JPH01310503A - 薄膜抵抗体形成用インキおよびそれを用いた薄膜抵抗体の製造法 - Google Patents

薄膜抵抗体形成用インキおよびそれを用いた薄膜抵抗体の製造法

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JPH01310503A
JPH01310503A JP63142105A JP14210588A JPH01310503A JP H01310503 A JPH01310503 A JP H01310503A JP 63142105 A JP63142105 A JP 63142105A JP 14210588 A JP14210588 A JP 14210588A JP H01310503 A JPH01310503 A JP H01310503A
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JP
Japan
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ruthenium
rosin
ink
thin film
compound
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Pending
Application number
JP63142105A
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English (en)
Inventor
Chiharu Hayashi
千春 林
Kazuyuki Okano
和之 岡野
Munehiro Tabata
宗弘 田端
Yasuto Isozaki
磯崎 康人
Hiroshi Hasegawa
洋 長谷川
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ルテニウム化合物を含有するインキを基板上
にパターン状形成した後、これを・焼成して薄膜抵抗体
を得ることのできる薄膜抵抗体形成用インキおよびこの
インキを用いた薄膜抵抗体の製造法に関するものであり
、各種電子機器において利用されるものである。
従来の技術 各種抵抗器、感熱式プリンターヘッド等は基板上に発熱
体や抵抗体を形成することにより構成されている。これ
らの抵抗体の形成方法としては真空蒸着法、スパッタリ
ング法、CVD法、スプレー法、厚膜印刷法、熱分解法
などがあるが、製造設備の高IIIIiさ、製造工程の
繁雑さや量産性などの点から熱分解法は、非常に有効な
製造方法である。
すなわちスクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印
刷、オフセット印刷等各種工法が採用できる熱分解法で
は、製造設備費の面で蒸着法・スパッタリング法の様な
真空系を用いる方法に比べて有利であるばかりでなく、
抵抗体を形成するだめの化合物を含有する塗布用インキ
を基板上にパターン形成できるため、エツチング工程が
不要である。さらに焼成によって製造できるため連続的
な量産ラインによる製造が可能であシ、量産性に富むと
いう利点がある。
発明が解決しようとする課題 従来の抵抗体の装造方法のうち薄膜系抵抗体は電気的特
性かつ耐電力性に優れているという特徴を持つが、真空
系を工程に導入することから製造設備の高価さ、製造工
程の繁雑さ、量産性の低さ等の間厘点がある。また、厚
膜系抵抗体の場合、スクリーン印刷法等の各種印刷法を
用いることから工程的には容易であるが、抵抗体が無機
、又は有機バインダーと導電粉末との混合体であるため
に印刷、焼成した膜の均一性に欠け、面積抵抗値の変化
が生じやすく、耐電力特性も落ちるという欠点があった
課題を解決するだめの手段 上記課題を解決するために本発明では構造中にルテニウ
ムを含有する化合物、及び必要により金属化合物、増粘
剤としてロジンを含有し、かつこれらを溶解させるため
の溶剤とを主たる要素として含むインキを基板上に塗布
、乾燥する工程と上記基板を加熱する工程により薄膜抵
抗体を形成することを特徴とする。
作用 上記インキを基板上にパターン形成し、ソノ後肢基板を
加熱することにより、任意の形状の薄膜抵抗体を容易に
形成することができ、表面平滑性、耐電力性の良好な抵
抗温度係数のバラツキの小さい抵抗体が得られるもので
ある。
実施例 まず、本発明の概要について説明する。
本発明に使用される構造中にルテニウムを含む化合物と
しては多くのものが知られており、使用目的に応じて任
意に選ぶことができる。例を挙げれば、塩化ルテニウム
等無機化合物、酢酸ルテニウム、ナフテン酸ルテニウム
等各種カルボン酸塩、アセチルアセトナート、クラウン
エーテル、チオクラウンエーテル、又はサイクラム錯体
等の各種ルテニウム錯体、各種ルテニウムアルコキシド
、ルテニウム−炭素結合を有する有機ルテニウム化合物
等がある。
上記ルテニウム以外にも抵抗温度係数や抵抗値調整のた
めに使用される各種金属についても各々、上記ルテニウ
ム化合物に対応する金属化合物が多く知られている。こ
れらの金属を列挙すれば、kl、Si、に、Ca、Sc
、Ti、V、Or、Mn、Fe、Co。
Ni 、Cu 、Zn 、Ca 、Ge 、Rb 、S
r 、Y 、Zr 、Nb 、Mo+Tc 、Rh 、
Pd 、人g、Cd、In、Sn、Sb、Te、Os。
Ba 、Hf 、Ta 、W 、Re 、Os 、Ir
 、Pt 、Au 、Pb 、Bi等がある。
溶剤はロジン、ルテニウム化合物、及び金属化合物を相
溶させるものが使用できる。すなわち、溶剤としては脂
肪族、芳香族炭化水素、ケトン類、エステル類、アルコ
ール類等公知の溶剤の中から1種まだは2種以上を用い
られる。
酸化ルテニウム系薄膜抵抗体用塗布液の増粘剤であるロ
ジンは印刷工法の変化、溶解性により各種変性ロジン(
ロジン変性グリセリンエステル、ロジン変性マレイン酸
樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、その他)、重合ロジ
ン等を用いることがある。ロジンはインキ全重量に対し
約1〜9o%まで含有させることができる。ロジンの量
は所望の印刷技法に適した粘度になるように適宜選択す
ることができる。
上記束たる構成要素以外に、印刷性改良等の目的で消泡
剤その他の添加物を添加することができる。
薄膜抵抗体の形成方法は前記塗布液を基板上に各種印刷
手法または塗布法によシ塗布し、250°C以上で焼成
するものである。
以下、具体的な実施例について説明する。
(実施例1) 次に示す様な組成でインキを調製した。(数値はすべて
重量パーセントで示す。) オクチル酸ルテニウム       10.0ロジン(
半回化学)1.0 エタノール             6.0ステアリ
ン酸           10.。
α−テルピネオール        74.0塗布用イ
ンキをアルカリ洗剤で洗浄、純水ですすぎを行なった基
板(市販ソーダ石灰ガラス板、厚さ1.1jff)に凸
版オフセット印刷を連続60回行なった。印刷した基板
を常温〜150’Cで10〜30分間乾燥後、これらを
大気中で650°Cにて30分間加熱して薄膜抵抗体を
形成した。
ここに得られた抵抗体の表面粗度λmaxは0.1μm
1抵抗値のばらつきを表す変動係数(但し、変動係数と
は標準偏差を平均値で割った値のことをいう。)3チで
あった。また、EDAXにて膜の均一性を確認した。
この抵抗体に対し、600F−IZで30W/−の電力
を印加した場合、1万サイクル経過後においても異常を
示さなかった。
(実施例2) ルテニウム化合物を含有する塗布用インキは欠配のもの
を混合して作った。
オクチル酸ルテニウム        2.3オクチル
酸バリウム         2.70ジン(半回化学
)         64.0酢酸ベンジル     
      11.0アセトフエノン        
  20.0調製したインキをソーダ石灰ガラス基板に
スクリーン印刷でパターン形成した。ここでスクリーン
版として260メソシユのポリエステルネットで乳剤厚
が10μのものを用いた。また、印刷は連続的に50回
行った。このようにして印刷したガラスを1oO〜15
0°Cで1o〜3o分間乾燥後、これらを大気中で66
0°Cにて30分間加熱して薄膜抵抗体を形成した。こ
こで得られた抵抗体の表面粗度0.111m 、変動係
数4%、5001−1.、。
30 W / Hd 、 1万サイクルの耐電力試験を
満足した。また、膜の均一性も良好であった。
(実施例3〜10) 各種の構造中にルテニウムを含有する化合物、ロジン、
溶媒を主たる構成要素とする塗布用インキを調製し、実
施例2と同様の方法にて薄膜抵抗体を作成した。全ての
抵抗体において実施例2に記載の特性が得られた。
(以下余白) (比較例1) 比較のだめ厚膜印刷法による酸化ルテニウム抵抗体(8
30’C11o分間焼成品)を作製したところ、最大表
面粗度5μm1抵抗値の変動係数15%、5ooH7,
3ow、”−の耐電力性については5000サイクルに
て抵抗値の上昇が見られた。
(比較例2) 実施例2において増粘剤成分をロジンに代えてエチルセ
ルロースを使用した場合ルテニウム化合物、エチルセル
ロースと溶媒が均一に混じり合わなかった。
発明の効果 以上の実施例から明らかなように、本発明にかかる薄膜
抵抗体形成用インキを用いて製造した薄膜抵抗体は平滑
性が良好で、表面抵抗のバラツキが少なく、かつ電気的
特性の優れた抵抗体となることから、その産業上の効果
は多大なものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)構造中にルテニウムを含有する化合物、ロジン、
    及びこれらを溶解させるための溶剤を主たる構成要素と
    して含有することを特徴とする薄膜抵抗体形成用インキ
    。 (2)構造中にルテニウムを含有する化合物、金属化合
    物、ロジン、及びこれらを溶解させるための溶剤を主た
    る構成要素として含有することを特徴とする薄膜抵抗体
    形成用インキ。 (2)構造中にルテニウムを含有する化合物、ロジン、
    及びこれらを溶解させるための溶剤を主たる構成要素と
    して含むインキを基板上に塗布、乾燥する工程と上記基
    板を加熱、焼成する工程とからなることを特徴とする薄
    膜抵抗体の製造法。 (4)構造中にルテニウムを含有する化合物、金属化合
    物、ロジン、及びこれらを溶解させるための溶剤を主た
    る構成要素として含むインキを基板上に塗布、乾燥する
    工程と上記基板を加熱、焼成する工程とからなることを
    特徴とする薄膜抵抗体の製造法。
JP63142105A 1988-06-09 1988-06-09 薄膜抵抗体形成用インキおよびそれを用いた薄膜抵抗体の製造法 Pending JPH01310503A (ja)

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JP63142105A JPH01310503A (ja) 1988-06-09 1988-06-09 薄膜抵抗体形成用インキおよびそれを用いた薄膜抵抗体の製造法

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JP (1) JPH01310503A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004104047A (ja) * 2002-09-13 2004-04-02 Koa Corp 抵抗組成物および抵抗器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004104047A (ja) * 2002-09-13 2004-04-02 Koa Corp 抵抗組成物および抵抗器

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