JPH0565656A - ニツケル薄膜形成材料 - Google Patents
ニツケル薄膜形成材料Info
- Publication number
- JPH0565656A JPH0565656A JP25305091A JP25305091A JPH0565656A JP H0565656 A JPH0565656 A JP H0565656A JP 25305091 A JP25305091 A JP 25305091A JP 25305091 A JP25305091 A JP 25305091A JP H0565656 A JPH0565656 A JP H0565656A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- thin film
- acid
- forming material
- film forming
- Prior art date
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- Pending
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- Chemically Coating (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １ミクロン以下のニッケル薄膜を大気中で塗
布、乾燥、焼成という簡便な方法でガラスやセラミック
スの基材に形成させることができ、酸化していないニッ
ケル薄膜を形成することのできる材料を提供することに
ある。 【構成】 ニッケル有機酸塩あるいはアセチルアセトン
の錯体と有機ほう素化合物と有機樹脂と有機溶媒を任意
の割合で混合し均一な溶液としたもので目的を達成させ
ることができる。またニッケル薄膜の密着性を高めるた
めにガラス成分等の樹脂酸の金属塩を適量加えて使用す
ることもできる。
布、乾燥、焼成という簡便な方法でガラスやセラミック
スの基材に形成させることができ、酸化していないニッ
ケル薄膜を形成することのできる材料を提供することに
ある。 【構成】 ニッケル有機酸塩あるいはアセチルアセトン
の錯体と有機ほう素化合物と有機樹脂と有機溶媒を任意
の割合で混合し均一な溶液としたもので目的を達成させ
ることができる。またニッケル薄膜の密着性を高めるた
めにガラス成分等の樹脂酸の金属塩を適量加えて使用す
ることもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品材料としての
ニッケル導体および抵抗体として使用されるニッケル薄
膜形成材料に関するものである。
ニッケル導体および抵抗体として使用されるニッケル薄
膜形成材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】従来、電子部品材料の導体
および抵抗体として利用されているニッケル膜を形成さ
せる材料として空気焼成用導体、抵抗体用ペーストはニ
ッケルの酸化を遅らせるために、保護ガラスと称する調
合物を含有させており、しかも該ペーストはニッケル粉
末とガラス粉末によりペースト化されているので膜厚を
薄くすることが困難であった。また、窒素焼成用導体、
抵抗体用ニッケルペーストは大気中では焼成できないと
いう制約がある。他に、スパッタリング法、蒸着法もあ
るが生産性に欠ける等の欠点がある。
および抵抗体として利用されているニッケル膜を形成さ
せる材料として空気焼成用導体、抵抗体用ペーストはニ
ッケルの酸化を遅らせるために、保護ガラスと称する調
合物を含有させており、しかも該ペーストはニッケル粉
末とガラス粉末によりペースト化されているので膜厚を
薄くすることが困難であった。また、窒素焼成用導体、
抵抗体用ニッケルペーストは大気中では焼成できないと
いう制約がある。他に、スパッタリング法、蒸着法もあ
るが生産性に欠ける等の欠点がある。
【０００３】
【発明の目的】本発明は、上記従来の欠点を解決するた
めに成されたもので、ニッケルの１ミクロン以下の薄膜
を大気中で塗布、焼成して導体や抵抗体膜を形成するこ
とのできる材料を提供することを目的とする。
めに成されたもので、ニッケルの１ミクロン以下の薄膜
を大気中で塗布、焼成して導体や抵抗体膜を形成するこ
とのできる材料を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ニッケル化合
物とほう素化合物と有機樹脂と有機溶媒から成るニッケ
ル薄膜形成材料で、前記ニッケル化合物がナフテン酸、
アビエチン酸、ステアリン酸、ネオデカン酸、デカン
酸、オクタン酸の有機酸塩あるいはアセチルアセトンの
ニッケル錯体の何れか１種以上であり、前記ほう素化合
物がメンチルボレート、シクロヘキサノールボレート、
フェノールボレート、フェニルほう酸、フェニルほう酸
とジエタノールアミンとのエステル、パラ−トリルほう
酸とジエタノールアミンとのエステル、パラ−メトキシ
フェニルほう酸とジエタノールアミンとのエステル、パ
ラ−ブロムフェニルほう酸とジエタノールアミンとのエ
ステル、メタ−ニトロフェニルほう酸とジエタノールア
ミンとのエステルから選ばれた１種以上であるニッケル
薄膜形成材料で、さらに前記ほう素化合物が１０〜３０
ｗｔ％含有しているニッケル薄膜形成材料である。
物とほう素化合物と有機樹脂と有機溶媒から成るニッケ
ル薄膜形成材料で、前記ニッケル化合物がナフテン酸、
アビエチン酸、ステアリン酸、ネオデカン酸、デカン
酸、オクタン酸の有機酸塩あるいはアセチルアセトンの
ニッケル錯体の何れか１種以上であり、前記ほう素化合
物がメンチルボレート、シクロヘキサノールボレート、
フェノールボレート、フェニルほう酸、フェニルほう酸
とジエタノールアミンとのエステル、パラ−トリルほう
酸とジエタノールアミンとのエステル、パラ−メトキシ
フェニルほう酸とジエタノールアミンとのエステル、パ
ラ−ブロムフェニルほう酸とジエタノールアミンとのエ
ステル、メタ−ニトロフェニルほう酸とジエタノールア
ミンとのエステルから選ばれた１種以上であるニッケル
薄膜形成材料で、さらに前記ほう素化合物が１０〜３０
ｗｔ％含有しているニッケル薄膜形成材料である。
【０００５】以下、本発明の詳細を説明する。本発明の
ニッケル薄膜形成材料は均一な混合溶液であるため塗
布、乾燥、焼成により極めて薄い膜を形成させることが
できる。その理由は、該ニッケル薄膜形成材料の主成分
となるニッケル化合物が上記の有機酸塩あるいはアセチ
ルアセトンの錯体からなるため、一般的な有機溶媒で他
に加えられるほう素化合物、有機樹脂と共に溶解させる
ことができるからである。
ニッケル薄膜形成材料は均一な混合溶液であるため塗
布、乾燥、焼成により極めて薄い膜を形成させることが
できる。その理由は、該ニッケル薄膜形成材料の主成分
となるニッケル化合物が上記の有機酸塩あるいはアセチ
ルアセトンの錯体からなるため、一般的な有機溶媒で他
に加えられるほう素化合物、有機樹脂と共に溶解させる
ことができるからである。
【０００６】また、該ニッケル薄膜形成材料の成分とし
てほう素化合物も上記のものとするのは、ニッケル化合
物と同様の理由の他に大気中で焼成した際に該ほう素化
合物がほう酸に酸化され、焼成した際にニッケルは酸化
するが該ほう酸が酸化ニッケル中の酸素を取り除く働き
をするため大気中での焼成でもニッケル薄膜を形成させ
ることを可能としている。
てほう素化合物も上記のものとするのは、ニッケル化合
物と同様の理由の他に大気中で焼成した際に該ほう素化
合物がほう酸に酸化され、焼成した際にニッケルは酸化
するが該ほう酸が酸化ニッケル中の酸素を取り除く働き
をするため大気中での焼成でもニッケル薄膜を形成させ
ることを可能としている。
【０００７】有機樹脂は塗布性を高めるために適度の粘
性を持たせるために加えられるが特に、エポキシ樹脂、
アクリル樹脂、アルキッド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹
脂、ロジン誘導体樹脂、テルペン樹脂から選んで加える
のが好ましい。なお、均一な混合溶液とするための有機
溶媒はメンタノール、テルピネオール、ブチルカルビト
ール、メチルエチルケトン、エチレングリコール、イソ
ボルネオールアセテート、セルソルブ、ジペンテン、シ
クロヘキサン、シクロヘキサノール、精油、ブチルカル
ビトールアセテート等より選んだ１種以上とすることが
好ましい。
性を持たせるために加えられるが特に、エポキシ樹脂、
アクリル樹脂、アルキッド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹
脂、ロジン誘導体樹脂、テルペン樹脂から選んで加える
のが好ましい。なお、均一な混合溶液とするための有機
溶媒はメンタノール、テルピネオール、ブチルカルビト
ール、メチルエチルケトン、エチレングリコール、イソ
ボルネオールアセテート、セルソルブ、ジペンテン、シ
クロヘキサン、シクロヘキサノール、精油、ブチルカル
ビトールアセテート等より選んだ１種以上とすることが
好ましい。
【０００８】以上のように該ニッケル薄膜形成材料の構
成する原料を塗布、乾燥、焼成してニッケル薄膜形成さ
せるに適する割合で混合させればよいが、その割合はお
おむねニッケル化合物が１０〜６０ｗｔ％、ほう素化合
物が１０〜３０ｗｔ％、有機樹脂が１０〜３０ｗｔ％、
有機溶媒が３０〜５０ｗｔ％で調整すると、例えばスク
リーン印刷で塗布、乾燥、焼成するとニッケル薄膜とし
て０．１〜０．５ミクロンの厚みのものを一回の操作で
形成させることができる。特に、ほう素化合物は上記に
説明したように酸化したニッケルから酸素を取り除く作
用があるため１０〜３０ｗｔ％の範囲で加えることが好
ましい。
成する原料を塗布、乾燥、焼成してニッケル薄膜形成さ
せるに適する割合で混合させればよいが、その割合はお
おむねニッケル化合物が１０〜６０ｗｔ％、ほう素化合
物が１０〜３０ｗｔ％、有機樹脂が１０〜３０ｗｔ％、
有機溶媒が３０〜５０ｗｔ％で調整すると、例えばスク
リーン印刷で塗布、乾燥、焼成するとニッケル薄膜とし
て０．１〜０．５ミクロンの厚みのものを一回の操作で
形成させることができる。特に、ほう素化合物は上記に
説明したように酸化したニッケルから酸素を取り除く作
用があるため１０〜３０ｗｔ％の範囲で加えることが好
ましい。
【０００９】該ニッケル薄膜形成材料の塗布方法は前記
スクリーン印刷の他、凹版、平版印刷、ディピング、ス
プレ、スピンコーティング、筆塗り、ローリング等の方
法を用いることができ、乾燥温度は１００〜１２５℃で
１０分間程度行えばよく、焼成温度は大気中ピーク温度
５００〜８５０℃で１０分間程度行えばニッケル薄膜を
形成させることができる。
スクリーン印刷の他、凹版、平版印刷、ディピング、ス
プレ、スピンコーティング、筆塗り、ローリング等の方
法を用いることができ、乾燥温度は１００〜１２５℃で
１０分間程度行えばよく、焼成温度は大気中ピーク温度
５００〜８５０℃で１０分間程度行えばニッケル薄膜を
形成させることができる。
【００１０】なお、ニッケル薄膜を形成させる基材の種
類により密着性を高めるために必要に応じて鉛、ビスマ
ス、けい素、クロム、アンチモン、コバルト、バナジウ
ム、カルシウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、ジル
コニウム、バリウム、ストロンチウム、ランタン、ニオ
ブ、タングステン、モリブデンから成る金属の樹脂酸塩
を適量として金属として０．０５〜０．５ｗｔ％加える
こともできるものである。
類により密着性を高めるために必要に応じて鉛、ビスマ
ス、けい素、クロム、アンチモン、コバルト、バナジウ
ム、カルシウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、ジル
コニウム、バリウム、ストロンチウム、ランタン、ニオ
ブ、タングステン、モリブデンから成る金属の樹脂酸塩
を適量として金属として０．０５〜０．５ｗｔ％加える
こともできるものである。
【００１１】以下、本発明の実施例を記載するが、該実
施例は本発明を限定するものではない。
施例は本発明を限定するものではない。
【００１２】
【実施例１】ガラスグレーズドアルミナ基板（１５０×
１５０×厚さ１．０ｍｍ）にアセチルアセトンニッケル
（Ｎｉ２０ｗｔ％含む）３０ｗｔ％、メンチルボレート
（Ｂ１０ｗｔ％含む）１０ｗｔ％、アクリル樹脂２０ｗ
ｔ％、ガムロジン１０ｗｔ％、ターピネオール３０ｗｔ
％を混合してニッケル薄膜形成材料を調製したものをス
クリーン（３２５メッシュ、ＳＵＳ製）を用いて印刷
し、室温で１０分間放置後、１２０℃１０分間乾燥機中
で乾燥し、連続焼成炉にてピーク温度８００℃１０分間
大気中にて焼成してニッケル薄膜を形成した。そのニッ
ケル薄膜の厚みは０．２ミクロンで、ニッケル薄膜は酸
化していないものを得ることができた。
１５０×厚さ１．０ｍｍ）にアセチルアセトンニッケル
（Ｎｉ２０ｗｔ％含む）３０ｗｔ％、メンチルボレート
（Ｂ１０ｗｔ％含む）１０ｗｔ％、アクリル樹脂２０ｗ
ｔ％、ガムロジン１０ｗｔ％、ターピネオール３０ｗｔ
％を混合してニッケル薄膜形成材料を調製したものをス
クリーン（３２５メッシュ、ＳＵＳ製）を用いて印刷
し、室温で１０分間放置後、１２０℃１０分間乾燥機中
で乾燥し、連続焼成炉にてピーク温度８００℃１０分間
大気中にて焼成してニッケル薄膜を形成した。そのニッ
ケル薄膜の厚みは０．２ミクロンで、ニッケル薄膜は酸
化していないものを得ることができた。
【００１３】
【実施例２】ホウケイ酸ガラス基板（３２×３２×厚さ
０．６３５ｍｍ）にナフテン酸ニッケル（Ｎｉ１５ｗｔ
％含む）４０ｗｔ％、ｍ−ニトロフェニルほう酸とジエ
タノールアミンとのエステル（Ｂ５ｗｔ％含む）２０ｗ
ｔ％、ロジン酸ビスマス（Ｂｉ１０ｗｔ％含む）５ｗｔ
％、エポキシ樹脂１５ｗｔ％、ブチルカルビトールアセ
テート５ｗｔ％、メンタノール１５ｗｔ％を混合してニ
ッケル薄膜形成材料を調製したものをスクリーン（３０
０メッシュ、ＳＵＳ製）を用いて印刷し、室温で１０分
間放置後、１２０℃１０分間無風オーブン乾燥機中で乾
燥し、連続焼成炉にてピーク温度７５０℃１０分間大気
中にて焼成してニッケル薄膜を形成した。そのニッケル
薄膜の厚みは０．２５ミクロンで、ニッケル薄膜は酸化
していないものを得ることができた。
０．６３５ｍｍ）にナフテン酸ニッケル（Ｎｉ１５ｗｔ
％含む）４０ｗｔ％、ｍ−ニトロフェニルほう酸とジエ
タノールアミンとのエステル（Ｂ５ｗｔ％含む）２０ｗ
ｔ％、ロジン酸ビスマス（Ｂｉ１０ｗｔ％含む）５ｗｔ
％、エポキシ樹脂１５ｗｔ％、ブチルカルビトールアセ
テート５ｗｔ％、メンタノール１５ｗｔ％を混合してニ
ッケル薄膜形成材料を調製したものをスクリーン（３０
０メッシュ、ＳＵＳ製）を用いて印刷し、室温で１０分
間放置後、１２０℃１０分間無風オーブン乾燥機中で乾
燥し、連続焼成炉にてピーク温度７５０℃１０分間大気
中にて焼成してニッケル薄膜を形成した。そのニッケル
薄膜の厚みは０．２５ミクロンで、ニッケル薄膜は酸化
していないものを得ることができた。
【００１４】上記、実施例１で得たニッケル薄膜のシー
ト抵抗値は０．５〜０．７オーム／□で、実施例２で得
たニッケル薄膜のシート抵抗値は０．９〜２．０オーム
／□であった。また、実施例２で得たニッケル薄膜の密
着性をピールテストで試験したところ１０回行っても剥
がれることはなかった。
ト抵抗値は０．５〜０．７オーム／□で、実施例２で得
たニッケル薄膜のシート抵抗値は０．９〜２．０オーム
／□であった。また、実施例２で得たニッケル薄膜の密
着性をピールテストで試験したところ１０回行っても剥
がれることはなかった。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から明らかのように、本発明
のニッケル薄膜形成材料は従来の厚膜ペーストでは得ら
れなかった１ミクロン以下の薄膜を形成させることがで
き、しかも大気中で塗布、乾燥、焼成するという簡便な
方法でニッケル薄膜が酸化することがないという画期的
なものといえる。
のニッケル薄膜形成材料は従来の厚膜ペーストでは得ら
れなかった１ミクロン以下の薄膜を形成させることがで
き、しかも大気中で塗布、乾燥、焼成するという簡便な
方法でニッケル薄膜が酸化することがないという画期的
なものといえる。
Claims (4)
- 【請求項１】 ニッケル化合物とほう素化合物と有機樹
脂と有機溶媒から成るニッケル薄膜形成材料。 - 【請求項２】 前記ニッケル化合物がナフテン酸、アビ
エチン酸、ステアリン酸、ネオデカン酸、デカン酸、オ
クタン酸の有機酸塩あるいはアセチルアセトンのニッケ
ル錯体の何れか１種以上である請求項１に記載のニッケ
ル薄膜形成材料。 - 【請求項３】 前記ほう素化合物がメンチルボレート、
シクロヘキサノールボレート、フェノールボレート、フ
ェニルほう酸、フェニルほう酸とジエタノールアミンと
のエステル、パラ−トリルほう酸とジエタノールアミン
とのエステル、パラ−メトキシフェニルほう酸とジエタ
ノールアミンとのエステル、パラ−ブロムフェニルほう
酸とジエタノールアミンとのエステル、メタ−ニトロフ
ェニルほう酸とジエタノールアミンとのエステルから選
ばれた１種以上である請求項１または２に記載のニッケ
ル薄膜形成材料。 - 【請求項４】 前記ほう素化合物が１０〜３０ｗｔ％含
有している請求項１から３のいずれかに記載のニッケル
薄膜形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25305091A JPH0565656A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | ニツケル薄膜形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25305091A JPH0565656A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | ニツケル薄膜形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0565656A true JPH0565656A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=17245789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25305091A Pending JPH0565656A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | ニツケル薄膜形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0565656A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340102A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sakata Corp | ニッケル化合物含有溶液、その製造方法、およびそれを用いたニッケル金属薄膜形成法 |
| WO2005117029A1 (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sakata Inx Corp. | ニッケル化合物含有溶液、その製造方法、およびそれを用いたニッケル金属薄膜形成法 |
| JP2018066060A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-26 | 上村工業株式会社 | 無電解ニッケルめっき浴 |
| JP2019183055A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 日油株式会社 | 焼成用材料 |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP25305091A patent/JPH0565656A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340102A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sakata Corp | ニッケル化合物含有溶液、その製造方法、およびそれを用いたニッケル金属薄膜形成法 |
| WO2005117029A1 (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sakata Inx Corp. | ニッケル化合物含有溶液、その製造方法、およびそれを用いたニッケル金属薄膜形成法 |
| JP4597582B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-12-15 | サカタインクス株式会社 | ニッケル化合物含有溶液、その製造方法、およびそれを用いたニッケル金属薄膜形成法 |
| JP2018066060A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-26 | 上村工業株式会社 | 無電解ニッケルめっき浴 |
| JP2019183055A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 日油株式会社 | 焼成用材料 |
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