JP2018066060A - 無電解ニッケルめっき浴 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の無電解ニッケルめっき浴は、還元剤及びニトロ基を1以上含有するニトロ基含有芳香族化合物を含むことを特徴とする。
【選択図】なし
Description
上記ニトロ基含有芳香族化合物は、ニトロ基を1個以上含んでいればよい。すなわち、芳香族化合物に含まれるニトロ基は1個であっても、複数であってもよい。上記ニトロ基含有芳香族化合物は、ニトロ基を1〜3個含むことが好ましく、取扱い性の観点から、ニトロ基が1〜2個であることがより好ましく、ニトロ基が1個であることがさらに好ましい。
還元剤の種類は特に限定されず、公知の無電解ニッケルめっき浴において通常用いられる各種還元剤を使用することができる。このような還元剤として、例えば、次亜リン酸塩、ホウ素化合物などが挙げられる。上記次亜リン酸塩としては、例えば次亜リン酸ナトリウム(次亜リン酸ソーダ)、次亜リン酸カリウム等が挙げられる。また、上記ホウ素化合物としては、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等の水素化ホウ素化合物;ジメチルアミンボラン(DMAB)、トリメチルアミンボラン、トリエチルアミンボラン等のアミンボラン化合物等が挙げられる。
水溶性ニッケル塩としては、めっき液に可溶であって、所定濃度の水溶液が得られるものであれば特に限定されない。このような水溶性ニッケル塩の例として、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、次亜リン酸ニッケル等の無機水溶性ニッケル塩;酢酸ニッケル、リンゴ酸ニッケル等の有機水溶性ニッケル塩等が挙げられる。これらの水溶性ニッケル塩は、単独で用いても良く、二種以上を混合して用いることもできる。
錯化剤は、水溶性ニッケル塩などのニッケル化合物の沈殿を防止すると共に、ニッケルの析出反応を適度な速度とするために有効である。本発明では、公知の無電解ニッケルめっき液において通常用いられている各種錯化剤を用いることができる。このような錯化剤の具体例としては、例えば、グリコール酸、乳酸、グルコン酸、プロピオン酸等のモノカルボン酸;リンゴ酸、コハク酸、酒石酸、マロン酸、シュウ酸、アジピン酸等のジカルボン酸;グリシン、グルタミン酸、アスパラギン酸、アラニン等のアミノカルボン酸;エチレンジアミン四酢酸、バーセノール(N−ヒドロキシエチルエチレンジアミン−N,N’,N’−三酢酸)、クォードロール(N,N,N’,N’−テトラヒドロキシエチルエチレンジアミン)等のエチレンジアミン誘導体;1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸等のホスホン酸;およびこれらの可溶性塩等を挙げることができる。これらの錯化剤は、単独で用いても良いし、二種以上を混合して用いることもできる。
本発明の無電解ニッケルめっき浴は、必要に応じて、公知の安定剤を更に含有することができる。本発明では無電解ニッケルめっき浴中に安定剤を添加しなくてもパターン外析出を抑制できるが、安定剤を添加した場合であってもニッケルスキップやパターン外析出を抑制できる。上記安定剤としては、特許文献1や特許文献2に記載の公知の安定剤を用いることができ、例えば酢酸鉛等のPb化合物、酢酸ビスマス等のBi化合物などの無機化合物;ブチンジオール等の有機化合物安定剤が挙げられる。これらの安定剤は、単独で用いても良いし、二種以上を混合して用いることもできる。
本発明の無電解ニッケルめっき浴は、必要に応じて、公知の硫黄含有化合物を更に含有することができる。上記硫黄含有化合物としては、例えば、チオジグリコール酸、チオグリコール酸、チオ硫酸ソーダ、亜硫酸ソーダ等が挙げられる。これらの硫黄含有化合物は、単独で用いても良いし、二種以上を混合して用いることもできる。
皮膜におけるリンの濃度により、低リン(皮膜におけるリンの濃度:1.5〜3.0%)、中リン(皮膜におけるリンの濃度:6.0〜7.5%)、中高リン(皮膜におけるリンの濃度:8.0〜9.5%)、高リン(皮膜におけるリンの濃度:10.5〜12.0%)の4種類に分けることができる。そして、高リンの皮膜とするためのめっき浴には、硫黄は含有されていないが、低リン、中リン、中高リンの皮膜とするためのめっき浴には、硫黄が含有されていることが多い。本発明では、無電解ニッケルめっき浴中の硫黄含有化合物の有無にかかわらず、ニッケルスキップやパターン外析出を抑制できる。すなわち、皮膜におけるリンの濃度にかかわらず、ニッケルスキップやパターン外析出を抑制できる。
本発明に係る無電解ニッケルめっき浴のpHは4.0〜9.0程度とするのが好ましく、4.0〜6.5とすることがより好ましい。pHを上記範囲とすることで、還元剤による還元反応が効率的に起こるようにして、還元剤の分解等が起こることを防止し、また、めっき析出性の低下、めっき浴の分解等を防止することができる。また、pHを上記範囲とすることで、還元剤の還元電位が高すぎることでめっき浴の安定性が低下してしまうのを防止することができる。上記pHに調整するためのpH調整剤としては、アンモニア水、水酸化ナトリウム等のアルカリ;硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の酸;などを用いることができる。
本発明の無電解ニッケルめっき浴は、必要に応じて、無電解ニッケルめっき液に配合されている公知の各種添加剤を更に含有することができる。添加剤としては、例えば、反応促進剤、光沢剤、界面活性剤、機能付与剤等が挙げられる。これらの種類は特に限定されず、通常用いられるものを採用することができる。
まず、ポリイミド基板上に厚さ18μmの圧延銅箔を積層させてパターン形成を行った上村工業株式会社製上村テストパターン基板を用意した。上記パターン基板として、ラインとスペースとが交互に形成されたラインアンドスペースパターンを有しており、ラインLが20μm、スペースSが20μmである基板(以下、基板Aという)と、ラインLが40μm、スペースSが20μmである基板(以下、基板Bという)とを用意した。なお、ラインとはパターン幅(線幅)を表し、スペースとは隣り合うパターン同士の間隔(スリット幅)を表す。
水溶性ニッケル塩として硫酸ニッケル、還元剤として次亜リン酸ナトリウム、並びに錯化剤としてマロン酸、乳酸、及びアジピン酸を含む混合液を用意し、この混合液に表2又は表3に記載の添加物を添加し、無電解ニッケルめっき浴とした。添加物とは、具体的には、実施例1〜39では、表2に記載のニトロ基含有芳香族化合物のことであり、比較例1〜8では、表3に記載のベンゼン環の一置換体のことであり、比較例9・10では表3に記載の硫黄含有化合物のことであり、比較例11〜13では表3に記載の金属成分である。なお、実施例1〜39で用いられるニトロ基含有芳香族化合物であるが、ニトロ基含有芳香族化合物(下記(I))中のR1、R2、R3、R4、及びR5については、表2に特段の記載がない限り、水素原子である。
3cm×3cmの銅張積層板に5μm以上の膜厚の皮膜を形成した。この皮膜中のリン濃度を蛍光X線分析装置であるリガク社製ZSX PrimusIVを用いて測定した。
上述した皮膜の形成方法によって、上記基板A及び上記基板Bにそれぞれ皮膜を形成したものを下記基準で目視で観察した。なお、図1(a)及び(b)は基板Aの表面に皮膜を形成した後の写真である。
good:スペースにはニッケルが析出していない(図1(a))
poor:スペースにニッケルが析出している(図1(b))
BGA(Ball Grid Array)基板を上述した各無電解ニッケルめっき浴に浸漬させ、BGA基板の表面に膜厚5μmの皮膜を形成した。この皮膜を25℃の60%硝酸を水で2倍に希釈した溶液に30秒浸漬させた後に、皮膜の変色の有無を目視で確認した。皮膜が黒色に変色した場合には「変色あり」と評価し、皮膜の変色が観察されない場合、「変色なし」(耐食性に優れる)と評価した。
SUS304を無電解ニッケルめっき浴に浸漬させ、SUS304の表面に膜厚30μmの皮膜を形成した。この皮膜を50℃の硝酸に1時間浸漬して完全に溶解させ、溶解された皮膜が含まれた硝酸について、ICP発光分析装置である堀場製作所社製Ultima2を用いて皮膜中に含まれる金属の有無や種類を測定した。
Claims (3)
- 還元剤及びニトロ基を1以上含有するニトロ基含有芳香族化合物を含むことを特徴とする無電解ニッケルめっき浴。
- 上記ニトロ基含有芳香族化合物は、ニトロ基以外の置換基を有してもよいベンゼン、ニトロ基以外の置換基を有してもよいナフタレン、及びそれらのアルカリ金属塩よりなる群から選ばれる少なくとも一つであり、
上記置換基は、カルボキシル基、水酸基、ハロゲン原子、スルホン酸基、エステル基、アルコキシ基、及びアミノ基よりなる群から選ばれる少なくとも一つである請求項1に記載の無電解ニッケルめっき浴。 - 請求項1又は2に記載の無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を浸漬して、無電解ニッケルめっき皮膜を上記被めっき物の表面に形成させることを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4943172B1 (ja) * | 1969-05-22 | 1974-11-19 | ||
JPH0565656A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | ニツケル薄膜形成材料 |
JP2009509050A (ja) * | 2005-09-20 | 2009-03-05 | エントン インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス応用における無電解堆積の欠陥及びプロセス制御 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3175527B2 (ja) | 1995-03-30 | 2001-06-11 | 上村工業株式会社 | 無電解ニッケルめっき液及びめっき方法 |
JP2000129470A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-09 | Meltex Inc | パラジウムまたはパラジウム合金の剥離液 |
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JP5513784B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2014-06-04 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 硬質金系めっき液 |
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Patent Citations (3)
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JPS4943172B1 (ja) * | 1969-05-22 | 1974-11-19 | ||
JPH0565656A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | ニツケル薄膜形成材料 |
JP2009509050A (ja) * | 2005-09-20 | 2009-03-05 | エントン インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス応用における無電解堆積の欠陥及びプロセス制御 |
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