JPH043901A - 酸化ルテニウム系薄膜抵抗体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は各種電子機器に利用される酸化ルテニウム系薄
膜抵抗体及びその製造方法に関するものである。

従来の技術 各種電子機器において酸化ルテニウム系抵抗体（はハイ
ブリッドＩＣ、サーマルヘッド、チップ”抵抗、センサ
ー等に広く使われている。この酸化ルテニウム抵抗体は
一般に酸化ルテニウムを主成分とする粉末をガラスフリ
ット等の無機バインダー中に分散させた厚膜である。こ
の上うな厚膜抵抗体は印刷・焼成プロセスにより安価に
製造できるが、薄膜に比べ特性のバラツキが大きく、耐
電力性、Ｓ／Ｎ比等の性能面で劣っている。

発明が解決しようとする課題 一方、酸化ルテニウム系の薄膜を抵抗体として用いよう
とする場合＝　ＲｕＯ２薄摸は抵抗率が１〜５×１ｏ　
Ω・ｍと小さいため抵抗体として利用するには何等かの
添加物を加えて抵抗率を増加させる必要がある。Ｒｕを
含む複合酸化物を結晶購造で分類すると第１表のように
なる。

第１表 本発明者らは２元系について検討し、このような複合酸
化物を形成する元素を添加した場合、異常粒成長やＲｕ
Ｏ２の気化が起こり、均一で連続的な膜にならないこと
を見出だした。それゆえに、本発明の目的は上記酸化ル
テニウム系抵抗体の問題慨を解決した適度な抵抗値を持
ち均一で連続的な酸化ルテニウム系薄膜抵抗体を提供し
ようとするものである。

課題を解決するための手段 上記目的を達成するために１本発明（はルチル型構造の
酸化物を形成する元素とＲｕと０として構成した酸化ル
テニウム系薄膜抵抗体とするものである。

作用 上記構成とすることによりｅ密で適度な抵抗型を持ち均
一でありかつ連続的な酸化ルテニウム系薄膜抵抗体を提
供することができる。

実施例 以下、本発明の一実施例について第１図〜第７図の図面
を用いて説明する。

すなわち以下の実施例ｊはルチル型構造の酸化物を形成
する元素とＲｕ（！：Ｏからなる酸化ルテニウム系薄膜
抵抗体あるいはそれを備えたハイブリッドＩＣ，サーマ
ルヘッドに関するものである。実施例１〜実施例３にお
いては有機金・萬を塗布・焼成して薄膜を形成する方法
であるＭ　ＯＤ　（Ｍｅｔａｌｌ。

Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）　　法を用
いて作戎した薄膜抵抗体について、実施例４においては
ＰＶＤ法を用いて作戎した薄膜抵抗体について説明する
。

（実施例１） ２エチルヘキサン酸Ｒｕと２エチルヘキサン酸Ｔｉをケ
トン系溶媒に溶かして作成した塗布液を石英基板及びア
ルミナ上にガラスグレーズ層を形成したいわゆるグレー
ズドアルミナ基板上に塗布し。

６ｏＯ〜９００℃で焼成する。ガラスグレーズの成分１
ｄＳｉ、Ａｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｂ、Ｏから成り、軟化点は
約７４０℃である。

２エチルヘキサン酸Ｔｉを４０　ｍｏ１％加、ｔたａ缶
液で作成した膜の焼成温度によるシート抵抗値の変化を
第１図に示す。焼成温度が５００，６００℃において１
はシート抵抗値の変化はあまシなく、基板による差も出
ていないが、焼成温度が７００℃以上になるとシート抵
抗値が増加し１はじめ１石英基板上に形成した膜はグレ
ーズドアルミナ基板上に形成した膜に比べ増加の割合が
大きい。膜断面の８８Ｍ写真から求めた膜厚は約１５０
０人である。なお、ＭＯＤ法により形成した酸化ルテニ
ウム系薄膜抵抗体の模厚ば、塗布回数１回の場合、２ｏ
○〜２０００人の範囲で制御できる。

グレーズドアルミナ基板１五英基板の場合各々の焼成温
度によるｘＲＤパターンの変化を調べるとそれぞれ第２
図（ａｌ　、　（ｂ）　７：ｌように６００．６００℃
においてはルチル型を示す単一相のピークしか現れてい
ない。６００℃で焼成した膜の格子定数を計算すると第
２表のようになり、ムＳＴＭカー第２表 本で示したデータはムＳＴＭより抜粋 ドから抜粋したＲｕＯ２（ルチル型構造）とで１０２（
ルチル型構造）の格子定数に中間の値になる。

結晶構造が同じならば固溶する原子の割合に比例して格
子定数が変化するというＶｅｇａｒｄ　（ベガード）の
法則が成立すると仮定し１組成を逆算すると第２表の（
）内のようにＴｉの組成比、４Ｒｕに対して約３４ａｔ
％となることから、焼成温度６００℃以下では固溶体が
形成されていると考えられる。

焼成温度が７００　℃以上になると、グレーズドアルミ
ナ基板上に形成した膜のＸＲＤパターンには現れていな
いが、石英基板上に形成した膜のＸＲＤパターンには第
２図（１））のように相分離を示唆するピークの分裂が
現れている。このうちもつともばっｌ）とピークの分裂
が現れている（１０１）面の回折ピークを拡大すると第
２図（ｄ）のようになシ、石英基板上に形成した膜では
７００℃以上において相分離が起こっている様子がよく
わかる。

用いる基板によシ抵抗直、膜構造に大きく差が出る焼成
温度ＳＯＯ℃で焼成した膜とほとんど差の無いａｏｏ’
ｃで焼成した膜のデプスプロファイルをムＩＣ８で調べ
ると、第３図（ＩＬ）〜（ｄ）のようになる。ここで第
３図（＆）　、　（Ｃ）はグレーズドアルミナ基板の場
き、第３図１１）ｌ　、　（ｄ）は石英基板の場合であ
る。

５００℃ではほとんど差がないが、ｓｏｏ’ｃにおいて
はガラスグレーズ成分、特にＣａが模表面まで拡散して
いるのに比べ石英基板では膜内部にはあまシ拡赦してい
ない。膜の表面状態をＳＩＣＭで観察してもｓｏｏ’ｔ
：ではほとんど差がないが、ＳＯＯ℃においてはグレー
ズドアルミナ基板上に形成した膜は池の基板上に形成し
た膜に比べあまり粒成長していなかった。拡散の程度に
よるのか成分によるのかは明らかでないが、ガラスグレ
ーズ成分の拡散は相分離及び粒成長を抑制する効果があ
り、その結果焼成温度による抵抗値変化も小さくなると
考えられる。

また２エチルヘキサン酸Ｔ１の濃度を０〜１００ｍｏ１
％変化させて同様の実験を行ったところ、焼成温度によ
る抵抗値の増加はＴｉ　４ｏ　ｍｏ１％の場合と同じく
、相分離の程度と良く一致しており、相分離が抵抗値増
加の主な原因であると考えられる。

また、固溶体はＴｉ　ｓ　□　ｍｏ１％以下、焼成温度
６００℃以下で形成されていた。

また、石英基板の場合の焼成温度６００　℃における組
成と抵抗値の関係は第４図のようになり、Ｔ１組戎■増
加にともない抵抗値も増加する。

以上のことから組成、膜厚及び焼成温度により抵抗値を
制御でき、グレーズドアルミナ基板を用いれば焼成温度
による抵抗値変化を小さくすることができるといえる。

なお、２エチルヘキサン酸Ｔ１の代わりに第１表にある
複合酸化物を形成するような金属元素（Ｂａ。

Ｓｒ　、　Ｃｔｈ　、　Ｐｂ　、　Ｔｌ　、　Ｂｉ　）
を構造中に有する有機物１例えばカルボン酸塩を添加し
た場合、４００〜７００℃で異常粒成長あるいはＲｕＯ
２の気化が起こシ、膜の均−姓が失われ、抵抗値が極端
に増加しバラツキも大きくなる。Ｂｕ０２単独の場合で
も７００　℃以上の焼成温度では気化が起こり、同様に
均質性が失われる。しかし本実施例による酸化ルテニウ
ム系薄膜抵抗体は固溶体であるため原子レベルでＲｕと
で１が混合してお９、均−姓は雁めて良い。また、相分
離が起こっても異常粒成長は起こらず、緻密な構造：は
そのままである。

１０００人程度０レベルで相分離しているので膜の均一
性は失われていない。すなわち、ＲｕＯ２とＴｌＯ２は
ともにルチル型の結晶構造を持ちイオン半径も同程度で
あるためこのように固溶体を形成しやすいと考えられ、
これが膜の気化や粒成長が起こらず緻密な構造が保たれ
ている原因と考えられる。

Ｒｕ　−Ｔｉ　−０薄模に関する文献は存在するが、そ
れらは塩化物の熱分解によるもので、クラック等が多く
ポーラスであるため膜質が悪く、本発明のように構造中
にＲｕを含む有機金属を用いた先行例はない（例えばＶ
、　Ｍ、　Ｌｅｖｅｄｅｖ　ｅｔ　ａｌ、、　Ｒｕ５ｓ
　。

Ｊ、Ｉｎｏｒｇ＋Ｃｈｅｍ、　２１．１３ａｏ（１９７
ｓ）　）。本発明者等もＲｕＣ１５のエタノール溶液を
用いてＲｕＱ　２薄膜を作成したことがあるが、ポーラ
スになりやす（ＲｕＣｌ３が完全には分解しないため、
良好な膜質が得られない。例えば２エチルヘキサン酸Ｒ
ｕから作成したＲｕＯ２薄膜の抵抗率はｔ２Ｘ１０−’
Ω・ｍで、ＲｕＧＬ５のエタノール溶液から作成したＲ
ｕＯ２薄漠の抵抗率は２．３ＸｆｆＯΩ・ｍである。

また、前述したような相分離やガラス成分の拡散がそれ
に与える影響を記述した先行文献は存在しない。

以上の実施例においては有機金属として２エチルヘキブ
ン酸塩を用いているが、構造中にＲｕを有する有機物と
してナフテン酸Ｒｕ等の池のカルボン酸塩またはアルコ
キシド、構造中にＴ１を有する有機物としてナフテン酸
で１等の池のカルボン酸塩、チタン酸テトラｎブチル、
チタンテトライソフ”ロポキシドなどのアルコキシドま
たはチタニウム（ｆｆ）オキシアセチルアセトナート等
を用いても同様の結果が得られる。

また、グレーズドアルミナ基板の代わシにソーダライム
シリケートガラスを用いてもガラス成分の拡散によシ相
分離は起こらないことから、７００〜ａｏｏ’ｃでガラ
ス成分が拡散してくるような基板を用いれば相分離を押
さえることができるといえる。

（実施例２） ２エチルヘキサン酸Ｒｕと２エチルヘキサン酸Ｓｎ　を
ケトン系溶媒に溶かして作成した塗布液を石英基板、実
施例１で用いｔのと同じグレーズドアルミナ基板上に塗
布し、６００〜ｓｏｏ’ｃで焼成する。

２エチルヘキサン酸Ｓｎをａ　□　ｍｏ１％加えた塗布
液で作成した膜の焼成温度によるシート抵抗値の変化を
第６図に示す。焼成温度が６００，６００℃においては
シート抵抗値の変化はあまりなく。

基板による差も出ていないが、焼成温度が７００℃以上
になるとシート抵抗値が増加しくはじめ、石英基板上に
形成した膜はグレーズドアルミナ基板上に形成した膜に
比べ増加の割合が大きい。膜断面の３１Ｍ写真から求め
た膜厚は約１６００人である。

焼成温度によるＸＲＤパターンの変化を調べると第３図
（ＩＬ）　〜（ｄ）に示すＲｕ　−Ｔｉ　−０系の場合
と同４５　Ｑ　Ｑ℃、６００℃においては固溶体を形成
しており、焼成温度が７ｏｏ℃以上になると石英基板上
に形成した膜のＸＲＤパターンには相分離を示唆するピ
ークの分装が現れる。基板により抵抗値、膜構造に大き
く差が出る焼成温度８００℃で焼成した嘆とほとんど差
の無い６ｏ○℃で焼成した膜のデフ”スブロファイルを
ムＥＳで調べると、６ｏｏ℃で：はほとんど差がないが
、８００℃においてはガラスグレーズ成分、特にＣａが
膜表面まで拡散しているのに比べ石英基板では膜内部に
はあまり拡散していなかった。膜の表面状態ＳＫＭで観
察しても５００℃ではほとんど差がないが、ｓｏｏ’ｃ
においてはグレーズドアルミナ基板上に形成した膜は池
の基板上に形成した膜に比べあまシ粒成長していなかっ
た。Ｒｕ　−Ｓｎ　−０系においても、ガラスグレーズ
成分の拡散は相分離及び粒成長を抑制する効果があり、
その結果焼成温度による抵抗値変化も小さくなると考え
られる。

また２エチルヘキサン酸Ｓｎのｓｔ’ｔｏ〜１００ｍｏ
１％変化させて同様の実検を行ったところ、焼成温度に
よる抵抗値の増加はＳｎ　ａ　□　ｍｏ１％の場合と同
じく、相分離の程度と良く一致しておシ、相分離が抵抗
値増加の王な原因であると考えられる。

また、固溶体はＳｎ　６０　ｍｏ１％以下、焼成温度６
００℃以下で形成されていた。

また、石英基板の場合の焼成温度ｓ　ｏ　ｏ　’ｃにお
ける組成と抵抗値の・関係は第６図のようになり。

Ｓｎ組成の増加にともない抵抗値も増加する。

以上のことがら組成及び焼成温度により抵抗値を制御で
き、ガラス基板を用いれば焼成温度による抵抗値変化を
小さくすることができるといえる。

第１図と第６図を比べれば分かるようにＲｕ　−３ｎ　
−０系はＲｕ　−Ｔｉ　−０系に比べ焼成温度による抵
抗値の増加が、特にグレーズドアルミナ基板において小
さい。これは相分離した５ｎ０２の抵抗率がＴｌＯ２に
比べて小さいことと、Ｓｎがいわゆるガラスマトリクス
元素であることによると考えられる。実際、ＭＯＤ法に
よｐ　５ｎ０２薄膜とＴｉＯ２薄膜を作成すると、Ｔｉ
Ｏ２薄ａは絶縁体となるがＳｎＯ２薄膜ま１ｏ　Ω・ｍ
程度の導電性を示す。すなわちＲｕ　−Ｓｎ　−０系の
ほうが高温プロセスに対する安定性はすぐれている。し
かし、Ｒｕ−５ｎ−０系も固溶体であるため原子レベル
でＲｕとＳｎが混合しており、均一性は極めて良い。ま
た、相分離が居こっても異常粒成長は起こらず、緻密な
構造はそのままである。１０００人程０のレベルで相分
離しているので膜の均一性は失われていない。

さらに、Ｒｕ　−Ｔｉ　−Ｓｎ　−０とすることにより
抵抗値、抵抗温度係数、高温安定性に対して選択の範囲
が広がる。

このようにＳｎにもＴｉと同様ルチル型の安定な酸化・
、’ｓ　（５ｎ０２　）が存在する。よって、ルチル型
構造の酸化物を形成する元素がＲｕＯ２に対する添加物
として適当であると考えられる。

以上の実施例においては有機金属として２エチルヘキサ
ン酸塩を用いているが、構造中にＲｕを有する有機物と
してナフテン酸Ｒｕ等の也のカルボン酸塩またはアルコ
キシド、構造中にＳｎを有する有機物としてナフテン酸
Ｓｎ等の也のカルボンａ塩。

スズテトライン１０ポキシドなどのアルコキシド、テト
ラメチルスズまたは有機スズポリマー等を用いても同様
の結果が得られる。

また、グレーズドアルミナ基板の代わりにソーダライム
シリケートガラスを用いてもガラス成分の拡散により相
分離は起こらないことから、７００〜ＳＯＯ℃でガラス
成分が拡散してくるような基板を用いれば相分離を押さ
えることができるといえる。

（実施例３） 本実施例においては、前記の実施例の酸化ルテニウム系
薄膜抵抗体を用いたサーマルヘッドについて以下に説明
する。

第７図は本実施例により作成したサーマルヘッドの発熱
体近傍の斜視図を示す。図において１はアルミナ基板、
２はグレーズ層、３ａ、３に＋は配線用導体膜であシ、
３ａは発熱体の一端を共通して接続する共通電極、３ｂ
は半導体素子と接続する個別電極である。４は本発明に
よる塗布液を印刷焼成して得られた抵抗体膜、６は耐摩
耗保護膜である。なお、グレーズ層１の材質は実施例１
のガラスグレーズ層と同一である。

次に抵抗体膜４について詳述する。２エチルヘキサン酸
Ｒｕと２工チルヘキサンｇ　Ｓｎ　ヲＲｕトＳｎが３：
２になるようにロジンとともにターピネオールに溶かし
てこれを印刷用抵抗ペーストとする。

この印判ペーストをグレーズ層２上に印刷し、７５０℃
、大気中で焼成する。抵抗膜４の焼成は抵抗体としての
熱的安定性や金レジネートを使って形成する金電極との
密着性を得るために７００〜８００℃で行う必要がある
。焼成した抵抗体膜４はシート抵抗値が１．ｏｓｋｊν
′口、膜厚がｅｏｏ人であった。

次に、金レジネート（エンゲルハルト社製）を全面に印
刷し、７ｓｏｔで焼成する。この後、フォトレジストを
塗市して所定のマスクで露光して不要部分をエツチング
除去することで図面に示すパターンを形成する（図面の
耐摩耗保護膜６のない部分）。さらに、紙と接触する部
分に硬質ガラスを主成分とする印刷ペーストを印制し、
８００℃で焼成して耐摩耗保護膜６を形成し、図面に示
すサーマルヘッドを作成した。なお、図面では説明の都
合上耐摩耗保護膜６を一部切シ欠いた図としている。

また、比較夕］として２エチルヘキすン酸ＢＩＬヲ２エ
チルヘキサン酸Ｓｎの代わりに加えて同様の抵抗値を持
つす−マルヘッドを作成する。

そして両者をパルス幅１ｍｓθＣ，パルス周期ＩＱｍｌ
ｉ８Ｃで連続パルス印加を行い耐久性を比較する。６Ｘ
Ｉ　Ｑ　１回ノ・ルスを印加した際抵抗値変動１０％を
与える抵抗膜の単位面積当たりの電力（破＃′ｒ電力、
単位Ｗ／−）を比べると、Ｒｕ　−Ｂａ−〇系が４０　
Ｗ　／ｍＡ、Ｒｕ　−Ｓｎ　−０系が６４Ｗ／−となり
＝Ｓｎを添加することにより大きく向上した。また、ヘ
ッド内の抵抗値バラツキもＲｕ−Ｂａ−０系が±１６％
以内、Ｒｕ　−Ｓｎ−〇系が±３％以内となり、本実施
例によるサーマルヘッドのほうが優れていた。これは緻
密で均一な構造をＲｕ　−Ｓｎ　−０系の抵抗体膜が有
しているためと考えられる。以上のことから印字画質も
ＲｕＳｎ　−０系の方が優れていることがわかる。

なお、２エチルヘキサン酸Ｔｉあるい１ｄチタン酸テト
ラｎブチルを用いることにより　Ｒｕ−８ｎ　−０系と
ほぼ同じ耐久性、抵抗値の均一性を持つサーマルヘッド
が試作できた。

以上のように本実施例のサーマルヘッドは印字画１　、
高速性、耐久性にすぐれ、真空装置を用いて作成された
池の薄膜型サーマルヘッドに比べてコストが安いという
特徴を持つ。

（実施例４） 本実施例においては、石英基板及び実施例１で用いたの
と同じグレーズドアルミナ基板上に、ＲｕＯ２とＴｌＯ
２の粉末を混合し焼結させたものをターゲットとして、
ＲＦスパッタによシ基板温度３００℃で膜を形成する。

形成した膜は全組成域において固溶体であり、実施例１
の場合と同様７００℃以上で熱処理を行うと石英基板上
に形成した膜では相分離が始まり、抵抗値の増加と相分
離の程度は良く一致する。全組成域で固溶体が形成され
る理由としては、模形成温度が３００℃と低いことと化
学反応の際の発熱が無いことが上げられる。

以下上記薄膜を用いたサーマルヘッドについて鷹明する
。

本実施例において作成したサーマルヘッドの構成は実施
例３のものと同様である。

ＴｌＯ２を４０　ｍ０１％含んだターゲットを用い、基
板温度３００℃でグレーズ層２上に４００人の膜厚の１
（ｕ−Ｔｉ−０薄摸を形成したところ、シート抵抗値１
，１５３（Ω／口であった。次に、金レジネート（エン
ゲルハルト社製）を全面に印刷し、７５０℃で焼成する
。この後、フォトレジストヲ塗布して所定のマスクで露
光して不要部分をエツチング除去することで第７図に示
すパターンを形成する（図面の耐摩耗保護膜６のない部
分）。さらに、紙と接触する部分に硬質ガラスを主成分
とする印刷ペーストを印刷し、ｓｏｏ’ｃで焼成して耐
摩耗保護膜６を形成し、図面に示すサーマルヘッドを作
成した。

以上のように膜の均一性がもっとも必要である抵抗体膜
４のみを真空装置を用いて作成し、電極及び膜厚が３〜
８μｍ必要であるため成膜に時間のかかる耐摩耗保護膜
６を印判・焼成プロセスで作成することによシ低コスト
で高品質のサーマルヘッドを作成できる。このような製
造方法がとれるのノは、本実施例による薄膜抵抗体が酸
化物であることと７００〜ｓｏｏ’ｃの焼成でも均一性
を失わないことによる。シリサイド（例えばＴａｘｉ工
）やカーバイド（例えばＴｉＧ／５ｉＯ２）の薄膜抵抗
体を用いた場合、酸化による変質が起こるためこのよう
な手法はとれない。

また比較例としてＴｉＯ２の代わυにＢａＯを加えて作
成したターゲットを用いて同様の抵抗値を持つサーマル
ヘッドを作成し、両者をパルス福１ｍ５ｅｃ。

パルス周期１ｏｍｓｅｃで連続パルス印加を行い耐久性
を比較した。６Ｘ１０’回パルスを印加した際、抵抗値
変動１０％を与える抵抗膜の単位面積当たりの電力（破
＠電力、単位Ｗ／−）を比べると、Ｒｕ　−Ｂａ　−０
系が４２　Ｗ　／ｆｆ、　Ｒｕ−Ｔｉ　−０系が６６Ｗ
／−となりＴｌＯ２を用いた本実施例は大きく向上して
いることがわかる。また、ヘッド内の抵抗値バラツキも
Ｒｕ　−Ｂａ　−０系が±１０％以内、Ｒｕ−Ｔｉ−０
系が±１％以内となり、本実施列によるサーマルヘッド
のほうが優れていた。これは緻密で均一な構造をＲｕ−
Ｔｉ−０系の抵抗体膜が有しているためと考えられる。

以上のことから印字画質もＲｕ　−Ｔｉ　−０系の方が
優れているといえる。

なお、ＴｉＯ２の代わシに５ｎ０２を加えて作成したタ
ーゲットを用いることによりＲｕ−Ｔｉ−０系とほぼ同
じ耐久性、抵抗値の均一性を持つサーマルヘッドが試作
できた。

以上のサーマルヘッドは印字画質、高速性、耐久性にす
ぐれ、真空装置のみを用いて作成された池の薄膜型サー
マルヘッドに比べてコストが安いという特徴を持つ。

電極、耐摩耗保護膜の作成に真空装置を用いても同等の
洗熊が得られるのは言うまでもない。その際、化学的に
安定な酸化物抵抗体を用いているため、耐電力性、耐環
境性にすぐれたサーマルヘッドが得られる。

発明の効果 以上のように本発明によれば適度な抵抗値を持ち緻密で
均一な酸化ルテニウム系薄膜抵抗体を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のＲｕ−Ｔｉ−０系薄膜抵抗
体の焼成温度によるシート抵抗ｆｉｉの変化を示した特
性図、第２図（ｉＬ）　〜（ｄ）　′ｆ！、同Ｒｕ−Ｔ
ｉ−０系の薄膜抵抗体の焼成温度によるＸＨＤパターン
の変化を示した特性図、第３図ｆａ）〜（ｄ）は同Ｒｕ
−Ｔｉ−〇系の薄膜抵抗体のデプスプロファイルを示し
た特性図、第４図は同Ｒｕ　−Ｔｉ　−０系の薄膜抵抗
体の組成によるシート抵抗値の変化を示した特性図、第
６図は本発明の池の実施例のＲｕ−３ｎ−０系の薄膜抵
抗体の焼成温度によるシート抵抗値の変化を示した特性
図、第６図は同Ｒｕ　−Ｓｎ　−０系の薄膜抵抗体の組
成によるシート抵抗値の変化を示した特性図、第７図は
本発明の一実施例を用いた？−マルヘッドの斜視図であ
る。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名第 図 ２θ （ｄａｙ） 焼成、ｊｌＬ廐（’ｃ） （ｄｅｇ　） （ｄｅｇ　） 第 図 第 図 又パッタリ〉ゲ縛間（分） スｌぐツタリ〉ゲ縛藺　（分） Ｔｉ組爪昆 （ｍｏｌつ６ン 第 図 第 図 スノでヮタールゲ的藺　（分） 焼成溝１’Ｌ（℃） 第 図 Ｓｈ組威ａ （ｍ１１％） 第 図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）ルチル型構造の酸化物を形成する元素とＲｕとＯ
   とを主成分として構成した酸化ルテニウム系薄膜抵抗体
   。
2. （２）ルチル型構造の酸化物を形成する元素としてＴｉ
   ，Ｓｎのうち少なくとも１種類の元素を用いた請求項１
   記載の酸化ルテニウム系薄膜抵抗体。
3. （３）ルチル型構造の酸化物を形成する元素とＲｕとＯ
   を有する有機物を含む塗布液を基板上に塗布し、焼成す
   ることを特徴とする請求項１記載の酸化ルテニウム系薄
   膜抵抗体の製造方法。
4. （４）少なくとも表面がガラス質である基板を用いた請
   求項３記載の酸化ルテニウム系薄膜抵抗体の製造方法。
5. （５）６００℃以上で熱処理することを特徴とする請求
   項３記載の酸化ルテニウム系薄膜抵抗体の製造方法。
6. （６）ルチル型構造の酸化物を形成する元素とＲｕとＯ
   からなるターゲットを用いて真空蒸着法，スパッタリン
   グ法等の物理的気相堆積法あるいは化学的気相堆積法に
   より基板上に形成する請求項１記載の酸化ルテニウム系
   薄膜抵抗体の製造方法。