JP2003068502A - チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 はんだ付け時において、上面電極層のはんだ
濡れを防止することができ、保護層やニッケルメッキ層
の剥離を防止することができて、はんだ濡れに起因する
耐候性低下を回避することができるチップ固定抵抗器を
提供する。 【解決手段】 第１上面電極層１４の上面に積層して設
けられ、少なくとも、該メッキ層２１と保護層２０の境
界位置の下側に設けられた第２上面電極層１６を設け
る。第１上面電極層１４は、パラジウムを１０〜３０％
含有し、焼成温度８００〜９００℃の銀パラジウム系厚
膜により形成し、また、第２上面電極層１６は、低温焼
成、つまり、５００〜７００℃焼成の銀系厚膜により形
成する。さらに、第１上面電極層１４と抵抗層１２の接
続位置においては、第１上面電極層１４が抵抗層１２の
上面に積層しているようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ抵抗器に関
するものであり、特に、チップ固定抵抗器に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来のチップ固定抵抗器Ｚは、図８に示
すように、絶縁基板１１０と、抵抗体層１１２と、上面
電極層１１４と、側面電極層１１８と、保護層１２０
と、メッキ層１２１とを有している。ここで、該メッキ
層１２１は、ニッケルメッキ層１２２と、はんだメッキ
層１２４とを有している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のチップ
固定抵抗器Ｚにおいては、はんだ付け時に、メッキ層１
２１と保護層１２０との境界部分に隙間が形成されて、
該隙間からはんだが侵入すると、上面電極層１１４がは
んだ濡れしてしまい、この症状が加速されると、図９に
示すように、侵入したはんだが保護層１２０を押し上げ
て、保護層１２０が剥離されてしまうことになる。ま
た、同様に、ニッケルメッキ層１２２についても、同様
に剥離が発生することになる。保護層１２０やニッケル
メッキ層１２２が剥離することにより、チップ抵抗器の
耐候性が著しく低下し、チップ抵抗器が故障に至る危険
があった。なお、図９において、１２６は、はんだによ
り形成されたフィレットであり、１２８は、ランドを示
す。

【０００４】特に、上記の問題点は、以下の点からより
顕在化してきた。つまり、近年、保護層１２０の素材
が、抵抗器の高精度化、鉛レス化及び省エネ等の理由に
より、ガラスから樹脂に変更されつつあり、そうする
と、保護層１２０の密着強度が低下し、また、保護層１
２０自体の強度が低下することにより、保護層１２０が
より剥離しやすくなった。

【０００５】また、近年鉛フリーのはんだが使用されつ
つあるが、この鉛フリーのはんだを使用すると、はんだ
付け時の温度が高くなり、これにより、保護層１２０等
の各部位への熱ストレスが強くなり、上面電極層１１４
がはんだにより濡れやすくなった。

【０００６】また、従来から上面電極層１１４には、銀
系厚膜又は銀パラジウム系厚膜が使用されているが、チ
ップサイズの微小化により抵抗体層１１２中への銀の拡
散による特性の劣化が問題となり、その対策として銀の
拡散を起こし難くしたパラジウム含有率１０〜３０％程
度の銀パラジウム系厚膜を使用するようになった。その
ため、逆に、上面電極層１１４は、パラジウム含有率の
増加により銀パラジウム系厚膜の表面において銀の酸化
が抑制されてしまい、その結果、上面電極層１１４にお
けるはんだ濡れが発生し易くなった。

【０００７】そこで、本発明は、はんだ付け時におい
て、上面電極層のはんだ濡れを防止することができ、保
護層やニッケルメッキ層の剥離を防止することができ
て、はんだ濡れに起因する耐候性低下を回避することが
できるチップ固定抵抗器を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するために創作されたものであって、第１には、絶縁
基板と、該絶縁基板上に形成された一対の第１上面電極
層と、該一対の第１上面電極層間に形成された抵抗層
と、該抵抗層を覆うように形成された保護層と、該保護
層と接するメッキ層と、を有するチップ抵抗器であっ
て、該第１上面電極層の上面に積層して設けられた第２
上面電極層であって、少なくとも、該メッキ層と保護層
の境界位置の下側に設けられた第２上面電極層を有する
ことを特徴とする。

【０００９】この第１の構成のチップ抵抗器において
は、上記第２上面電極層が設けられているので、はんだ
付け時に保護層とメッキ層との境界位置に隙間が形成さ
れて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第
１上面電極層が直接はんだに濡れることを防止すること
ができる。さらに、該第１上面電極層のはんだ濡れが加
速することによる保護層の剥離やメッキ層の剥離を防止
することができる。なお、この第１の構成におけるメッ
キ層について、「該保護層に接するメッキ層であって、
該第１上面電極層の少なくとも一部の上方に設けられた
メッキ層」としてもよい。

【００１０】また、第２には、絶縁基板と、該絶縁基板
上に設けられた一対の第１上面電極層と、該一対の第１
上面電極層間に形成された抵抗層と、該抵抗層を覆うよ
うに形成された保護層と、少なくとも、該絶縁基板の該
上面電極層形成側の端面に形成された側面電極層と、少
なくとも該側面電極層を覆うように形成されたメッキ層
で、該保護層と接するメッキ層と、を有するチップ抵抗
器であって、該第１上面電極層の上面に積層して設けら
れた第２上面電極層であって、少なくとも、該メッキ層
と保護層の境界位置の下側に設けられた第２上面電極層
を有することを特徴とする。

【００１１】この第２の構成のチップ抵抗器において
は、上記第２上面電極層が設けられているので、はんだ
付け時に保護層とメッキ層との境界位置に隙間が形成さ
れて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第
１上面電極層が直接はんだに濡れることを防止すること
ができる。さらに、該第１上面電極層のはんだ濡れが加
速することによる保護層の剥離やメッキ層の剥離を防止
することができる。

【００１２】また、第３には、上記第２の構成におい
て、上記側面電極層が、焼成工程を行なうことなく形成
されたものであることを特徴とする。これにより、チッ
プ抵抗器の製造に当たって、保護層形成後に側面電極層
を形成する場合でも、側面電極層を焼成しないので、保
護層に樹脂を用いることができる。また、第２上面電極
層形成後に抵抗層の抵抗値を調整する場合に、その後
に、保護層や側面電極層を焼成しないので、抵抗値の変
化を防止することができる。

【００１３】また、第４には、上記第２又は第３の構成
において、上記側面電極層が、薄膜であることを特徴と
する。これにより、低温焼成の銀系厚膜により形成され
た第２上面電極層と、該側面電極層との密着性をよくす
ることができる。

【００１４】また、第５には、上記第１から第４までの
いずれかの構成において、上記第１上面電極層と抵抗層
の接続位置においては、第１上面電極層が抵抗層の上面
に積層していることを特徴とする。よって、第１上面電
極層を抵抗層の上に重ねることにより、保護層の端面
（つまり、第２上面電極層が形成される位置）から抵抗
層の露出位置（第１上面電極層の抵抗層側の端面）まで
の距離を長くすることができ、第２上面電極層を形成し
た際に、該第２上面電極層が抵抗層に接触しないように
することができる。また、必要な上面電極層の有効長
と、上面電極層と抵抗層とのオーバーラップ長とを確保
しつつ、抵抗層有効長を長く取ることができる。

【００１５】また、第６には、上記第１から第５までの
いずれかの構成において、上記第２上面電極層が、チッ
プ抵抗器の平面視において、抵抗層と第１上面電極層と
が重なる領域以外の領域に設けられていることを特徴と
する。これにより、第２上面電極層が抵抗層に接触しな
いようにすることができる。

【００１６】また、第７には、上記第１から第６までの
いずれかの構成において、上記第２上面電極層が、上記
第１上面電極層における所定の領域である被覆領域であ
って、チップ抵抗器の平面視において、該抵抗層と重な
る領域以外の領域である被覆領域を全て被覆しているこ
とを特徴とする。これにより、第２上面電極層が抵抗層
に接触しないようにするとともに、第１上面電極層のは
んだ濡れを十分防止することができる。

【００１７】また、第８には、上記第１から第７までの
いずれかの構成において、上記第２上面電極層は、上記
第１上面電極層における該メッキ層と保護層の境界位置
の下側の位置を含む領域を全て被覆していることを特徴
とする。よって、第１上面電極層のはんだ濡れを十分防
止することができる。

【００１８】また、第９には、上記第１から第８までの
いずれかの構成において、上記第１上面電極層が、銀パ
ラジウム系厚膜であることを特徴とする。また、第１０
には、上記第９の構成において、上記銀パラジウム系厚
膜が、パラジウムを重量比で１０〜３０％含有する銀パ
ラジウム系厚膜であることを特徴とする。よって、この
第９及び第１０の構成によれば、抵抗層への銀の拡散を
抑えることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変
化や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の
電気的特性の劣化を抑えることができる。

【００１９】また、第１１には、上記第１から第１０ま
でのいずれかの構成において、上記第２上面電極層が、
はんだに濡れ難く、めっき付け性のよい素材により形成
されていることを特徴とする。よって、第２上面電極層
がはんだに濡れ難い素材により形成されているので、は
んだ付け時に保護層とメッキ層との境界位置に隙間が形
成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であって
も、第１上面電極層が直接はんだに濡れることを防止す
ることができる。さらに、該第１上面電極層のはんだ濡
れが加速することによる保護層の剥離やメッキ層の剥離
を防止することができる。また、第２上面電極層はめっ
き付け性のよい素材により形成されているので、メッキ
層との密着性を高くすることが可能となる。

【００２０】また、第１２には、上記第１から第１１ま
でのいずれかの構成において、上記第２上面電極層が、
銀系厚膜であることを特徴とする。よって、めっき付け
性を高くすることができ、また、銀パラジウム系の厚膜
ではないため、はんだに濡れ難く、保護層等の剥離を防
止することができる。

【００２１】また、第１３には、上記第１から第１２ま
でのいずれかの構成において、上記第２上面電極層にお
けるパラジウム含有量が重量比で１％以下であることを
特徴とする。よって、第２上面電極層は、パラジウム含
有量が少ないため、はんだに濡れ難く、保護層等の剥離
を防止することができる。

【００２２】また、第１４には、上記第１から第１３ま
でのいずれかの構成において、上記第２上面電極層が、
焼成温度が５００℃〜７００℃の素材により形成されて
いることを特徴とする。この第２上面電極層は、低温焼
成であることから、ガラス成分を含むことになり、はん
だに濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができ
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態としての第１
実施例を図面を利用して説明する。本実施例のチップ固
定抵抗器（チップ抵抗器）Ａ１は、図１に示すように、
絶縁基板１０と、抵抗体層（抵抗層）１２と、第１上面
電極層１４と、第２上面電極層１６と、側面電極層１８
と、保護層２０と、メッキ層２１と、を有している。メ
ッキ層２１は、ニッケルメッキ層２２と、はんだメッキ
層２４とからなる。

【００２４】ここで、上記チップ固定抵抗器Ａ１につい
てさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有
率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。
この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視
すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０
は、上記チップ固定抵抗器Ａ１の基礎部材として用いら
れている。

【００２５】上記抵抗体層１２は、図１に示すように、
上記絶縁基板１０上面の中央部付近に配設されている。
この抵抗体層１２は、酸化ルテニウム系厚膜である。こ
の抵抗体層１２は、上記チップ固定抵抗器Ａ１として電
気的特性を担う機能素子である。

【００２６】上記第１上面電極層１４は、図１に示すよ
うに、上記抵抗体層１２の長手方向の両端と接続するよ
うに一対形成されている。すなわち、該第１上面電極層
１４と抵抗体層１２とは、該第１上面電極層１４の一部
が該抵抗体層１２の一部の上面に積重するように配設さ
れている。つまり、第１上面電極層１４と抵抗体層１２
の接続位置において、第１上面電極層１４が抵抗体層１
２の上面に積層している。すなわち、第１上面電極層１
４と抵抗体層１２とが重なり合うオーバーラップ部分に
おいては、第１上面電極層１４が抵抗体層１２の上面に
積層している。この第１上面電極層１４は、パラジウム
を１０〜３０％（重量比）含有し、焼成温度８００〜９
００℃の銀パラジウム系厚膜により形成されている。

【００２７】また、上記第２上面電極層１６は、図１に
示すように、上記第１上面電極層１４の上面であって、
上記抵抗体層１２とは接触しない位置に配設されてい
る。つまり、この第２上面電極層１６は、絶縁基板１０
の長手方向、つまり、Ｘ方向（図１，図２参照）には、
第１上面電極層１４の側面電極層１８側の端部から抵抗
体層１２側の端部の手前にまで設けられ、絶縁基板１０
の短手方向、つまり、Ｙ方向（図２参照）には、第１上
面電極層１４の全体を被覆して該第１上面電極層１４か
らはみ出る状態で形成されている。

【００２８】なお、この第２上面電極層１６は、メッキ
層２１と保護層１２の境界位置の下側に第２上面電極層
１６が位置するように設けられている。つまり、少なく
とも、メッキ層２１と保護層１２の境界位置の下側で、
かつ、第１上面電極層１４の上側位置には、該第２上面
電極層１６が形成されている。特に、メッキ層２１と保
護層２０の境界位置に接するメッキ層２１の所定の範囲
の部分と、該境界位置に接する保護層２０の所定の範囲
の部分とは、ともに第２上面電極層１６の上に積層して
接している。

【００２９】また、上記第２上面電極層１６が、チップ
抵抗器Ａ１の平面視において、抵抗層１２と第１上面電
極層１４とが重なる領域以外の領域に設けられており、
特に、上記第２上面電極層１６が、上記第１上面電極層
１４における所定の領域である被覆領域であって、チッ
プ抵抗器の平面視において、該抵抗層１２と重なる領域
以外の領域である被覆領域を全て被覆しているといえ
る。ここで、抵抗層１２と第１上面電極層１４とが重な
る領域とは、図２において、抵抗体層１２を示す斜めの
ハッチングと、第１上面電極層１４を示す横方向のハッ
チングとが重なる部分である。また、上記第２上面電極
層１６は、上記第１上面電極層１４における該メッキ層
２１と保護層２０の境界位置の下側の位置を含む領域を
全て被覆しているともいえる。

【００３０】なお、図１に示すように、この第２上面電
極層１６の上端位置は、第１上面電極層１４において抵
抗体層１２に積層した部分の上端位置と同じになるよう
に形成されている。つまり、第１上面電極層１４の抵抗
体層１２側の端部は、抵抗体層１２の上に積層している
ので、抵抗体層１２に乗り上がった状態となっている
が、この第１上面電極層１４の上面側の窪んだ位置に第
２上面電極層１６が設けられている。これにより、第２
上面電極層１６と第１上面電極層１４とを１つの上面電
極層ととらえた場合に、該上面電極層の上端は平面状に
なっている。

【００３１】また、この第２上面電極層１６は、低温焼
成、つまり、５００〜７００℃焼成の銀系厚膜により形
成されている。つまり、この第２上面電極層１６は、低
温焼成の銀系厚膜であることから、１０〜２０％（重量
比）のガラス成分を有しており、また、パラジウムをほ
とんど含有していないことから、はんだに濡れ難い特性
を有している。また、銀系厚膜であることから、めっき
付け性は良好であるといえる。

【００３２】なお、図２は、チップ抵抗器Ａ１を上方か
ら視認した場合の各部の配置を示す図であり、抵抗体層
１２，第１上面電極層１４、第２上面電極層１６、保護
層２０について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示し
たものである。実際には、隠れて見えない部材を含め
て、各部とも同様に表現している。なお、この点は、図
６についても同様である。

【００３３】また、上記側面電極層１８は、図１に示す
ように、上記絶縁基板１０の長手方向（Ｘ方向）の両端
に一対形成されており、上面及び側面及び底面を被覆す
るように略コ字状に形成されている。つまり、この側面
電極層１８は、上記第２上面電極層１６の一部と、絶縁
基板１０の側面と、絶縁基板１０の下面の一部とを被覆
している。この側面電極層１８は、蒸着及びスパッタリ
ング等の薄膜法を用いて形成されている。つまり、この
側面電極層１８は、薄膜に形成されていて、ニクロム
（ＮｉＣｒ）や銅ニッケル（ＣｕＮｉ）等の卑金属の合
金により形成されている。なお、この側面電極層１８
は、銀系厚膜や銀系樹脂厚膜により形成してもよい。

【００３４】次に、上記保護層２０は、図１に示すよう
に、上記抵抗体層１２の上面を被覆するように配設され
ている。すなわち、この保護層２０の配設位置をさらに
詳しく説明すると、図２に示すように、Ｙ方向には、該
絶縁基板１０の幅と同様に形成され、さらに、Ｘ方向に
は、両端に形成されている上記一対の第２上面電極層１
６の一部を被覆するように配設されている。この保護層
２０は、ほう珪酸鉛ガラス又は樹脂（エポキシ、フェノ
ール、シリコン等）により形成されている。

【００３５】次に、メッキ層２１は、ニッケルメッキ層
２２と、はんだメッキ層２４とを有している。ここで、
ニッケルメッキ層２２は、電気メッキにより上記保護層
２０の端部に接触し、かつ、上記第２上面電極層１６
と、側面電極層１８とを被覆するように略均一の膜厚で
配設されている。このニッケルメッキ層２２は、ニッケ
ルメッキにて形成されており、上記第２上面電極層１６
及び側面電極層１８等の内部電極のはんだ喰われを防止
するために形成されている。なお、このニッケルメッキ
層２２は、ニッケルメッキ以外にも銅メッキが用いられ
る場合もある。

【００３６】上記はんだメッキ層２４は、電気メッキ法
を用いて上記メッキ層２２の上面を被覆するように略均
一の膜厚で配設されている。このはんだメッキ層２４
は、はんだにて形成されており、上記チップ固定抵抗器
Ａ１の配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成
されている。なお、このはんだメッキ層２４は、はんだ
以外に錫が用いられる場合もある。

【００３７】なお、チップ固定抵抗器Ａ１の製造に際し
ては、第１上面電極層１４を形成した後に第２上面電極
層１６を形成するが、この第２上面電極層１６の形成
は、保護層２０の形成前に行なう。また、側面電極層１
８は、保護層２０の形成後に形成される。この場合、側
面電極層１８は、蒸着及びスパッタリング等の薄膜法を
用いて形成される。

【００３８】ここで、第１実施例のチップ固定抵抗器Ａ
１の使用状態について説明する。チップ固定抵抗器Ａ１
は、はんだを用いて配線基板に固定させる。この時、チ
ップ固定抵抗器Ａ１のはんだメッキ層２４は、固定用の
はんだと融着してフィレット（図示省略）を形成する。
すると、保護層２０は、稀にはんだ付けの際の熱により
収縮膨張して変形することがある。ここで、保護層２０
がはんだ付けの際の熱により変形してしまった場合に
は、保護層２０とニッケルメッキ層２２との間に隙間が
形成される。すると、この隙間にはんだが浸入する可能
性がある。はんだは、前記の隙間に浸入すると、第２上
面電極層１６の上面まで流下する。ここで、はんだと第
２上面電極層１６とは、親和性を有していないので、第
２上面電極層１６は、はんだ濡れを起こさない。すなわ
ち、第２上面電極層１６上に達したはんだは、それ以上
第２上面電極層１６上に拡がることなくその場に滞留
し、やがて固化する。

【００３９】第１実施例のチップ固定抵抗器Ａ１によれ
ば、保護層２０とメッキ層２２との境界位置の下側に、
ガラス成分を有する低温焼成の銀系厚膜にて形成された
第２上面電極層１６が配設されているので、はんだ付け
時に保護層２０とメッキ層２２との境界位置に隙間が形
成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であって
も、第１上面電極層１４が直接はんだに濡れることを防
止することができる。また、該第１上面電極層１４のは
んだ濡れが加速することによる保護層２０の剥離やニッ
ケルメッキ層２２の剥離を防止することができる。

【００４０】また、抵抗体層１２が第１上面電極層１４
より下層に配設されているので、つまり、第１上面電極
層１４と抵抗体層１２の接続位置において、第１上面電
極層１４が抵抗体層１２の上面に積層していることによ
り、第２上面電極層１６を抵抗体層１２と接触させるこ
となく配設することができる。つまり、第１上面電極層
１４を抵抗体層１２の上に重ねることにより、保護層１
２０の端面（つまり、第２上面電極層１６が形成される
位置）から抵抗体層１２の露出位置（第１上面電極層１
４の抵抗体層１２側の端面）までの距離α（図１参照）
を長くすることができ、第２上面電極層１６を形成した
際に、該第２上面電極層１６が抵抗体層１２に接触しな
いようにすることができる。つまり、第２上面電極層１
６は銀系厚膜であることから、抵抗体層１２と接触する
と、銀の拡散が起こり抵抗体層１２が劣化するという問
題があるので、第２上面電極層１６はなるべく抵抗体層
１２と接触しないようにするのが好ましいのである。

【００４１】また、第１上面電極層１４と抵抗体層１２
の接続位置において、第１上面電極層１４が抵抗体層１
２の上面に積層していることにより、次のような効果を
得ることができる。つまり、上面電極層は、トリミング
時に抵抗値測定のためのプローブを上面電極層に接触さ
せる必要があることから、ある程度以上の面積が必要と
なる。つまり、ある程度以上の電極層有効長が必要とな
る。また、抵抗体層と上面電極層との電気的接続を確保
するために、ある程度以上のオーバーラップ長が必要で
ある。すると、抵抗器の電気的性能を決定する抵抗層有
効長は、抵抗体層１２を第１上面電極層１４の上面に積
層させた場合には、図３（ａ）のようになる。一方、第
１上面電極層１４と抵抗体層１２の接続位置において、
第１上面電極層１４が抵抗体層１２の上面に積層してい
る場合には、図３（ｂ）に示すように、オーバーラップ
長を電極層有効長に含めることができるので、抵抗層有
効長を長く取ることが可能となる。

【００４２】また、上記第２上面電極層１６は、低温焼
成の銀系厚膜であることから、１０〜２０％（重量比）
のガラス成分を有しており、また、パラジウムをほとん
ど含有していないことから、はんだに濡れ難い特性を有
している。よって、第２上面電極層１６のはんだ濡れが
加速することにより、保護層２０等の剥離が発生するこ
とがない。

【００４３】また、上記第１上面電極層１４は、パラジ
ウムを１０〜３０％含有する銀パラジウム系厚膜により
形成されているので、抵抗体層２０への銀の拡散を抑え
ることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変化
や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の電
気的特性の劣化を抑えることができる。

【００４４】また、上面電極層を第１上面電極層１４と
第２上面電極層１６の２層とすることにより、上面電極
層全体の膜厚を厚くすることができ、保護層２０を印刷
して形成する際に、上面電極層上に保護層用のペースト
がだれ広がるのを防止することができる。

【００４５】また、第２上面電極層１６が第１上面電極
層１４の形成後であって保護層２０の形成前に焼成さ
れ、さらに、側面電極層１８が蒸着及びスパッタリング
等の薄膜法を用いて形成されているので、保護層２０を
エポキシ樹脂等の樹脂系厚膜にて形成することができ
る。すなわち、保護層２０を樹脂にて形成することで焼
成する必要がなくなるので、側面電極層１８及び保護層
２０の焼成による抵抗値変化を低減することができ、そ
の結果、抵抗値許容差の少ないチップ固定抵抗器を歩留
まりよく製造することができる。さらに、保護層２０に
鉛を含有したガラス製部材を使用しないので、環境に配
慮することができる。さらには、側面電極層１８及び保
護層２０の形成において焼成工程を省くことができるの
で、製造コストを低減することができる。

【００４６】また、上記第２上面電極層１６は、低温焼
成の銀系厚膜により形成されていて、また、側面電極層
１８は、薄膜により形成されているので、第２上面電極
層１６と側面電極層１８との密着性を高めることが可能
となる。つまり、薄膜の側面電極層は、高温（８００〜
９００℃）焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜よりも、
低温（５００〜７００℃）焼成の銀系又は銀パラジウム
系厚膜との密着性がよいことから、第２上面電極層１６
と側面電極層１８との密着性を高くできる。つまり、高
温焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜は、焼成表面で緻
密で表面積が少ないが、低温焼成の銀系又は銀パラジウ
ム系厚膜は、表面がポーラスなため表面積が大きく、薄
膜との接触面積が大きいとともに、薄膜の内部応力が種
々の方向の働くことから密着性がよくなるのである。

【００４７】次に、上記第１実施例のチップ固定抵抗器
の応用例について説明する。図４（ａ）に示すチップ固
定抵抗器Ａ２は、上記チップ固定抵抗器Ａ１と同様の構
成であるが、第２上面電極層１６の配設領域が異なる。
つまり、チップ固定抵抗器Ａ２においては、保護層２０
とメッキ層２２との境界位置の下側にのみ第２上面電極
層１６が設けられていて、第２上面電極層１６は、側面
電極層１８とは接触しておらず、また、第２上面電極層
１６は、第１上面電極層１４が抵抗体層１２に乗り上が
る位置にまでは至っていない。これにより、側面電極層
１８は、第１上面電極層１４の上面に積層している。

【００４８】また、図４（ｂ）に示すチップ固定抵抗器
Ａ３は、上記チップ固定抵抗器Ａ２と同様の構成である
が、第２上面電極層１６の外側の端部が側面電極層１８
と接している点が異なる。

【００４９】また、図４（ｃ）に示すチップ固定抵抗器
Ａ４は、上記チップ固定抵抗器Ａ１と同様の構成である
が、第２上面電極層１６の内側の端部、つまり、抵抗体
層１２側の端部は、第１上面電極層１４が抵抗体層１２
に乗り上がる位置にまでは至っていない。

【００５０】このように、上記チップ固定抵抗器Ａ２〜
Ａ４においても、上記チップ固定抵抗器Ａ１と同様の効
果を得ることができる。特に、保護層２０とメッキ層２
２との境界位置の下側に、第２上面電極層１６が配設さ
れているので、はんだ付け時に保護層２０とメッキ層２
２との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだ
が浸入した場合であっても、第１上面電極層１４が直接
はんだに濡れることを防止することができる。また、チ
ップ固定抵抗器Ａ２、Ａ３においては、側面電極層１８
が第２上面電極層１６に積層していないので、チップ固
定抵抗器におけるＸ方向の端部の高さを低くすることが
できる。

【００５１】次に第２実施例のチップ固定抵抗器につい
て図面を利用して説明する。この第２実施例のチップ固
定抵抗器は、上記第１実施例のチップ固定抵抗器におい
ては、第１上面電極層１４と抵抗体層１２の接続位置に
おいて、第１上面電極層１４が抵抗体層１２の上面に積
層しているのに対して、第１上面電極層１４が抵抗体層
１２の下面に積層している点が異なる。

【００５２】まず、チップ固定抵抗器Ｂ１について説明
すると、チップ固定抵抗器（チップ抵抗器）Ｂ１は、図
５に示すように、絶縁基板１０と、抵抗体層１２と、第
１上面電極層１４と、第２上面電極層１６と、側面電極
層１８と、保護層２０と、メッキ層２１と、を有してい
る。メッキ層２１は、ニッケルメッキ層２２と、はんだ
メッキ層２４とからなる。

【００５３】ここで、上記チップ固定抵抗器Ｂ１につい
てさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有
率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。
この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視
すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０
は、上記チップ固定抵抗器Ｂ１の基礎部材として用いら
れている。

【００５４】上記抵抗体層１２は、図５に示すように、
上記絶縁基板１０上面の中央部付近に配設されている。
この抵抗体層１２は、酸化ルテニウム系厚膜である。こ
の抵抗体層１２は、上記チップ固定抵抗器Ｂ１として電
気的特性を担う機能素子である。

【００５５】上記第１上面電極層１４は、図５に示すよ
うに、上記抵抗体層１２の長手方向の両端と接続するよ
うに一対形成されている。すなわち、該第１上面電極層
１４と抵抗体層１２とは、該第１上面電極層１４の一部
が該抵抗体層１２の下面に積重するように配設されてい
る。つまり、第１上面電極層１４と抵抗体層１２の接続
位置において、抵抗体層１２が第１上面電極層１４の上
面に積層している。この第１上面電極層１４は、パラジ
ウムを１０〜３０％（重量比）含有し、焼成温度８００
〜９００℃の銀パラジウム系厚膜により形成されてい
る。

【００５６】また、上記第２上面電極層１６は、図５に
示すように、上記第１上面電極層１４の上面であって、
上記抵抗体層１２とは接触しない位置に配設されてい
る。つまり、この第２上面電極層１６は、絶縁基板１０
の長手方向、つまり、Ｘ方向（図５参照）には、第１上
面電極層１４の側面電極層１８側の端部から抵抗体層１
２側の端部の手前にまで設けられ、第２上面電極層１６
の抵抗体層１２側の端部は、抵抗体層１２には、接して
いない。また、絶縁基板１０の短手方向、つまり、Ｙ方
向（図６参照）には、第１上面電極層１４の全体を被覆
して該第１上面電極層１４からはみ出る状態で形成され
ている。なお、この第２上面電極層１６は、メッキ層２
１と保護層１２の境界位置の下側に第２上面電極層１６
が位置するように設けられている。つまり、少なくと
も、メッキ層２１と保護層１２の境界位置の下側で、か
つ、第１上面電極層１４の上側位置には、該第２上面電
極層１６が形成されている。

【００５７】また、この第２上面電極層１６は、低温焼
成、つまり、５００〜７００℃焼成の銀系厚膜により形
成されている。つまり、この第２上面電極層１６は、低
温焼成の銀系厚膜であることから、１０〜２０％（重量
比）のガラス成分を有しており、また、パラジウムをほ
とんど含有していないことから、はんだに濡れ難い特性
を有している。また、銀系厚膜であることから、めっき
付け性は良好であるといえる。

【００５８】また、上記側面電極層１８は、図５に示す
ように、上記絶縁基板１０の長手方向（Ｘ方向）の両端
に一対形成されており、上面及び側面及び底面を被覆す
るように略コ字状に形成されている。この側面電極層１
８は、蒸着及びスパッタリング等の薄膜法を用いて形成
されている。つまり、この側面電極層１８は、薄膜に形
成されていて、ニクロム（ＮｉＣｒ）や銅ニッケル（Ｃ
ｕＮｉ）等の卑金属の合金により形成されている。な
お、この側面電極層１８は、銀系厚膜や銀系樹脂厚膜に
より形成してもよい。

【００５９】次に、上記保護層２０は、図５に示すよう
に、上記抵抗体層１２の上面を被覆するように配設され
ている。すなわち、この保護層２０の配設位置をさらに
詳しく説明すると、Ｙ方向には、該絶縁基板１０の幅と
同様に形成され、さらに、Ｘ方向には、両端に形成され
ている上記一対の第２上面電極層１６の一部を被覆する
ように配設されている。この保護層２０は、ほう珪酸鉛
ガラス又は樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）
により形成されている。

【００６０】次に、メッキ層２１は、ニッケルメッキ層
２２と、はんだメッキ層２４とを有している。ここで、
ニッケルメッキ層２２は、電気メッキにより上記保護層
２０の端部に接触し、かつ、上記第２上面電極層１６
と、側面電極層１８とを被覆するように略均一の膜厚で
配設されている。このニッケルメッキ層２２は、ニッケ
ルメッキにて形成されており、上記第２上面電極層１６
及び側面電極層１８等の内部電極のはんだ喰われを防止
するために形成されている。なお、このニッケルメッキ
層２２は、ニッケルメッキ以外にも銅メッキが用いられ
る場合もある。

【００６１】上記はんだメッキ層２４は、電気メッキ法
を用いて上記メッキ層２２の上面を被覆するように略均
一の膜厚で配設されている。このはんだメッキ層２４
は、はんだにて形成されており、上記チップ固定抵抗器
Ａ１の配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成
されている。なお、このはんだメッキ層２４は、はんだ
以外に錫が用いられる場合もある。

【００６２】なお、チップ固定抵抗器Ａ１の製造に際し
ては、第１上面電極層１４を形成した後に第２上面電極
層１６を形成するが、この第２上面電極層１６の形成
は、保護層２０の形成前に行なう。また、側面電極層１
８は、保護層２０の形成後に形成される。この場合、側
面電極層１８は、蒸着及びスパッタリング等の薄膜法を
用いて形成される。

【００６３】ここで、第２実施例のチップ固定抵抗器Ｂ
１の使用状態について説明する。チップ固定抵抗器Ｂ１
は、はんだを用いて配線基板に固定させる。この時、チ
ップ固定抵抗器Ｂ１のはんだメッキ層２４は、固定用の
はんだと融着してフィレット（図示省略）を形成する。
すると、保護層２０は、稀にはんだ付けの際の熱により
収縮膨張して変形することがある。ここで、保護層２０
がはんだ付けの際の熱により変形してしまった場合に
は、保護層２０とニッケルメッキ層２２との間に隙間が
形成される。すると、この隙間にはんだが浸入する可能
性がある。はんだは、前記の隙間に浸入すると、第２上
面電極層１６の上面まで流下する。ここで、はんだと第
２上面電極層１６とは、親和性を有していないので、第
２上面電極層１６は、はんだ濡れを起こさない。すなわ
ち、第２上面電極層１６上に達したはんだは、それ以上
第２上面電極層１６上に拡がることなくその場に滞留
し、やがて固化する。

【００６４】第２実施例のチップ固定抵抗器Ｂ１によれ
ば、保護層２０とメッキ層２２との境界位置の下側に、
ガラス成分を有する低温焼成の銀系厚膜にて形成された
第２上面電極層１６が配設されているので、はんだ付け
時に保護層２０とメッキ層２２との境界位置に隙間が形
成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であって
も、第１上面電極層１４が直接はんだに濡れることを防
止することができる。また、該第１上面電極層１４のは
んだ濡れが加速することによる保護層１２０の剥離やニ
ッケルメッキ層１２２の剥離を防止することができる。

【００６５】また、上記第２上面電極層１６は、低温焼
成の銀系厚膜であることから、１０〜２０％（重量比）
のガラス成分を有しており、また、パラジウムをほとん
ど含有していないことから、はんだに濡れ難い特性を有
している。よって、第２上面電極層１６のはんだ濡れが
加速することにより、保護層２０等の剥離が発生するこ
とがない。

【００６６】また、上記第１上面電極層１４は、パラジ
ウムを１０〜３０％含有する銀パラジウム系厚膜により
形成されているので、抵抗体層２０への銀の拡散を抑え
ることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変化
や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の電
気的特性の劣化を抑えることができる。

【００６７】また、上面電極層を第１上面電極層１４と
第２上面電極層１６の２層とすることにより、上面電極
層全体の膜厚を厚くすることができ、保護層２０を印刷
して形成する際に、上面電極層上に保護層用のペースト
がだれ広がるのを防止することができる。

【００６８】また、第２上面電極層１６が第１上面電極
層１４の形成後であって保護層２０の形成前に焼成さ
れ、さらに、側面電極層１８が蒸着及びスパッタリング
等の薄膜法を用いて形成されているので、保護層２０を
エポキシ樹脂等の樹脂系厚膜にて形成することができ
る。すなわち、保護層２０を樹脂にて形成することで焼
成する必要がなくなるので、側面電極層１８及び保護層
２０の焼成による抵抗値変化を低減することができ、そ
の結果、抵抗値許容差の少ないチップ固定抵抗器を歩留
まりよく製造することができる。さらに、保護層２０に
鉛を含有したガラス製部材を使用しないので、環境に配
慮することができる。さらには、側面電極層１８及び保
護層２０の形成において焼成工程を省くことができるの
で、製造コストを低減することができる。

【００６９】また、上記第２上面電極層１６は、低温焼
成の銀系厚膜により形成されていて、また、側面電極層
１８は、薄膜により形成されているので、第２上面電極
層１６と側面電極層１８との密着性を高めることが可能
となる。つまり、薄膜の側面電極層は、高温（８００〜
９００℃）焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜よりも、
低温（５００〜７００℃）焼成の銀系又は銀パラジウム
系厚膜との密着性がよいことから、第２上面電極層１６
と側面電極層１８との密着性を高くできる。つまり、高
温焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜は、焼成表面で緻
密で表面積が少ないが、低温焼成の銀系又は銀パラジウ
ム系厚膜は、表面がポーラスなため表面積が大きく、薄
膜との接触面積が大きいとともに、薄膜の内部応力が種
々の方向の働くことから密着性がよくなるのである。

【００７０】次に、上記第１実施例のチップ固定抵抗器
の応用例について説明する。図７（ａ）に示すチップ固
定抵抗器Ｂ２は、上記チップ固定抵抗器Ｂ１と同様の構
成であるが、第２上面電極層１６の配設領域が異なる。
つまり、チップ固定抵抗器Ｂ２においては、保護層２０
とメッキ層２２との境界位置の下側にのみ第２上面電極
層１６が設けられていて、第２上面電極層１６は、側面
電極層１８とは接触していない。これにより、側面電極
層１８は、第１上面電極層１４の上面に積層している。

【００７１】また、図７（ｂ）に示すチップ固定抵抗器
Ｂ３は、上記チップ固定抵抗器Ｂ２と同様の構成である
が、第２上面電極層１６の外側の端部が側面電極層１８
と接しているとともに、第２上面電極層１６の内側の端
部が抵抗体層１２に接触している点が異なる。

【００７２】また、図７（ｃ）に示すチップ固定抵抗器
Ｂ４は、上記チップ固定抵抗器Ｂ１と同様の構成である
が、第２上面電極層１６の内側の端部、つまり、抵抗体
層１２側の端部は、第１上面電極層１４が抵抗体層１２
に乗り上がる位置にまでは至っていない。

【００７３】このように、上記チップ固定抵抗器Ｂ２〜
Ｂ４においても、上記チップ固定抵抗器Ｂ１と同様の効
果を得ることができる。特に、保護層２０とメッキ層２
２との境界位置の下側に、第２上面電極層１６が配設さ
れているので、はんだ付け時に保護層２０とメッキ層２
２との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだ
が浸入した場合であっても、第１上面電極層１４が直接
はんだに濡れることを防止することができる。また、チ
ップ固定抵抗器Ｂ２、Ｂ３においては、側面電極層１８
が第２上面電極層１６に積層していないので、チップ固
定抵抗器におけるＸ方向の端部の高さを低くすることが
できる。

【００７４】なお、上記の説明においては、側面電極層
１８が設けられているものとして説明したが、側面電極
層１８の構成を省略した構成のチップ抵抗器も考えられ
る。その場合には、メッキ層２１は、チップ抵抗器の側
面には設けられず、第２上面電極層１６の上面の少なく
とも一部の上側に積層して、保護層２０と接する状態に
形成される。つまり、メッキ層２１は、第１上面電極層
１４の少なくとも一部の上方位置に設けられることにな
る。いわば、チップ抵抗器Ａ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４にお
いて、メッキ層２１における絶縁基板１０の上方に存在
する部分のみが形成されるといえる。この場合も当然、
第２上面電極層１６は、保護層２０とメッキ層２１の境
界位置の下側に設けられることになる。

【００７５】

【発明の効果】本発明に基づくチップ抵抗器によれば、
上記第２上面電極層が設けられているので、はんだ付け
時に保護層とメッキ層との境界位置に隙間が形成され
て、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第１
上面電極層が直接はんだに濡れることを防止することが
できる。さらに、該第１上面電極層のはんだ濡れが加速
することによる保護層の剥離やメッキ層の剥離を防止す
ることができる。

【００７６】また、特に、上記第１上面電極層と抵抗層
の接続位置においては、第１上面電極層が抵抗層の上面
に積層している場合には、第１上面電極層を抵抗層の上
に重ねることにより、保護層の端面（つまり、第２上面
電極層が形成される位置）から抵抗層の露出位置（第１
上面電極層の抵抗層側の端面）までの距離を長くするこ
とができ、第２上面電極層を形成した際に、該第２上面
電極層が抵抗層に接触しないようにすることができる。
また、必要な上面電極層の有効長と、上面電極層と抵抗
層とのオーバーラップ長とを確保しつつ、抵抗層有効長
を長く取ることができる。

【００７７】また、特に、上記第２上面電極層が、チッ
プ抵抗器の平面視において、抵抗層と第１上面電極層と
が重なる領域以外の領域に設けられている場合には、第
２上面電極層が抵抗層に接触しないようにすることがで
きる。

【００７８】また、特に、上記第２上面電極層が、上記
第１上面電極層における所定の領域である被覆領域であ
って、チップ抵抗器の平面視において、該抵抗層と重な
る領域以外の領域である被覆領域を全て被覆している場
合には、第２上面電極層が抵抗層に接触しないようにす
るとともに、第１上面電極層のはんだ濡れを十分防止す
ることができる。

【００７９】また、特に、上記第２上面電極層が、上記
第１上面電極層における該メッキ層と保護層の境界位置
の下側の位置を含む領域を全て被覆している場合には、
第１上面電極層のはんだ濡れを十分防止することができ
る。

【００８０】また、特に、上記第１上面電極層が、銀パ
ラジウム系厚膜である場合や、上記銀パラジウム系厚膜
が、パラジウムを重量比で１０〜３０％含有する銀パラ
ジウム系厚膜である場合には、抵抗層への銀の拡散を抑
えることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変化
や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の電
気的特性の劣化を抑えることができる。

【００８１】また、特に、上記第２上面電極層が、はん
だに濡れ難く、めっき付け性のよい素材により形成され
ている場合には、第２上面電極層がはんだに濡れ難い素
材により形成されているので、はんだ付け時に保護層と
メッキ層との境界位置に隙間が形成されて、該隙間から
はんだが浸入した場合であっても、第１上面電極層が直
接はんだに濡れることを防止することができる。さら
に、該第１上面電極層のはんだ濡れが加速することによ
る保護層の剥離やメッキ層の剥離を防止することができ
る。また、第２上面電極層はめっき付け性のよい素材に
より形成されているので、メッキ層との密着性を高くす
ることが可能となる。

【００８２】また、特に、上記第２上面電極層が、銀系
厚膜である場合には、めっき付け性を高くすることがで
き、また、銀パラジウム系の厚膜ではないため、はんだ
に濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができる。

【００８３】また、特に、上記第２上面電極層における
パラジウム含有量が重量比で１％以下である場合には、
第２上面電極層は、パラジウム含有量が少ないため、は
んだに濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができ
る。

【００８４】また、特に、上記第２上面電極層が、焼成
温度が５００℃〜７００℃の素材により形成されている
場合には、第２上面電極層は、低温焼成であることか
ら、ガラス成分を含むことになり、はんだに濡れ難く、
保護層等の剥離を防止することができる。

【００８５】また、特に、上記側面電極層が、焼成工程
を行なうことなく形成されたものである場合には、チッ
プ抵抗器の製造に当たって、保護層形成後に側面電極層
を形成する場合でも、側面電極層を焼成しないので、保
護層に樹脂を用いることができる。また、第２上面電極
層形成後に抵抗層の抵抗値を調整する場合に、その後
に、保護層や側面電極層を焼成しないので、抵抗値の変
化を防止することができる。

【００８６】また、特に、上記側面電極層が、薄膜であ
る場合には、低温焼成の銀系厚膜により形成された第２
上面電極層と、該側面電極層との密着性をよくすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に基づくチップ固定抵抗器
を示す断面図である。

【図２】本発明の第１実施例に基づくチップ固定抵抗器
における要部の配置を概念的に示す平面図である。

【図３】本発明の第１実施例に基づくチップ固定抵抗器
の効果を説明するための説明図である。

【図４】第１実施例の応用例を示す断面図である。

【図５】本発明の第２実施例に基づくチップ固定抵抗器
を示す断面図である。

【図６】本発明の第２実施例に基づくチップ固定抵抗器
における要部の配置を概念的に示す平面図である。

【図７】第２実施例の応用例を示す断面図である。

【図８】従来のチップ固定抵抗器を示す断面図である。

【図９】従来のチップ固定抵抗器の問題点を説明するた
めの断面図である。

【符号の説明】

Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４ チ
ップ固定抵抗器 １０ 絶縁基板 １２ 抵抗体層 １４ 第１上面電極層 １６ 第２上面電極層 １８ 側面電極層 ２０ 保護層 ２１ メッキ層 ２２ ニッケルメッキ層 ２４ はんだメッキ層

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、 該絶縁基板上に形成された一対の第１上面電極層と、 該一対の第１上面電極層間に形成された抵抗層と、 該抵抗層を覆うように形成された保護層と、 該保護層と接するメッキ層と、を有するチップ抵抗器で
   あって、 該第１上面電極層の上面に積層して設けられた第２上面
   電極層であって、少なくとも、該メッキ層と保護層の境
   界位置の下側に設けられた第２上面電極層を有すること
   を特徴とするチップ抵抗器。
2. 【請求項２】 絶縁基板と、 該絶縁基板上に形成された一対の第１上面電極層と、 該一対の第１上面電極層間に形成された抵抗層と、 該抵抗層を覆うように形成された保護層と、 少なくとも、該絶縁基板の側面であって、該第１上面電
   極層形成側の側面に形成された側面電極層と、 少なくとも該側面電極層を覆うように形成されたメッキ
   層で、該保護層と接するメッキ層と、を有するチップ抵
   抗器であって、 該第１上面電極層の上面に積層して設けられた第２上面
   電極層であって、少なくとも、該メッキ層と保護層の境
   界位置の下側に設けられた第２上面電極層を有すること
   を特徴とするチップ抵抗器。
3. 【請求項３】 上記側面電極層が、焼成工程を行なうこ
   となく形成されたものであることを特徴とする請求項２
   に記載のチップ抵抗器。
4. 【請求項４】 上記側面電極層が、薄膜であることを特
   徴とする請求項２又は３に記載のチップ抵抗器。
5. 【請求項５】 上記第１上面電極層と抵抗層の接続位置
   においては、第１上面電極層が抵抗層の上面に積層して
   いることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４に記
   載のチップ抵抗器。
6. 【請求項６】 上記第２上面電極層が、チップ抵抗器の
   平面視において、抵抗層と第１上面電極層とが重なる領
   域以外の領域に設けられていることを特徴とする請求項
   １又は２又は３又は４又は５に記載のチップ抵抗器。
7. 【請求項７】 上記第２上面電極層が、上記第１上面電
   極層における所定の領域である被覆領域であって、チッ
   プ抵抗器の平面視において、該抵抗層と重なる領域以外
   の領域である被覆領域を全て被覆していることを特徴と
   する請求項１又は２又は３又は４又は５又は６に記載の
   チップ抵抗器。
8. 【請求項８】 上記第２上面電極層は、上記第１上面電
   極層における該メッキ層と保護層の境界位置の下側の位
   置を含む領域を全て被覆していることを特徴とする請求
   項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７に記載のチ
   ップ抵抗器。
9. 【請求項９】 上記第１上面電極層が、銀パラジウム系
   厚膜であることを特徴とする請求項１又は２又は３又は
   ４又は５又は６又は７又は８に記載のチップ抵抗器。
10. 【請求項１０】 上記銀パラジウム系厚膜が、パラジウ
    ムを重量比で１０〜３０％含有する銀パラジウム系厚膜
    であることを特徴とする請求項９に記載のチップ抵抗
    器。
11. 【請求項１１】 上記第２上面電極層が、はんだに濡れ
    難く、めっき付け性のよい素材により形成されているこ
    とを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は
    ６又は７又は８又は９又は１０に記載のチップ抵抗器。
12. 【請求項１２】 上記第２上面電極層が、銀系厚膜であ
    ることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５
    又は６又は７又は８又は９又は１０又は１１に記載のチ
    ップ抵抗器。
13. 【請求項１３】 上記第２上面電極層におけるパラジウ
    ム含有量が重量比で１％以下であることを特徴とする請
    求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又
    は９又は１０又は１１又は１２に記載のチップ抵抗器。
14. 【請求項１４】 上記第２上面電極層が、焼成温度が５
    ００℃〜７００℃の素材により形成されていることを特
    徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は
    ７又は８又は９又は１０又は１１又は１２又は１３に記
    載のチップ抵抗器。