JP2003282302A - チップ抵抗器 - Google Patents
チップ抵抗器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極中の銀成分の硫化やマイグレーションを
確実に防止できると共に、電極材料のコストダウンが図
れるチップ抵抗器を提供すること。 【解決手段】 絶縁性基板１２上に抵抗体１３と表面電
極１４を覆う酸化金属膜２１を設けておき、この酸化金
属膜２１をオーバーコート層１６とめっき層１９，２０
間の境界部分Ａと対向させる。これにより、密着接合さ
れていない境界部分Ａから侵入したガスや湿気が、酸化
金属膜２１に遮られて表面電極１４には到達しなくなる
ので、表面電極１４がＰｄやＰｔを含有しない銀電極で
あっても硫化やマイグレーションを確実に防止できる。
確実に防止できると共に、電極材料のコストダウンが図
れるチップ抵抗器を提供すること。 【解決手段】 絶縁性基板１２上に抵抗体１３と表面電
極１４を覆う酸化金属膜２１を設けておき、この酸化金
属膜２１をオーバーコート層１６とめっき層１９，２０
間の境界部分Ａと対向させる。これにより、密着接合さ
れていない境界部分Ａから侵入したガスや湿気が、酸化
金属膜２１に遮られて表面電極１４には到達しなくなる
ので、表面電極１４がＰｄやＰｔを含有しない銀電極で
あっても硫化やマイグレーションを確実に防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチップ抵抗器に係
り、特に、電極が劣化しにくい高信頼性のチップ抵抗器
に関する。
り、特に、電極が劣化しにくい高信頼性のチップ抵抗器
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来より知られている厚膜チッ
プ抵抗器の断面図である。同図に示すチップ抵抗器１
は、アルミナ等からなる絶縁性基板２上に、抵抗体３
と、この抵抗体３の両端部と重なり合う一対の表面電極
４とが形成されており、抵抗体３はガラスコート層５で
覆われ、さらにガラスコート層５がエポキシ系樹脂等か
らなるオーバーコート層６で覆われている。これらのガ
ラスコート層５とオーバーコート層６は抵抗体３の保護
膜として機能している。絶縁性基板２の裏面には表面電
極４と対応する両端部に一対の裏面電極７が形成されて
おり、また、絶縁性基板２の両端の側端面にはそれぞ
れ、表面電極４と裏面電極７とを橋絡する端面電極８が
形成されている。表面電極４と裏面電極７は銀（Ａｇ）
を主成分とするペーストをスクリーン印刷等によって形
成したものであり、製造工程を簡略化するため通常、両
電極４，７の材料は共通化されている。端面電極８は例
えばニッケルクロム（Ｎｉ／Ｃｒ）をスパッタリング等
によって形成したものである。表面電極４と裏面電極７
および端面電極８はチップ抵抗器１の下地電極層を構成
しており、製造工程の最終段階で該下地電極層をめっき
処理することにより、ニッケル（Ｎｉ）めっき層９とは
んだ（Ｓｎ／Ｐｂ）めっき層１０という二層のめっき層
によって該下地電極層は被覆される。なお、これら二層
のめっき層９，１０は、電極くわれの防止やはんだ付け
の信頼性向上を図るためのもので、はんだめっき層の代
わりに錫（Ｓｎ）めっき層を設けることもある。
プ抵抗器の断面図である。同図に示すチップ抵抗器１
は、アルミナ等からなる絶縁性基板２上に、抵抗体３
と、この抵抗体３の両端部と重なり合う一対の表面電極
４とが形成されており、抵抗体３はガラスコート層５で
覆われ、さらにガラスコート層５がエポキシ系樹脂等か
らなるオーバーコート層６で覆われている。これらのガ
ラスコート層５とオーバーコート層６は抵抗体３の保護
膜として機能している。絶縁性基板２の裏面には表面電
極４と対応する両端部に一対の裏面電極７が形成されて
おり、また、絶縁性基板２の両端の側端面にはそれぞ
れ、表面電極４と裏面電極７とを橋絡する端面電極８が
形成されている。表面電極４と裏面電極７は銀（Ａｇ）
を主成分とするペーストをスクリーン印刷等によって形
成したものであり、製造工程を簡略化するため通常、両
電極４，７の材料は共通化されている。端面電極８は例
えばニッケルクロム（Ｎｉ／Ｃｒ）をスパッタリング等
によって形成したものである。表面電極４と裏面電極７
および端面電極８はチップ抵抗器１の下地電極層を構成
しており、製造工程の最終段階で該下地電極層をめっき
処理することにより、ニッケル（Ｎｉ）めっき層９とは
んだ（Ｓｎ／Ｐｂ）めっき層１０という二層のめっき層
によって該下地電極層は被覆される。なお、これら二層
のめっき層９，１０は、電極くわれの防止やはんだ付け
の信頼性向上を図るためのもので、はんだめっき層の代
わりに錫（Ｓｎ）めっき層を設けることもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のチップ
抵抗器１において、下地電極層は二層のめっき層９，１
０によってほぼ被覆されてはいるが、樹脂製のオーバー
コート層６がめっきされるわけではないので、図４に示
すように、オーバーコート層６とめっき層９，１０との
間の境界部分Ａは密着接合した状態にはなっていない。
そのため、この境界部分Ａからガスや湿気が侵入して表
面電極４に接触しやすく、例えば硫黄分を含んだガス雰
囲気中にチップ抵抗器１が長期間置かれた場合、表面電
極４中の銀成分が硫化して亀裂を生じ、断線に至る危険
性が高まる。また、境界部分Ａに微細な隙間があると、
表面電極４中の銀成分がマイグレーションを起こしやす
くなるので、安定した性能が得にくくなってしまう。
抵抗器１において、下地電極層は二層のめっき層９，１
０によってほぼ被覆されてはいるが、樹脂製のオーバー
コート層６がめっきされるわけではないので、図４に示
すように、オーバーコート層６とめっき層９，１０との
間の境界部分Ａは密着接合した状態にはなっていない。
そのため、この境界部分Ａからガスや湿気が侵入して表
面電極４に接触しやすく、例えば硫黄分を含んだガス雰
囲気中にチップ抵抗器１が長期間置かれた場合、表面電
極４中の銀成分が硫化して亀裂を生じ、断線に至る危険
性が高まる。また、境界部分Ａに微細な隙間があると、
表面電極４中の銀成分がマイグレーションを起こしやす
くなるので、安定した性能が得にくくなってしまう。
【０００４】そこで従来のチップ抵抗器１では、少なく
とも表面電極４については、銀にパラジウム（Ｐｄ）や
白金（Ｐｔ）を加えた材料を使用して硫化を抑制してい
るが、ＰｄやＰｔはかなり高価な材料なので、コストア
ップを余儀なくされるという問題があった。特に、通常
は表面電極４と裏面電極７に同じ材料を使用するので、
ＰｄやＰｔの使用が材料費高騰の要因となっていた。な
お、材料費を節約するために裏面電極７にはＰｄやＰｔ
を含有させない構成にした場合、印刷工程が煩雑になっ
てしまうので、コストメリットは少ない。
とも表面電極４については、銀にパラジウム（Ｐｄ）や
白金（Ｐｔ）を加えた材料を使用して硫化を抑制してい
るが、ＰｄやＰｔはかなり高価な材料なので、コストア
ップを余儀なくされるという問題があった。特に、通常
は表面電極４と裏面電極７に同じ材料を使用するので、
ＰｄやＰｔの使用が材料費高騰の要因となっていた。な
お、材料費を節約するために裏面電極７にはＰｄやＰｔ
を含有させない構成にした場合、印刷工程が煩雑になっ
てしまうので、コストメリットは少ない。
【０００５】本発明は、このような従来技術の実情に鑑
みてなされたもので、その目的は、電極中の銀成分の硫
化やマイグレーションを確実に防止できると共に、電極
材料のコストダウンが図れるチップ抵抗器を提供するこ
とにある。
みてなされたもので、その目的は、電極中の銀成分の硫
化やマイグレーションを確実に防止できると共に、電極
材料のコストダウンが図れるチップ抵抗器を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明は、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に
設けられた抵抗体と、前記絶縁性基板上で前記抵抗体の
両端部と重なり合う位置に設けられた一対の表面電極
と、前記抵抗体を被覆して外表面に露出する保護膜と、
前記表面電極を被覆して外表面に露出するめっき層とを
備えたチップ抵抗器において、前記表面電極上に酸化金
属膜を設け、この酸化金属膜が少なくとも前記保護膜と
前記めっき層間の境界部分と対向するように設定した。
ために、本発明は、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に
設けられた抵抗体と、前記絶縁性基板上で前記抵抗体の
両端部と重なり合う位置に設けられた一対の表面電極
と、前記抵抗体を被覆して外表面に露出する保護膜と、
前記表面電極を被覆して外表面に露出するめっき層とを
備えたチップ抵抗器において、前記表面電極上に酸化金
属膜を設け、この酸化金属膜が少なくとも前記保護膜と
前記めっき層間の境界部分と対向するように設定した。
【０００７】このような構成のチップ抵抗器は、保護膜
とめっき層間の境界部分から侵入したガスや湿気が、酸
化金属膜に遮られて表面電極には到達しないので、表面
電極がＰｄやＰｔを含有しない銀電極であっても硫化や
マイグレーションを確実に防止できる。したがって、信
頼性の向上と電極材料のコストダウンを同時に実現する
ことが可能となる。
とめっき層間の境界部分から侵入したガスや湿気が、酸
化金属膜に遮られて表面電極には到達しないので、表面
電極がＰｄやＰｔを含有しない銀電極であっても硫化や
マイグレーションを確実に防止できる。したがって、信
頼性の向上と電極材料のコストダウンを同時に実現する
ことが可能となる。
【０００８】また、前記酸化金属膜を抵抗体を被覆する
領域に延設し、この酸化金属膜上に前記保護膜を設ける
構成としたチップ抵抗器の場合、従来品における抵抗体
上のガラスコート層を省略することができ、耐湿特性の
向上も見込める。すなわち、抵抗体上に設けた酸化金属
膜は、ガラスコート層に比して剥離や亀裂を生じにくい
ので、ガラスコート層の代わりに酸化金属膜で抵抗体を
保護する構成にすれば、製造時の工程数を増加させるこ
となく、耐湿特性を向上させることが可能となる。その
際、酸化金属膜として、抵抗温度係数が負の材料（例え
ばＳｎＯ２とＳｂ２Ｏ３を配合した材料）を用いれば、
温度係数が正の抵抗体と該酸化金属膜との積層体は、温
度が変化しても抵抗値がさほど変化しなくなる。つま
り、抵抗器としての温度係数が小さくなるので、高温環
境下でも低温環境下でも安定した性能を発揮できるよう
になる。
領域に延設し、この酸化金属膜上に前記保護膜を設ける
構成としたチップ抵抗器の場合、従来品における抵抗体
上のガラスコート層を省略することができ、耐湿特性の
向上も見込める。すなわち、抵抗体上に設けた酸化金属
膜は、ガラスコート層に比して剥離や亀裂を生じにくい
ので、ガラスコート層の代わりに酸化金属膜で抵抗体を
保護する構成にすれば、製造時の工程数を増加させるこ
となく、耐湿特性を向上させることが可能となる。その
際、酸化金属膜として、抵抗温度係数が負の材料（例え
ばＳｎＯ２とＳｂ２Ｏ３を配合した材料）を用いれば、
温度係数が正の抵抗体と該酸化金属膜との積層体は、温
度が変化しても抵抗値がさほど変化しなくなる。つま
り、抵抗器としての温度係数が小さくなるので、高温環
境下でも低温環境下でも安定した性能を発揮できるよう
になる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して説明すると、図１は実施形態例に係る厚膜チ
ップ抵抗器の断面図、図２は該チップ抵抗器の製造工程
図である。
を参照して説明すると、図１は実施形態例に係る厚膜チ
ップ抵抗器の断面図、図２は該チップ抵抗器の製造工程
図である。
【００１０】図１に示すチップ抵抗器１１は、アルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とする絶縁性基板１２上に、酸
化ルテニウム等からなる抵抗体１３と、この抵抗体１３
の両端部と重なり合う銀（Ａｇ）電極である一対の表面
電極１４とを設けていると共に、これら抵抗体１３およ
び表面電極１４を覆う酸化金属膜２１を設けている。こ
の酸化金属膜２１は、ＳｎＯ２にＳｂ２Ｏ３を加えた酸
化金属材料からなり、その抵抗温度係数は負、つまり温
度が上昇すると抵抗値が減少するという特性を有する。
これに対して、抵抗体１３は温度係数が正なので、温度
が上昇すると抵抗値が増大するという特性を有する。ま
た、抵抗体１３を被覆する酸化金属膜２１上には、エポ
キシ系樹脂からなるオーバーコート層１６を設けてい
る。
（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とする絶縁性基板１２上に、酸
化ルテニウム等からなる抵抗体１３と、この抵抗体１３
の両端部と重なり合う銀（Ａｇ）電極である一対の表面
電極１４とを設けていると共に、これら抵抗体１３およ
び表面電極１４を覆う酸化金属膜２１を設けている。こ
の酸化金属膜２１は、ＳｎＯ２にＳｂ２Ｏ３を加えた酸
化金属材料からなり、その抵抗温度係数は負、つまり温
度が上昇すると抵抗値が減少するという特性を有する。
これに対して、抵抗体１３は温度係数が正なので、温度
が上昇すると抵抗値が増大するという特性を有する。ま
た、抵抗体１３を被覆する酸化金属膜２１上には、エポ
キシ系樹脂からなるオーバーコート層１６を設けてい
る。
【００１１】絶縁性基板１２の裏面には、表面電極１４
と対応する両端部にそれぞれ、銀電極である一対の裏面
電極１７を設けている。また、絶縁性基板１２の両端の
側端面にはそれぞれ、表面電極１４と裏面電極１７とを
橋絡する端面電極１８を設けている。この端面電極１８
は、ニッケルクロム（Ｎｉ／Ｃｒ）をスパッタリングに
よって形成したものであるが、銀を印刷したり塗布して
形成してもよい。表面電極１４と裏面電極１７および端
面電極１８はチップ抵抗器１１の下地電極層を構成して
おり、この下地電極層は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層１
９と、はんだ（Ｓｎ／Ｐｂ）めっき層２０という二層の
めっき層によって被覆されている。なお、これら二層の
めっき層１９，２０は、電極くわれの防止やはんだ付け
の信頼性向上を図るためのもので、はんだめっき層の代
わりに錫（Ｓｎ）めっき層を設けてもよい。
と対応する両端部にそれぞれ、銀電極である一対の裏面
電極１７を設けている。また、絶縁性基板１２の両端の
側端面にはそれぞれ、表面電極１４と裏面電極１７とを
橋絡する端面電極１８を設けている。この端面電極１８
は、ニッケルクロム（Ｎｉ／Ｃｒ）をスパッタリングに
よって形成したものであるが、銀を印刷したり塗布して
形成してもよい。表面電極１４と裏面電極１７および端
面電極１８はチップ抵抗器１１の下地電極層を構成して
おり、この下地電極層は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層１
９と、はんだ（Ｓｎ／Ｐｂ）めっき層２０という二層の
めっき層によって被覆されている。なお、これら二層の
めっき層１９，２０は、電極くわれの防止やはんだ付け
の信頼性向上を図るためのもので、はんだめっき層の代
わりに錫（Ｓｎ）めっき層を設けてもよい。
【００１２】このように構成されたチップ抵抗器１１の
製造工程について説明すると、まず図２（ａ）に示すよ
うに、アルミナ等の絶縁性基板１２を準備する。なお、
図示の例では１個のチップ領域のみを示しているが、実
際には多数のチップ抵抗器を一括して製造する多数個取
り用の大基板を準備する。
製造工程について説明すると、まず図２（ａ）に示すよ
うに、アルミナ等の絶縁性基板１２を準備する。なお、
図示の例では１個のチップ領域のみを示しているが、実
際には多数のチップ抵抗器を一括して製造する多数個取
り用の大基板を準備する。
【００１３】次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁性基
板１２上に所定の間隔を存して一対の表面電極１４を形
成する。同様に、絶縁性基板１２の裏面で表面電極１４
と対応する両端部に一対の裏面電極１７を形成する。こ
れらの表面電極１４や裏面電極１７は、銀ペーストをス
クリーン印刷して、８５０℃程度で焼成することにより
形成される。なお、裏面電極１７を表面電極１４よりも
先に形成してもよい。
板１２上に所定の間隔を存して一対の表面電極１４を形
成する。同様に、絶縁性基板１２の裏面で表面電極１４
と対応する両端部に一対の裏面電極１７を形成する。こ
れらの表面電極１４や裏面電極１７は、銀ペーストをス
クリーン印刷して、８５０℃程度で焼成することにより
形成される。なお、裏面電極１７を表面電極１４よりも
先に形成してもよい。
【００１４】次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁性基
板１２上で一対の表面電極１４に挟まれた領域に、酸化
ルテニウム等のペーストをスクリーン印刷して、８５０
℃程度で焼成することにより、両端部が各表面電極１４
と接続された抵抗体１３を形成する。なお、抵抗体１３
を表面電極１４や裏面電極１７よりも先に形成してもよ
い。
板１２上で一対の表面電極１４に挟まれた領域に、酸化
ルテニウム等のペーストをスクリーン印刷して、８５０
℃程度で焼成することにより、両端部が各表面電極１４
と接続された抵抗体１３を形成する。なお、抵抗体１３
を表面電極１４や裏面電極１７よりも先に形成してもよ
い。
【００１５】次に、図２（ｄ）に示すように、絶縁性基
板１２上の一対の表面電極１４および抵抗体１３を覆う
領域に、抵抗温度係数が負の酸化金属膜２１を形成す
る。この酸化金属膜２１は、ＳｎＯ２とＳｂ２Ｏ３を配
合してなる酸化金属材料の粉末にガラスフリットを２０
〜８０重量％混合し、これをペースト化してスクリーン
印刷した後、６００〜８５０℃程度で焼成することによ
り形成することができる。その際、酸化金属材料の配合
比は、ＳｎＯ２を８０〜９９重量％、Ｓｂ２Ｏ３を２０
〜１重量％の範囲内に設定しておくことが好ましい。
板１２上の一対の表面電極１４および抵抗体１３を覆う
領域に、抵抗温度係数が負の酸化金属膜２１を形成す
る。この酸化金属膜２１は、ＳｎＯ２とＳｂ２Ｏ３を配
合してなる酸化金属材料の粉末にガラスフリットを２０
〜８０重量％混合し、これをペースト化してスクリーン
印刷した後、６００〜８５０℃程度で焼成することによ
り形成することができる。その際、酸化金属材料の配合
比は、ＳｎＯ２を８０〜９９重量％、Ｓｂ２Ｏ３を２０
〜１重量％の範囲内に設定しておくことが好ましい。
【００１６】この後、必要に応じてレーザトリミングを
行うことにより、抵抗体１３の抵抗値を調整する。そし
て、図２（ｅ）に示すように、酸化金属膜２１上（トリ
ミング領域を含む）にエポキシ系樹脂をスクリーン印刷
して２００℃程度で加熱硬化させることにより、オーバ
ーコート層１６を形成する。なお、酸化金属膜２１は抵
抗器の抵抗値に若干の影響を及ぼすが、酸化金属膜２１
の両端部にプローブを接触させて抵抗値を測定しなが
ら、酸化金属膜２１の上からレーザトリミングを行うこ
とにより、所望の抵抗値に設定することができる。ただ
し、予め、酸化金属膜２１を形成する前の抵抗体１３の
抵抗値と、酸化金属膜２１を形成した後の抵抗値とを測
定し、その変化量からトリミング量を算出するようにし
てもよい。
行うことにより、抵抗体１３の抵抗値を調整する。そし
て、図２（ｅ）に示すように、酸化金属膜２１上（トリ
ミング領域を含む）にエポキシ系樹脂をスクリーン印刷
して２００℃程度で加熱硬化させることにより、オーバ
ーコート層１６を形成する。なお、酸化金属膜２１は抵
抗器の抵抗値に若干の影響を及ぼすが、酸化金属膜２１
の両端部にプローブを接触させて抵抗値を測定しなが
ら、酸化金属膜２１の上からレーザトリミングを行うこ
とにより、所望の抵抗値に設定することができる。ただ
し、予め、酸化金属膜２１を形成する前の抵抗体１３の
抵抗値と、酸化金属膜２１を形成した後の抵抗値とを測
定し、その変化量からトリミング量を算出するようにし
てもよい。
【００１７】ここまでの工程は多数個取り用の大基板に
対する一括処理であるが、次なる工程で該大基板を短冊
状に分割する。この分割加工は、ダイシングでもブレー
クでもよい。そして、分割して露出した短冊状基板の端
面にスパッタリング等によってニッケルクロムの薄膜層
を被着させることにより、図２（ｆ）に示すように、表
面電極１４および裏面電極１７と接続された端面電極１
８を形成する。しかる後、短冊状基板をダイシングやブ
レークによりチップ単体に分割加工して、このチップ単
体に電解めっきを施すことにより、下地電極層を被覆す
る二層のめっき層１９，２０を形成する。すなわち、ま
ずニッケルめっき層１９を形成し、次にはんだ（または
錫）めっき層２０を形成する。こうして図１に示すよう
なチップ抵抗器１１が完成する。
対する一括処理であるが、次なる工程で該大基板を短冊
状に分割する。この分割加工は、ダイシングでもブレー
クでもよい。そして、分割して露出した短冊状基板の端
面にスパッタリング等によってニッケルクロムの薄膜層
を被着させることにより、図２（ｆ）に示すように、表
面電極１４および裏面電極１７と接続された端面電極１
８を形成する。しかる後、短冊状基板をダイシングやブ
レークによりチップ単体に分割加工して、このチップ単
体に電解めっきを施すことにより、下地電極層を被覆す
る二層のめっき層１９，２０を形成する。すなわち、ま
ずニッケルめっき層１９を形成し、次にはんだ（または
錫）めっき層２０を形成する。こうして図１に示すよう
なチップ抵抗器１１が完成する。
【００１８】このようにして製造されるチップ抵抗器１
１では、抵抗体１３および表面電極１４を覆う酸化金属
膜２１が、オーバーコート層１６とめっき層１９，２０
間の密着接合されていない境界部分Ａと対向しており、
この境界部分Ａから侵入したガスや湿気が、酸化金属膜
２１に遮られて表面電極１４には到達しないようになっ
ている。そのため、表面電極１４が、パラジウム（Ｐ
ｄ）や白金（Ｐｔ）等の高価な材料を含有していない銀
１００％の電極であるにも拘らず、硫化やマイグレーシ
ョンを確実に防止することができ、信頼性の向上と電極
材料のコストダウンが同時に実現されている。
１では、抵抗体１３および表面電極１４を覆う酸化金属
膜２１が、オーバーコート層１６とめっき層１９，２０
間の密着接合されていない境界部分Ａと対向しており、
この境界部分Ａから侵入したガスや湿気が、酸化金属膜
２１に遮られて表面電極１４には到達しないようになっ
ている。そのため、表面電極１４が、パラジウム（Ｐ
ｄ）や白金（Ｐｔ）等の高価な材料を含有していない銀
１００％の電極であるにも拘らず、硫化やマイグレーシ
ョンを確実に防止することができ、信頼性の向上と電極
材料のコストダウンが同時に実現されている。
【００１９】また、本実施形態例に係るチップ抵抗器１
１では、酸化金属膜２１によって抵抗体１３を被覆し、
この酸化金属膜２１上にオーバーコート層１６を形成す
るという構成にしてあるので、従来のチップ抵抗器のよ
うに抵抗体上にガラスコート層を設ける必要がない。つ
まり、抵抗体１３上に設けた酸化金属膜２１が下層の保
護膜として機能するので、ガラスコート層が不要とな
り、よって酸化金属膜２１を追加しても製造時の工程数
は従来と同じでよい。しかも、酸化金属膜２１はガラス
コート層に比して剥離や亀裂を生じにくいので、若干の
吸湿性を有する樹脂製のオーバーコート層１６から下層
の酸化金属膜２１へ水分が供給されたとしても、この水
分が酸化金属膜２１を通過して抵抗体１３へ到達する心
配はない。それゆえ、このチップ抵抗器１１は耐湿特性
が良好であり、高湿環境下でも安定した性能を発揮する
ことができる。
１では、酸化金属膜２１によって抵抗体１３を被覆し、
この酸化金属膜２１上にオーバーコート層１６を形成す
るという構成にしてあるので、従来のチップ抵抗器のよ
うに抵抗体上にガラスコート層を設ける必要がない。つ
まり、抵抗体１３上に設けた酸化金属膜２１が下層の保
護膜として機能するので、ガラスコート層が不要とな
り、よって酸化金属膜２１を追加しても製造時の工程数
は従来と同じでよい。しかも、酸化金属膜２１はガラス
コート層に比して剥離や亀裂を生じにくいので、若干の
吸湿性を有する樹脂製のオーバーコート層１６から下層
の酸化金属膜２１へ水分が供給されたとしても、この水
分が酸化金属膜２１を通過して抵抗体１３へ到達する心
配はない。それゆえ、このチップ抵抗器１１は耐湿特性
が良好であり、高湿環境下でも安定した性能を発揮する
ことができる。
【００２０】また、本実施形態例に係るチップ抵抗器１
１のように、抵抗温度係数が負の材料（ＳｎＯ２および
Ｓｂ２Ｏ３）からなる酸化金属膜２１を採用した場合、
温度係数が正の抵抗体１３と酸化金属膜２１との積層体
は、温度が変化しても抵抗値がさほど変化しなくなる。
つまり、抵抗器としての温度係数が小さくなるので、高
温環境下でも低温環境下でも安定した性能を発揮できる
ようになる。
１のように、抵抗温度係数が負の材料（ＳｎＯ２および
Ｓｂ２Ｏ３）からなる酸化金属膜２１を採用した場合、
温度係数が正の抵抗体１３と酸化金属膜２１との積層体
は、温度が変化しても抵抗値がさほど変化しなくなる。
つまり、抵抗器としての温度係数が小さくなるので、高
温環境下でも低温環境下でも安定した性能を発揮できる
ようになる。
【００２１】なお、図３に示すチップ抵抗器２５によう
に、酸化金属膜２１を表面電極１４上だけに形成し、抵
抗体１３上には従来品と同様にガラスコート層１５とオ
ーバーコート層１６を順次形成するという構成にした場
合、酸化金属膜２１の追加により製造時の工程数は若干
増えるが、電極材料のコストダウンを図りつつ、硫化や
マイグレーションを防止して信頼性の向上が図れるとい
う効果は得られる。
に、酸化金属膜２１を表面電極１４上だけに形成し、抵
抗体１３上には従来品と同様にガラスコート層１５とオ
ーバーコート層１６を順次形成するという構成にした場
合、酸化金属膜２１の追加により製造時の工程数は若干
増えるが、電極材料のコストダウンを図りつつ、硫化や
マイグレーションを防止して信頼性の向上が図れるとい
う効果は得られる。
【００２２】また、本発明が、裏面電極と端面電極を省
略した構成で保護膜側を下にして回路基板上に実装す
る、いわゆるフィレットレスタイプのチップ抵抗器にも
適用可能であることは言うまでもない。
略した構成で保護膜側を下にして回路基板上に実装す
る、いわゆるフィレットレスタイプのチップ抵抗器にも
適用可能であることは言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２４】表面電極上に酸化金属膜を設け、この酸化
金属膜が少なくとも保護膜とめっき層間の境界部分と対
向するようにしたチップ抵抗器なので、該境界部分から
ガスや湿気が侵入しても、酸化金属膜に遮られて表面電
極には到達しなくなる。それゆえ、表面電極がＰｄやＰ
ｔを含有しない銀電極であっても硫化やマイグレーショ
ンを確実に防止でき、信頼性の向上と電極材料のコスト
ダウンを同時に実現することができる。
金属膜が少なくとも保護膜とめっき層間の境界部分と対
向するようにしたチップ抵抗器なので、該境界部分から
ガスや湿気が侵入しても、酸化金属膜に遮られて表面電
極には到達しなくなる。それゆえ、表面電極がＰｄやＰ
ｔを含有しない銀電極であっても硫化やマイグレーショ
ンを確実に防止でき、信頼性の向上と電極材料のコスト
ダウンを同時に実現することができる。
【００２５】また、酸化金属膜を抵抗体を被覆する領域
に延設しておけば、ガラスコート層が省略できるのみな
らず、耐湿特性の向上が期待できる。その際、酸化金属
膜として、抵抗温度係数が負の材料（例えばＳｎＯ２と
Ｓｂ２Ｏ３を配合した材料）を用いれば、温度係数が正
の抵抗体と該酸化金属膜との積層体は、温度が変化して
も抵抗値がさほど変化しなくなるので、抵抗器としての
温度係数が小さくなるという効果も期待できる。
に延設しておけば、ガラスコート層が省略できるのみな
らず、耐湿特性の向上が期待できる。その際、酸化金属
膜として、抵抗温度係数が負の材料（例えばＳｎＯ２と
Ｓｂ２Ｏ３を配合した材料）を用いれば、温度係数が正
の抵抗体と該酸化金属膜との積層体は、温度が変化して
も抵抗値がさほど変化しなくなるので、抵抗器としての
温度係数が小さくなるという効果も期待できる。
【図１】本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の断面
図である。
図である。
【図２】該チップ抵抗器の製造工程図である。
【図３】本発明の他の実施形態例に係るチップ抵抗器の
断面図である。
断面図である。
【図４】従来例を示す断面図である。
１１，２５ チップ抵抗器
１２ 絶縁性基板
１３ 抵抗体
１４ 表面電極
１５ ガラスコート層
１６ オーバーコート層
１７ 裏面電極
１８ 端面電極
１９，２０ めっき層
２１ 酸化金属膜
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設け
られた抵抗体と、前記絶縁性基板上で前記抵抗体の両端
部と重なり合う位置に設けられた一対の表面電極と、前
記抵抗体を被覆して外表面に露出する保護膜と、前記表
面電極を被覆して外表面に露出するめっき層とを備えた
チップ抵抗器において、 前記表面電極上に酸化金属膜を設け、この酸化金属膜が
少なくとも前記保護膜と前記めっき層間の境界部分と対
向するように設定したことを特徴とするチップ抵抗器。 - 【請求項２】 請求項１の記載において、前記酸化金属
膜を前記抵抗体を被覆する領域に延設し、この酸化金属
膜上に前記保護膜を設けたことを特徴とするチップ抵抗
器。 - 【請求項３】 請求項２の記載において、前記酸化金属
膜として抵抗温度係数が負の材料を用いたことを特徴と
するチップ抵抗器。 - 【請求項４】 請求項３の記載において、前記酸化金属
膜としてＳｎＯ２にＳｂ３Ｏ２を加えた材料を用いたこ
とを特徴とするチップ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002083426A JP2003282302A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002083426A JP2003282302A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | チップ抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282302A true JP2003282302A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29231215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002083426A Pending JP2003282302A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | チップ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003282302A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173574A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Taiyosha Electric Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JP2008263054A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| US9818512B2 (en) | 2014-12-08 | 2017-11-14 | Vishay Dale Electronics, Llc | Thermally sprayed thin film resistor and method of making |
| TWI626665B (zh) * | 2017-03-03 | 2018-06-11 | Wafer resistance manufacturing method and resistance device thereof |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002083426A patent/JP2003282302A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173574A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Taiyosha Electric Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JP2008263054A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| US9818512B2 (en) | 2014-12-08 | 2017-11-14 | Vishay Dale Electronics, Llc | Thermally sprayed thin film resistor and method of making |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
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