーコート6における両延長部6aの上面に,この延長部6aを被覆する第2補助上面電極8を形成する。この第2補助上面電極8を,その横幅寸法W3を,前記カバーコート6の延長部6aにおける横幅寸法W2よりも大きくすることにより,その左右両側における一部が前記延長部6aの左右外側の非被覆部5aにおいて第1補助上面電極5に対して重なって接合しているととも,当該第2補助上面電極8における一部が前記オーバーコート7の端部に重なるように形成している。
また,この第2補助上面電極8は,銀を主成分とする銀系導電性ペーストとか,Pdを含む銀系導電性ペーストとか,又は,銀を除く金属,例えばニッケル等の卑金属を主成分とする卑金属系導電性ペーストにて形成されており,銀系導電性ペースト又はPdを含む銀系導電性ペーストによるときには,比抵抗を下げることができ,Pdを含む銀系導電性ペースト又は卑金属系導電性ペーストによるときには,当該第2補助上面電極8にマグレーション等の発生しないことにより,前記銀系導電性ペーストによる上面電極4の耐マグレーション等の耐腐食性を向上できる。
次いで,第7の製造工程において,図17に示すように,前記絶縁基板2の左右両端面2aの各々に,側面電極9を,当該側面電極9における一部が前記第2補助上面電極8における上面の一部と,前記絶縁基板2における下面の一部(この下面に下面電極が形成さている場合は,この下面電極の一部)とに重なるように形成する。
次いで,第8の製造工程において,全体に対してバレルメッキ処理を施すことにより,前記両第2補助上面電極8及び前記両側面電極9の表面には,例えば,ニッケルメッキ層と錫メッキ層とからなる金属メッキ層10を形成するか,ニッケルメッキ層と半田メッキ層とからなる金属メッキ層10を形成して,前記図1及び図2に示す構成のチップ抵抗器1の完成品にする。
なお,前記絶縁基板2の下面に,下面電極を形成して,この下面電極に前記側面電極の一部が重なるようにして,この下面電極に表面にも金属メッキ層10を形成するという構成しても良いことは勿論である。
1 チップ抵抗器
2 絶縁基板
2a,2b 絶縁基板の端面
3 抵抗膜
4 上面電極
5 第1補助上面電極
5a 非被覆部
6 カバーコート
6a カバーコートの延長部
7 オーバーコート
8 第2補助上面電極
9 側面電極
10 金属メッキ層
2 絶縁基板
2a,2b 絶縁基板の端面
3 抵抗膜
4 上面電極
5 第1補助上面電極
5a 非被覆部
6 カバーコート
6a カバーコートの延長部
7 オーバーコート
8 第2補助上面電極
9 側面電極
10 金属メッキ層
Claims (4)
- チップ型にした絶縁基板の上面に,少なくとも一つの抵抗膜とその両端に対する上面電極とを形成して成るチップ抵抗器において,
前記両上面電極の上面に,第1補助上面電極を前記上面電極の全体を被覆するように形成する一方,前記抵抗膜の上面に,これを被覆するカバーコートを,当該カバーコートの両端に,前記第1補助上面電極における上面のうちその左右両外側に被覆することなく前記上面電極に対して重なる部分のみを被覆するようにした延長部を一体に設けて形成し,前記カバーコートにおける上面のうち前記両延長部を除く部分に,このカバーコートを被覆するオーバーコートを形成し,前記カバーコートにおける両延長部の上面に,この延長部を被覆する第2補助上面電極を,当該第2補助上面電極の一部が前記延長部の左右外側において第1補助上面電極に重なり接合し,且つ,当該第2補助上面電極の一部が前記オーバーコートの端部に重なるように形成し,更に,前記絶縁基板の左右両端面に,側面電極を,当該側面電極の一部が前記第2補助上面電極における上面の一部に重なるように形成し,前記第2補助上面電極及び前記側面電極の表面に,金属メッキ層を形成することを特徴とするチップ抵抗器。 - 前記請求項1の記載において,前記第1補助上面電極及び前記第2補助上面電極のうち少なくとも第2補助上面電極を,Pdを含む銀系導電性ペーストにて形成することを特徴とするチップ抵抗器。
- 前記請求項1の記載において,前記第1補助上面電極及び前記第2補助上面電極のうち少なくとも第2補助上面電極を,銀を除く卑金属による導電性ペーストにて形成することを特徴とするチップ抵抗器。
- チップ型にした絶縁基板の上面に,少なくとも一つの抵抗膜とその両端に対する上面電極とを形成する工程と,
前記両上面電極の上面に,第1補助上面電極を前記上面電極の全体を被覆するように重ねて形成する工程と, 前記抵抗膜の上面に,これを被覆するカバーコートを,当該カバーコートの両端に,前記第1補助上面電極における上面のうちその左右両外側に被覆することなく前記上面電極に対して重なる部分のみを被覆するようにした延長部を一体に設けて形成する工程と,
前記カバーコートにおける上面のうち前記両延長部を除く部分に,このカバーコートを被覆するオーバーコートを形成する工程と,
前記カバーコートにおける両延長部の上面に,この延長部を被覆する第2補助上面電極を,当該第2補助上面電極の一部が前記延長部の左右外側において第1補助上面電極に重なり接合し,且つ,当該第2補助上面電極の一部が前記オーバーコートの端部に重なるように形成する工程と,
前記絶縁基板の左右両端面に,側面電極を,当該側面電極の一部が前記第2補助上面電極における上面の一部に重なるように形成する工程と,
前記第2補助上面電極及び前記側面電極の表面に,金属メッキ層を形成する工程と,
を備えていることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005192423A JP4198133B2 (ja) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | チップ抵抗器とその製造方法 |
PCT/JP2006/303666 WO2006093107A1 (ja) | 2005-03-02 | 2006-02-28 | チップ抵抗器とその製造方法 |
EP06714803A EP1855294A1 (en) | 2005-03-02 | 2006-02-28 | Chip resistor and manufacturing method thereof |
CN2006800067471A CN101133466B (zh) | 2005-03-02 | 2006-02-28 | 芯片电阻器及其制造方法 |
US11/883,856 US7786842B2 (en) | 2005-03-02 | 2006-02-28 | Chip resistor and manufacturing method thereof |
KR1020077020061A KR100908345B1 (ko) | 2005-03-02 | 2006-02-28 | 칩 저항기와 그 제조 방법 |
TW095107041A TW200707475A (en) | 2005-03-02 | 2006-03-02 | Chip resistor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005192423A JP4198133B2 (ja) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | チップ抵抗器とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007012908A JP2007012908A (ja) | 2007-01-18 |
JP4198133B2 true JP4198133B2 (ja) | 2008-12-17 |
Family
ID=37751017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005192423A Expired - Fee Related JP4198133B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-06-30 | チップ抵抗器とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4198133B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5003306B2 (ja) | 2007-06-27 | 2012-08-15 | ブラザー工業株式会社 | 吐出ヘッドおよび吐出ヘッドの製造方法 |
CN103392212B (zh) | 2011-02-24 | 2016-10-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 片式电阻器及其制造方法 |
-
2005
- 2005-06-30 JP JP2005192423A patent/JP4198133B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007012908A (ja) | 2007-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100908345B1 (ko) | 칩 저항기와 그 제조 방법 | |
JP7382451B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
US6982624B2 (en) | Chip resistor | |
WO2003046934A1 (fr) | Pave resisitf et procede de fabrication correspondant | |
JP2007088162A (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2004253467A (ja) | チップ抵抗器 | |
WO2014109224A1 (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2006245218A (ja) | チップ抵抗器とその製造方法 | |
JP4198133B2 (ja) | チップ抵抗器とその製造方法 | |
JP2007073883A (ja) | チップ型コンデンサ | |
JP2003068502A (ja) | チップ抵抗器 | |
WO2018061961A1 (ja) | チップ抵抗器 | |
JP5249566B2 (ja) | チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法 | |
JP3967040B2 (ja) | 多連のチップ型抵抗器の構造 | |
WO2017033793A1 (ja) | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 | |
JP2017228701A (ja) | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の実装構造 | |
JP7349317B2 (ja) | チップ部品およびチップ部品の製造方法 | |
JP4081873B2 (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
US20220392673A1 (en) | Chip component | |
JPH0727610Y2 (ja) | 可変抵抗器の電極構造 | |
JP4526117B2 (ja) | 低い抵抗値を有するチップ抵抗器とその製造方法 | |
JP4761792B2 (ja) | 低抵抗のチップ抵抗器とその製造方法 | |
WO2015068701A1 (ja) | チップ状電気部品 | |
JPH11219846A (ja) | 表面実装部品とその製造方法 | |
JP2017079252A (ja) | チップ抵抗器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080903 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080930 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |