JPH11204304A - 抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
抵抗器およびその製造方法Info
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- JPH11204304A JPH11204304A JP10002003A JP200398A JPH11204304A JP H11204304 A JPH11204304 A JP H11204304A JP 10002003 A JP10002003 A JP 10002003A JP 200398 A JP200398 A JP 200398A JP H11204304 A JPH11204304 A JP H11204304A
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- H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
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- H01C1/00—Details
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- H01C1/032—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure plural layers surrounding the resistive element
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/003—Thick film resistors
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、耐湿特性に優れた抵抗器およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板２１の上面の側部に設けられた金系
の金属薄膜による上面電極層２２と、上面電極層２２に
電気的に接続するように設けられたＮｉＣｒ系の金属薄
膜による抵抗層２４と、抵抗層２４を覆うように設けら
れた樹脂による第１の保護層２５と、第１の保護層２５
を覆うように設けられた樹脂による第２の保護層２６と
からなるものである。
の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板２１の上面の側部に設けられた金系
の金属薄膜による上面電極層２２と、上面電極層２２に
電気的に接続するように設けられたＮｉＣｒ系の金属薄
膜による抵抗層２４と、抵抗層２４を覆うように設けら
れた樹脂による第１の保護層２５と、第１の保護層２５
を覆うように設けられた樹脂による第２の保護層２６と
からなるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗器およびその
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、回路の
無調整化をするために、抵抗値許容差の高精度な角形チ
ップ抵抗器への要求が高まってきている。特に、±０．
５％あるいは±０．１％の抵抗値許容差を有する角形チ
ップ抵抗器では、過去から主流で使用されてきたグレー
ズ材料を用いた厚膜抵抗体からなる角形チップ抵抗器
（以下、「厚膜角チップ抵抗器」と記す。）よりも、高
精度を得やすい金属薄膜抵抗体からなる角形チップ抵抗
器（以下、「薄膜角チップ抵抗器」と記す。）への市場
からの要望が高まっている。
無調整化をするために、抵抗値許容差の高精度な角形チ
ップ抵抗器への要求が高まってきている。特に、±０．
５％あるいは±０．１％の抵抗値許容差を有する角形チ
ップ抵抗器では、過去から主流で使用されてきたグレー
ズ材料を用いた厚膜抵抗体からなる角形チップ抵抗器
（以下、「厚膜角チップ抵抗器」と記す。）よりも、高
精度を得やすい金属薄膜抵抗体からなる角形チップ抵抗
器（以下、「薄膜角チップ抵抗器」と記す。）への市場
からの要望が高まっている。
【０００３】一方、電子機器の使用環境が多様化する中
で、電子部品である角チップ抵抗器に対しても要求仕様
が高くなってきている。薄膜角チップ抵抗器の市場規模
が拡大するに伴い、耐湿特性において安定的な厚膜角チ
ップ抵抗器と同等の信頼性水準を要求されるようになっ
てきた。
で、電子部品である角チップ抵抗器に対しても要求仕様
が高くなってきている。薄膜角チップ抵抗器の市場規模
が拡大するに伴い、耐湿特性において安定的な厚膜角チ
ップ抵抗器と同等の信頼性水準を要求されるようになっ
てきた。
【０００４】以下、従来の抵抗器およびその製造方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。
ついて、図面を参照しながら説明する。
【０００５】図４は従来の抵抗器の断面図である。図に
おいて、１は９６％アルミナ等からなる基板である。２
は基板１の上面に設けられたＮｉＣｒ系の金属薄膜から
なる抵抗層である。３は基板１の上面の左右両端部に抵
抗層２と重なるように設けられたＣｕ等の金属薄膜から
なる一対の上面電極層である。４は基板１の裏面に基板
１を挟んで上面電極層３と対応するように設けられたＣ
ｕ等の金属薄膜からなる裏面電極層である。５は少なく
とも露出する抵抗層２を覆うように設けられたポリイミ
ド系樹脂等からなる保護層である。６は基板１の側面に
上面電極層３と裏面電極層４を接続するように基板１の
側面に設けられたＮｉ等の金属薄膜からなる側面電極層
である。７は上面電極層３と裏面電極層４および側面電
極層６とを覆うように設けられたニッケルめっき層、８
はこのニッケルめっき層７を覆うように設けられたはん
だめっき層である。
おいて、１は９６％アルミナ等からなる基板である。２
は基板１の上面に設けられたＮｉＣｒ系の金属薄膜から
なる抵抗層である。３は基板１の上面の左右両端部に抵
抗層２と重なるように設けられたＣｕ等の金属薄膜から
なる一対の上面電極層である。４は基板１の裏面に基板
１を挟んで上面電極層３と対応するように設けられたＣ
ｕ等の金属薄膜からなる裏面電極層である。５は少なく
とも露出する抵抗層２を覆うように設けられたポリイミ
ド系樹脂等からなる保護層である。６は基板１の側面に
上面電極層３と裏面電極層４を接続するように基板１の
側面に設けられたＮｉ等の金属薄膜からなる側面電極層
である。７は上面電極層３と裏面電極層４および側面電
極層６とを覆うように設けられたニッケルめっき層、８
はこのニッケルめっき層７を覆うように設けられたはん
だめっき層である。
【０００６】以上のように構成された抵抗器について、
以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【０００７】図５は従来の抵抗器の製造方法を示す工程
図である。従来の製造工程は、まず９６％アルミナなど
からなる耐熱性の基板１１（分割溝なし）を受け入れる
工程Ａをスタートし、次に基板１１上の全面にＮｉＣｒ
等の薄膜抵抗層を形成するスパッタ工程Ｂを経て、薄膜
抵抗層を抵抗パターン１２に整形するフォトエッチング
工程Ｃを行う。
図である。従来の製造工程は、まず９６％アルミナなど
からなる耐熱性の基板１１（分割溝なし）を受け入れる
工程Ａをスタートし、次に基板１１上の全面にＮｉＣｒ
等の薄膜抵抗層を形成するスパッタ工程Ｂを経て、薄膜
抵抗層を抵抗パターン１２に整形するフォトエッチング
工程Ｃを行う。
【０００８】次に、抵抗パターン１２を整形した基板１
１上の全面にＮｉ等の薄膜上面電極層を形成するスパッ
タ工程Ｄを経て、薄膜上面電極層を上面電極パターン１
３に整形するフォトエッチング工程Ｅを行い、次に抵抗
パターン１２および上面電極パターン１３を安定な膜に
するために、窒素中などで３５０〜４００℃の温度で熱
処理工程Ｆを行う。
１上の全面にＮｉ等の薄膜上面電極層を形成するスパッ
タ工程Ｄを経て、薄膜上面電極層を上面電極パターン１
３に整形するフォトエッチング工程Ｅを行い、次に抵抗
パターン１２および上面電極パターン１３を安定な膜に
するために、窒素中などで３５０〜４００℃の温度で熱
処理工程Ｆを行う。
【０００９】次に、抵抗パターン１２の抵抗値を所定の
値に修正するためにレーザートリミング等により、抵抗
値修正工程Ｇを行う。
値に修正するためにレーザートリミング等により、抵抗
値修正工程Ｇを行う。
【００１０】次に、抵抗値修正済み抵抗パターン１４を
保護するために、ポリイミド系樹脂等の熱硬化性の樹脂
による保護層１５を形成する工程Ｈを行う。
保護するために、ポリイミド系樹脂等の熱硬化性の樹脂
による保護層１５を形成する工程Ｈを行う。
【００１１】次に、基板１１を分割し、側面電極層１８
を形成するための準備工程として、基板１１に分割のた
めの溝１６を炭酸ガスレーザー等により形成するスクラ
イブ工程Ｉを行い、次に基板１１を短冊状基板１７に分
割する一次基板分割工程Ｊを行い、その短冊状基板１７
の側面にスパッタ等を用い、側面電極層１８を形成する
側面電極形成工程Ｋを行う。
を形成するための準備工程として、基板１１に分割のた
めの溝１６を炭酸ガスレーザー等により形成するスクラ
イブ工程Ｉを行い、次に基板１１を短冊状基板１７に分
割する一次基板分割工程Ｊを行い、その短冊状基板１７
の側面にスパッタ等を用い、側面電極層１８を形成する
側面電極形成工程Ｋを行う。
【００１２】次に、露出している電極面にめっきを施す
ための準備工程として、短冊状基板１７を個片状基板１
９に分割する二次基板分割工程Ｌを行い、最後にはんだ
付け時の信頼性の確保のため電極めっき層２０を形成す
る電極めっき工程Ｍを行い、抵抗器を形成していた。
ための準備工程として、短冊状基板１７を個片状基板１
９に分割する二次基板分割工程Ｌを行い、最後にはんだ
付け時の信頼性の確保のため電極めっき層２０を形成す
る電極めっき工程Ｍを行い、抵抗器を形成していた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
抵抗器およびその製造方法では、薄膜角チップ抵抗器の
保護層は、前述のようにポリイミド系樹脂などの熱硬化
性の樹脂により構成されており、厚膜角チップ抵抗器の
保護層を一般的に構成するホウケイ酸鉛系ガラス等の無
機系材料に比較して、材料特性上、はるかに透湿係数
（湿気の浸入しやすさ）が大きいために、多湿雰囲気に
さらされた場合の保護層への吸湿性が高い。したがっ
て、保護層から抵抗層に水分が供給されやすく、薄膜角
チップ抵抗器に通電されると抵抗層の酸化による抵抗値
変化や、Ｎａ+、Ｋ+、Ｃｌ-等の腐食性の高いイオンが
存在する場合には電界腐食による断線不良モードに至る
ものも発生するという課題を有していた。
抵抗器およびその製造方法では、薄膜角チップ抵抗器の
保護層は、前述のようにポリイミド系樹脂などの熱硬化
性の樹脂により構成されており、厚膜角チップ抵抗器の
保護層を一般的に構成するホウケイ酸鉛系ガラス等の無
機系材料に比較して、材料特性上、はるかに透湿係数
（湿気の浸入しやすさ）が大きいために、多湿雰囲気に
さらされた場合の保護層への吸湿性が高い。したがっ
て、保護層から抵抗層に水分が供給されやすく、薄膜角
チップ抵抗器に通電されると抵抗層の酸化による抵抗値
変化や、Ｎａ+、Ｋ+、Ｃｌ-等の腐食性の高いイオンが
存在する場合には電界腐食による断線不良モードに至る
ものも発生するという課題を有していた。
【００１４】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、高信頼性、特に耐湿特性に優れた抵抗器およびその
製造方法を提供することを目的とするものである。
で、高信頼性、特に耐湿特性に優れた抵抗器およびその
製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板と、前記基板の上面の側部に設けられ
た一対の上面電極層と、前記基板の上面に前記上面電極
層に電気的に接続するように設けられた抵抗層と、少な
くとも前記基板上面の露出する前記抵抗層を覆うように
設けられた樹脂系の第１の保護層と、少なくとも前記第
１の保護層を覆うように設けられた樹脂系の第２の保護
層とからなるものである。
に本発明は、基板と、前記基板の上面の側部に設けられ
た一対の上面電極層と、前記基板の上面に前記上面電極
層に電気的に接続するように設けられた抵抗層と、少な
くとも前記基板上面の露出する前記抵抗層を覆うように
設けられた樹脂系の第１の保護層と、少なくとも前記第
１の保護層を覆うように設けられた樹脂系の第２の保護
層とからなるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、基板
と、前記基板の上面の側部に設けられた一対の上面電極
層と、前記基板の上面に前記上面電極層に電気的に接続
するように設けられた抵抗層と、少なくとも前記基板上
面の露出する前記抵抗層を覆うように設けられた樹脂系
の第１の保護層と、少なくとも前記第１の保護層を覆う
ように設けられた樹脂系の第２の保護層とからなるもの
である。
と、前記基板の上面の側部に設けられた一対の上面電極
層と、前記基板の上面に前記上面電極層に電気的に接続
するように設けられた抵抗層と、少なくとも前記基板上
面の露出する前記抵抗層を覆うように設けられた樹脂系
の第１の保護層と、少なくとも前記第１の保護層を覆う
ように設けられた樹脂系の第２の保護層とからなるもの
である。
【００１７】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の第１の保護層は、第２の保護層よりも透湿係数
が大きいものである。
に記載の第１の保護層は、第２の保護層よりも透湿係数
が大きいものである。
【００１８】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の第１の保護層はポリイミド系樹脂、第２の保護
層はエポキシ系樹脂からなるものである。
に記載の第１の保護層はポリイミド系樹脂、第２の保護
層はエポキシ系樹脂からなるものである。
【００１９】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載の第１の保護層および第２の保護層とは、エポキ
シ系樹脂によりなるものである。
に記載の第１の保護層および第２の保護層とは、エポキ
シ系樹脂によりなるものである。
【００２０】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
に記載の抵抗層は、Ｎｉ系、Ｃｒ系、Ｔａ系のいずれか
からなる金属薄膜からなるものである。
に記載の抵抗層は、Ｎｉ系、Ｃｒ系、Ｔａ系のいずれか
からなる金属薄膜からなるものである。
【００２１】また、請求項６に記載の発明は、請求項１
に記載の上面電極層は、Ｎｉ系、Ａｕ系、Ｃｕ系のいず
れかからなる金属薄膜からなるものである。
に記載の上面電極層は、Ｎｉ系、Ａｕ系、Ｃｕ系のいず
れかからなる金属薄膜からなるものである。
【００２２】また、請求項７に記載の発明は、基板の上
面の側部に一対の上面電極層を設ける工程と、前記基板
の上面に前記上面電極層に電気的に接続するように抵抗
層を設ける工程と、少なくとも前記基板上面の露出する
前記抵抗層を覆うように樹脂系の第１の保護層を形成す
る工程と、少なくとも前記第１の保護層を覆うように樹
脂系の第２の保護層を形成する工程とからなるものであ
る。
面の側部に一対の上面電極層を設ける工程と、前記基板
の上面に前記上面電極層に電気的に接続するように抵抗
層を設ける工程と、少なくとも前記基板上面の露出する
前記抵抗層を覆うように樹脂系の第１の保護層を形成す
る工程と、少なくとも前記第１の保護層を覆うように樹
脂系の第２の保護層を形成する工程とからなるものであ
る。
【００２３】また、請求項８に記載の発明は、請求項７
に記載の樹脂系材料を印刷、硬化して第１の保護層を形
成した後、樹脂系材料を印刷、硬化して第２の保護層を
形成してなるものである。
に記載の樹脂系材料を印刷、硬化して第１の保護層を形
成した後、樹脂系材料を印刷、硬化して第２の保護層を
形成してなるものである。
【００２４】また、請求項９に記載の発明は、請求項７
に記載の第２の保護層を形成する工程は、第１の保護層
を形成する工程よりも低い温度で硬化して形成する工程
である。
に記載の第２の保護層を形成する工程は、第１の保護層
を形成する工程よりも低い温度で硬化して形成する工程
である。
【００２５】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における抵抗器およびその製造方法について、図面
を参照しながら説明する。
態１における抵抗器およびその製造方法について、図面
を参照しながら説明する。
【００２６】図１は本発明の実施の形態１における抵抗
器の断面図である。図において、２１は９６％アルミナ
を含有してなる絶縁性の基板である。２２は基板２１の
上面の側部に設けられたＡｕ系の金属薄膜による一対の
上面電極層である。２３は基板２１裏面に基板２１を挟
んでこの上面電極層２２と対向する位置に設けられたＡ
ｕ系の金属薄膜による裏面電極層である。２４は基板２
１の上面に上面電極層２２に電気的に接続するように設
けられたＮｉＣｒ系の金属薄膜による抵抗層である。２
５は少なくとも基板２１上面の露出する抵抗層２４を覆
うように設けられたポリイミド系樹脂等からなる第１の
保護層である。２６は少なくとも基板１の保護層２５を
覆うように設けられたエポキシ系樹脂等からなる第２の
保護層である。２７は少なくとも基板２１の側面に上面
電極層２２と裏面電極層２３とを電気的に接続するよう
に設けられたＮｉＣｒ系等の金属薄膜による側面電極層
である。２８は少なくとも露出する上面電極層２２と裏
面電極層２３および側面電極層２７を覆うように設けら
れたニッケルめっき層である。２９はニッケルめっき層
２８を覆うように設けられたはんだめっき層である。
器の断面図である。図において、２１は９６％アルミナ
を含有してなる絶縁性の基板である。２２は基板２１の
上面の側部に設けられたＡｕ系の金属薄膜による一対の
上面電極層である。２３は基板２１裏面に基板２１を挟
んでこの上面電極層２２と対向する位置に設けられたＡ
ｕ系の金属薄膜による裏面電極層である。２４は基板２
１の上面に上面電極層２２に電気的に接続するように設
けられたＮｉＣｒ系の金属薄膜による抵抗層である。２
５は少なくとも基板２１上面の露出する抵抗層２４を覆
うように設けられたポリイミド系樹脂等からなる第１の
保護層である。２６は少なくとも基板１の保護層２５を
覆うように設けられたエポキシ系樹脂等からなる第２の
保護層である。２７は少なくとも基板２１の側面に上面
電極層２２と裏面電極層２３とを電気的に接続するよう
に設けられたＮｉＣｒ系等の金属薄膜による側面電極層
である。２８は少なくとも露出する上面電極層２２と裏
面電極層２３および側面電極層２７を覆うように設けら
れたニッケルめっき層である。２９はニッケルめっき層
２８を覆うように設けられたはんだめっき層である。
【００２７】この時、第１の保護層２５に用いたポリイ
ミド系樹脂の透湿係数は、約３．５×１０-4（μｇ／ｓ
ｅｃ・ｃｍ3）、第２の保護層２６に用いたエポキシ系
樹脂の透湿係数は約１．５×１０-4（μｇ／ｓｅｃ・ｃ
ｍ3）であり、第１の保護層２５よりも第２の保護層２
６の方が透湿係数が小さい。いずれも６０℃、９５％の
雰囲気での数値である。
ミド系樹脂の透湿係数は、約３．５×１０-4（μｇ／ｓ
ｅｃ・ｃｍ3）、第２の保護層２６に用いたエポキシ系
樹脂の透湿係数は約１．５×１０-4（μｇ／ｓｅｃ・ｃ
ｍ3）であり、第１の保護層２５よりも第２の保護層２
６の方が透湿係数が小さい。いずれも６０℃、９５％の
雰囲気での数値である。
【００２８】以上のように構成された本発明の実施の形
態１における抵抗器の製造方法について、以下に図面を
参照しながら説明する。
態１における抵抗器の製造方法について、以下に図面を
参照しながら説明する。
【００２９】図２は本発明の実施の形態１における抵抗
器の製造方法を示す工程図である。まず、耐熱性および
絶縁性に優れた９６％アルミナを含有し、表面に縦方向
および横方向の分割溝３２を有する基板３１を受け入れ
（工程Ａ）、次に基板３１の上面の左右両端部に、Ａｕ
系等を導電粉末とする金属有機物からなる電極ペースト
をスクリーン印刷した後、基板３１上に強固に接着させ
るために、ベルト式連続硬化炉によって約８５０℃で、
ピーク時間約５分のプロファイルによって焼成して、Ａ
ｕ系の金属薄膜による上面電極層３３を形成する（工程
Ｂ）。
器の製造方法を示す工程図である。まず、耐熱性および
絶縁性に優れた９６％アルミナを含有し、表面に縦方向
および横方向の分割溝３２を有する基板３１を受け入れ
（工程Ａ）、次に基板３１の上面の左右両端部に、Ａｕ
系等を導電粉末とする金属有機物からなる電極ペースト
をスクリーン印刷した後、基板３１上に強固に接着させ
るために、ベルト式連続硬化炉によって約８５０℃で、
ピーク時間約５分のプロファイルによって焼成して、Ａ
ｕ系の金属薄膜による上面電極層３３を形成する（工程
Ｂ）。
【００３０】次に、基板３１の裏面に基板３１を挟ん
で、上面電極層３３と対向する位置に、Ａｕ等を導電粉
末とする金属有機物からなる電極ペーストをスクリーン
印刷した後、基板３１上に強固に接着させるために、ベ
ルト式連続硬化炉によって約８５０℃で、ピーク時間約
５分のプロファイルによって焼成して、裏面電極層を形
成する（図示せず）。
で、上面電極層３３と対向する位置に、Ａｕ等を導電粉
末とする金属有機物からなる電極ペーストをスクリーン
印刷した後、基板３１上に強固に接着させるために、ベ
ルト式連続硬化炉によって約８５０℃で、ピーク時間約
５分のプロファイルによって焼成して、裏面電極層を形
成する（図示せず）。
【００３１】次に、ＮｉＣｒ系の合金材料からなる抵抗
ターゲットを用い、スパッタリング法により、上面電極
層３３を形成した基板３１の全面に、薄膜抵抗層３４を
形成する（工程Ｃ）。
ターゲットを用い、スパッタリング法により、上面電極
層３３を形成した基板３１の全面に、薄膜抵抗層３４を
形成する（工程Ｃ）。
【００３２】次に、薄膜抵抗層３４を所定の抵抗パター
ン３５に整形するために、半導体で一般的に行われるフ
ォト・エッチング（工程Ｄ）を行い、次に抵抗パターン
３５を安定な膜にするために、空気中などで３５０〜４
００℃の温度の熱処理（工程Ｅ）を行う。
ン３５に整形するために、半導体で一般的に行われるフ
ォト・エッチング（工程Ｄ）を行い、次に抵抗パターン
３５を安定な膜にするために、空気中などで３５０〜４
００℃の温度の熱処理（工程Ｅ）を行う。
【００３３】次に、抵抗パターン３５の抵抗値を所定の
値に修正するためにＹＡＧレーザー等のトリミングによ
り、抵抗値修正（工程Ｆ）を行う。
値に修正するためにＹＡＧレーザー等のトリミングによ
り、抵抗値修正（工程Ｆ）を行う。
【００３４】次に、抵抗値修正を行った抵抗パターン３
５を保護するために、ポリイミド系樹脂等からなる樹脂
ペーストをスクリーン印刷した後、基板上３１に強固に
接着させるために、ベルト式連続硬化炉によって約３５
０℃で、約３０分のプロファイルによって熱硬化して、
膜厚約２０μｍの第１の保護層３６を形成する（工程
Ｇ）。
５を保護するために、ポリイミド系樹脂等からなる樹脂
ペーストをスクリーン印刷した後、基板上３１に強固に
接着させるために、ベルト式連続硬化炉によって約３５
０℃で、約３０分のプロファイルによって熱硬化して、
膜厚約２０μｍの第１の保護層３６を形成する（工程
Ｇ）。
【００３５】次に、第１の保護層３６を覆うように、エ
ポキシ系樹脂等からなる樹脂ペーストをスクリーン印刷
した後、基板上３１に強固に接着させるために、ベルト
式連続硬化炉によって約２００℃で、約３０分のプロフ
ァイルによって熱硬化して、膜厚約２０μｍの第２の保
護層３７を形成する（工程Ｈ）。
ポキシ系樹脂等からなる樹脂ペーストをスクリーン印刷
した後、基板上３１に強固に接着させるために、ベルト
式連続硬化炉によって約２００℃で、約３０分のプロフ
ァイルによって熱硬化して、膜厚約２０μｍの第２の保
護層３７を形成する（工程Ｈ）。
【００３６】次に、側面電極を形成する前工程として側
面部を露出させるために、横方向の分割溝３２により分
割して短冊状基板３８を形成する（工程Ｉ）。
面部を露出させるために、横方向の分割溝３２により分
割して短冊状基板３８を形成する（工程Ｉ）。
【００３７】次に、短冊状基板３８の左右両端の側面に
上面電極層３３および裏面電極層と電気的に接続するよ
うに、ＮｉＣｒ系の金属薄膜をスパッタリング法によ
り、側面電極層３９を形成する（工程Ｊ）。
上面電極層３３および裏面電極層と電気的に接続するよ
うに、ＮｉＣｒ系の金属薄膜をスパッタリング法によ
り、側面電極層３９を形成する（工程Ｊ）。
【００３８】次に、電極めっきの前工程として縦方向の
分割溝３２により分割して個片状基板４０を形成する
（工程Ｋ）。
分割溝３２により分割して個片状基板４０を形成する
（工程Ｋ）。
【００３９】最後に、はんだ付け時の電極食われの防止
およびはんだ付け時の信頼性の確保のため、上面電極層
３３、裏面電極層、側面電極層３９の表面にニッケルめ
っきを施した後、はんだめっきを施すことにより、ニッ
ケルめっき層（図示せず）、はんだめっき層４１と形成
し（工程Ｌ）、本発明の実施の形態１における抵抗器を
製造した。
およびはんだ付け時の信頼性の確保のため、上面電極層
３３、裏面電極層、側面電極層３９の表面にニッケルめ
っきを施した後、はんだめっきを施すことにより、ニッ
ケルめっき層（図示せず）、はんだめっき層４１と形成
し（工程Ｌ）、本発明の実施の形態１における抵抗器を
製造した。
【００４０】以上のように構成、製造された本発明の実
施の形態１における抵抗器と従来の抵抗器とを比較する
ための評価試験として、耐湿負荷寿命試験（試験条件；
６０℃、９５％、１０００時間、定格電圧を１．５時間
ＯＮ−０．５時間ＯＦＦするサイクルで印加）とＰＣＢ
Ｔ（プレッシャー・クッカー・バイアス・テスト 試験
条件；１２１℃、２気圧、１００％ＲＨ、２００時間、
定格電圧の１／１０を１．５時間ＯＮ−０．５時間ＯＦ
Ｆするサイクルで印加）を行った。図３は従来と本実施
の形態１における抵抗器の耐湿負荷寿命試験の結果を説
明する試験時間と抵抗値変化率との関係を示す図であ
る。図から明らかなように、本発明の実施の形態１によ
る抵抗器は耐湿性向上を図ることができた。また、ＰＣ
ＢＴでは、試料数各２０個ずつに対し、従来品では断線
が３個発生したが、本発明品では断線の発生はなかっ
た。
施の形態１における抵抗器と従来の抵抗器とを比較する
ための評価試験として、耐湿負荷寿命試験（試験条件；
６０℃、９５％、１０００時間、定格電圧を１．５時間
ＯＮ−０．５時間ＯＦＦするサイクルで印加）とＰＣＢ
Ｔ（プレッシャー・クッカー・バイアス・テスト 試験
条件；１２１℃、２気圧、１００％ＲＨ、２００時間、
定格電圧の１／１０を１．５時間ＯＮ−０．５時間ＯＦ
Ｆするサイクルで印加）を行った。図３は従来と本実施
の形態１における抵抗器の耐湿負荷寿命試験の結果を説
明する試験時間と抵抗値変化率との関係を示す図であ
る。図から明らかなように、本発明の実施の形態１によ
る抵抗器は耐湿性向上を図ることができた。また、ＰＣ
ＢＴでは、試料数各２０個ずつに対し、従来品では断線
が３個発生したが、本発明品では断線の発生はなかっ
た。
【００４１】よって、本発明の実施の形態１の構成によ
れば、金属薄膜による抵抗層をポリイミド系樹脂の第１
の保護層２５で覆い、さらに第１の保護層２５よりも透
湿係数の小さなエポキシ系樹脂の第２の保護層２６で覆
うことにより、抵抗層２４へ到達する湿気を低減するこ
とができるので、耐湿特性に優れた抵抗器を提供するこ
とができる。
れば、金属薄膜による抵抗層をポリイミド系樹脂の第１
の保護層２５で覆い、さらに第１の保護層２５よりも透
湿係数の小さなエポキシ系樹脂の第２の保護層２６で覆
うことにより、抵抗層２４へ到達する湿気を低減するこ
とができるので、耐湿特性に優れた抵抗器を提供するこ
とができる。
【００４２】また、ＰＣＢＴのような試験条件では、樹
脂材料の特性から、ポリイミド系樹脂とエポキシ系樹脂
２５の透湿係数が逆転するが、この場合の透湿係数の小
さくなる第１の保護層２５が湿気の浸入を低減し、特性
向上が図れる。
脂材料の特性から、ポリイミド系樹脂とエポキシ系樹脂
２５の透湿係数が逆転するが、この場合の透湿係数の小
さくなる第１の保護層２５が湿気の浸入を低減し、特性
向上が図れる。
【００４３】なお、本発明の実施の形態１では、第１の
保護層２５をポリイミド系樹脂、第２の保護層２６をエ
ポキシ系樹脂により構成したが、第１および第２の保護
層を同じエポキシ系樹脂で形成しても良い。
保護層２５をポリイミド系樹脂、第２の保護層２６をエ
ポキシ系樹脂により構成したが、第１および第２の保護
層を同じエポキシ系樹脂で形成しても良い。
【００４４】また、本発明の実施の形態１では、抵抗層
２４をＮｉＣｒ系の金属薄膜で構成したが、Ｎｉ系、Ｃ
ｒ系、Ｔａ系のいずれかの金属薄膜で構成しても同様の
効果が得られる。
２４をＮｉＣｒ系の金属薄膜で構成したが、Ｎｉ系、Ｃ
ｒ系、Ｔａ系のいずれかの金属薄膜で構成しても同様の
効果が得られる。
【００４５】また、本発明の実施の形態１では、上面電
極層２２をＡｕ系の金属薄膜で構成したが、Ｎｉ系、Ｃ
ｕ系のいずれかの金属薄膜で構成しても同様の効果が得
られる。
極層２２をＡｕ系の金属薄膜で構成したが、Ｎｉ系、Ｃ
ｕ系のいずれかの金属薄膜で構成しても同様の効果が得
られる。
【００４６】また、本発明の実施の形態１では、分割溝
３２を有する基板３１を用いて抵抗器を形成している
が、これは第１、第２の保護膜２５，２６で覆う抵抗層
２４の製造方法を限定するものではなく、従来の抵抗器
の製造方法等により抵抗層を形成しても、同様の効果が
得られる。
３２を有する基板３１を用いて抵抗器を形成している
が、これは第１、第２の保護膜２５，２６で覆う抵抗層
２４の製造方法を限定するものではなく、従来の抵抗器
の製造方法等により抵抗層を形成しても、同様の効果が
得られる。
【００４７】さらに、第１、第２の保護層２５，２６の
膜厚が厚くなるほど、耐湿性は向上するが、極端に膜厚
が薄い場合を除き、約２０μｍ程度以上であればほぼ特
性は安定する。しかしながら、同一材料による膜厚増加
では特性向上に限界があるが、特性の異なる樹脂材料を
多層化することで各々の特性を補完することができ、耐
湿特性を飛躍的に向上することができるものである。し
たがって、本発明の実施の形態１では、樹脂による保護
膜層を２層化した場合について説明したが、３層以上で
も同様の効果が得られる。
膜厚が厚くなるほど、耐湿性は向上するが、極端に膜厚
が薄い場合を除き、約２０μｍ程度以上であればほぼ特
性は安定する。しかしながら、同一材料による膜厚増加
では特性向上に限界があるが、特性の異なる樹脂材料を
多層化することで各々の特性を補完することができ、耐
湿特性を飛躍的に向上することができるものである。し
たがって、本発明の実施の形態１では、樹脂による保護
膜層を２層化した場合について説明したが、３層以上で
も同様の効果が得られる。
【００４８】
【発明の効果】以上のように本発明は、金属薄膜による
抵抗層を、特性の異なる樹脂材料による第１の保護層と
第２の保護層の２層で覆うことにより、保護層への吸湿
性を低減することができ、信頼性、特に耐湿特性に優れ
た抵抗器を提供できるものである。また、アルミナ基板
への密着性の高いエポキシ系樹脂を第２の保護層に使用
することで、保護膜層と基板との密着性が向上でき、抵
抗層の密閉性が向上する。また、ＰＣＢＴの他に、抵抗
器に電圧を印加しないＰＣＴ試験での特性の向上も図れ
る。
抵抗層を、特性の異なる樹脂材料による第１の保護層と
第２の保護層の２層で覆うことにより、保護層への吸湿
性を低減することができ、信頼性、特に耐湿特性に優れ
た抵抗器を提供できるものである。また、アルミナ基板
への密着性の高いエポキシ系樹脂を第２の保護層に使用
することで、保護膜層と基板との密着性が向上でき、抵
抗層の密閉性が向上する。また、ＰＣＢＴの他に、抵抗
器に電圧を印加しないＰＣＴ試験での特性の向上も図れ
る。
【図１】本発明の実施の形態１における抵抗器の断面図
【図２】同製造方法を示す工程図
【図３】従来の抵抗器と本発明の実施の形態１における
抵抗器との耐湿負荷寿命試験の結果を説明する図
抵抗器との耐湿負荷寿命試験の結果を説明する図
【図４】従来の抵抗器の断面図
【図５】同製造方法を示す工程図
２１ 基板 ２２ 上面電極層 ２３ 裏面電極層 ２４ 抵抗層 ２５ 第１の保護層 ２６ 第２の保護層 ２７ 側面電極層 ２８ ニッケルめっき層 ２９ はんだめっき層
Claims (9)
- 【請求項１】 基板と、前記基板の上面の側部に設けら
れた一対の上面電極層と、前記基板の上面に前記上面電
極層に電気的に接続するように設けられた抵抗層と、少
なくとも前記基板上面の露出する前記抵抗層を覆うよう
に設けられた樹脂系の第１の保護層と、少なくとも前記
第１の保護層を覆うように設けられた樹脂系の第２の保
護層とからなる抵抗器。 - 【請求項２】 第１の保護層は、第２の保護層よりも透
湿係数が大きい請求項１記載の抵抗器。 - 【請求項３】 第１の保護層はポリイミド系樹脂、第２
の保護層はエポキシ系樹脂からなる請求項１記載の抵抗
器。 - 【請求項４】 第１の保護層および第２の保護層とは、
エポキシ系樹脂により構成される請求項１記載の抵抗
器。 - 【請求項５】 抵抗層はＮｉ系、Ｃｒ系、Ｔａ系のいず
れかからなる金属薄膜からなる請求項１記載の抵抗器。 - 【請求項６】 上面電極層は、Ｎｉ系、Ａｕ系、Ｃｕ系
のいずれかからなる金属薄膜からなる請求項１記載の抵
抗器。 - 【請求項７】 基板の上面の側部に一対の上面電極層を
設ける工程と、前記基板の上面に前記上面電極層に電気
的に接続するように抵抗層を設ける工程と、少なくとも
前記基板上面の露出する前記抵抗層を覆うように樹脂系
の第１の保護層を形成する工程と、少なくとも前記第１
の保護層を覆うように樹脂系の第２の保護層を形成する
工程とからなる抵抗器の製造方法。 - 【請求項８】 樹脂系材料を印刷、硬化して第１の保護
層を形成した後、樹脂系材料を印刷、硬化して第２の保
護層を形成する請求項７記載の抵抗器の製造方法。 - 【請求項９】 第２の保護層を形成する工程は、第１の
保護層を形成する工程よりも低い温度で硬化して形成す
る工程である請求項７記載の抵抗器の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10002003A JPH11204304A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | 抵抗器およびその製造方法 |
| US09/228,025 US6201290B1 (en) | 1998-01-08 | 1999-01-08 | Resistor having moisture resistant layer |
| TW088100268A TW408342B (en) | 1998-01-08 | 1999-01-08 | Resistor and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10002003A JPH11204304A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | 抵抗器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204304A true JPH11204304A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11517244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10002003A Pending JPH11204304A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | 抵抗器およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6201290B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11204304A (ja) |
| TW (1) | TW408342B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016152301A (ja) * | 2015-02-17 | 2016-08-22 | ローム株式会社 | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| JP2017175014A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Koa株式会社 | 基板内層用チップ抵抗器、基板内層用チップ抵抗器の製造方法および部品内蔵型回路基板 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10289801A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-27 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JP4376348B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2009-12-02 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| JP4547781B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2010-09-22 | パナソニック株式会社 | 多連チップ抵抗器の製造方法 |
| US7479946B2 (en) * | 2002-01-11 | 2009-01-20 | Hand Held Products, Inc. | Ergonomically designed multifunctional transaction terminal |
| US7172114B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-02-06 | Hand Held Products, Inc. | Tamperproof point of sale transaction terminal |
| US8723804B2 (en) * | 2005-02-11 | 2014-05-13 | Hand Held Products, Inc. | Transaction terminal and adaptor therefor |
| US7982582B2 (en) | 2007-03-01 | 2011-07-19 | Vishay Intertechnology Inc. | Sulfuration resistant chip resistor and method for making same |
| EP3178098A4 (en) * | 2014-08-08 | 2018-06-06 | Dongguan Littelfuse Electronics, Co., Ltd. | Varistor having multilayer coating and fabrication method |
| US9818512B2 (en) | 2014-12-08 | 2017-11-14 | Vishay Dale Electronics, Llc | Thermally sprayed thin film resistor and method of making |
| US10121573B2 (en) * | 2016-01-06 | 2018-11-06 | International Business Machines Corporation | Epoxy-based resin system composition containing a latent functionality for polymer adhesion improvement to prevent sulfur related corrosion |
| CN113990590A (zh) * | 2021-09-15 | 2022-01-28 | 安徽翔胜科技有限公司 | 一种稳定性高的led灯带专用电阻 |
| US11688533B2 (en) * | 2021-11-02 | 2023-06-27 | Cyntec Co., Ltd. | Chip resistor structure |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS523277B2 (ja) * | 1973-05-19 | 1977-01-27 | ||
| JPS6153761A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US5489547A (en) * | 1994-05-23 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating semiconductor device having polysilicon resistor with low temperature coefficient |
-
1998
- 1998-01-08 JP JP10002003A patent/JPH11204304A/ja active Pending
-
1999
- 1999-01-08 US US09/228,025 patent/US6201290B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-08 TW TW088100268A patent/TW408342B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016152301A (ja) * | 2015-02-17 | 2016-08-22 | ローム株式会社 | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| JP2017175014A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Koa株式会社 | 基板内層用チップ抵抗器、基板内層用チップ抵抗器の製造方法および部品内蔵型回路基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6201290B1 (en) | 2001-03-13 |
| TW408342B (en) | 2000-10-11 |
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|
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