JPH09246004A - 抵抗器とその製造方法 - Google Patents
抵抗器とその製造方法Info
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- JPH09246004A JPH09246004A JP8051257A JP5125796A JPH09246004A JP H09246004 A JPH09246004 A JP H09246004A JP 8051257 A JP8051257 A JP 8051257A JP 5125796 A JP5125796 A JP 5125796A JP H09246004 A JPH09246004 A JP H09246004A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極強度に優れた、低抵抗かつＴＣＲの小さ
い高精度な抵抗器を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１の上面にＡｇ系電極層２を形成
し、このＡｇ系電極層２に一部が重なるように中間電極
層４を形成し、この中間電極層４間に抵抗体層５を形成
し、さらにＣｕ−Ｎｉ合金抵抗体層５とＣｕ系中間電極
層４を覆うように樹脂系保護膜６を形成するものであ
る。
い高精度な抵抗器を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１の上面にＡｇ系電極層２を形成
し、このＡｇ系電極層２に一部が重なるように中間電極
層４を形成し、この中間電極層４間に抵抗体層５を形成
し、さらにＣｕ−Ｎｉ合金抵抗体層５とＣｕ系中間電極
層４を覆うように樹脂系保護膜６を形成するものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路に一般に
使用され、特に抵抗値の低い領域で抵抗温度係数の小さ
い高精度な抵抗器とその製造方法に関するものである。
使用され、特に抵抗値の低い領域で抵抗温度係数の小さ
い高精度な抵抗器とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、電子部
品の実装面積を縮小するため、表面実装部品への要求が
高まっている。角形チップ抵抗器に対する要求も多岐に
わたっており、そのひとつに従来から電源回路の電流検
出用抵抗器として使用されているリード線付き抵抗器の
代替として、低抵抗かつ抵抗温度係数の小さい角形チッ
プ状の抵抗器への開発要望がある。
品の実装面積を縮小するため、表面実装部品への要求が
高まっている。角形チップ抵抗器に対する要求も多岐に
わたっており、そのひとつに従来から電源回路の電流検
出用抵抗器として使用されているリード線付き抵抗器の
代替として、低抵抗かつ抵抗温度係数の小さい角形チッ
プ状の抵抗器への開発要望がある。
【０００３】以下、従来の抵抗器について図面を参照し
ながら説明する。図２は従来の抵抗器の断面図である。
図において、１１は角板状の９６％のアルミナを含有し
てなる基板である。１２は基板１１の上面の側部に設け
られたＣｕ系による一対の上面電極層である。１３は基
板１１の下面の側部に設けられたＣｕ系の下面電極層で
ある。１４は一対の上面電極層１２に重畳するように基
板１１の上面に設けられたＣｕ−Ｎｉ合金系の抵抗体層
である。１５は少なくとも抵抗体層１４を覆うように設
けられた樹脂系の保護膜である。１６は上面電極層１２
と下面電極層１３とを電気的に接続するように基板１１
の側面に設けられたＣｕ系の側面電極層である。１７，
１８ははんだ付け時の信頼性を確保するために上面電極
層１２および／または下面電極層１３、側面電極層１６
の一部または全部を覆うように設けられたＮｉめっき
膜、はんだめっき膜である。
ながら説明する。図２は従来の抵抗器の断面図である。
図において、１１は角板状の９６％のアルミナを含有し
てなる基板である。１２は基板１１の上面の側部に設け
られたＣｕ系による一対の上面電極層である。１３は基
板１１の下面の側部に設けられたＣｕ系の下面電極層で
ある。１４は一対の上面電極層１２に重畳するように基
板１１の上面に設けられたＣｕ−Ｎｉ合金系の抵抗体層
である。１５は少なくとも抵抗体層１４を覆うように設
けられた樹脂系の保護膜である。１６は上面電極層１２
と下面電極層１３とを電気的に接続するように基板１１
の側面に設けられたＣｕ系の側面電極層である。１７，
１８ははんだ付け時の信頼性を確保するために上面電極
層１２および／または下面電極層１３、側面電極層１６
の一部または全部を覆うように設けられたＮｉめっき
膜、はんだめっき膜である。
【０００４】以上のように構成された従来の抵抗器につ
いて、以下にその製造方法を説明する。
いて、以下にその製造方法を説明する。
【０００５】まず、角板状の９６％のアルミナを含有し
てなる基板１１の上面の側部にＣｕ系による一対の上面
電極層１２を形成し、かつ、基板１１の下面に上面電極
層１２と対応させてＣｕ系の下面電極層１３を形成す
る。
てなる基板１１の上面の側部にＣｕ系による一対の上面
電極層１２を形成し、かつ、基板１１の下面に上面電極
層１２と対応させてＣｕ系の下面電極層１３を形成す
る。
【０００６】次に、一対の上面電極層１２に重畳するよ
うに基板１１の上面にＣｕ−Ｎｉ合金系の抵抗体層１４
を形成する。
うに基板１１の上面にＣｕ−Ｎｉ合金系の抵抗体層１４
を形成する。
【０００７】次に、抵抗値を所定の抵抗値に揃えるため
に抵抗体層１４にレーザートリミングする。
に抵抗体層１４にレーザートリミングする。
【０００８】次に、少なくとも抵抗体層１４を覆うよう
に樹脂系の保護膜１５を形成する。次に、基板１１の側
面に上面電極層１２と下面電極層１３とを電気的に接続
するようにＣｕ系の側面電極層１６を形成する。
に樹脂系の保護膜１５を形成する。次に、基板１１の側
面に上面電極層１２と下面電極層１３とを電気的に接続
するようにＣｕ系の側面電極層１６を形成する。
【０００９】最後に、はんだ付け時の信頼性の確保のた
め、上面電極層１２および／または下面電極層１３、側
面電極層１６の一部または全部を覆うようにＮｉめっき
膜１７およびはんだめっき膜１８を形成して抵抗器を作
製していた。
め、上面電極層１２および／または下面電極層１３、側
面電極層１６の一部または全部を覆うようにＮｉめっき
膜１７およびはんだめっき膜１８を形成して抵抗器を作
製していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
抵抗器において、Ｃｕ−Ｎｉ合金系の抵抗体層１４はＣ
ｕ−Ｎｉの合金粉末あるいは各々の粉末の混合粉末を導
電粒子として含む厚膜ペーストを印刷し、窒素雰囲気で
焼成して形成されるため、この抵抗体層１４と接続する
上面電極層１２の電極材料としては、導体抵抗値が低
く、抵抗体層１４との相互拡散がなく、抵抗体層１４を
酸化させない窒素雰囲気で焼成するＣｕ系のものが選択
され、Ｃｕ系のものを形成するためのＣｕ系のペースト
は、窒素雰囲気で焼成をするために酸化鉛系のガラス粉
末を多く含有しているので、Ｃｕ系の上面電極層１２の
上にはんだ付け性確保のためのＮｉめっき膜１７および
はんだめっき膜１８を形成する際に、めっき液でガラス
成分が侵され、Ｃｕ系の上面電極層１２と基板１１との
密着強度が得られないという課題を有していた。
抵抗器において、Ｃｕ−Ｎｉ合金系の抵抗体層１４はＣ
ｕ−Ｎｉの合金粉末あるいは各々の粉末の混合粉末を導
電粒子として含む厚膜ペーストを印刷し、窒素雰囲気で
焼成して形成されるため、この抵抗体層１４と接続する
上面電極層１２の電極材料としては、導体抵抗値が低
く、抵抗体層１４との相互拡散がなく、抵抗体層１４を
酸化させない窒素雰囲気で焼成するＣｕ系のものが選択
され、Ｃｕ系のものを形成するためのＣｕ系のペースト
は、窒素雰囲気で焼成をするために酸化鉛系のガラス粉
末を多く含有しているので、Ｃｕ系の上面電極層１２の
上にはんだ付け性確保のためのＮｉめっき膜１７および
はんだめっき膜１８を形成する際に、めっき液でガラス
成分が侵され、Ｃｕ系の上面電極層１２と基板１１との
密着強度が得られないという課題を有していた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、基板の上面の側部に設けられた一対のＡｇ
系の電極層と、この電極層に重畳するように前記基板の
上面に設けられた一対の中間電極層と、この一対の中間
電極層に重畳するように設けられたＣｕ−Ｎｉ合金系の
抵抗体層とを設けるものである。
に本発明は、基板の上面の側部に設けられた一対のＡｇ
系の電極層と、この電極層に重畳するように前記基板の
上面に設けられた一対の中間電極層と、この一対の中間
電極層に重畳するように設けられたＣｕ−Ｎｉ合金系の
抵抗体層とを設けるものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基板と、この基板の上面の側部に設けられた一対の
Ａｇ系の電極層と、この電極層に重畳するように前記基
板の上面に設けられた一対の中間電極層と、この一対の
中間電極層に重畳するように設けられたＣｕ−Ｎｉ合金
系の抵抗体層と、少なくともこの抵抗体層を覆うように
設けられた保護膜とからなるものである。
は、基板と、この基板の上面の側部に設けられた一対の
Ａｇ系の電極層と、この電極層に重畳するように前記基
板の上面に設けられた一対の中間電極層と、この一対の
中間電極層に重畳するように設けられたＣｕ−Ｎｉ合金
系の抵抗体層と、少なくともこの抵抗体層を覆うように
設けられた保護膜とからなるものである。
【００１３】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
記載の基板の側面に、電極層と電気的に接続する側面電
極層を有するものである。
記載の基板の側面に、電極層と電気的に接続する側面電
極層を有するものである。
【００１４】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
記載の側面電極層は、樹脂系であるものである。
記載の側面電極層は、樹脂系であるものである。
【００１５】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
記載の抵抗体層は、ＣｕとＮｉとの重量比は、５５：４
５〜６５：３５のＣｕ−Ｎｉ合金からなるものである。
記載の抵抗体層は、ＣｕとＮｉとの重量比は、５５：４
５〜６５：３５のＣｕ−Ｎｉ合金からなるものである。
【００１６】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
記載の中間電極層は、Ｃｕ、ＮｉまたはＣｕ−Ｎｉ合金
のいずれかであるものである。
記載の中間電極層は、Ｃｕ、ＮｉまたはＣｕ−Ｎｉ合金
のいずれかであるものである。
【００１７】また、請求項６記載の発明は、請求項１記
載の発明の中間電極層と抵抗体層とは、同系の金属であ
るものである。
載の発明の中間電極層と抵抗体層とは、同系の金属であ
るものである。
【００１８】また、請求項７に記載の発明は、基板の上
・下面の側部にＡｇの一対の上面電極層・下面電極層と
を形成し、前記上面電極層・下面電極層のそれぞれに電
気的に接続するように前記基板の上面に中間電極層を形
成し、前記中間電極層に重畳するように前記基板の上面
にＣｕ−Ｎｉ合金系の抵抗体層を形成し、少なくとも前
記中間電極層と抵抗体層とを覆うように保護膜を形成
し、前記上面電極層と下面電極層とを電気的に接続する
ように前記基板の側面に側面電極層を形成してなるもの
である。
・下面の側部にＡｇの一対の上面電極層・下面電極層と
を形成し、前記上面電極層・下面電極層のそれぞれに電
気的に接続するように前記基板の上面に中間電極層を形
成し、前記中間電極層に重畳するように前記基板の上面
にＣｕ−Ｎｉ合金系の抵抗体層を形成し、少なくとも前
記中間電極層と抵抗体層とを覆うように保護膜を形成
し、前記上面電極層と下面電極層とを電気的に接続する
ように前記基板の側面に側面電極層を形成してなるもの
である。
【００１９】以下、本発明の一実施の形態における抵抗
器について、図面を参照しながら説明する。
器について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】図１は本発明の一実施の形態における抵抗
器の断面図である。図において、１は９６％のアルミナ
を含有してなる基板である。２，３は基板１の上面また
は下面のそれぞれの側部に設けられた一対のＡｇ系の上
面電極層、下面電極層である。４はそれぞれの上面電極
層２と電気的に接続するように設けられた一対のＣｕ系
の中間電極層である。５は一対のＣｕ系の中間電極層４
に重畳するように基板１の上面に設けられたＣｕ−Ｎｉ
合金からなる抵抗体層である。６は少なくとも中間電極
層４と抵抗体層５を覆うように設けられた樹脂系の保護
膜である。７は上面電極層２と下面電極層３とを電気的
に接続するように基板１の側面に設けられた樹脂系の側
面電極層である。８，９ははんだ付け時の信頼性の確保
のため、上面電極層２および／または下面電極層３、側
面電極層７の一部または全部を覆うように設けられたＮ
ｉめっき膜、はんだめっき膜である。
器の断面図である。図において、１は９６％のアルミナ
を含有してなる基板である。２，３は基板１の上面また
は下面のそれぞれの側部に設けられた一対のＡｇ系の上
面電極層、下面電極層である。４はそれぞれの上面電極
層２と電気的に接続するように設けられた一対のＣｕ系
の中間電極層である。５は一対のＣｕ系の中間電極層４
に重畳するように基板１の上面に設けられたＣｕ−Ｎｉ
合金からなる抵抗体層である。６は少なくとも中間電極
層４と抵抗体層５を覆うように設けられた樹脂系の保護
膜である。７は上面電極層２と下面電極層３とを電気的
に接続するように基板１の側面に設けられた樹脂系の側
面電極層である。８，９ははんだ付け時の信頼性の確保
のため、上面電極層２および／または下面電極層３、側
面電極層７の一部または全部を覆うように設けられたＮ
ｉめっき膜、はんだめっき膜である。
【００２１】以上のように構成された抵抗器について、
以下にその製造方法を説明する。まず、角板状の９６％
のアルミナを含有してなる基板１の上面の側部にＰｄ１
％を含有する厚膜Ａｇ系のペーストを印刷し、大気雰囲
気８５０℃で焼成して、一対のＡｇ系の上面電極層２を
形成する。
以下にその製造方法を説明する。まず、角板状の９６％
のアルミナを含有してなる基板１の上面の側部にＰｄ１
％を含有する厚膜Ａｇ系のペーストを印刷し、大気雰囲
気８５０℃で焼成して、一対のＡｇ系の上面電極層２を
形成する。
【００２２】次に上面電極層２と同様に、基板１の下面
に、一対のＡｇ系の下面電極層３を形成する。
に、一対のＡｇ系の下面電極層３を形成する。
【００２３】次に、それぞれの上面電極層２と電気的に
接続するようにＣｕ系の厚膜ペーストを印刷し、表面の
酸化防止のため酸素濃度が５ｐｐｍ以下の窒素雰囲気
で、８５０℃で焼成してＣｕ系の中間電極層４を形成す
る。この中間電極層４は、次工程に形成する抵抗体層５
の持つ例えば低抵抗かつＴＣＲが小さい特性を生かすた
めのものであり、抵抗器がはんだ付けされた際の機能は
上面電極層２が持つことになる。したがって、中間電極
層４は、抵抗体層５と接する部分のみに形成する必要が
あって、基板１の端部まで形成する必要はない。また、
中間電極層４は、Ｎｉ系あるいはＣｕ−Ｎｉ合金系であ
れば、抵抗体層５と同系金属であるため、抵抗体特性へ
の影響はない。
接続するようにＣｕ系の厚膜ペーストを印刷し、表面の
酸化防止のため酸素濃度が５ｐｐｍ以下の窒素雰囲気
で、８５０℃で焼成してＣｕ系の中間電極層４を形成す
る。この中間電極層４は、次工程に形成する抵抗体層５
の持つ例えば低抵抗かつＴＣＲが小さい特性を生かすた
めのものであり、抵抗器がはんだ付けされた際の機能は
上面電極層２が持つことになる。したがって、中間電極
層４は、抵抗体層５と接する部分のみに形成する必要が
あって、基板１の端部まで形成する必要はない。また、
中間電極層４は、Ｎｉ系あるいはＣｕ−Ｎｉ合金系であ
れば、抵抗体層５と同系金属であるため、抵抗体特性へ
の影響はない。
【００２４】次に、一対の中間電極層４に重畳するよう
に基板１の上面にＣｕ−Ｎｉを導電粒子とする厚膜抵抗
ペーストを印刷し、表面の酸化防止のため酸素濃度５ｐ
ｐｍ以下の窒素雰囲気により８５０℃で焼成して抵抗体
層５を形成する。
に基板１の上面にＣｕ−Ｎｉを導電粒子とする厚膜抵抗
ペーストを印刷し、表面の酸化防止のため酸素濃度５ｐ
ｐｍ以下の窒素雰囲気により８５０℃で焼成して抵抗体
層５を形成する。
【００２５】ここでＣｕ−Ｎｉ金属組成と抵抗値および
ＴＣＲとの相関は、ＣｕとＮｉの比率を可変することに
よりＴＣＲをコントロールすることができ、ＣｕとＮｉ
との重量比が６０：４０の時にＴＣＲ値は最小（ほぼ
０）となり、５５：４５〜６５：３５の範囲であれば目
標とするＴＣＲ（±５０ｐｐｍ／℃）が得られる。これ
は、Ｃｕ粉末とＮｉ粉末の混合粉末あるいはＣｕ−Ｎｉ
合金粉末を導電粒子とし、アルミナ基板との密着性を得
るためのガラスを数％含む厚膜Ｃｕ−Ｎｉペーストにお
いても同様である。
ＴＣＲとの相関は、ＣｕとＮｉの比率を可変することに
よりＴＣＲをコントロールすることができ、ＣｕとＮｉ
との重量比が６０：４０の時にＴＣＲ値は最小（ほぼ
０）となり、５５：４５〜６５：３５の範囲であれば目
標とするＴＣＲ（±５０ｐｐｍ／℃）が得られる。これ
は、Ｃｕ粉末とＮｉ粉末の混合粉末あるいはＣｕ−Ｎｉ
合金粉末を導電粒子とし、アルミナ基板との密着性を得
るためのガラスを数％含む厚膜Ｃｕ−Ｎｉペーストにお
いても同様である。
【００２６】次に、抵抗体層５を目的の抵抗値が得られ
るようにレーザートリミングにより抵抗値修正を行う。
るようにレーザートリミングにより抵抗値修正を行う。
【００２７】次に、少なくとも抵抗値修正済みの抵抗体
層５と中間電極層４を覆うように、耐湿性および耐熱性
に優れたエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷し、
２００℃雰囲気のＢＯＸ乾燥機で３０分間乾燥硬化して
樹脂系の保護膜６を形成する。
層５と中間電極層４を覆うように、耐湿性および耐熱性
に優れたエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷し、
２００℃雰囲気のＢＯＸ乾燥機で３０分間乾燥硬化して
樹脂系の保護膜６を形成する。
【００２８】次に、上面電極層２と下面電極層３とを電
気的に接続するように基板１の側面に樹脂系導電ペース
トを端部にローラー塗布し、２００℃雰囲気のＢＯＸ乾
燥機で３０分間乾燥硬化して樹脂系の側面電極層７を形
成する。この際、上面電極層２をすべて樹脂系の側面電
極層７で覆わない。本実施の形態における抵抗器は、数
十ｍΩから数百ｍΩの低い抵抗値であるため、樹脂系の
側面電極層７で上面電極層２を全て覆った場合、はんだ
付け後の抵抗器の導電経路に側面電極層７が介在するこ
とになり、側面電極層７の固有の抵抗値（数百ｍΩ／
□）ならびにＴＣＲ（Ａｇ系であれば３０００ｐｐｍ／
℃程度）が付加され、抵抗体層５が有する抵抗値ならび
にＴＣＲが変動してしまう。また、側面電極層７に含ま
れる導電粉末はＡｇ、Ｎｉ、Ｃｕ等の金属があるがＡｇ
が特に良い。
気的に接続するように基板１の側面に樹脂系導電ペース
トを端部にローラー塗布し、２００℃雰囲気のＢＯＸ乾
燥機で３０分間乾燥硬化して樹脂系の側面電極層７を形
成する。この際、上面電極層２をすべて樹脂系の側面電
極層７で覆わない。本実施の形態における抵抗器は、数
十ｍΩから数百ｍΩの低い抵抗値であるため、樹脂系の
側面電極層７で上面電極層２を全て覆った場合、はんだ
付け後の抵抗器の導電経路に側面電極層７が介在するこ
とになり、側面電極層７の固有の抵抗値（数百ｍΩ／
□）ならびにＴＣＲ（Ａｇ系であれば３０００ｐｐｍ／
℃程度）が付加され、抵抗体層５が有する抵抗値ならび
にＴＣＲが変動してしまう。また、側面電極層７に含ま
れる導電粉末はＡｇ、Ｎｉ、Ｃｕ等の金属があるがＡｇ
が特に良い。
【００２９】最後に、はんだ付け時の信頼性を確保する
ため、電気めっきにより、Ｎｉめっき膜８およびはんだ
めっき膜９を形成して、抵抗器が製造されるものであ
る。
ため、電気めっきにより、Ｎｉめっき膜８およびはんだ
めっき膜９を形成して、抵抗器が製造されるものであ
る。
【００３０】以上のように構成、製造された抵抗器は、
従来のＣｕ系電極層上にめっき膜を形成したものよりも
はるかに電極強度が強く、また一般的に大量に使用され
ている酸化ルテニウム抵抗体層とＡｇ系電極層による抵
抗器と同等の電極強度を得た。また、抵抗値は約２０ｍ
Ωから２００ｍΩの抵抗値を有しながら、ＴＣＲが±５
０ｐｐｍ／℃以内の高精度な製品であることも確認でき
た。
従来のＣｕ系電極層上にめっき膜を形成したものよりも
はるかに電極強度が強く、また一般的に大量に使用され
ている酸化ルテニウム抵抗体層とＡｇ系電極層による抵
抗器と同等の電極強度を得た。また、抵抗値は約２０ｍ
Ωから２００ｍΩの抵抗値を有しながら、ＴＣＲが±５
０ｐｐｍ／℃以内の高精度な製品であることも確認でき
た。
【００３１】なお、この本実施の形態で説明した抵抗器
は、個片状の抵抗器で製造方法を説明したが、一般的に
は量産性を向上させるため、複数のチップを同時に生産
すべく縦横方向に複数の分割用スリットを形成したシー
ト状の基板を使用する。したがって、側面電極層７を形
成する前工程として側面部を露出させるための１次分割
工程、および側面電極層７の形成後に個片の抵抗器とす
るための２次分割工程が付加される。
は、個片状の抵抗器で製造方法を説明したが、一般的に
は量産性を向上させるため、複数のチップを同時に生産
すべく縦横方向に複数の分割用スリットを形成したシー
ト状の基板を使用する。したがって、側面電極層７を形
成する前工程として側面部を露出させるための１次分割
工程、および側面電極層７の形成後に個片の抵抗器とす
るための２次分割工程が付加される。
【００３２】また、抵抗体層５は、Ｃｕ−Ｎｉ合金に限
らず、低抵抗値を有する抵抗器を構成する場合には、抵
抗体層と接続する電極層すべてを樹脂系側面電極層で覆
わないことが望ましい。
らず、低抵抗値を有する抵抗器を構成する場合には、抵
抗体層と接続する電極層すべてを樹脂系側面電極層で覆
わないことが望ましい。
【００３３】さらに、本実施の形態では保護膜と側面電
極層を樹脂材料により２００℃程度の低温で形成した
が、高温焼成タイプ（例えば６００℃焼成）の材料を使
用しても良い。
極層を樹脂材料により２００℃程度の低温で形成した
が、高温焼成タイプ（例えば６００℃焼成）の材料を使
用しても良い。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、本発明は、露出する電極
層は上面電極層のみとなり、めっき膜形成後も強い電極
強度が得られ、また、抵抗体層と中間電極層とが直接接
続しているため、電極材料の拡散による影響がなく、抵
抗体層が有する特性を劣化させることがないので、１Ω
以下の低い抵抗値で、ＴＣＲが±５０ｐｐｍ／℃以内を
有する抵抗器を提供することができる。
層は上面電極層のみとなり、めっき膜形成後も強い電極
強度が得られ、また、抵抗体層と中間電極層とが直接接
続しているため、電極材料の拡散による影響がなく、抵
抗体層が有する特性を劣化させることがないので、１Ω
以下の低い抵抗値で、ＴＣＲが±５０ｐｐｍ／℃以内を
有する抵抗器を提供することができる。
【図１】本発明の一実施の形態における抵抗器の断面図
【図２】従来の抵抗器の断面図
１ 基板 ２ 上面電極層 ３ 下面電極層 ４ 中間電極層 ５ 抵抗体層 ６ 保護膜
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、この基板の上面の側部に設けら
れた一対のＡｇ系の電極層と、この電極層に重畳するよ
うに前記基板の上面に設けられた一対の中間電極層と、
この一対の中間電極層に重畳するように設けられたＣｕ
−Ｎｉ合金系の抵抗体層と、少なくともこの抵抗体層を
覆うように設けられた保護膜とからなる抵抗器。 - 【請求項２】 基板の側面に電極層と電気的に接続する
側面電極層を有する請求項１記載の抵抗器。 - 【請求項３】 側面電極層は、樹脂系である請求項１記
載の抵抗器。 - 【請求項４】 抵抗体層は、ＣｕとＮｉとの重量比は、
５５：４５〜６５：３５のＣｕ−Ｎｉ合金からなる請求
項１記載の抵抗器。 - 【請求項５】 中間電極層は、Ｃｕ、ＮｉまたはＣｕ−
Ｎｉ合金のいずれかである請求項１記載の抵抗器。 - 【請求項６】 中間電極層と抵抗体層とは、同系の金属
である請求項１記載の抵抗器。 - 【請求項７】 基板の上・下面の側部にＡｇの一対の上
面電極層・下面電極層とを形成し、前記上面電極層・下
面電極層のそれぞれに電気的に接続するように前記基板
の上面に中間電極層を形成し、前記中間電極層に重畳す
るように前記基板の上面にＣｕ−Ｎｉ合金系の抵抗体層
を形成し、少なくとも前記中間電極層と抵抗体層とを覆
うように保護膜を形成し、前記上面電極層と下面電極層
とを電気的に接続するように前記基板の側面に側面電極
層を形成してなる抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8051257A JPH09246004A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 抵抗器とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8051257A JPH09246004A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 抵抗器とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246004A true JPH09246004A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12881903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8051257A Pending JPH09246004A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 抵抗器とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246004A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064003A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Taiyosha Denki Kk | チップ抵抗器及びその製造方法 |
| JP2004104047A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-02 | Koa Corp | 抵抗組成物および抵抗器 |
| JP2008263054A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JP2018074143A (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 抵抗素子及び抵抗素子アセンブリ |
-
1996
- 1996-03-08 JP JP8051257A patent/JPH09246004A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064003A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Taiyosha Denki Kk | チップ抵抗器及びその製造方法 |
| JP2004104047A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-02 | Koa Corp | 抵抗組成物および抵抗器 |
| JP2008263054A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JP2018074143A (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 抵抗素子及び抵抗素子アセンブリ |
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