JP2004104047A

JP2004104047A - 抵抗組成物および抵抗器

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Publication number: JP2004104047A
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Inventors: Satoshi Moriya; 守谷　敏
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Abstract

【課題】低抵抗値で、低ＴＣＲの抵抗組成物および抵抗器を提供する。
【解決手段】導電性金属混合粉体の全体を１００重量部としたとき、４．０〜１３．０重量部のマンガンと、０．２〜１．４重量部のゲルマニウムと、８５．６〜９５．８重量部の銅とを混合し、これらの金属成分の全体量（１００重量部）に対して、ガラス粉体を０〜１０重量部、銅酸化物粉体を０〜１０重量部混合する。そして、得られた抵抗体ペーストを焼成して、目的とする特性を有する抵抗体を作製する。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、電流検出回路等における電流検出用抵抗器に使用する抵抗組成物、およびその組成物を用いた抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
機器等の電子回路や電源回路における電流検出等の用途のため、低抵抗値であり、かつ低ＴＣＲ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｏｆ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ：抵抗値の温度係数）特性を有する抵抗器が、従来より要求されている。このような抵抗器は、低抵抗特性を得るため、例えば、銀（Ａｇ）／パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）／ニッケル（Ｎｉ）、あるいは、銅／マンガン（Ｍｎ）合金からなる抵抗体ペーストを使用している（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
さらには、抵抗体として銅／ニッケル合金、銅／マンガン／スズ（Ｓｎ）系合金、銅／マンガン／ゲルマニウム（Ｇｅ）系合金等を使用して、抵抗器の温度変化に伴う電流検出精度の劣化を抑えた電流検出用チップ抵抗器も、従来より提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−８３９６９号公報
【特許文献２】
特開平９−２１３５０３号公報
【特許文献３】
特開２００２−５０５０１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した銅／ニッケルの配合を適用した抵抗体ペーストの場合、銅の持つ固有特性、すなわち、抵抗値やＴＣＲ（抵抗値の温度係数）の占有が大きいため、抵抗値が下がるほどＴＣＲが高くなる。また、銅／マンガンよりなる抵抗器では、固有抵抗値にばらつきが生じる等の問題がある。よって、これらの抵抗体ペーストでは、所望の特性（電流検出精度）が得られない。
【０００６】
さらには、銅／ニッケルからなる上記従来の抵抗体ペーストの場合、その抵抗率が高く（０．６５μΩｍ）、近年において要求される抵抗値に対応することができないという問題がある。
【０００７】
例えば、銅／ニッケルの配合を６０／４０とした場合、シート抵抗値は３５ｍΩ／□で、ＴＣＲは５０ｐｐｍ／℃となり、また、銅／ニッケルの配合を９０／１０とした場合、シート抵抗値は１５ｍΩ／□で、ＴＣＲは１２００ｐｐｍ／℃となる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、低抵抗値であるとともに、低ＴＣＲの抵抗組成物および抵抗器を提供することである。
【０００９】
かかる目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明に係る抵抗組成物は、銅粉体、マンガン粉体、およびゲルマニウム粉体からなる第１の金属混合粉体、および／または、銅、マンガン、およびゲルマニウムのうち少なくとも２種類以上の金属からなる合金粉体を含む、銅、マンガン、およびゲルマニウムからなる第２の金属混合粉体と、ガラス粉体および／または銅酸化物粉体と、樹脂と溶剤を含むビヒクルとからなることを特徴とする。
【００１０】
例えば、上記第１の金属混合粉体、および／または上記第２の金属混合粉体の全体を１００重量部とした場合、銅を８５．６乃至９５．８重量部、マンガンを４．０乃至１３．０重量部、ゲルマニウムを０．２乃至１．４重量部、上記金属混合粉体１００重量部に対して、上記ガラス粉体および／または銅酸化物粉体を０乃至１０重量部、上記ビヒクルを１０乃至１５重量部混合してなることを特徴とする。
【００１１】
また、例えば、上記銅酸化物は、ＣｕＯとＣｕ_２Ｏのいずれかよりなることを特徴とする。
【００１２】
上述した課題を解決する他の手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明に係る抵抗器は、銅、マンガン、およびゲルマニウムの金属成分を１００重量部としたときに、上記金属成分１００重量部に対してガラス粉体および／または銅酸化物粉体を０乃至１０重量部含む抵抗体を絶縁性基体上に形成したことを特徴とする。
【００１３】
例えば、上記銅酸化物は、ＣｕＯとＣｕ_２Ｏのいずれかよりなることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面、および表を参照して、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。本実施の形態例に係る抵抗体ペーストは、例えば、銅の粉体とマンガンの粉体とゲルマニウムの粉体からなる導電性金属混合粉体と、この金属混合粉体に混合するガラス粉体および／または銅酸化物粉体（酸化銅粉体）と、樹脂および溶剤からなるビヒクルとから抵抗組成物である抵抗体ペーストを作製し、この抵抗体ペーストを用いて抵抗器を製造する。
【００１５】
上記抵抗体ペーストの金属混合粉体は、金属成分として、例えば、混合粉体の全体を１００重量部とした場合、４．０〜１３．０重量部のマンガンと、０．２〜１．４重量部のゲルマニウムと、８５．６〜９５．８重量部の銅とを混合してなる。また、これらの金属成分の全体量（１００重量部）に対して、上述したガラス粉体を０〜１０重量部、銅酸化物粉体を０〜１０重量部とする。
【００１６】
ガラス粉体は、後述する基板との密着成分のうち、物理的密着を目的として使用するものであり、ここでは、その割合が１０重量部を越えると抵抗率が大きくなり、適当ではない。また、銅酸化物粉体については、基板との密着成分のうち、化学的密着を目的として使用しており、その割合が１０重量部を越えると抵抗膜が多孔質状になり、抵抗膜の平滑性が損なわれてしまう。
【００１７】
なお、本実施の形態例に係る抵抗体ペーストでは、これらの密着成分として、ガラス粉体と銅酸化物粉体の少なくともいずれかを含むものとし、どちらも０重量部とする組み合わせは、基板との密着性がなくなるため除く。
【００１８】
さらに、本実施の形態例では、抵抗体をペースト化するため、樹脂と溶剤を含むビヒクルを１０〜１５重量部配合して、抵抗体ペーストを印刷に適した粘度とすることが好ましい。また、印刷性によっては、この範囲を超えた配合量としてもよい。
【００１９】
本実施の形態例に係る抵抗体ペーストにおいて、銅、マンガン、およびゲルマニウムの各粉体を混合してなる金属混合粉体以外に、これらの金属の少なくとも２種類以上からなる合金粉体を含む金属粉体を導電性の金属混合粉体として用いてもよいし、これら両方の粉体を使用してもよい。
【００２０】
上記いずれの場合においても、最終的に合算した銅、マンガン、ゲルマニウムの混合比率が上述した比率であれば、抵抗体ペーストとしての抵抗値やＴＣＲにおいて所望の特性が得られる。
【００２１】
抵抗体ペーストの導電性金属混合材料である金属粉体（銅、マンガン、ゲルマニウムの粉体）は、基板上へのスクリーン印刷法で使用可能な範囲の粒径を有することが好ましく、例えば、粒径０．１μｍ〜２０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２２】
本実施の形態例に係る抵抗体ペーストにおけるガラス粉体として適した材料は、その抵抗体ペーストで抵抗体層を形成する絶縁性基体との密着性、および抵抗体としての必要な種々の安定性を有するだけでなく、作業性の観点から軟化点が５００〜１０００℃で、その組成として、耐酸性、耐水性を有する硼珪酸系ガラスが好ましい。
【００２３】
よって、ガラス粉体として、例えば、硼珪酸バリウム系ガラス、硼珪酸カルシウム系ガラス、硼珪酸バリウムカルシウム系ガラス、硼珪酸亜鉛系ガラス、硼酸亜鉛系ガラス等を用いることができる。
【００２４】
また、ガラス粉体の粒径は、スクリーン印刷で使用できる範囲内にあり、例えば、粒径０．１μｍ〜２０μｍが好ましく、特に平均粒径２μｍ以下のものがより好ましい。
【００２５】
本実施の形態例において、銅酸化物粉体の銅酸化物として適した材料は、抵抗体ペーストで抵抗体層を形成する絶縁性基体との密着性、および抵抗体としての必要な種々の安定性を有するものが好ましく、例えば、ＣｕＯ（酸化第二銅）とＣｕ_２Ｏ（酸化第一銅）のいずれをも用いることができる。また、銅酸化物粉体の粒径は、スクリーン印刷で使用できる範囲にある粒径であって、例えば、粒径０．１μｍ〜２０μｍが好ましく、特に平均粒径２μｍ以下のものがより好ましい。
【００２６】
一方、本実施の形態例に係る抵抗体ペーストにおける、樹脂と溶剤からなるビヒクルに使用される樹脂としては、例えば、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂、アルキッド系樹脂等を、単独で、あるいは組み合わせて使用することができる。より具体的には、例えば、エチルセルロース、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、エチルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート等を挙げることができる。
【００２７】
また、抵抗体ペーストにおける樹脂と溶剤からなるビヒクルに使用される溶剤としては、例えば、テルペン系溶剤、エステルアルコール系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、エステル系溶剤等を、単独で、あるいは組み合わせて使用することができる。より具体的には、例えば、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール、テキサノール、キシレン、イソプロピルベンゼン、トルエン、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノブチルエーテル等を挙げることができる。
【００２８】
なお、ビヒクルの構成は、上記の樹脂と溶剤に限らず、抵抗体ペーストの特性を向上させるために、種々の添加剤を加えてもよい。
【００２９】
図１は、本実施の形態例に係る抵抗組成物である抵抗体ペーストの製造工程を示している。同図のステップＳ１では、抵抗体ペーストの導電性金属混合材料としての金属粉体を混合する。ここでは、銅、マンガン、およびゲルマニウム（Ｃｕ／Ｍｎ／Ｇｅ）の各粉体を混合する。
【００３０】
これらの金属粉体の具体的な配合比は、上述したように、例えば、金属混合粉体の全体を１００重量部としたとき、銅粉体（例えば、平均粒径１．１μｍ）を８５．６〜９５．８重量部、マンガン粉体（例えば、平均粒径１０μｍ）を４．０〜１３．０重量部、ゲルマニウム粉体（例えば、平均粒径１０μｍ）を０．２〜１．４重量部の割合で混合する。
【００３１】
続くステップＳ２において、上記ステップＳ１で混合された金属混合粉体に、ガラス粉体および／または銅酸化物粉体を混合する。ここでは、Ｃｕ／Ｍｎ／Ｇｅの金属粉体全体量に対して、例えば、ガラス粉体を０〜１０重量部、銅酸化物粉体を０〜１０重量部それぞれ混合する。
【００３２】
ステップＳ３では、ビヒクルの混合を行う。上記Ｃｕ／Ｍｎ／Ｇｅの金属混合粉体と、ガラス粉体および／または銅酸化物粉体とを混合した全体量に対して、有機樹脂と溶剤からなるビヒクル（例えば、エチルセルロース２．５重量パーセント含有テキサノール溶液）を１０〜１５重量部加え、３本ロールで混錬して抵抗体ペーストを作製する。
【００３３】
本実施の形態例では、このようにして得られた抵抗体ペーストを、アルミナ９６ｗｔパーセントのアルミナ基板上にあらかじめ形成しておいた銅電極に架かるように印刷し、それを乾燥させた後、窒素（Ｎ_２）雰囲気中において、例えば、９８０℃で１０分間焼成して抵抗体を作製した。このとき、抵抗体は、銅電極の影響を除くため１ｍｍ×５２ｍｍとし、焼成後の抵抗体厚膜は２０．３μｍであった。
【００３４】
表１は、上述のように焼成して得た抵抗体の特性を示している。本実施の形態例では、Ｃｕ／Ｍｎ／Ｇｅの金属合金粉体を表中の配合比（単位は、重量パーセント（ｗｔ％））で混合し、それにガラス粉体（５重量パーセント）、および酸化銅粉体（５重量パーセント）を加えて十分に混合し、さらに、ビヒクルを加えて抵抗体ペーストを作製した。
【００３５】
すなわち、表１は、上述の抵抗体ペーストを焼成して得た各抵抗体（資料Ｎｏ．１〜１７）の特性値である、抵抗率（μΩｍ）と抵抗温度係数（ＴＣＲ）を示している。なお、抵抗率とＴＣＲを求める際の抵抗体の抵抗値は、２５℃と１２５℃にて測定した。
【００３６】
【表１】

【００３７】
ここで、本実施の形態例に係る抵抗体ペーストのいくつかの実施例（例１〜例３）の特性等について説明する。最初に例１（表１の資料Ｎｏ．１１の抵抗体に対応する）ついて説明する。この例１に係る抵抗体の抵抗体ペーストは、銅粉体８９．８重量部、マンガン粉体９．５重量部、ゲルマニウム粉体０．７重量部を計り取って混合し、その混合粉体に酸化銅粉体５重量部、およびガラス粉体５重量部を加え、それを十分に混合して、さらに、この混合粉体にビヒクル１２重量部を加え、３本ロールで混錬して得たペーストである。
【００３８】
得られた抵抗体ペーストについては、上述した焼成を行って抵抗体を作製し、その抵抗体の抵抗値を測定して、抵抗率と抵抗温度係数を求めた。例１の抵抗体の場合、その抵抗率は０．４７μΩｍ、抵抗温度係数は２８×１０^−６／Ｋであった。なお、抵抗体と基板の密着強度は、２ｍｍ×２ｍｍで測定した結果、４１．６Ｎであった。
【００３９】
例２は、表１の資料Ｎｏ．７の抵抗体に対応し、その抵抗体ペーストは、銅粉体８６．７重量部、マンガン粉体１３．０重量部、ゲルマニウム粉体０．３重量部を計り取り、混合した混合粉体に、酸化銅粉体５重量部、およびガラス粉体５重量部を加え、それを十分に混合し、さらに、この混合粉体にビヒクル１２重量部を加えて、３本ロールで混錬して得た。
【００４０】
例２に係る抵抗体ペーストを焼成して得た抵抗体の抵抗率は、上記例１の場合と同様の方法で求めたところ、０．６０μΩｍであり、抵抗温度係数は４０×１０^−６／Ｋであった。
【００４１】
また、例３は、表１の資料Ｎｏ．８に対応する抵抗体であり、その抵抗体ペーストは、銅粉体９２．５重量部、マンガン粉体７．０重量部、ゲルマニウム粉体０．５重量部を計り取り、混合した混合粉体に、酸化銅粉体５重量部、およびガラス粉体５重量部を加えて、それを十分に混合し、さらに、この混合粉体にビヒクル１２重量部を加え、３本ロールで混錬して得たものである。
【００４２】
そこで、上記の例１と同様の方法で、例３に係る抵抗体ペーストを焼成して得た抵抗体について特性を測定した。その結果、抵抗率は０．４８μΩｍであり、抵抗温度係数は４５×１０^−６／Ｋであった。
【００４３】
なお、比較例として、以下の抵抗体を作製した。すなわち、銅粉体５７．０重量部、ニッケル粉体４３．０重量部を計り取り、混合した粉体に、酸化銅粉体５重量部、およびガラス粉体５重量部を加え、それを十分に混合した。さらに、この混合粉体にビヒクル１２重量部を加え、３本ロールで混錬して抵抗体ペーストを得た。
【００４４】
そして、このような、銅／ニッケルからなる抵抗体ペーストを焼成して得た抵抗体について、その特性を測定したところ、抵抗率は０．６５μΩｍであり、抵抗温度係数は８０×１０^−６／Ｋであった。
【００４５】
図２は、本実施の形態例に係る抵抗体の組成を示す組成図である。同図において、○内の数字は、表１に示す資料Ｎｏ．１〜１７各々に対応しており、各資料についてのＣｕ／Ｍｎ／Ｇｅの配合比をプロットして示したものである。また、同図において、太線で示す範囲内にあるＣｕ／Ｍｎ／Ｇｅの配合比が、所望の低抵抗値と低抵抗温度係数の抵抗体を得るための、好ましい金属成分の組成範囲である。
【００４６】
すなわち、図２に示す“好ましい範囲”を越える部分における抵抗体は、その抵抗率が、銅／ニッケルからなる従来の抵抗体ペーストで作製した抵抗体（上述した比較例を参照）の抵抗率０．６５μΩｍよりも大きくなるか、あるいは、その抵抗温度係数が、目標とする値（±１００×１０^−６／Ｋ以下）よりも大きくなるため、適当ではない。
【００４７】
図３は、本実施の形態例に係る抵抗体ペーストを使用した角型チップ抵抗器（以下、単にチップ抵抗器という）の一例についての断面構成を示している。同図において、基板１は、所定サイズのチップ形状を有する、例えば、電気絶縁性のセラミックス基板（絶縁性基体）である。基板１上には、上述した金属混合粉体を配合してなる抵抗体ペーストを、例えば、スクリーン印刷等で塗布した後、焼成して、抵抗層２を形成する。
【００４８】
抵抗層２の上部は、プリガラス７で覆われ保護されている。さらに、プリガラス７の上には、絶縁膜として機能する保護膜３が配されている。基板１の両端部であって抵抗層２の両端には、それと電気的に接触する上部電極（表面電極）４ａ，４ｂが形成されている。また、基板下部の端部には、下部電極（裏面電極）５ａ，５ｂが形成されている。そして、基板１の各端部側面には、上部電極４ａ，４ｂと下部電極５ａ，５ｂを電気的に接続するため、これらの電極間に端部電極６ａ，６ｂが配設されている。
【００４９】
さらに、下部電極５ａと端部電極６ａを覆うように外部電極８ａが、例えば、メッキ等によって形成されている。同様に、下部電極５ｂと端部電極６ｂを覆うように外部電極８ｂが、メッキ等によって形成されている。
【００５０】
このような抵抗器で用いる絶縁性基体としては、例えば、アルミナ系基板、フォルステライト系基板、ムライト系基板、窒化アルミニウム系基板、ガラスセラミック系基板等を用いることができる。
【００５１】
また、抵抗層２には、その導電性金属成分として、上述した比率で配合した銅、マンガン、ゲルマニウムの各金属粉体を混合した金属混合粉体、または、銅、マンガン、ゲルマニウムの合金粉体を使用する。なお、銅、マンガン、ゲルマニウムの各粉体を混合して使用する場合には、焼成時に合金化している。
【００５２】
次に、以上の構成を備える本実施の形態例に係る抵抗器の製造工程を説明する。図４は、本実施の形態例に係る抵抗器の製造工程を説明するための工程図である。まず、図４のステップＳ１１において、上述した基板１を製造する工程を実行する。なお、ここでは、基板としてアルミナ９６ｗｔ％のアルミナ基板を使用する。
【００５３】
基板形状としては、例えば、製造単位の大きさの、矩形の基板を製造するが、製造する基板の大きさは任意であり、１つの抵抗器毎の大きさの基板であっても、あるいは、多数個分の抵抗器の大きさの基板を同時に製造してもよい。
【００５４】
続くステップＳ１２において、基板１の下面（抵抗器実装時のはんだ面）に、スクリーン印刷により裏面電極の厚膜印刷をし、焼成することにより、下部電極（裏面電極）５ａ，５ｂを形成する。具体的には、アルミナ基板の裏面に銅ペースト（Ｃｕペースト）を印刷し、その後、乾燥させて、窒素（Ｎ_２）雰囲気中において、例えば、９６０℃で１０分間焼成して裏面電極を形成する。
【００５５】
次に、ステップＳ１３において、基板１の上面（抵抗体を形成する側）に、スクリーン印刷により表面電極の厚膜印刷をし、焼成することにより、上部電極（表面電極）４ａ，４ｂを形成する。具体的には、アルミナ基板の表面に銅ペーストを印刷し、その後、それを乾燥させて、窒素雰囲気中で、例えば、９６０℃で１０分間焼成して表面電極を形成する。
【００５６】
なお、上部電極（表面電極）４ａ，４ｂと下部電極（裏面電極）５ａ，５ｂの焼成を同時に行ってもよい。
【００５７】
本実施の形態例では、例えば、裏面および表面ともに厚膜印刷する電極材料として銅ペーストを使用することで、従来の抵抗器のように、銀のエレクトロニックマイグレーションによる信頼性低下の問題を回避している。また、不活性雰囲気である窒素（Ｎ_２）雰囲気中で焼成するのは、電極である銅の酸化を防止するためである。なお、焼成温度は９６０℃でなく、例えば９８０℃で焼成してもよい。
【００５８】
ステップＳ１４では、例えば、上述した抵抗体ペーストを上部電極（表面電極）４ａ，４ｂ間に一部が上部電極（表面電極）４ａ，４ｂに重なるように塗布し、抵抗体ペースト厚膜を形成する。そして、この抵抗体ペースト厚膜を、窒素（Ｎ_２）雰囲気の下、例えば、９６０℃で焼成する。なお、焼成温度は９８０℃でもよい。
【００５９】
本実施の形態例において、抵抗体ペーストへの銅酸化物の添加により、基板と抵抗体との良好な接着が得られ、ガラス（例えば、ＺｎＢＳｉＯｘ系ガラス）によって、無機バインダー膜の強度が得られる。さらに、ビヒクルは、有機バインダーによる印刷適正が得られるよう機能する。
【００６０】
ステップＳ１５では、このようにして形成された抵抗体層２の上にプリガラスコート厚膜を印刷等で形成し、乾燥した後、焼成を行う。ここでは、抵抗体層上に例えば、ＺｎＢＳｉＯｘ系ガラスペーストを印刷し、その後、それを乾燥させて、窒素雰囲気中で、例えば、６７０℃で１０分間焼成してプリガラスコートを形成する。
【００６１】
なお、焼成温度は６９０℃であってもよい。また、ガラスペーストは、ＺｎＢＳｉＯｘ系ガラスペーストに限るものではなく、上述した硼珪酸バリウム系ガラス、硼珪酸カルシウム系ガラス、硼珪酸バリウムカルシウム系ガラス、硼珪酸亜鉛系ガラス、硼酸亜鉛系ガラス等を用いることができる。
【００６２】
次に、ステップＳ１６において、必要に応じて抵抗体のトリミング（抵抗値調整）を行う。このトリミングは、例えば、レーザビームやサンドブラスト等によって、抵抗体のパターンに切れ込みを入れることによって抵抗値を調整する。
【００６３】
そして、ステップＳ１７において、例えば、プリガラスコートと上部電極４ａ，４ｂを覆うようにエポキシ系樹脂をスクリーン印刷等によって形成し、それを硬化させて、絶縁膜としての機能をも有する保護膜３であるオーバーコートを形成する。
【００６４】
その後、必要に応じてオーバーコート（保護膜３）上にエポキシ系樹脂を印刷し、それを硬化させて、抵抗値等を表示するための表示部を形成する。
【００６５】
さらに、ステップＳ１８において、Ａブレイク（１次ブレーク）を行い、アルミナ基板を短冊状に分割する。続くステップＳ１９で、短冊上のアルミナ基板の端面にスッパタリング法によりＮｉＣｒ合金膜を形成し、端部電極６ａ，６ｂを形成する。なお、ＮｉＣｒ合金膜の形成は、スパッタリング法に限定されるものではなく、蒸着等により形成してもよい。
【００６６】
次にステップＳ２０で、Ｂブレイク（２次ブレーク）を行い、端部電極６ａ，６ｂを形成した短冊状のアルミナ基板をさらに分割し、個片（チップ）にする。得られた個片（チップ）の大きさは、例えば、３．２ｍｍ×１．６ｍｍである。
【００６７】
そして、ステップＳ２１において、上部電極４ａ，４ｂのうち、保護膜３で覆われていない部分と、下部電極５ａ，５ｂ、および端部電極６ａ，６ｂ上に外部電極８ａ，８ｂを形成する。
【００６８】
外部電極８ａ，８ｂは、例えば、順に、電解ニッケル（Ｎｉ）メッキ―電解銅（Ｃｕ）メッキ―電解ニッケル（Ｎｉ）メッキ―電解錫（Ｓｎ）メッキを施し、Ｎｉ膜―Ｃｕ膜―Ｎｉ膜―Ｓｎ膜が積層した状態とする。
【００６９】
以上のようにして製造されたチップサイズ３．２ｍｍ×１．６ｍｍの抵抗器は、例えば、基板厚さ４７０μｍ、上面電極厚さ２０μｍ、下面電極厚さ２０μｍ、抵抗体層厚さ３０〜４０μｍ、プリガラスコート厚さ１０μｍ、保護膜厚さ３０μｍ、端部電極厚さ０．０５μｍ、外部電極厚さは、順にＮｉ膜厚さ３〜７μｍ、Ｃｕ膜厚さ２０〜３０μｍ、Ｎｉ膜厚さ３〜１２μｍ、Ｓｎ膜厚さ３〜１２μｍに形成されている。
【００７０】
本実施の形態例の抵抗体ペーストを用いて抵抗器を製造する場合における、抵抗体ペーストの焼成方法と焼成後の抵抗体については、抵抗体ペーストを中性雰囲気中または不活性雰囲気中（例えば、窒素雰囲気中）において６００℃〜１０００℃で焼成するのが好ましい。なお、上記抵抗体ペーストの焼成時間は任意に設定することができる。これにより、銅／マンガン／ゲルマニウム系抵抗体、より好ましくは銅／マンガン／ゲルマニウム合金抵抗体を得ることができる。
【００７１】
以上説明したように、本実施の形態例によれば、抵抗体ペーストの材料として、銅／マンガン／ゲルマニウム（Ｃｕ／Ｍｎ／Ｇｅ）の導電性金属粉体を混合したものに、ガラス粉体および／または銅酸化物粉体を混合し、それを焼成して抵抗体を作製することで、銅／ニッケルからなる抵抗体ペーストより作製した抵抗体に比べて抵抗率をさらに低くすることができ、それと同時に、その抵抗体のＴＣＲをも低くすることができる。
【００７２】
また、このような特性を有する抵抗体ペーストを使用したチップ抵抗器を製造できるため、その抵抗器は、例えば、電源回路やモーター回路の電流検出抵抗器（シャント抵抗器）等、低抵抗率、および低ＴＣＲの抵抗器を必要とする用途に最適なチップ抵抗器となる。
【００７３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、低抵抗値で、かつ、低ＴＣＲの抵抗組成物および抵抗器を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態例に係る抵抗体ペーストの製造工程を示すフローチャートである。
【図２】実施の形態例に係る抵抗体の組成を示す組成図である。
【図３】実施の形態例に係るチップ抵抗器の断面構成を示す図である。
【図４】実施の形態例に係る抵抗器の製造工程を説明するための工程図である。
【符号の説明】
１　　基板
２　　抵抗層
３　　保護膜
４ａ，４ｂ　　上部電極（表面電極）
５ａ，５ｂ　　下部電極（裏面電極）
６ａ，６ｂ　　端部電極
７　　プリガラス
８ａ，８ｂ　　外部電極（メッキ）

Claims

銅粉体、マンガン粉体、およびゲルマニウム粉体からなる第１の金属混合粉体、および／または、銅、マンガン、およびゲルマニウムのうち少なくとも２種類以上の金属からなる合金粉体を含む、銅、マンガン、およびゲルマニウムからなる第２の金属混合粉体と、ガラス粉体および／または銅酸化物粉体と、樹脂と溶剤を含むビヒクルとからなることを特徴とする抵抗組成物。
前記第１の金属混合粉体、および／または前記第２の金属混合粉体の全体を１００重量部とした場合、銅を８５．６乃至９５．８重量部、マンガンを４．０乃至１３．０重量部、ゲルマニウムを０．２乃至１．４重量部、前記金属混合粉体１００重量部に対して、前記ガラス粉体および／または銅酸化物粉体を０乃至１０重量部、前記ビヒクルを１０乃至１５重量部混合してなることを特徴とする請求項１記載の抵抗組成物。
前記銅酸化物は、ＣｕＯとＣｕ_２Ｏのいずれかよりなることを特徴とする請求項２記載の抵抗組成物。
銅、マンガン、およびゲルマニウムの金属成分を１００重量部としたときに、前記金属成分１００重量部に対してガラス粉体および／または銅酸化物粉体を０乃至１０重量部含む抵抗体を絶縁性基体上に形成したことを特徴とする抵抗器。
前記銅酸化物は、ＣｕＯとＣｕ_２Ｏのいずれかよりなることを特徴とする請求項４記載の抵抗器。