JPH021101A - 薄膜抵抗体形成用インキおよびそれを用いた薄膜抵抗体の製造法 - Google Patents

薄膜抵抗体形成用インキおよびそれを用いた薄膜抵抗体の製造法

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Publication number
JPH021101A
JPH021101A JP63142102A JP14210288A JPH021101A JP H021101 A JPH021101 A JP H021101A JP 63142102 A JP63142102 A JP 63142102A JP 14210288 A JP14210288 A JP 14210288A JP H021101 A JPH021101 A JP H021101A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ruthenium
film resistor
ink
thin
compound
Prior art date
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Pending
Application number
JP63142102A
Other languages
English (en)
Inventor
Chiharu Hayashi
千春 林
Kazuyuki Okano
和之 岡野
Munehiro Tabata
宗弘 田端
Yasuto Isozaki
磯崎 康人
Hiroshi Hasegawa
洋 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPH021101A publication Critical patent/JPH021101A/ja
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  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ルテニウム化合物を含有するインキ基板上に
パターン形成した後、これを焼成して薄膜抵抗体を得る
ことのできる薄膜抵抗体形成用インキおよびこのインキ
を用いた薄膜抵抗体の製造法に関するものであり、各種
電子機器において利用されるものである。
従来の技術 各種抵抗器、感熱式プリンターヘッド等は、基板上に発
熱体や抵抗体を形成することにより構成されている。こ
れらの抵抗体の形成方法としては真空蒸着法、スパッタ
リング法、cvn法、スプレー法、厚膜印刷法、熱分解
法などがあるが、製造設備の高価さ、製造工程の繁雑さ
、量産性、膜の特性などの点から熱分解法は非常に有効
な製造方法である。
すなわちスクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷。
平版印刷、オフセット印刷等各種印刷工法が採用できる
熱分解法では、製造設備費の面で真空系を用いる方法に
比べて有利であるばかりでなく、抵抗体を形成するだめ
の化合物を含有するインキを基板上にパターン形成でき
るため、他法によるような二ノチング工程が不要である
。さらに焼成によって製造できるため連続的な量産ライ
ンによる製造が可能であり量産性に富むという利点があ
る。
特に構造中にルテニウムを含有する化合物、金属化合物
、ロジン、及びこれらを溶解させるための溶剤を主たる
構成要素とするインキを基板上にパターン形成後、焼成
することにより特性、量産性の優れた薄膜抵抗体が得ら
れることが見い出されている。
発明が解決しようとする課題 このようなロジンを増粘剤として調製したルテニウム化
合物含有インキを基板上にパターン形成後、熱分解、焼
成して薄膜抵抗体が得られることはすでに特許出願され
ているが、この場合ロジン自身の品質が安定性に欠ける
という問題が生じていた。つまり、ロジンは多成分から
成る物質であり、その成分比が原産地、採取時期によっ
て異な□るために常に同品質のものが安定に供給されな
い。
又、上記インキを用いた膜面の加熱によるインキのパタ
ーンぐずが生じやすく、2本/肩肩の精度が限界である
それ故に、本発明の目的は上記の欠点を解決し、常に一
定の品質で、より高精度のパターン形成が可能でかつ電
気的特性の良好な薄膜抵抗体形成用インキを提供しよう
とするものである。
課題を解決するための手段 この目的を達成するだめの手段として本発明の薄膜抵抗
体形成用インキは構造中にルテニウムを含有する化合物
、及び必要によっては金属化合物。
アビエチン酸、及びこれらを溶解させるための溶剤を主
たる構成要素として含むことを特徴とする。
作用 上記インキを用いることにより印刷作業性が良好になり
、基板上により細密な薄膜抵抗体を容易かつ安定に形成
することができる。
実施例 以下、本発明の概要について説明する。
本発明に使用される構造中にルテニウムを含む化合物と
しては多くのものが知られており、使用目的に応じて任
意に選ぶことができる。例を挙げれば、塩化ルテニウム
等無機化合物、酢酸ルテニウム、ナフテン酸ルテニウム
等各種カルボン酸塩。
アセチルアセトナート、クラウンエーテル、チオクラウ
ンエーテル、又はサイクラム錯体等の各種ルテニウム錯
体、各種ルテニウムアルコキシド。
ルテニウム−炭素結合を有する有機ルテニウム化合物等
がある。
上記ルテニウム以外にも抵抗温度係数や抵抗値調整のた
めに使用される各種金属についても各々、上記ルテニウ
ム化合物に対応する金属化合物が多く知られている。こ
れらの金属を列挙すれば、Ae、Si、に、Ca、Sc
、Ti、V、Or、Mn、Fa、Go、N4゜Cu、Z
n、Ca、Go、Rb、Sr、Y、Zr、Wb、Mo、
Tc。
Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、To、O
s、Ba、Hf。
Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、ムu 、 Pb 
、 Bi等がある。
溶剤はアビエチン酸、ルテニウム化合物、及び金属化合
物を相溶させるものが使用できる。すなわち、溶剤とし
ては脂肪族、芳香族炭化水素、ケトン類、エステル類、
アルコール類等公知の溶剤の中から1種まだは2種以上
を用いられる。
本発明における酸化ルテニウム系薄膜抵抗体用塗布液の
増粘剤であるアビエチン酸の量はインキ全重量に対し1
〜90%まで含有させることができる。すなわち、アビ
エチン酸の示は所望の塗布工法に適した粘度になるよう
に適宜選択することは当然のことである。
上記上たる構成要素以外に、印刷性改良等の目的で消泡
剤、その他の添加物を添加することができる。
薄膜抵抗体の形成方法は前記塗布液を基板上に各種印刷
手法まだは塗布法により塗布し、260°C以上で焼成
するものである。
このようにアビエチン酸を使用することにより印刷性が
改良される理由として、ロジン中に含まれる残留溶媒、
低融点不純物、及び天然の不純物が無いためであると推
定される。
以下、具体的な実施例について説明する。
(実施例1〜10) 以下に示す組成(但し、数値は全て重量パーセントで示
す。)で各インキを調製し、アルカリ洗剤で洗浄、純水
ですすぎを行なった基板(市販ソーダ石灰ガラス板、厚
さ1.1朋)にインキでスクリーン印刷を行なった。こ
こでスクリーン版として250メツシユのポリエステル
ネットで乳剤厚が10μのものを用いた。このようにし
て印刷したガラスを常温〜160’Cで10〜30分間
乾燥後、これらを大気中で550°Cにて3o分間加熱
して薄膜抵抗体を形成した。
このようにして得られた薄膜抵抗体は印刷回数に依らず
6本/ mwのラインパターンを形成することが可能で
あった。
(実施例11〜12) 実施例1〜10において印刷工法をスクリーン印刷に代
えて凸版オフセット印刷を使用した場合も同様に6本/
朋のラインパターン印刷が可能であった。
(比較例1〜3) 比較のために実施例1〜10において増粘剤成分をアビ
エチン酸に代えてロジンを用いた場合、印刷精度は2本
/顛が限界であ−た。
(比較例4〜6) 実施例11〜12において増粘剤をアビエチン酸に代え
てロジンで行なった場合も印刷精度2本/肩肩が限界で
あった。
である。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名発明
の効果

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)構造中にルテニウムを含有する化合物,アビエチ
    ン酸、及びこれらを溶解させるための溶剤を主たる構成
    要素として含有することを特徴とする薄膜抵抗体形成用
    インキ。
  2. (2)構造中にルテニウムを含有する化合物,金属化合
    物、アビエチン酸、及びこれらを溶解させるための溶剤
    を主たる構成要素として含有することを特徴とする薄膜
    抵抗体形成用インキ。
  3. (3)構造中にルテニウムを含有する化合物,アビエチ
    ン酸、及びこれらを溶解させるための溶剤を主たる構成
    要素として含むインキを基板上に塗布,乾燥する工程と
    上記基板を加熱,焼成する工程とからなることを特徴と
    する薄膜抵抗体の製造法。
  4. (4)構造中にルテニウムを含有する化合物,金属化合
    物,アビエチン酸、及びこれらを溶解させるための溶剤
    を主たる構成要素として含むインキを基板上に塗布,乾
    燥する工程と上記基板を加熱,焼成する工程とからなる
    ことを特徴とする薄膜抵抗体の製造法。
JP63142102A 1988-06-09 1988-06-09 薄膜抵抗体形成用インキおよびそれを用いた薄膜抵抗体の製造法 Pending JPH021101A (ja)

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JP63142102A JPH021101A (ja) 1988-06-09 1988-06-09 薄膜抵抗体形成用インキおよびそれを用いた薄膜抵抗体の製造法

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JPH021101A true JPH021101A (ja) 1990-01-05

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JP63142102A Pending JPH021101A (ja) 1988-06-09 1988-06-09 薄膜抵抗体形成用インキおよびそれを用いた薄膜抵抗体の製造法

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JP (1) JPH021101A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5131161A (en) * 1991-02-19 1992-07-21 Connell Limited Partnership Guide post and master cylinder squareness gage
US5133135A (en) * 1990-12-28 1992-07-28 Susan M. Durfee Angle gauge
US5207007A (en) * 1991-11-25 1993-05-04 Cucinotta Anthony J Set-up tool

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5133135A (en) * 1990-12-28 1992-07-28 Susan M. Durfee Angle gauge
US5131161A (en) * 1991-02-19 1992-07-21 Connell Limited Partnership Guide post and master cylinder squareness gage
US5207007A (en) * 1991-11-25 1993-05-04 Cucinotta Anthony J Set-up tool

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