JP2017175014A - 基板内層用チップ抵抗器、基板内層用チップ抵抗器の製造方法および部品内蔵型回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、電極や抵抗体を薄膜形成しても外部電極とビアとの接続が容易なチップ抵抗器を提供する。【解決手段】本発明の部品内蔵型回路基板（１）では、直方体形状の絶縁性基板（２）における長手方向両端部に薄膜形成された一対の第１内部電極（３，４）、一対の第１内部電極に接続するように薄膜形成された抵抗体（５）、少なくとも抵抗体を覆うように厚膜形成された保護層（６）、一対の第１内部電極の対向間隔よりも狭い対向間隔となるように薄膜形成された一対の第２内部電極（７，８）、第２内部電極を覆うようにメッキ形成された外部電極（９，１０）を備える。保護層が抵抗体と第１内部電極とを覆うように形成され、第１内部電極における絶縁性基板の長手方向両端から内側に離反した位置に保護層によって覆われていない露出部（３ａ，４ａ）が形成され、第２内部電極が露出部と保護層とを覆う。【選択図】図１

Description

本発明は、積層回路基板等に内蔵されて使用される基板内層用チップ抵抗器と、そのようなチップ抵抗器の製造方法と、基板内層用チップ抵抗器が絶縁性の樹脂層に埋め込まれている部品内蔵型回路基板とに関するものである。

近年、電子機器の小型化や高機能化に伴い、チップ抵抗器を回路基板に内蔵することにより、回路基板に対する単位面積当りの回路密度を高める工夫がなされている。このような回路基板では、絶縁性の樹脂層からなるベース基板にチップ抵抗器を埋め込んだ後に、この樹脂層の表面にレーザを照射して穴あけ加工を行い、その穴の内部にメッキ処理を施してビアを形成することにより、チップ抵抗器の外部電極とビアとを接続するようになっている。

ここで、穴あけ加工の際には、樹脂層に埋め込まれているチップ抵抗器の外部電極に向けてレーザを照射させて外部電極を露出させる必要があるが、一般的に、樹脂層として不透明材料が使用されているため、樹脂層に埋め込まれているチップ抵抗器の外部電極を目視することができない。このため、穴あけ加工の際に穴の形成位置がずれてしまい、外部電極とビアとの接続信頼性が低下してしまうという課題がある。

このような課題を解決するために、特許文献１に記載されたチップ抵抗器では、外部電極を大きくすることによって、ビアとの接続を確実にしている。すなわち、図７に示すように、特許文献１に記載のチップ抵抗器１０１は、直方体状の絶縁性基板１０２と、絶縁性基板１０２の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の第１内部電極１０３と、一対の第１内部電極１０３に接続するように絶縁性基板１０２の表面に設けられた抵抗体１０４と、抵抗体１０４を覆うように形成された第１保護層１０５および第２保護層１０６と、第１内部電極１０３の露出部および第２保護層１０６の端部を覆うように形成された一対の第２内部電極１０７と、第２内部電極１０７を覆うように形成された外部電極１０８と、を備えている。

第１内部電極１０３は、銀を主成分とする導電材料からなり、絶縁性基板１０２の表面にスクリーン印刷にて厚膜形成される。具体的には、絶縁性基板１０２の表面にスクリーンマスクをセットし、スクリーンマスク上に印刷用のＡｇ−Ｐｄペーストを供給しスキージングを行うことにより、Ａｇ−Ｐｄペーストがスクリーンマスクのパターン孔を通して絶縁性基板１０２の表面に塗布され、これを乾燥させた後に焼成することで、厚膜焼成体からなる第１内部電極１０３が得られる。同様に、抵抗体１０４と両保護層１０５，１０６および第２内部電極１０７もスクリーン印刷にて厚膜形成される。

特許文献１に記載のチップ抵抗器１０１では、一対の第１内部電極１０３の対向間隔よりも一対の第２内部電極１０７の対向間隔の方が狭く形成されているため、第２内部電極１０７を覆う外部電極１０８の表面積を広く確保することができる。その結果、穴の形成位置が多少ずれたとしても、チップ抵抗器の外部電極とビアとを接続することが可能になる。

特開２０１１−９１１４０号公報

ところで、スクリーン印刷による厚膜形成では、スクリーンマスクずれやペーストのダレ等に起因して内部電極の間隔や抵抗体の寸法にばらつきが生じ、抵抗値の精度に影響を与えてしまう虞があるため、内部電極と抵抗体とをスクリーン印刷による厚膜形成に替えてフォトリソ等による薄膜形成することが考えられる。このようにすると内部電極等の間隔を一定の間隔で保つことが可能になり、電極寸法精度や抵抗値精度の高いチップ抵抗器を製造することができる。また、一般的に厚膜形成される内部電極に使用される銀は、温度によって抵抗値が大きく変動するため、内部電極自体の温度変化による抵抗値の変動や、抵抗体の形成時に銀が抵抗体へ拡散することによって、抵抗体の抵抗値の変動が発生するおそれが高くなる。したがって、内部電極をＣｕ等の材料にて薄膜形成することによって、温度変化による内部電極の抵抗値の変動を小さくすることが可能になり、温度変化による抵抗値の変動の少ないチップ抵抗器を製造することができる。

そこで、図８に示すように、第１および第２内部電極と抵抗体とを薄膜形成すると共に、保護層を厚膜形成することにより、外部電極の表面積を広く確保しつつ、外部電極とビアとの接続を容易にしたチップ抵抗器が考えられる。すなわち、図８に示すチップ抵抗器１１１は、直方体状の絶縁性基板１１２と、絶縁性基板１１２における長手方向両端部に薄膜形成された一対の第１内部電極１１３と、これら第１内部電極１１３に接続するように薄膜形成された抵抗体１１４と、第１内部電極１１３の端部と抵抗体１１４とを連続して覆うように厚膜形成された保護層１１５と、一対の第１内部電極１１３の対向間隔よりも狭い対向間隔となるように薄膜形成された一対の第２内部電極１１６と、第２内部電極１１６を覆うようにメッキ形成された外部電極１１７と、を備えている。

上述のように構成したチップ抵抗器１１１では、薄膜の第１内部電極１１３上に厚膜の保護層１１５が形成され、これら第１内部電極１１３と保護層１１５とを第２内部電極１１６が連続して覆うように形成されていることから、保護層１１５の端面から第１内部電極１１３の表面にかけて段差部が形成されてしまい、その結果、第２内部電極１１６の表面を覆う外部電極１１７に大きな段差部１１８が生じてしまう。

このようなチップ抵抗器１１１が内蔵されたベース基板に穴あけ加工してビアを形成する場合、段差部１１８付近における外部電極１１７の表面は階段状に形成されていることから、段差部１１８の直上付近にある樹脂層にレーザを照射して穴を形成すると、穴の内部に形成されたビアと外部電極１１７との接続不良になる虞がある。このように、特許文献１に記載の技術を適用させて外部電極を大きく形成したとしても、外部電極１１７の表面のうち段差部１１８よりも外側の領域はビアとの接続が困難な領域となり、実質的に、外部電極１１７とビアとの接続可能な領域は、外部電極１１７の表面のうち段差部１１８よりも内側の同図中に示す狭い領域Ｆに限定されてしまう。

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、第１の目的は、電極や抵抗体を薄膜形成しても外部電極とビアとの接続が容易なチップ抵抗器を提供することにあり、第２の目的は、このようなチップ抵抗器の製造方法を提供することにあり、第３の目的は、ビア用の穴あけ加工が容易な部品内蔵型回路基板を提供することにある。

上記第１の目的を達成するために、直方体形状の絶縁性基板と、前記絶縁性基板における長手方向両端部に薄膜形成された一対の第１内部電極と、前記一対の第１内部電極に接続するように薄膜形成された抵抗体と、少なくとも前記抵抗体を覆うように厚膜形成された保護層と、前記一対の第１内部電極の対向間隔よりも狭い対向間隔となるように薄膜形成された一対の第２内部電極と、前記第２内部電極を覆うようにメッキ形成された外部電極とを備え、前記保護層が前記抵抗体と前記第１内部電極とを覆うように形成されていると共に、この第１内部電極における前記絶縁性基板の長手方向両端から内側に離反した位置に前記保護層によって覆われていない露出部が形成されており、前記第２内部電極が前記第１内部電極の前記露出部と前記保護層とを覆っていることを特徴とする。

本発明によると、保護層が薄膜の第１内部電極と抵抗体とを覆うように厚膜形成されているが、第１内部電極における絶縁性基板の長手方向両端から内側に離反した位置に保護層によって覆われていない露出部が形成されているため、第２内部電極が露出部を含めて保護層を覆うように薄膜形成されると、第１内部電極の露出部と対応する位置に凹部が形成される。そうすると、第２内部電極を覆う外部電極の表面の高さは凹部を除いて殆ど同じ高さになるため、少なくとも凹部を除いた外部電極の表面をビアと接続可能な領域として利用することが可能になる。このように、本発明の基板内層用チップ抵抗器では、抵抗体と内部電極とを薄膜形成したとしても、ビアと接続可能な外部電極の領域を広く確保することができる。

上記第２の目的を達成するために、本発明の基板内層用チップ抵抗器の製造方法は、直方体形状の絶縁性基板における長手方向両端部に一対の第１内部電極を薄膜形成する工程と、前記一対の第１内部電極に接続するように抵抗体を薄膜形成する工程と、少なくとも前記抵抗体を覆うように保護層を厚膜形成する保護層形成工程と、前記一対の第１内部電極の対向間隔よりも狭い対向間隔となるように一対の第２内部電極を薄膜形成する第２内部電極形成工程と、前記第２内部電極を覆うように外部電極をメッキ形成する工程とを含み、前記保護層形成工程は、少なくとも前記第１内部電極における前記絶縁性基板の長手方向両端から内側に離反した位置にある露出部を除いて前記抵抗体と前記第１内部電極とを前記保護層で覆うように形成する工程であり、前記第２内部電極形成工程は、前記第２内部電極で前記第１内部電極の前記露出部と前記保護層とを覆うように形成する工程であり、前記第２内部電極形成工程によって、前記第１内部電極の前記露出部と対応する位置に凹部が形成されることを特徴とする。

本発明によると、保護層形成工程は、第１内部電極における絶縁性基板の長手方向両端から内側に離反した位置にある露出部を除いて薄膜の抵抗体と第１内部電極とを厚膜の保護層で覆うように形成する工程であるため、第１内部電極には保護層によって覆われていない露出部が形成される。そして、この露出部と保護層とが第２内部電極で覆われる第２内部電極形成工程によって、第１内部電極の露出部と対応する位置に凹部が形成される。そうすると、第２内部電極を覆う外部電極の表面の高さは凹部を除いて殆ど同じ高さになるため、少なくとも凹部を除いた外部電極の表面をビアと接続可能な領域として利用することが可能になり、ビアと接続可能な外部電極の領域を広く確保することができる。

上記第３の目的を達成するために、本発明の部品内蔵型回路基板は、絶縁性の樹脂層からなるベース基板の内層にチップ抵抗器が埋め込まれている部品内蔵型回路基板において、前記チップ抵抗器が、直方体形状の絶縁性基板と、前記絶縁性基板における長手方向両端部に薄膜形成された一対の第１内部電極と、前記一対の第１内部電極に接続するように薄膜形成された抵抗体と、少なくとも前記抵抗体を覆うように厚膜形成された保護層と、前記一対の第１内部電極の対向間隔よりも狭い対向間隔となるように薄膜形成された一対の第２内部電極と、前記第２内部電極を覆うようにメッキ形成された外部電極とを備え、前記保護層が前記抵抗体と前記第１内部電極とを覆うように形成されていると共に、この第１内部電極における前記絶縁性基板の長手方向両端から内側に離反した位置に前記保護層によって覆われていない露出部が形成されており、前記第２内部電極が前記露出部を含んで前記保護層を覆うように形成されていることにより、前記露出部と対応する位置に凹部が形成され、前記凹部を跨いで前記外部電極と接続するビアを前記ベース基板に形成可能であることを特徴とする。

本発明によると、外部電極の表面の高さは、凹部を除いて殆ど同じ高さになるため、少なくとも凹部を除いた外部電極の表面をビアと接続可能な領域として利用することができる。さらに、本発明では、第１内部電極の露出部と対応する位置に形成された凹部を跨ぐようにビアをベース基板に形成可能であるため、凹部を含めた外部電極の表面全体がビアと接続可能な領域となり、ビア用の穴あけ加工が容易となる。

本発明によれば、電極や抵抗体を薄膜形成しても外部電極とビアとの接続が容易なチップ抵抗器と、このようなチップ抵抗器の製造方法とを提供することができ、また、ビア用の穴あけ加工が容易な部品内蔵型回路基板を提供することができる。

本発明の第１実施形態例に係る基板内層用チップ抵抗器の平面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 当該チップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。 当該チップ抵抗器が内層された部品内蔵型回路基板の断面図である。 本発明の第２実施形態例に係る基板内層用チップ抵抗器の平面図である。 本発明の第３実施形態例に係る基板内層用チップ抵抗器の平面図である。 従来例に係る基板内層用チップ抵抗器の断面図である。 従来提案に係る部品内蔵型回路基板の断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図１，２に示すように、本発明の第１実施形態例に係る基板内層用チップ抵抗器（以下、チップ抵抗器と言う）１は、直方体形状の絶縁性基板２と、絶縁性基板２における長手方向両端部に薄膜形成された一対の第１内部電極３，４と、一対の第１内部電極３，４に接続するように薄膜形成された抵抗体５と、少なくとも抵抗体５を覆うように厚膜形成された保護層６と、一対の第１内部電極３，４の対向間隔よりも狭い対向間隔となるように薄膜形成された一対の第２内部電極７，８と、第２内部電極７，８を覆うようにメッキ形成された外部電極９，１０とによって主として構成されている。

絶縁性基板２はセラミックス基板からなり、この絶縁性基板２は後述する大判基板を縦横に延びる分割溝に沿って分割して多数個取りされたものである。

抵抗体５は絶縁性基板２の表面上に薄膜形成されたＮｉ−Ｃｒ系等の抵抗材料からなり、抵抗体５の中央部がミアンダ形状（サーペンタイン形状）に蛇行した抵抗パターンとなっている。この抵抗体５は、絶縁性基板２の表面全体にＮｉ−Ｃｒ系等を蒸着またはスパッタした後、これをフォトリソ／エッチングしてミアンダ形状にパターニングされたものである。

一対の第１内部電極３，４は抵抗体５の両端部上に薄膜形成されたＣｕ等の電極材料からなり、これら第１内部電極３，４は、パターニング前の抵抗膜（抵抗体５）の表面全体にＣｕ等を蒸着またはスパッタした後、これをフォトリソ／エッチングして矩形状にパターニングされたものである。なお、一対の第１内部電極３，４は保護層６によって覆われない露出部を有している。

保護層６は第１内部電極３，４と抵抗体５とを覆うように厚膜形成されたエポキシ樹脂等の絶縁材料からなり、この保護層６は、第１内部電極３，４における絶縁性基板２の長手方向両端から内側に離反した位置にある露出部３ａ，４ａと、図示左側の露出部３ａから絶縁性基板２の両長辺まで延びて露出部３ａに連続する絶縁性基板２の領域２ａと、図示右側の露出部４ａから絶縁性基板２の両長辺まで延びて露出部４ａに連続する絶縁性基板２の領域２ｂとを除いて、第１内部電極３，４の表面、第１内部電極３，４から露出する抵抗体５の表面、第１内部電極３，４および抵抗体５から露出する絶縁性基板２の表面のそれぞれにエポキシ樹脂等のペースト状絶縁材料をスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。

一対の第２内部電極７，８は、第１内部電極３，４の露出部３ａ，４ａを含んで保護層６を覆うように薄膜形成されたＣｕ等の電極材料からなり、これら第２内部電極７，８は、絶縁性基板２の領域２ａ，２ｂ、第１内部電極３，４の露出部３ａ，４ａ、保護層６の表面全体にＣｕ等を蒸着またはスパッタした後に、これをフォトリソ／エッチングしてパターニングされたものである。

一対の外部電極９，１０は、第２内部電極７，８を覆うように形成されたＮｉやＣｕ等の電極材料からなり、これら外部電極９，１０は、第２内部電極７，８の表面全体にＮｉメッキやＣｕメッキ等を施して形成されたものである。

第２内部電極７，８が第１内部電極３，４の露出部３ａ，４ａを含んで保護層６を覆うように薄膜形成されることにより、絶縁性基板２の領域２ａおよび第１内部電極３の露出部３ａに対応する位置に凹部１１が形成され、絶縁性基板２の領域２ｂおよび第１内部電極４の露出部４ａに対応する位置に凹部１２が形成される。これら凹部１１，１２は、平面視した形状が長方形状であって、絶縁性基板２の上辺から下辺まで絶縁性基板２の短辺に平行に延びるように絶縁性基板２の長手方向両端よりも内側に形成されている。

次に、上述のごとく構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図３を用いて説明する。なお、図３（ｂ１），（ｂ２），（ｂ３），（ｂ４），（ｂ５），（ｂ６）は、それぞれ図３（ａ１），（ａ２），（ａ３），（ａ４），（ａ５），（ａ６）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

まず、図３（ａ１），（ｂ１）に示すように、絶縁性基板２が多数個取りされる大判基板２Ａを準備する。この大判基板２Ａには予め分割溝（図示省略）が格子状に設けられており、この分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。なお、図３では１個分のチップ形成領域が代表的に示されているが、実際は多数個分のチップ形成領域に相当する後述の大判基板２Ａに対して以下に説明する各工程が一括して行われる。

次に、図示を省略するが、絶縁性基板２が多数個取りされる大判基板２Ａの上面全体に、Ｎｉ−Ｃｒ系等をスパッタ等して抵抗膜を薄膜形成した後に、この抵抗膜の上面全体にＣｕ等をスパッタ等して電極膜を薄膜形成する。

次に、図３（ａ２），（ｂ２）に示すように、抵抗膜の上面全体に薄膜形成された電極膜をフォトリソ／エッチングして、抵抗膜の両端部上に一対の第１内部電極３，４をそれぞれ形成した後に、第１内部電極３，４から露出する抵抗膜の中央部をフォトリソ／エッチングして、ミアンダ形状の抵抗体５を形成する。

なお、図示は省略するが、抵抗膜と電極膜の形成順序を逆にすることも可能であり、絶縁性基板の長手方向両端部に一対の第１内部電極を薄膜形成した後に、この一対の第１内部電極に接続するように抵抗体を薄膜形成する製造方法であっても良い。

次に、図３（ａ３），（ｂ３）に示すように、第１内部電極３，４と抵抗体５とを覆うようにエポキシ樹脂等の絶縁材料をスクリーン印刷や感光性樹脂を用いてフォトリソ形成することにより、絶縁性基板２の領域２ａ，２ｂと第１内部電極３，４の露出部３ａ，４ａとを除いて、絶縁性基板２、第１内部電極３，４および抵抗体５の各表面に絶縁材料がそれぞれ形成されることで、厚膜からなる保護層６が得られる。この保護層形成工程により、絶縁性基板２の長手方向両端から内側に離反した位置に第１内部電極３，４の露出する露出部３ａ，４ａが形成される。

次に、図３（ａ４），（ｂ４），（ａ５），（ｂ５）に示すように、絶縁性基板２の領域２ａ，２ｂ、第１内部電極３，４の露出部３ａ，４ａおよび保護層６を覆うようにＣｕ等をスパッタして電極膜を薄膜形成した後に、これをフォトリソ／エッチングして一対の第２内部電極７，８を形成する。この第２内部電極形成工程により、薄膜の第２内部電極７，８が薄膜の第１内部電極３，４の露出部３ａ，４ａを含んで厚膜の保護層６を覆うため、第１内部電極３の露出部３ａと対応する位置に凹部１１が形成され、第１内部電極４の露出部４ａと対応する位置に凹部１２が形成される。

次に、第２内部電極形成工程の後に大判基板２Ａを分割溝に沿ってダイシングを行い（図示省略）、図３（ａ６），（ｂ６）に示すように、第２内部電極７，８をＮｉメッキやＣｕメッキ等で覆うことにより一対の外部電極９，１０を形成する。これにより、図１，２に示すチップ抵抗器１が完成する。

図４は上記のごとく構成されたチップ抵抗器１を内層した部品内臓型回路基板の断面図であり、図１に対応する部分には同一の符号を付してある。

図４に示すように、チップ抵抗器１は積層回路基板等のベース基板の樹脂層２０の内部に埋め込まれており、この樹脂層２０の上面に配線パターン（図示省略）が設けられている。樹脂層２０には２つの穴２１，２２が形成されており、図示左側の穴２１は、第２内部電極７を覆う外部電極９の上面に達し、図示右側の穴２２は第２内部電極８を覆う外部電極１０の上面に達している。

これら穴２１，２２は樹脂層２０の表面にレーザを照射することによって形成され、その内部にＣｕ等の導電材料をメッキ処理してビア（図示省略）を形成することにより、樹脂層２０の上面側の配線パターンとチップ抵抗器１の外部電極９，１０とを穴２１，２２内のビアを介して接続させることが可能となる。

以上のように、第１実施形態例の基板内層用チップ抵抗器１では、一対の第１内部電極３，４、抵抗体５および第２内部電極７，８が薄膜形成され、抵抗体５を覆う保護層６が厚膜形成されているため、抵抗値精度が高く、温度変化による抵抗値の変動の少ないチップ抵抗器を製造することができる。また、チップ抵抗器１では、一対の第２内部電極７，８の対向間隔は一対の第１内部電極３，４の対向間隔よりも狭く形成され、第２内部電極７，８が第１内部電極３，４の露出部３ａ，４ａを含めて保護層６を覆うように形成されているため、第２内部電極７，８を覆う外部電極９，１０の表面領域を広くすることができる。

そして、第１実施形態例では、保護層６によって覆われていない第１内部電極３，４の露出部３ａ，４ａが絶縁性基板２の長手方向両端から内側に離反した位置に形成されているため、第２内部電極７，８が第１内部電極３，４の露出部３ａ，４ａを含めて保護層６を覆うように薄膜形成されると、第１内部電極の露出部３ａ，４ａと対応する位置に凹部１１，１２が形成される。このとき、第２内部電極７，８を覆う外部電極９，１０の表面は凹部１１，１２を除いて殆ど同じ高さとなるため、少なくとも凹部１１，１２を除く外部電極９，１０の表面をビアとの接続可能な領域として利用することができる。このように、第１実施形態例の基板内層用チップ抵抗器１では、高精度なチップ抵抗器を得るために第１，第２内部電極と抵抗体とを薄膜形成したとしても、ビアと接続可能な外部電極の領域を広く確保することができる。

また、第１実施形態例に係る基板内層用チップ抵抗器１の製造方法によると、保護層形成工程は、第１内部電極３，４における絶縁性基板２の長手方向両端から内側に離反した位置にある露出部３ａ，４ａを除いて薄膜の抵抗体５と第１内部電極３，４とを厚膜の保護層６で覆うように形成する工程であるため、第１内部電極３，４には保護層６によって覆われていない露出部３ａ，４ａが形成される。そして、この露出部３ａ，４ａと保護層６とが第２内部電極７，８で覆われる第２内部電極形成工程によって、第１内部電極の露出部３ａ，４ａと対応する位置に凹部１１，１２が形成される。そうすると、外部電極９，１０の表面の高さは凹部１１，１２を除いて殆ど同じ高さになるため、少なくとも凹部１１，１２を除いた外部電極９，１０の表面をビアと接続可能な領域として利用することが可能になる。このように、第１実施形態例の基板内層用チップ抵抗器１の製造方法では、高精度なチップ抵抗器を得るために第１，第２内部電極と抵抗体とを薄膜形成したとしても、ビアと接続可能な外部電極の領域を広く確保することができる。

特に、第１実施形態例では、穴２１，２２が凹部１１，１２をそれぞれ跨いで形成可能なように、凹部１１，１２の幅１１ａ，１２ａは穴２１，２２の内径２１ａ，２２ａよりも狭くなるように形成されている。このため、チップ抵抗器１をベース基板の内層に埋め込んで、チップ抵抗器１の凹部１１，１２の直上付近にある樹脂層２０にレーザを照射して穴２１，２２を形成したとしても、穴２１，２２が凹部１１，１２をそれぞれ跨いで形成されることになるため、外部電極とビアとの接続を確実に行うことができる。したがって、ビア用の穴を形成可能な領域（外部電極とビアとの接続可能な領域）は図４に示す広い領域Ｅ、すなわち、凹部１１，１２を含めた外部電極９，１０の表面全体となる。このように、第１実施形態例の部品内蔵型回路基板では、高精度なチップ抵抗器を得るために第１，第２内部電極と抵抗体とを薄膜形成したとしても、凹部を含めた外部電極の表面全体をビアとの接続可能な領域とすることができるため、ビア用の穴あけ加工を容易に行うことができる。

なお、第１実施形態例では、第１内部電極３，４の露出部３ａ，４ａに対応する位置に形成された凹部１１，１２は、絶縁性基板２の短辺に略平行に沿って絶縁性基板２の両長辺まで延びるように形成されているが（図１参照）、この構成に限られなくとも良い。以下に、本発明の第２、第３実施形態例について図５、６を参照しながら説明する。

図５に示すように、第２実施形態例に係るチップ抵抗器３１の凹部は、第１実施形態例の凹部と比較すると、絶縁性基板２の上辺または下辺の一方に向かって延びるように形成されている点で異なる。すなわち、第２実施形態例の凹部３２，３４は絶縁性基板２の上辺に向かって当該上辺まで延びるように形成され、凹部３３，３５は絶縁性基板２の下辺に向かって当該下辺まで延びるように形成されている。

また、図６に示すように、第３実施形態例に係るチップ抵抗器４１の凹部は、第１実施形態例の凹部と比較すると、絶縁性基板２の両長辺の手前まで延びるように形成されている点で異なる。なお、第３実施形態例では、凹部４２，４３が第１内部電極３，４の露出部に対応する位置にのみ形成される構成になっているが、これに限られず、凹部４２，４３が第１内部電極３，４の露出部および絶縁性基板２の領域に対応する位置まで形成される構成であっても良い。

このように、第２，第３実施形態例のように凹部を形成した場合であっても、第１実施形態例の奏する効果、すなわち、電極や抵抗体を薄膜形成しても外部電極とビアとの接続が容易なチップ抵抗器を提供すること、このようなチップ抵抗器の製造方法を提供すること、および、ビア用の穴あけ加工が容易な部品内蔵型回路基板を提供することができる。

なお、図示は省略するが、第１〜第３実施形態例の凹部は平面視長方形状に形成されているが、この構成に限られず、平面視円状や楕円状に形成されている構成であっても良い。

１，３１，４１ 基板内層用チップ抵抗器
２ 絶縁性基板
２Ａ 大判基板
３，４ 第１内部電極
５ 抵抗体
６ 保護層
７，８ 第２内部電極
９，１０ 外部電極
１１，１２，３２〜３５，４２，４３ 凹部
２０ 樹脂層
２１，２２ 穴

Claims (3)

1. 直方体形状の絶縁性基板と、前記絶縁性基板における長手方向両端部に薄膜形成された一対の第１内部電極と、前記一対の第１内部電極に接続するように薄膜形成された抵抗体と、少なくとも前記抵抗体を覆うように厚膜形成された保護層と、前記一対の第１内部電極の対向間隔よりも狭い対向間隔となるように薄膜形成された一対の第２内部電極と、前記第２内部電極を覆うようにメッキ形成された外部電極とを備え、
   前記保護層が前記抵抗体と前記第１内部電極とを覆うように形成されていると共に、この第１内部電極における前記絶縁性基板の長手方向両端から内側に離反した位置に前記保護層によって覆われていない露出部が形成されており、
   前記第２内部電極が前記第１内部電極の前記露出部と前記保護層とを覆っていることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器。
2. 直方体形状の絶縁性基板における長手方向両端部に一対の第１内部電極を薄膜形成する工程と、前記一対の第１内部電極に接続するように抵抗体を薄膜形成する工程と、少なくとも前記抵抗体を覆うように保護層を厚膜形成する保護層形成工程と、前記一対の第１内部電極の対向間隔よりも狭い対向間隔となるように一対の第２内部電極を薄膜形成する第２内部電極形成工程と、前記第２内部電極を覆うように外部電極をメッキ形成する工程とを含み、
   前記保護層形成工程は、少なくとも前記第１内部電極における前記絶縁性基板の長手方向両端から内側に離反した位置にある露出部を除いて前記抵抗体と前記第１内部電極とを前記保護層で覆うように形成する工程であり、
   前記第２内部電極形成工程は、前記第２内部電極で前記第１内部電極の前記露出部と前記保護層とを覆うように形成する工程であり、
   前記第２内部電極形成工程によって、前記第１内部電極の前記露出部と対応する位置に凹部が形成されることを特徴とする基板内層用チップ抵抗器の製造方法。
3. 絶縁性の樹脂層からなるベース基板の内層にチップ抵抗器が埋め込まれている部品内蔵型回路基板において、
   前記チップ抵抗器が、直方体形状の絶縁性基板と、前記絶縁性基板における長手方向両端部に薄膜形成された一対の第１内部電極と、前記一対の第１内部電極に接続するように薄膜形成された抵抗体と、少なくとも前記抵抗体を覆うように厚膜形成された保護層と、前記一対の第１内部電極の対向間隔よりも狭い対向間隔となるように薄膜形成された一対の第２内部電極と、前記第２内部電極を覆うようにメッキ形成された外部電極とを備え、
   前記保護層が前記抵抗体と前記第１内部電極とを覆うように形成されていると共に、この第１内部電極における前記絶縁性基板の長手方向両端から内側に離反した位置に前記保護層によって覆われていない露出部が形成されており、
   前記第２内部電極が前記露出部を含んで前記保護層を覆うように形成されていることにより、前記露出部と対応する位置に凹部が形成され、
   前記凹部を跨いで前記外部電極と接続するビアを前記ベース基板に形成可能であることを特徴とする部品内蔵型回路基板。