JPH0845781A - 電子薄膜部品およびその製造方法 - Google Patents
電子薄膜部品およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた接着性、十分な導電性を示し疲労を示
さない優れた電極層を有する電子薄膜部品を提供する。 【構成】 基板と、底部電極、頂部電極および、随意
の、１つ以上の中間電極のための電極層を備え、さらに
機能的中間層を備える、前記電極層が導電性の、酸化物
化合物を含む電子薄膜部品であって、少なくとも１つの
電極層が TiOx 、式中１≦ｘ≦２、 EuOx 、式中１≦ｘ
≦２、等の特定の酸化物から成るか、あるいは前記酸化
物化合物の物理的混合物および／または固溶体から成る
か、あるいは50重量％以下のさらなる化合物もしくは金
属を添加した前記酸化物化合物の物理的混合物および／
または固溶体から成る電子薄膜部品。
さない優れた電極層を有する電子薄膜部品を提供する。 【構成】 基板と、底部電極、頂部電極および、随意
の、１つ以上の中間電極のための電極層を備え、さらに
機能的中間層を備える、前記電極層が導電性の、酸化物
化合物を含む電子薄膜部品であって、少なくとも１つの
電極層が TiOx 、式中１≦ｘ≦２、 EuOx 、式中１≦ｘ
≦２、等の特定の酸化物から成るか、あるいは前記酸化
物化合物の物理的混合物および／または固溶体から成る
か、あるいは50重量％以下のさらなる化合物もしくは金
属を添加した前記酸化物化合物の物理的混合物および／
または固溶体から成る電子薄膜部品。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板と、底部電極、頂部
電極および、随意の、１つ以上の中間電極のための電極
層を備え、さらに機能的中間層を備え、前記電極層が導
電性の、酸化物化合物を含む電子薄膜部品に関する。
電極および、随意の、１つ以上の中間電極のための電極
層を備え、さらに機能的中間層を備え、前記電極層が導
電性の、酸化物化合物を含む電子薄膜部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】かかる部品は個別部品または多機能、多
部品系、例えば不揮発性強誘電性メモリ、ダイナミック
ランダムアクセス読み書きメモリ、集積化コンデンサ、
薄膜アクチュエータ、薄膜抵抗器、圧電センサ、圧電ト
ランスデューサ、焦電型センサ、電気光学部品または集
積化受動部品(ICM) を含むモジュールである。
部品系、例えば不揮発性強誘電性メモリ、ダイナミック
ランダムアクセス読み書きメモリ、集積化コンデンサ、
薄膜アクチュエータ、薄膜抵抗器、圧電センサ、圧電ト
ランスデューサ、焦電型センサ、電気光学部品または集
積化受動部品(ICM) を含むモジュールである。
【０００３】例えば、不揮発性強誘電性メモリ、圧電ト
ランスデューサ、センサおよびアクチュエータならびに
焦電型センサの分野では、PbZrx Ti1-x O3、式中ｘ＝
0.3〜0.7 、ならびにPb1-1.5yLay Zrx Ti1-x O3、式中
ｙ＝ 0.3〜0.07、ｘ＝ 0.4〜0.6 、およびPb1-1.5yLay
TiO3、式中ｙ＝0.05〜0.16の組成のペロブスカイトの機
能的層を電極間に積み重ねる。コンデンサおよび抵抗器
を含む、従来技術におけるフィルタ処理用の高周波モジ
ュールには機能的層としてSiO2およびSi3N4 の組み合わ
せが含まれる。
ランスデューサ、センサおよびアクチュエータならびに
焦電型センサの分野では、PbZrx Ti1-x O3、式中ｘ＝
0.3〜0.7 、ならびにPb1-1.5yLay Zrx Ti1-x O3、式中
ｙ＝ 0.3〜0.07、ｘ＝ 0.4〜0.6 、およびPb1-1.5yLay
TiO3、式中ｙ＝0.05〜0.16の組成のペロブスカイトの機
能的層を電極間に積み重ねる。コンデンサおよび抵抗器
を含む、従来技術におけるフィルタ処理用の高周波モジ
ュールには機能的層としてSiO2およびSi3N4 の組み合わ
せが含まれる。
【０００４】これらの薄膜部品および他の薄膜部品で
は、電極物質として白金が用いられる。白金は、 600〜
800 ℃の酸素雰囲気下に薄膜部品を製造する間に電極物
質を焼結する際、電極物質が機能的層の物質、例えばペ
ロブスカイトと反応するのを防ぐため、他の電極物質、
例えばCu、AlまたはAg／Pdよりも好ましい。しかし、白
金電極を基板に接続することには問題がある。Pt電極層
を、SiO2絶縁層を有するシリコンのような、通常の基板
に良好に接着させるために、接着層、例えば薄いTi層を
Si／SiO2とPtの間の中間層として付加的に設ける必要が
ある。また、最適化電極層および接着層の場合には、ペ
ロブスカイト層の焼結後のPt電極の接着が不十分である
ことが多い。結果として、底部電極を含むコンデンサ全
体のアセンブリが後処理中に基板から剥離することにな
る。このことは、多くの用途に高信頼性部品が今日まで
製造されない理由である。
は、電極物質として白金が用いられる。白金は、 600〜
800 ℃の酸素雰囲気下に薄膜部品を製造する間に電極物
質を焼結する際、電極物質が機能的層の物質、例えばペ
ロブスカイトと反応するのを防ぐため、他の電極物質、
例えばCu、AlまたはAg／Pdよりも好ましい。しかし、白
金電極を基板に接続することには問題がある。Pt電極層
を、SiO2絶縁層を有するシリコンのような、通常の基板
に良好に接着させるために、接着層、例えば薄いTi層を
Si／SiO2とPtの間の中間層として付加的に設ける必要が
ある。また、最適化電極層および接着層の場合には、ペ
ロブスカイト層の焼結後のPt電極の接着が不十分である
ことが多い。結果として、底部電極を含むコンデンサ全
体のアセンブリが後処理中に基板から剥離することにな
る。このことは、多くの用途に高信頼性部品が今日まで
製造されない理由である。
【０００５】半導体IC、例えば、集積化コンデンサ、強
誘電性、不揮発性メモリまたはランダムアクセス読み書
きメモリに対する、ならびに焦電型および圧電性部品に
対するペロブスカイト層の集積化を除き、集積化受動部
品を含むモジュールの製造にもペロブスカイト層を用い
る。前記モジュールでは、ペロブスカイト層を薄膜コン
デンサにおける誘電体として用い、またPt電極のよう
な、電極間に堆積する。またこの用途において、基板物
質、例えばSi／SiO2またはAl2O3 への不十分な接着、お
よび機能的層、例えばPb1-1.5yLay Zrx Ti1-x O3、式中
0.53＜ｘ＜１でｙ＝0.05〜0.15であり、またはPb（Mg、
Nb）x Ti1-x O3、式中0.65＜ｘ＜１を含む酸化物ペロブ
スカイト層への白金層の不十分な接着は明らかな欠点で
ある。
誘電性、不揮発性メモリまたはランダムアクセス読み書
きメモリに対する、ならびに焦電型および圧電性部品に
対するペロブスカイト層の集積化を除き、集積化受動部
品を含むモジュールの製造にもペロブスカイト層を用い
る。前記モジュールでは、ペロブスカイト層を薄膜コン
デンサにおける誘電体として用い、またPt電極のよう
な、電極間に堆積する。またこの用途において、基板物
質、例えばSi／SiO2またはAl2O3 への不十分な接着、お
よび機能的層、例えばPb1-1.5yLay Zrx Ti1-x O3、式中
0.53＜ｘ＜１でｙ＝0.05〜0.15であり、またはPb（Mg、
Nb）x Ti1-x O3、式中0.65＜ｘ＜１を含む酸化物ペロブ
スカイト層への白金層の不十分な接着は明らかな欠点で
ある。
【０００６】Ti／Pt電極層のさらなる欠点はこの物質系
が陰極線スパッタ処理または電子線蒸発のような真空技
術によって堆積することができるにすぎないことにあ
る。しかし、前記方法には、高額な投資、ならびに例え
ば陰極線法の場合には、高価なPtターゲットを購入する
必要があるといった高額な操作費用が含まれる。
が陰極線スパッタ処理または電子線蒸発のような真空技
術によって堆積することができるにすぎないことにあ
る。しかし、前記方法には、高額な投資、ならびに例え
ば陰極線法の場合には、高価なPtターゲットを購入する
必要があるといった高額な操作費用が含まれる。
【０００７】Ti接着層および底部電極としてのPt層なら
びに頂部電極としてのPt層を有するSi基板上の、PbZrx
Ti1-x O3、式中ｘ＝ 0.2〜0.7 のような、ペロブスカイ
ト層が新規な種類のメモリ、すなわち強誘電性不揮発性
メモリで用いられる。しかし、多くの研究は、かかる強
誘電性メモリセルが堆積条件に依存して、多少の疲労度
を示すことを明らかにした。かかる強誘電性メモリセル
の切替電荷は、数百回の切替サイクルの後、明らかに減
少し、この結果として、かかるメモリセルはもはや機能
的でない。これらの物質における疲労発生の原因となる
現象はこれまで未知であるが、既知の機能的層を組み合
わせた他の電極物質を用いて前記疲労を除去する必要が
ある。
びに頂部電極としてのPt層を有するSi基板上の、PbZrx
Ti1-x O3、式中ｘ＝ 0.2〜0.7 のような、ペロブスカイ
ト層が新規な種類のメモリ、すなわち強誘電性不揮発性
メモリで用いられる。しかし、多くの研究は、かかる強
誘電性メモリセルが堆積条件に依存して、多少の疲労度
を示すことを明らかにした。かかる強誘電性メモリセル
の切替電荷は、数百回の切替サイクルの後、明らかに減
少し、この結果として、かかるメモリセルはもはや機能
的でない。これらの物質における疲労発生の原因となる
現象はこれまで未知であるが、既知の機能的層を組み合
わせた他の電極物質を用いて前記疲労を除去する必要が
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この欠点を解決するた
めに、欧州特許出願公開第EP-A-0 495 114号明細書に
は、半導体基板上に能動素子を形成する強誘電性フィル
ムが、強誘電性フィルムと積層構体を形成する電極によ
り集積化される半導体部品が提案されており、上記積層
構体を形成する一方または両方の電極は、主としてITO
（酸化インジウムおよび酸化スズの混晶）、酸化ルテニ
ウム、酸化レニウム、酸化タングステン、酸化クロムま
たは酸化モリブデンから成る酸化物導体である。これら
の酸化物電極はスパッタ処理により製造される。ITO 層
を除き、これら酸化物層は極めて砕けやすく、部分的
に、導電性が不良である。
めに、欧州特許出願公開第EP-A-0 495 114号明細書に
は、半導体基板上に能動素子を形成する強誘電性フィル
ムが、強誘電性フィルムと積層構体を形成する電極によ
り集積化される半導体部品が提案されており、上記積層
構体を形成する一方または両方の電極は、主としてITO
（酸化インジウムおよび酸化スズの混晶）、酸化ルテニ
ウム、酸化レニウム、酸化タングステン、酸化クロムま
たは酸化モリブデンから成る酸化物導体である。これら
の酸化物電極はスパッタ処理により製造される。ITO 層
を除き、これら酸化物層は極めて砕けやすく、部分的
に、導電性が不良である。
【０００９】したがって、本発明の目的は、優れた接着
性、十分な導電性を示し疲労を示さない優れた電極層を
有する電子薄膜部品、ならびにかかる薄膜部品を製造す
る方法を提供することにある。
性、十分な導電性を示し疲労を示さない優れた電極層を
有する電子薄膜部品、ならびにかかる薄膜部品を製造す
る方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的は、少なくとも１つの電極層が TiOx 、式中１≦ｘ≦
２、 EuOx 、式中１≦ｘ≦２、LiTi2O4 、LiV2O4、SrVO
3 、Erx NbO3、式中0.65≦ｘ≦0.92、RbWO3 、Nax W
O3 、A2P8W32O112 、式中Ａ＝Ｋ、Rb、Tl、Nax Ta y W
1-yO3、式中ｘ＝0.64およびｘ−ｙ＝0.18、Na1-x Srx N
bO3、LaTiO3、CeTiO3、CaVO3 、La1-x Srx VO3 、SrCoO
3、CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3、BaPbO3、SrMoO3、Sr0.5La
0.5O3、La4 BaCu5O13-x、La2-x Srx CuO4- δ、YBa2Cu3
O7-δ、Bi2Sr2CaCu2O8+d 、Bi2Sr2CuO6+d、Bi2Sr2Ca2Cu
3O10+d 、Tl2Ba2CaCu2O8 、TlBa2CuO6+ d 、Tl2Ba2Ca2Cu
3O10+d 、La4BaCu6O15 、Gd1-x Srx VO3 、CaCrO3、SrF
eO3、EuNbO3、SrIrO3、CaMoO3、BaMoO3、Bi3Ru3O11 、V
O2 、CrO2、MoO2、WO2 、RhO2、PtO2、 RuOx 、式中 1.
5≦ｘ＜２、 IrOx 、式中 1.5≦ｘ≦２、SnO2-x 、La3
Ni2O7、La3Ni3O10 、M2V2O7-x、式中Ｍ＝Tm、Lu、M2Mo2
O7 、式中Ｍ＝Nd、Sm、Gd、Lu2Ru2O7、Pb2Ru2O7、Bi2Ru
2O7、Pb2Os2O7、Tl2Os2O7、Pb2Ir2O2、Tl2Rh2O7-x、K
0.3MoO3、Rb0.3MoO3 、Tl0.3MoO3 、 Mx V2O5、式中Ｍ
＝Cu、Na、Mo17O47 もしくはTl2O3-x から成るか、ある
いは前記酸化物化合物の物理的混合物および／または固
溶体から成るか、あるいは50重量％以下のさらなる化合
物もしくは金属を添加した前記酸化物化合物の物理的混
合物および／または固溶体から成ることで達成される。
的は、少なくとも１つの電極層が TiOx 、式中１≦ｘ≦
２、 EuOx 、式中１≦ｘ≦２、LiTi2O4 、LiV2O4、SrVO
3 、Erx NbO3、式中0.65≦ｘ≦0.92、RbWO3 、Nax W
O3 、A2P8W32O112 、式中Ａ＝Ｋ、Rb、Tl、Nax Ta y W
1-yO3、式中ｘ＝0.64およびｘ−ｙ＝0.18、Na1-x Srx N
bO3、LaTiO3、CeTiO3、CaVO3 、La1-x Srx VO3 、SrCoO
3、CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3、BaPbO3、SrMoO3、Sr0.5La
0.5O3、La4 BaCu5O13-x、La2-x Srx CuO4- δ、YBa2Cu3
O7-δ、Bi2Sr2CaCu2O8+d 、Bi2Sr2CuO6+d、Bi2Sr2Ca2Cu
3O10+d 、Tl2Ba2CaCu2O8 、TlBa2CuO6+ d 、Tl2Ba2Ca2Cu
3O10+d 、La4BaCu6O15 、Gd1-x Srx VO3 、CaCrO3、SrF
eO3、EuNbO3、SrIrO3、CaMoO3、BaMoO3、Bi3Ru3O11 、V
O2 、CrO2、MoO2、WO2 、RhO2、PtO2、 RuOx 、式中 1.
5≦ｘ＜２、 IrOx 、式中 1.5≦ｘ≦２、SnO2-x 、La3
Ni2O7、La3Ni3O10 、M2V2O7-x、式中Ｍ＝Tm、Lu、M2Mo2
O7 、式中Ｍ＝Nd、Sm、Gd、Lu2Ru2O7、Pb2Ru2O7、Bi2Ru
2O7、Pb2Os2O7、Tl2Os2O7、Pb2Ir2O2、Tl2Rh2O7-x、K
0.3MoO3、Rb0.3MoO3 、Tl0.3MoO3 、 Mx V2O5、式中Ｍ
＝Cu、Na、Mo17O47 もしくはTl2O3-x から成るか、ある
いは前記酸化物化合物の物理的混合物および／または固
溶体から成るか、あるいは50重量％以下のさらなる化合
物もしくは金属を添加した前記酸化物化合物の物理的混
合物および／または固溶体から成ることで達成される。
【００１１】前記電極層は、 "ダスト形成" がなく、一
層厚い層厚を用いる場合にも、ダスト形成がない、著し
く延性が大で、可撓性の層を形成するので、前記電極層
は優れた接着性を示す。このことは、基板または機能的
層との界面に無機酸化物反応層が容易に形成されるとい
う事実に起因すると思われる。基板への良好な結合によ
り、転送抵抗が低く、電圧ピークがなく、比較的長い作
動時間の後でさえも、界面の不活性化が起こらない。
層厚い層厚を用いる場合にも、ダスト形成がない、著し
く延性が大で、可撓性の層を形成するので、前記電極層
は優れた接着性を示す。このことは、基板または機能的
層との界面に無機酸化物反応層が容易に形成されるとい
う事実に起因すると思われる。基板への良好な結合によ
り、転送抵抗が低く、電圧ピークがなく、比較的長い作
動時間の後でさえも、界面の不活性化が起こらない。
【００１２】本発明に係る導電性酸化物化合物は著しく
高い導電率に特徴がある。これら化合物は低温で製造す
ることができ、従来技術の通常の機能的層と不都合な相
互作用をしない。
高い導電率に特徴がある。これら化合物は低温で製造す
ることができ、従来技術の通常の機能的層と不都合な相
互作用をしない。
【００１３】本発明の範囲内では、電極層のさらなる化
合物がRuO2またはReO3であるのが好ましい。これら化合
物が濃密層として接着性が乏しい場合にも、若干のRuO2
を含む電極層は電気光学用に極めて適切であり、若干の
ReO3を含む電極層はメモリ用に極めて適切である場合が
ある。
合物がRuO2またはReO3であるのが好ましい。これら化合
物が濃密層として接着性が乏しい場合にも、若干のRuO2
を含む電極層は電気光学用に極めて適切であり、若干の
ReO3を含む電極層はメモリ用に極めて適切である場合が
ある。
【００１４】他の好ましい例では、電極層がさらに化合
物TiO2、SiO2またはAl2O3 を含む。網状構造の形成の結
果として、これら化合物により電極層の延性が付加的に
増加する。
物TiO2、SiO2またはAl2O3 を含む。網状構造の形成の結
果として、これら化合物により電極層の延性が付加的に
増加する。
【００１５】さらに、電極層が化合物SnO2を含むのが好
ましい場合がある。前記化合物は電極層の強度を増加さ
せ、その後の層の堆積を容易にする。
ましい場合がある。前記化合物は電極層の強度を増加さ
せ、その後の層の堆積を容易にする。
【００１６】本発明の範囲内では、本発明に係る酸化物
化合物と物理的混合物を形成する、電極層に含まれる金
属が、白金、パラジウム、イリジウム、金、銀および／
または銅あるいはこれらの合金であるのが好ましい場合
がある。前記金属は電極の導電性を高めると同時に、層
の形態を改良し、その結果、最終的温度処理中にヘアク
ラックが形成される傾向を抑制する。
化合物と物理的混合物を形成する、電極層に含まれる金
属が、白金、パラジウム、イリジウム、金、銀および／
または銅あるいはこれらの合金であるのが好ましい場合
がある。前記金属は電極の導電性を高めると同時に、層
の形態を改良し、その結果、最終的温度処理中にヘアク
ラックが形成される傾向を抑制する。
【００１７】本発明における電極層は機能的中間層がペ
ロブスカイトから成る電子薄膜部品に極めて適切に用い
ることができる。本発明に係る酸化物化合物を含む電極
層および機能的ペロブスカイトの相互湿潤性は従来技術
の金属電極層に比較して極めて良好であり、さらに熱膨
張率間の相違は小さい。
ロブスカイトから成る電子薄膜部品に極めて適切に用い
ることができる。本発明に係る酸化物化合物を含む電極
層および機能的ペロブスカイトの相互湿潤性は従来技術
の金属電極層に比較して極めて良好であり、さらに熱膨
張率間の相違は小さい。
【００１８】電子薄膜部品の基板はSi、GaAs、サファイ
ア、ガラス、石英、ZrO2、MgO 、Al 2O3 またはAlN から
成るのが好ましい。酸化物化合物から成る、SiまたはGa
Asの基板上の従来の絶縁層に対する、本発明に係る酸化
物化合物を含む電極層の接着性は極めて良好である。こ
のことは、例えば、MgO 、Al2O3 、ガラス、石英、ZrO2
またはサファイアから成る酸化物基板にも適用される。
ア、ガラス、石英、ZrO2、MgO 、Al 2O3 またはAlN から
成るのが好ましい。酸化物化合物から成る、SiまたはGa
Asの基板上の従来の絶縁層に対する、本発明に係る酸化
物化合物を含む電極層の接着性は極めて良好である。こ
のことは、例えば、MgO 、Al2O3 、ガラス、石英、ZrO2
またはサファイアから成る酸化物基板にも適用される。
【００１９】本発明の電子薄膜部品の製造方法は、基板
または機能的中間層を、湿式化学堆積法により、導電性
の酸化物化合物のための出発化合物を含む純粋な溶液、
ゾルまたは懸濁液で被覆し、その後、熱処理して導電性
酸化物化合物を形成することにより１つ以上の電極層を
製造することを特徴とする。かかる方法は多くの利点を
有する。まず、この方法により酸化物化合物、混晶また
は２以上の元素の物理的混合物を含む電極層を、適切な
出発化合物を単に混合し共堆積法を行うことによる簡単
な方法で作製することができる。第２に、 200nm未満の
厚さを有する極めて薄いフィルムを容易に得ることがで
きる。第３に、このようにして堆積したフィルムは温度
変化に不感受性であるが、電気メッキ、スパッタ処理、
CVD またはPVD により堆積したフィルムは加熱した場合
に離層し易い。
または機能的中間層を、湿式化学堆積法により、導電性
の酸化物化合物のための出発化合物を含む純粋な溶液、
ゾルまたは懸濁液で被覆し、その後、熱処理して導電性
酸化物化合物を形成することにより１つ以上の電極層を
製造することを特徴とする。かかる方法は多くの利点を
有する。まず、この方法により酸化物化合物、混晶また
は２以上の元素の物理的混合物を含む電極層を、適切な
出発化合物を単に混合し共堆積法を行うことによる簡単
な方法で作製することができる。第２に、 200nm未満の
厚さを有する極めて薄いフィルムを容易に得ることがで
きる。第３に、このようにして堆積したフィルムは温度
変化に不感受性であるが、電気メッキ、スパッタ処理、
CVD またはPVD により堆積したフィルムは加熱した場合
に離層し易い。
【００２０】出発化合物は金属有機化合物または硝酸塩
含有、ハロゲン化物含有または水酸化物含有化合物であ
るのが好ましい。金属有機化合物は相互に容易に混合す
ることができるが、これら化合物は制御された方法で酸
素流中に導入し炭素含有物を除外する必要がある。特に
硝酸塩含有化合物は、極めて低い温度で分解し、それに
より酸化性ガスを反応に与え、前記ガスが酸化物であ
る、導電性化合物の形成を促進するという利点を有す
る。
含有、ハロゲン化物含有または水酸化物含有化合物であ
るのが好ましい。金属有機化合物は相互に容易に混合す
ることができるが、これら化合物は制御された方法で酸
素流中に導入し炭素含有物を除外する必要がある。特に
硝酸塩含有化合物は、極めて低い温度で分解し、それに
より酸化性ガスを反応に与え、前記ガスが酸化物であ
る、導電性化合物の形成を促進するという利点を有す
る。
【００２１】本発明の範囲内では、湿式化学堆積法は遠
心法であるのが好ましい。遠心により極めて平滑な、薄
く縦じわのない層を生じる。
心法であるのが好ましい。遠心により極めて平滑な、薄
く縦じわのない層を生じる。
【００２２】さらに、多数の層に被膜を設けると、層の
延性が増加するので、このようにするのが好ましい。
延性が増加するので、このようにするのが好ましい。
【００２３】種々の層が異なる組成を有し、その結果、
前記層の基板または機能的層への一層良好な適応が達成
されるのが好ましい場合がある。
前記層の基板または機能的層への一層良好な適応が達成
されるのが好ましい場合がある。
【００２４】あるいはまた、被膜を高温で堆積するのが
好ましい場合がある。これは特に焼結中に著しく収縮す
る電極層に対し有利である。しかし、一般に、この方法
は驚くほど低温で結晶質電極層を生成し、その結果、部
品上の熱負荷が小さくて済むという利点があると考えら
れる。
好ましい場合がある。これは特に焼結中に著しく収縮す
る電極層に対し有利である。しかし、一般に、この方法
は驚くほど低温で結晶質電極層を生成し、その結果、部
品上の熱負荷が小さくて済むという利点があると考えら
れる。
【００２５】さらに、湿式化学堆積法に次いで熱処理を
行うことにより、機能的層をも作製するのが好ましい。
この処理により、簡単で安価な方法が得られ、このよう
にして堆積した層は著しく低温で焼結することができ、
これにより基板、電極層および機能的層のアセンブリ上
の製造プロセス中の熱負荷を減少させることができる。
行うことにより、機能的層をも作製するのが好ましい。
この処理により、簡単で安価な方法が得られ、このよう
にして堆積した層は著しく低温で焼結することができ、
これにより基板、電極層および機能的層のアセンブリ上
の製造プロセス中の熱負荷を減少させることができる。
【００２６】次いで、本発明をより詳細に説明する。導
電性酸化物電極層の製造のための、本発明の湿式化学堆
積法を行うために、金属有機出発化合物または分解して
所望の化合物を形成する硝酸塩含有、塩化物含有もしく
は水酸化物含有化合物を用いる。無機化合物として、ニ
トロシル硝酸塩、例えば、ニトロシル硝酸ルテニウム、
ニトロシルハロゲン化物、オキシ硝酸塩、ヒドロキシ硝
酸塩または有機溶媒に溶解する酢酸塩、例えば、酢酸鉛
を用いるのが有利である。金属有機化合物として、多数
の化合物、例えば、酢酸塩または酢酸の塩（カルボン酸
塩）、アルコキシドおよびβ−ジケトネートを用いるこ
とができ、この方法は著しく順応性がある。あるいはま
た硝酸塩、塩化物、水酸化物、等をアルコール、酢酸、
アルデヒド、ケトン等と反応させることにより、その場
で金属有機化合物を調製することができる。これらの金
属を堆積するために、市場で入手し得る樹脂酸塩も極め
て有利に用いることができる。例えば、金属有機化合物
が液体状である場合、これらの化合物は相互に直接混合
することができる。しかし、通常出発化合物を共通の溶
媒、例えば、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、キシ
ロール等に溶解する。これら溶液の粘度は25センチポア
ズ〜800 ポアズの範囲でよく、さらにこれら溶液の乾燥
特性および揺変性を随意に設定することができる。金属
有機化合物を用いる方法にはゾル−ゲル法および金属有
機堆積法(MOD) が含まれる。MOD 法は比較的高い分子量
を有する出発物質、例えばオクタン酸塩およびデカン酸
塩を用い、加水分解反応に関してゾル−ゲル法の物質よ
りも感受性が低い。このことにより、著しく一層簡単な
プロセス制御が可能になる。
電性酸化物電極層の製造のための、本発明の湿式化学堆
積法を行うために、金属有機出発化合物または分解して
所望の化合物を形成する硝酸塩含有、塩化物含有もしく
は水酸化物含有化合物を用いる。無機化合物として、ニ
トロシル硝酸塩、例えば、ニトロシル硝酸ルテニウム、
ニトロシルハロゲン化物、オキシ硝酸塩、ヒドロキシ硝
酸塩または有機溶媒に溶解する酢酸塩、例えば、酢酸鉛
を用いるのが有利である。金属有機化合物として、多数
の化合物、例えば、酢酸塩または酢酸の塩（カルボン酸
塩）、アルコキシドおよびβ−ジケトネートを用いるこ
とができ、この方法は著しく順応性がある。あるいはま
た硝酸塩、塩化物、水酸化物、等をアルコール、酢酸、
アルデヒド、ケトン等と反応させることにより、その場
で金属有機化合物を調製することができる。これらの金
属を堆積するために、市場で入手し得る樹脂酸塩も極め
て有利に用いることができる。例えば、金属有機化合物
が液体状である場合、これらの化合物は相互に直接混合
することができる。しかし、通常出発化合物を共通の溶
媒、例えば、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、キシ
ロール等に溶解する。これら溶液の粘度は25センチポア
ズ〜800 ポアズの範囲でよく、さらにこれら溶液の乾燥
特性および揺変性を随意に設定することができる。金属
有機化合物を用いる方法にはゾル−ゲル法および金属有
機堆積法(MOD) が含まれる。MOD 法は比較的高い分子量
を有する出発物質、例えばオクタン酸塩およびデカン酸
塩を用い、加水分解反応に関してゾル−ゲル法の物質よ
りも感受性が低い。このことにより、著しく一層簡単な
プロセス制御が可能になる。
【００２７】これら溶液を基板に塗布する。前記基板は
代表的に単結晶または多結晶シリコンから成るが、ある
いはまた、他の、既知のガラス、石英、サファイア、ヒ
化ガリウム、MgO 、ZrO2、Al2O3 またはAlN のような基
板物質から成る場合がある。
代表的に単結晶または多結晶シリコンから成るが、ある
いはまた、他の、既知のガラス、石英、サファイア、ヒ
化ガリウム、MgO 、ZrO2、Al2O3 またはAlN のような基
板物質から成る場合がある。
【００２８】現在の技術に従って、シリコン基板を絶縁
層SiO2で被覆し、Al2O3 基板をガラス層で被覆して平滑
な基板を得、他の基板を、例えば、パラジウムまたはチ
タン合金の結合層で被覆する。本発明の範囲内では、用
語 "基板" には前記方法で予め処理する基板も含まれる
と解する必要がある。
層SiO2で被覆し、Al2O3 基板をガラス層で被覆して平滑
な基板を得、他の基板を、例えば、パラジウムまたはチ
タン合金の結合層で被覆する。本発明の範囲内では、用
語 "基板" には前記方法で予め処理する基板も含まれる
と解する必要がある。
【００２９】基板は遠心法（スピンオン法）によるか、
または含浸、吹き付けもしくはロール塗りにより被覆す
ることができる。
または含浸、吹き付けもしくはロール塗りにより被覆す
ることができる。
【００３０】初めに堆積した層は非晶質であり、溶媒お
よびアルコラート群または他の有機もしくは無機残分を
含む。セラミック電極層を作製するために、温度処理を
行う必要があり、この間に電極層において種々の転化相
が生じる。温度処理の開始時には、層を乾燥し溶媒を蒸
発させる。さらに温度を上昇させて有機および無機残分
を熱分解反応中に放出する。結果として、層を無機フィ
ルムに転化させる。通常出発化合物の熱分解を酸化性雰
囲気、すなわち、酸素または空気中で行う。これら条件
下には、貴金属である白金、パラジウム、イリジウム、
銀、金、銅およびこれらの合金が金属フィルムを形成す
るにすぎない。他の元素は酸化物として堆積する。次い
で、ゲル構造を圧縮する。粒の成長が 400℃で始まり、
所望の微細構造への結晶化が始まる。この方法では、優
れた特性を有する複合酸化物系を含む電極層を製造する
ことができる。次いで、機能的層をこのようにして設け
た電極の上に堆積する。上述の用途には、前記機能的層
は一般的に強誘電性ペロブスカイト、例えばチタン酸ジ
ルコニウム鉛またはそのドーピングした変形物、例えば
チタン酸ニオブマグネシウム鉛、またはチタン酸バリウ
ム、SiO2とSi3N4 との組み合わせから形成するか、また
はPbSc0.5Ta0.5O3の焦電型層である。他の機能的層が当
業者に知られている。また、前記層は湿式化学堆積法、
例えば、ゾル−ゲル法で堆積するのが好ましい。あるい
はまた、スパッタ処理またはレーザアブレーションのよ
うな、他の方法を用いることができる。
よびアルコラート群または他の有機もしくは無機残分を
含む。セラミック電極層を作製するために、温度処理を
行う必要があり、この間に電極層において種々の転化相
が生じる。温度処理の開始時には、層を乾燥し溶媒を蒸
発させる。さらに温度を上昇させて有機および無機残分
を熱分解反応中に放出する。結果として、層を無機フィ
ルムに転化させる。通常出発化合物の熱分解を酸化性雰
囲気、すなわち、酸素または空気中で行う。これら条件
下には、貴金属である白金、パラジウム、イリジウム、
銀、金、銅およびこれらの合金が金属フィルムを形成す
るにすぎない。他の元素は酸化物として堆積する。次い
で、ゲル構造を圧縮する。粒の成長が 400℃で始まり、
所望の微細構造への結晶化が始まる。この方法では、優
れた特性を有する複合酸化物系を含む電極層を製造する
ことができる。次いで、機能的層をこのようにして設け
た電極の上に堆積する。上述の用途には、前記機能的層
は一般的に強誘電性ペロブスカイト、例えばチタン酸ジ
ルコニウム鉛またはそのドーピングした変形物、例えば
チタン酸ニオブマグネシウム鉛、またはチタン酸バリウ
ム、SiO2とSi3N4 との組み合わせから形成するか、また
はPbSc0.5Ta0.5O3の焦電型層である。他の機能的層が当
業者に知られている。また、前記層は湿式化学堆積法、
例えば、ゾル−ゲル法で堆積するのが好ましい。あるい
はまた、スパッタ処理またはレーザアブレーションのよ
うな、他の方法を用いることができる。
【００３１】これらの層を堆積した後、層を温度処理す
る必要がある。代表的な値は１分〜１時間 400〜700 ℃
である。
る必要がある。代表的な値は１分〜１時間 400〜700 ℃
である。
【００３２】次いでこれらの機能的層に中間電極および
さらなる機能的層または頂部電極を設ける。前記頂部電
極は従来技術の、例えば、スパッタ処理したPt電極でよ
い。本発明に係る頂部電極は、湿式化学堆積した、導電
性酸化物化合物を含み、また高割合の貴金属を含む必要
がある。次いで、頂部電極をリソグラフィ法、イオンエ
ッチングまたは同様の方法により構造化する。次に、こ
の部品にさらなる温度処理を施し、随意に、機能的層に
さらなる構成化法を施す。
さらなる機能的層または頂部電極を設ける。前記頂部電
極は従来技術の、例えば、スパッタ処理したPt電極でよ
い。本発明に係る頂部電極は、湿式化学堆積した、導電
性酸化物化合物を含み、また高割合の貴金属を含む必要
がある。次いで、頂部電極をリソグラフィ法、イオンエ
ッチングまたは同様の方法により構造化する。次に、こ
の部品にさらなる温度処理を施し、随意に、機能的層に
さらなる構成化法を施す。
【００３３】
実施例１ 遠心法によるSi基板上への薄い RuOx 層の堆積 薄い RuOx 層を堆積するために、0.3171g のニトロシル
硝酸ルテニウムを５mlの１−プロパノールに溶解し、0.
2 μm の孔径を有するテフロンフィルタに通した。この
ようにして製造した溶液を、熱酸化により製造した0.5
μm の厚さのSiO2層から成るSi-(100)−基板上に塗布し
た。堆積処理後、この基板を 350℃で３分間加熱板上で
熱処理した。この処理後に、約0.03μm の厚さを有する
薄い、結晶質の、微粒子 RuOx 層を得た。約 0.1μm の
層厚を得るために、被覆処理を２回繰り返した。
硝酸ルテニウムを５mlの１−プロパノールに溶解し、0.
2 μm の孔径を有するテフロンフィルタに通した。この
ようにして製造した溶液を、熱酸化により製造した0.5
μm の厚さのSiO2層から成るSi-(100)−基板上に塗布し
た。堆積処理後、この基板を 350℃で３分間加熱板上で
熱処理した。この処理後に、約0.03μm の厚さを有する
薄い、結晶質の、微粒子 RuOx 層を得た。約 0.1μm の
層厚を得るために、被覆処理を２回繰り返した。
【００３４】ルテニウム含有層は既に極めて低い温度で
著しく不規則な酸化物を初めに形成する不足当量(sub-s
toichiometric)の RuOx を含み、さらにその後の電極層
は、高結晶性の、十分な架橋形態および金属導電性を示
す。
著しく不規則な酸化物を初めに形成する不足当量(sub-s
toichiometric)の RuOx を含み、さらにその後の電極層
は、高結晶性の、十分な架橋形態および金属導電性を示
す。
【００３５】実施例２ 遠心法によるSi基板上への薄いPb2Ru2O7層の堆積 薄いPb2Ru2O7層を堆積するために、0.3171g のニトロシ
ル硝酸ルテニウムおよび0.3243g の酢酸鉛（Pb 63.9 重
量％）を５mlの１−プロパノールに溶解し、0.2 μm の
孔径を有するテフロンフィルタに通した。このようにし
て製造した溶液を、熱酸化により製造した0.5 μm の厚
さのSiO2層から成るSi-(100)−基板上に塗布した。前記
被覆処理後、この基板を 350℃で３分間加熱板上で熱処
理した。前記処理後に、薄いPb2Ru2O7層を得た。層厚を
増すために、被覆処理を数回繰り返した。
ル硝酸ルテニウムおよび0.3243g の酢酸鉛（Pb 63.9 重
量％）を５mlの１−プロパノールに溶解し、0.2 μm の
孔径を有するテフロンフィルタに通した。このようにし
て製造した溶液を、熱酸化により製造した0.5 μm の厚
さのSiO2層から成るSi-(100)−基板上に塗布した。前記
被覆処理後、この基板を 350℃で３分間加熱板上で熱処
理した。前記処理後に、薄いPb2Ru2O7層を得た。層厚を
増すために、被覆処理を数回繰り返した。
【００３６】実施例３ RuOx 層上へのPbZrx Ti1-x O3層の堆積 実施例１により製造した、底部電極として導電性 RuOx
層を含む基板上にPbZr x Ti1-x O3層を堆積するために、
次の溶液を調製した。組成PbZr0.35Ti0.65O3の最初のPb
Zrx Ti1-x O3層を堆積するために、17.97gの酢酸鉛三水
和物（Pb 54.8重量％）を60g のメトキシエタノールに
溶解し、この溶液に9.34g のチタン−テトラ−ｎ−ブチ
レート（Ti 14.1 重量％）および6.57g のジルコニウム
−テトラ−ｎ−ブチレート（Zr 20.53重量％）を添加し
た。この溶液を均一に混合した。過剰の鉛を含む溶液を
24時間後に、約0.2 μm の孔径を有するテフロンフィル
タに通した。実施例１で製造した基板を組成Pb：Zr：Ti
＝ 1.1：0.35：0.65を有するこの溶液で、被覆した。被
覆はこの溶液を基板上に１分当たり 2,500回転でスピン
塗布することにより行った。被覆した基板を 350℃／分
の割合で 550℃まで加熱しこの温度に１時間維持し、次
いで約 350℃／分の割合で冷却した。
層を含む基板上にPbZr x Ti1-x O3層を堆積するために、
次の溶液を調製した。組成PbZr0.35Ti0.65O3の最初のPb
Zrx Ti1-x O3層を堆積するために、17.97gの酢酸鉛三水
和物（Pb 54.8重量％）を60g のメトキシエタノールに
溶解し、この溶液に9.34g のチタン−テトラ−ｎ−ブチ
レート（Ti 14.1 重量％）および6.57g のジルコニウム
−テトラ−ｎ−ブチレート（Zr 20.53重量％）を添加し
た。この溶液を均一に混合した。過剰の鉛を含む溶液を
24時間後に、約0.2 μm の孔径を有するテフロンフィル
タに通した。実施例１で製造した基板を組成Pb：Zr：Ti
＝ 1.1：0.35：0.65を有するこの溶液で、被覆した。被
覆はこの溶液を基板上に１分当たり 2,500回転でスピン
塗布することにより行った。被覆した基板を 350℃／分
の割合で 550℃まで加熱しこの温度に１時間維持し、次
いで約 350℃／分の割合で冷却した。
【００３７】組成PbZr0.53Ti0.47O3のさらなるペロブス
カイト層をこのペロブスカイト層上に堆積した。この目
的のために、次のような溶液を調製した。 9.41gの酢酸
鉛（Pb 63.9 重量％）を13mlのメトキシエタノールに溶
解した。4.22g のチタン−テトラ−ｎ−ブチレート（Ti
14.1 重量％）および6.57g のジルコニウム−テトラ−
ｎ−ブチレート（Zr 20.53重量％）を３mlのメトキシエ
タノールに溶解した。かき混ぜながらチタンおよびジル
コニウム含有溶液を酢酸鉛溶液に添加した。この溶液は
過剰量の鉛を含んだ。さらに、0.71mlの蒸留水、0.37ml
の濃HNO3および26.4mlのメトキシエタノールから加水分
解溶液を調製した。この加水分解溶液を鉛、チタンおよ
びジルコニウムを含む溶液に添加した。このようにして
予め加水分解した溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロ
ンフィルタに通した。この溶液を上述のPbZr0.35Ti0.65
O3層に塗布した。組成Pb：Zr：Ti＝ 1.1：0.53：0.47を
有する溶液を、１分当たり 2,500回転でスピン塗布する
ことにより均一に分配して600℃で転化させた。次い
で、この層を５℃／分の割合で 650℃まで加熱しこの温
度で30分間処理した。ここに記載した層構造はほとんど
疲労を示さない強誘電性メモリセルの製造にとって重要
である。
カイト層をこのペロブスカイト層上に堆積した。この目
的のために、次のような溶液を調製した。 9.41gの酢酸
鉛（Pb 63.9 重量％）を13mlのメトキシエタノールに溶
解した。4.22g のチタン−テトラ−ｎ−ブチレート（Ti
14.1 重量％）および6.57g のジルコニウム−テトラ−
ｎ−ブチレート（Zr 20.53重量％）を３mlのメトキシエ
タノールに溶解した。かき混ぜながらチタンおよびジル
コニウム含有溶液を酢酸鉛溶液に添加した。この溶液は
過剰量の鉛を含んだ。さらに、0.71mlの蒸留水、0.37ml
の濃HNO3および26.4mlのメトキシエタノールから加水分
解溶液を調製した。この加水分解溶液を鉛、チタンおよ
びジルコニウムを含む溶液に添加した。このようにして
予め加水分解した溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロ
ンフィルタに通した。この溶液を上述のPbZr0.35Ti0.65
O3層に塗布した。組成Pb：Zr：Ti＝ 1.1：0.53：0.47を
有する溶液を、１分当たり 2,500回転でスピン塗布する
ことにより均一に分配して600℃で転化させた。次い
で、この層を５℃／分の割合で 650℃まで加熱しこの温
度で30分間処理した。ここに記載した層構造はほとんど
疲労を示さない強誘電性メモリセルの製造にとって重要
である。
【００３８】実施例４ ２つの導電性 RuOx 層上へのPbZrx Ti1-x O3層の堆積 ほとんど疲労を示さない、強誘電性不揮発性メモリセル
のためのコンデンサ配列を堆積するために、PbZrx Ti
1-x O3層を２つの導電性酸化物電極、すなわち、底部電
極および頂部電極間に積み重ねた。
のためのコンデンサ配列を堆積するために、PbZrx Ti
1-x O3層を２つの導電性酸化物電極、すなわち、底部電
極および頂部電極間に積み重ねた。
【００３９】この目的に対し、導電性酸化物 RuOx 層
を、 0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi基板上に堆積し
た。 RuOx 被覆法は実施例１の方法に相当する。この R
uOx 層を実施例３に従ってPbZr0.35Ti0.65O3層およびPb
Zr0.53Ti0.47O3層で被覆した。前記PbZr0.53Ti0.47O3層
に約 0.1μm の厚さの RuOx 層を実施例１に従って設け
た。
を、 0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi基板上に堆積し
た。 RuOx 被覆法は実施例１の方法に相当する。この R
uOx 層を実施例３に従ってPbZr0.35Ti0.65O3層およびPb
Zr0.53Ti0.47O3層で被覆した。前記PbZr0.53Ti0.47O3層
に約 0.1μm の厚さの RuOx 層を実施例１に従って設け
た。
【００４０】実施例５ RuOx 層上へのPbMg0.33Nb0.67O3層の堆積 Si／SiO2、Al2O3 、ガラス、石英のような基板に良好に
接着する薄膜コンデンサを製造するために、 0.1μm の
厚さの RuOx 層を実施例１に従って 500nmの厚さのSiO2
層から成るSi基板の上に堆積した。PbZr0.35Ti0.65O3層
を実施例３に従って遠心法によりこの RuOx 層上に堆積
した。この被膜を 650℃で１分間焼結した。Pb(Mg0.33N
b0.67)0.65Ti0.45O3層をゾル−ゲル法によりこのペロブ
スカイト層上に堆積した。被覆溶液を調製するために、
1.822gのマグネシウムエトキシド（Mg 21.46重量％、1
0.24gのニオブエトキシド（Nb 29.64重量％）および7.4
6gのチタン−イソ−プロポキシド（Ti 16.86重量％）を
104gのエチレングリコールモノメチルエーテル中に溶解
し、24時間還流させた。さらに、 56.93g の酢酸鉛（Pb
63.85重量％）を185gのエチレングリコールモノメチル
エーテルに溶解した。61.12gのMg−Nb−Ti溶液を、かき
混ぜながら、56.26gの酢酸鉛溶液と混合し、20時間還流
した。次いで、過剰量の鉛を含む溶液を0.2 μm の孔径
を有するテフロンフィルタに通し、濾液を上記の、予め
処理した基板に１分当たり 2,500回転の遠心により塗布
した。この被膜を 650℃で１分間焼結した。Pb(Mg0.33N
b0.67)O3層を設ける処理を５回繰り返した。
接着する薄膜コンデンサを製造するために、 0.1μm の
厚さの RuOx 層を実施例１に従って 500nmの厚さのSiO2
層から成るSi基板の上に堆積した。PbZr0.35Ti0.65O3層
を実施例３に従って遠心法によりこの RuOx 層上に堆積
した。この被膜を 650℃で１分間焼結した。Pb(Mg0.33N
b0.67)0.65Ti0.45O3層をゾル−ゲル法によりこのペロブ
スカイト層上に堆積した。被覆溶液を調製するために、
1.822gのマグネシウムエトキシド（Mg 21.46重量％、1
0.24gのニオブエトキシド（Nb 29.64重量％）および7.4
6gのチタン−イソ−プロポキシド（Ti 16.86重量％）を
104gのエチレングリコールモノメチルエーテル中に溶解
し、24時間還流させた。さらに、 56.93g の酢酸鉛（Pb
63.85重量％）を185gのエチレングリコールモノメチル
エーテルに溶解した。61.12gのMg−Nb−Ti溶液を、かき
混ぜながら、56.26gの酢酸鉛溶液と混合し、20時間還流
した。次いで、過剰量の鉛を含む溶液を0.2 μm の孔径
を有するテフロンフィルタに通し、濾液を上記の、予め
処理した基板に１分当たり 2,500回転の遠心により塗布
した。この被膜を 650℃で１分間焼結した。Pb(Mg0.33N
b0.67)O3層を設ける処理を５回繰り返した。
【００４１】実施例６ RuOx 層上へのPb0.82La0.12Zr0.7Ti0.3O3層の堆積 高シートキャパシタンスおよび、Si／SiO2、Al2O3 、ガ
ラス、石英のような、基板への良好な接着を有する薄膜
コンデンサを製造するために、 500nmの厚さのSiO2層か
ら成るSi基板に実施例１に従って 0.1μm の厚さの RuO
x 層を設けた。実施例３に従って、PbZr0.35Ti0.65O3層
を遠心によりこの RuOx 層上に設けた。Pb0.82La0.12Zr
0.7Ti0.3O3層をゾル−ゲル法により、このペロブスカイ
ト層上に堆積した。この目的のため、溶液を調製した。
被膜を設けるために、8.118gの酢酸鉛（Pb 63.85重量
％）を30mlのメトキシエタノールに溶解した。7.714gの
ジルコニウム−ｎ−プロポキシド（Zr 20.68重量％）、
2.131gのチタン−イソ−プロポキシド（Ti 16.85重量
％）および1.28g の酢酸ランタン水和物（La 32.3 重量
％）をこのPb溶液に添加した。過剰量の鉛を含むこの溶
液を均一に混合し、メトキシエタノールと１：１の比で
希釈し、次いで0.2 μm の孔径を有する酢酸セルロース
フィルタに通した。 RuOx およびPbZr0.35Ti0.65O3層を
有する基板上にわたり、この濾液を１分当たり 2,000回
転の遠心により分配した。この被膜を 400℃／分の割合
で酸素雰囲気下の拡散炉で 700℃まで加熱し、この温度
に40分間維持し、その後約 400℃／分の割合で冷却し
た。所望の層厚に依存して、この被覆処理を何回か繰り
返すことができる。最後の被覆処理後、この層をまず 4
00℃／分の割合で 700℃まで加熱し、この温度に40分間
維持し、５℃／分の割合で 750℃まで加熱し、次いで約
400℃／分の割合で冷却する最後の処理にかける。
ラス、石英のような、基板への良好な接着を有する薄膜
コンデンサを製造するために、 500nmの厚さのSiO2層か
ら成るSi基板に実施例１に従って 0.1μm の厚さの RuO
x 層を設けた。実施例３に従って、PbZr0.35Ti0.65O3層
を遠心によりこの RuOx 層上に設けた。Pb0.82La0.12Zr
0.7Ti0.3O3層をゾル−ゲル法により、このペロブスカイ
ト層上に堆積した。この目的のため、溶液を調製した。
被膜を設けるために、8.118gの酢酸鉛（Pb 63.85重量
％）を30mlのメトキシエタノールに溶解した。7.714gの
ジルコニウム−ｎ−プロポキシド（Zr 20.68重量％）、
2.131gのチタン−イソ−プロポキシド（Ti 16.85重量
％）および1.28g の酢酸ランタン水和物（La 32.3 重量
％）をこのPb溶液に添加した。過剰量の鉛を含むこの溶
液を均一に混合し、メトキシエタノールと１：１の比で
希釈し、次いで0.2 μm の孔径を有する酢酸セルロース
フィルタに通した。 RuOx およびPbZr0.35Ti0.65O3層を
有する基板上にわたり、この濾液を１分当たり 2,000回
転の遠心により分配した。この被膜を 400℃／分の割合
で酸素雰囲気下の拡散炉で 700℃まで加熱し、この温度
に40分間維持し、その後約 400℃／分の割合で冷却し
た。所望の層厚に依存して、この被覆処理を何回か繰り
返すことができる。最後の被覆処理後、この層をまず 4
00℃／分の割合で 700℃まで加熱し、この温度に40分間
維持し、５℃／分の割合で 750℃まで加熱し、次いで約
400℃／分の割合で冷却する最後の処理にかける。
【００４２】実施例７ Pb2Ru2O7層上へのPb0.82La0.12Zr0.7Ti0.3O3層の堆積 薄膜コンデンサを製造するために、 500nmの厚さのSiO2
層から成るSi基板に実施例２に従って 0.1μm の厚さの
Pb2Ru2O7層を設けた。実施例３に従って、PbZr 0.35Ti
0.65O3層を遠心によりこのPb2Ru2O7層上に設けた。この
ペロブスカイト層にPb0.82La0.12Zr0.3O3 層を実施例６
に従って、ゾル−ゲル法により、設けた。
層から成るSi基板に実施例２に従って 0.1μm の厚さの
Pb2Ru2O7層を設けた。実施例３に従って、PbZr 0.35Ti
0.65O3層を遠心によりこのPb2Ru2O7層上に設けた。この
ペロブスカイト層にPb0.82La0.12Zr0.3O3 層を実施例６
に従って、ゾル−ゲル法により、設けた。
【００４３】実施例８ Pb2Ru2O7層上へのPb0.93La0.05Zr0.53Ti0.47O3層の堆積 圧電性用途にPb0.93La0.05Zr0.53Ti0.47O3層を堆積する
ために、 500nmの厚さのSiO2層から成るSi基板に実施例
２に従ってPb2Ru2O7層を設けた。実施例３に従って、Pb
Zr0.35Ti0.65O3層を遠心によりこのPb2Ru2O7層上に設け
た。Pb0.93La0. 05Zr0.53Ti0.47O3層をゾル−ゲル法によ
り、このペロブスカイト層に設けた。この目的のため
に、ある溶液を調製した。被覆用に、10.0g の酢酸鉛
（Pb 63.85重量％）を35mlのメトキシエタノールに溶解
した。6.480gのジルコニウム−ｎ−プロポキシド（Zr 2
0.68重量％）を７mlのメトキシエタノールに溶解した。
3.701gのチタン−テトラ−ｎ−ブチレート（Ti 14.1 重
量％）および0.596gの酢酸ランタン水和物（La 32.3 重
量％）をこの溶液に添加した。この過剰量の鉛を含む溶
液を均一に混合し、次いでメトキシエタノールと１：１
の比で希釈し、その後0.2 μm の孔径を有するテフロン
フィルタに通した。この濾液を、Pb2Ru2O7およびPbZr
0.35Ti0.65O3層を有する基板上にわたり、１分当たり
2,000回転の遠心により分配した。この被膜を約 400℃
／分の割合で酸素雰囲気下の拡散炉で 700℃まで加熱
し、この温度に１時間維持し、次いで 400℃／分の割合
で冷却した。所望の層厚に依存して、この被覆法を何回
か繰り返すことができる。最後の被覆処理において、こ
の層を 400℃／分の割合で 700℃まで加熱し、この温度
に40分間維持し、次いで５℃／分の割合で 750℃まで加
熱し、 750℃で１時間処理し、次いで 400℃／分の割合
で冷却した。
ために、 500nmの厚さのSiO2層から成るSi基板に実施例
２に従ってPb2Ru2O7層を設けた。実施例３に従って、Pb
Zr0.35Ti0.65O3層を遠心によりこのPb2Ru2O7層上に設け
た。Pb0.93La0. 05Zr0.53Ti0.47O3層をゾル−ゲル法によ
り、このペロブスカイト層に設けた。この目的のため
に、ある溶液を調製した。被覆用に、10.0g の酢酸鉛
（Pb 63.85重量％）を35mlのメトキシエタノールに溶解
した。6.480gのジルコニウム−ｎ−プロポキシド（Zr 2
0.68重量％）を７mlのメトキシエタノールに溶解した。
3.701gのチタン−テトラ−ｎ−ブチレート（Ti 14.1 重
量％）および0.596gの酢酸ランタン水和物（La 32.3 重
量％）をこの溶液に添加した。この過剰量の鉛を含む溶
液を均一に混合し、次いでメトキシエタノールと１：１
の比で希釈し、その後0.2 μm の孔径を有するテフロン
フィルタに通した。この濾液を、Pb2Ru2O7およびPbZr
0.35Ti0.65O3層を有する基板上にわたり、１分当たり
2,000回転の遠心により分配した。この被膜を約 400℃
／分の割合で酸素雰囲気下の拡散炉で 700℃まで加熱
し、この温度に１時間維持し、次いで 400℃／分の割合
で冷却した。所望の層厚に依存して、この被覆法を何回
か繰り返すことができる。最後の被覆処理において、こ
の層を 400℃／分の割合で 700℃まで加熱し、この温度
に40分間維持し、次いで５℃／分の割合で 750℃まで加
熱し、 750℃で１時間処理し、次いで 400℃／分の割合
で冷却した。
【００４４】実施例９ 遠心法によるSi基板上へのSr0.5La0.5CoO3層およびPbZr
x Ti1-x O3層の堆積 薄いSr0.5La0.5CoO3層を堆積するために、1.0270g のオ
クタン酸ストロンチウム（Sr 9.38 重量％）および1.32
97g のナフテン酸コバルトを16mlのブタノールおよび３
mlのメタノールに溶解した。0.4847g のランタンアセチ
ルアセトネートをこの溶液に添加し、溶液を24時間均一
に混合して、0.2 μm の孔径を有するテフロンフィルタ
に通した。このようにして調製した溶液を、熱酸化によ
り製造した0.5 μm の厚さのSiO2層から成るSi-(100)−
基板上に塗布した。被覆処理後、基板を 600℃で30分間
処理した。この被覆法を５回繰り返した。実施例３に従
って、この基板に薄いPbZr0.35Ti0.65O3層および薄いPb
Zr0.53Ti0.47O3層を連続して塗布した。これらの層の積
み重ねは、ほとんど疲労を示さない、強誘電性、不揮発
性メモリセルの作製にとって極めて重要である。Sr0.5L
a0.5CoO3層を含む電極層はペロブスカイトの、機能的層
のエピタキシャル成長を高め、それらの特性に明らかな
効果を示す。
x Ti1-x O3層の堆積 薄いSr0.5La0.5CoO3層を堆積するために、1.0270g のオ
クタン酸ストロンチウム（Sr 9.38 重量％）および1.32
97g のナフテン酸コバルトを16mlのブタノールおよび３
mlのメタノールに溶解した。0.4847g のランタンアセチ
ルアセトネートをこの溶液に添加し、溶液を24時間均一
に混合して、0.2 μm の孔径を有するテフロンフィルタ
に通した。このようにして調製した溶液を、熱酸化によ
り製造した0.5 μm の厚さのSiO2層から成るSi-(100)−
基板上に塗布した。被覆処理後、基板を 600℃で30分間
処理した。この被覆法を５回繰り返した。実施例３に従
って、この基板に薄いPbZr0.35Ti0.65O3層および薄いPb
Zr0.53Ti0.47O3層を連続して塗布した。これらの層の積
み重ねは、ほとんど疲労を示さない、強誘電性、不揮発
性メモリセルの作製にとって極めて重要である。Sr0.5L
a0.5CoO3層を含む電極層はペロブスカイトの、機能的層
のエピタキシャル成長を高め、それらの特性に明らかな
効果を示す。
【００４５】実施例１０ 遠心法によるSi基板上へのSr0.5La0.5CoO3層、PbZrx Ti
1-x O3層ならびにSr0.5La0.5CoO3層の堆積 ほとんど疲労を示さない強誘電性メモリセルを作製する
ために、Si基板、 500nmの厚さのSiO2層、Sr0.5La0.5Co
O3層ならびにPbZr0.35Ti0.65O3層およびPbZr0. 53Ti0.47
O3層を含む構成物を実施例３に従って製造した。薄いSr
0.5La0.5CoO3層を遠心によりPb0.53Ti0.47O3層上に設け
た。この目的のため、実施例３に従って調製した溶液を
Pb0.53Ti0.47O3層上に塗布し、１分当たり 2,000回転で
均一に分配した。被覆処理後、この構造体を30分間 600
℃で処理した。この被覆法を５回繰り返した。
1-x O3層ならびにSr0.5La0.5CoO3層の堆積 ほとんど疲労を示さない強誘電性メモリセルを作製する
ために、Si基板、 500nmの厚さのSiO2層、Sr0.5La0.5Co
O3層ならびにPbZr0.35Ti0.65O3層およびPbZr0. 53Ti0.47
O3層を含む構成物を実施例３に従って製造した。薄いSr
0.5La0.5CoO3層を遠心によりPb0.53Ti0.47O3層上に設け
た。この目的のため、実施例３に従って調製した溶液を
Pb0.53Ti0.47O3層上に塗布し、１分当たり 2,000回転で
均一に分配した。被覆処理後、この構造体を30分間 600
℃で処理した。この被覆法を５回繰り返した。
【００４６】実施例１１ RuOx 層上へのPbZrx Ti1-x O3層の堆積 焦電型用途にPbZr0.48Ti0.52O3層を堆積するために、 5
00nmの厚さのSiO2層から成るSi基板に実施例１に従っ
て、 RuOx 層を設ける。実施例３で説明した溶液を含
む、 0.1μm の厚さのPbZr0.35Ti0.65O3層をこの RuOx
層上に設ける。この溶液を１分当たり 2,500回転の遠心
により堆積する。PbZr0.35Ti0.65O3層を形成するため
に、この構造体を約 350℃／分の割合で拡散炉において
550℃まで加熱し、この温度に１時間維持し、次いで約
350℃／分の割合で冷却する。このPbZr 0.35Ti0.65O3層
上に、組成PbZr0.48Ti0.52O3のペロブスカイト層を堆積
するために、溶液を次のように調製する。8.650gの酢酸
鉛（Pb 63.9 重量％）を13.1mlのメトキシエタノールに
溶解した。4.204gのチタン−テトラ−ｎ−ブチレート
（Ti14.1 重量％）および5.076gのジルコニウム−テト
ラ−ｎ−ブチレート（Zr 20.53重量％）を３mlのメトキ
シエタノールに溶解した。このチタンおよびジルコニウ
ム含有溶液をかき混ぜながら酢酸鉛の溶液に添加した。
さらに、0.64mlの蒸留水、0.33mlの濃HNO3および26.4ml
のメトキシエタノールから成る加水分解溶液を調製し
た。この加水分解溶液を鉛、チタンおよびジルコニウム
を含む溶液に添加した。このようにして予め加水分解し
た溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロンフィルタに通
した。次いで、この過剰量の鉛を含む溶液を組成PbZr
0.35Ti0.65O3の基板上にわたり、１分当たり 2,500回転
の遠心により均一に分配した。この構造体を 600℃で１
時間焼成した。所望の層厚に依存して、この被覆法を何
回か繰り返すことができる。最後の被覆処理で、この層
を 600℃で１時間予備焼成し、５℃／分の割合で 650℃
まで加熱し、この温度で30分間処理する。
00nmの厚さのSiO2層から成るSi基板に実施例１に従っ
て、 RuOx 層を設ける。実施例３で説明した溶液を含
む、 0.1μm の厚さのPbZr0.35Ti0.65O3層をこの RuOx
層上に設ける。この溶液を１分当たり 2,500回転の遠心
により堆積する。PbZr0.35Ti0.65O3層を形成するため
に、この構造体を約 350℃／分の割合で拡散炉において
550℃まで加熱し、この温度に１時間維持し、次いで約
350℃／分の割合で冷却する。このPbZr 0.35Ti0.65O3層
上に、組成PbZr0.48Ti0.52O3のペロブスカイト層を堆積
するために、溶液を次のように調製する。8.650gの酢酸
鉛（Pb 63.9 重量％）を13.1mlのメトキシエタノールに
溶解した。4.204gのチタン−テトラ−ｎ−ブチレート
（Ti14.1 重量％）および5.076gのジルコニウム−テト
ラ−ｎ−ブチレート（Zr 20.53重量％）を３mlのメトキ
シエタノールに溶解した。このチタンおよびジルコニウ
ム含有溶液をかき混ぜながら酢酸鉛の溶液に添加した。
さらに、0.64mlの蒸留水、0.33mlの濃HNO3および26.4ml
のメトキシエタノールから成る加水分解溶液を調製し
た。この加水分解溶液を鉛、チタンおよびジルコニウム
を含む溶液に添加した。このようにして予め加水分解し
た溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロンフィルタに通
した。次いで、この過剰量の鉛を含む溶液を組成PbZr
0.35Ti0.65O3の基板上にわたり、１分当たり 2,500回転
の遠心により均一に分配した。この構造体を 600℃で１
時間焼成した。所望の層厚に依存して、この被覆法を何
回か繰り返すことができる。最後の被覆処理で、この層
を 600℃で１時間予備焼成し、５℃／分の割合で 650℃
まで加熱し、この温度で30分間処理する。
【００４７】実施例１２ 遠心によるSi基板上への薄いSrRuO3層の堆積 薄いSrRuO3層を堆積するために、0.2357g のストロンチ
ウム−イソ−プロポキシド（Sr 37.18重量％）を２mlの
メトキシエタノールに溶解した。0.3171g のニトロシル
硝酸ルテニウムを３mlのメトキシエタノールに溶解し
た。両溶液をかき混ぜながら混合し、次いで、0.2 μm
の孔径を有するテフロンフィルタに通した。このように
して調製した溶液を、熱酸化により製造した 0.5μm の
厚さのSiO2層から成るSi-(100)−基板上に塗布した。被
覆処理の後、この基板を 350℃で３分間加熱板上で熱処
理した。所望の層厚を得るために、この被覆法を何回か
繰り返した。
ウム−イソ−プロポキシド（Sr 37.18重量％）を２mlの
メトキシエタノールに溶解した。0.3171g のニトロシル
硝酸ルテニウムを３mlのメトキシエタノールに溶解し
た。両溶液をかき混ぜながら混合し、次いで、0.2 μm
の孔径を有するテフロンフィルタに通した。このように
して調製した溶液を、熱酸化により製造した 0.5μm の
厚さのSiO2層から成るSi-(100)−基板上に塗布した。被
覆処理の後、この基板を 350℃で３分間加熱板上で熱処
理した。所望の層厚を得るために、この被覆法を何回か
繰り返した。
【００４８】実施例１３ SrRuO3層上へのPb0.82La0.12Zr0.7Ti0.3O3層の堆積 高シート静電容量および、Si／SiO2、Al2O3 、ガラス、
石英のような、基板への良好な接着を有する薄膜コンデ
ンサを製造するために、 500nmの厚さのSiO2層から成る
Si基板に実施例１４に従ってSrRuO3層を設けた。実施例
３に従って、PbZr0.35Ti0.65O3層を遠心によりこのSrRu
O3層上に設けた。Pb0.82La0.12Zr0.7Ti0 .3O3層をゾル−
ゲル法により、このペロブスカイト層上に堆積した。こ
の目的のため、実施例７に従って調製した溶液を製造し
た。SrRuO3およびPbZr0.35Ti0.65O3層を含む基板上にわ
たり、この溶液を１分当たり 2,000回転の遠心により分
配した。この被膜を約 750℃で１分間、酸素雰囲気下の
拡散炉で焼結した。このPb 0.82La0.12Zr0.7Ti0.3O3層を
塗布する被覆法を４回繰り返した。
石英のような、基板への良好な接着を有する薄膜コンデ
ンサを製造するために、 500nmの厚さのSiO2層から成る
Si基板に実施例１４に従ってSrRuO3層を設けた。実施例
３に従って、PbZr0.35Ti0.65O3層を遠心によりこのSrRu
O3層上に設けた。Pb0.82La0.12Zr0.7Ti0 .3O3層をゾル−
ゲル法により、このペロブスカイト層上に堆積した。こ
の目的のため、実施例７に従って調製した溶液を製造し
た。SrRuO3およびPbZr0.35Ti0.65O3層を含む基板上にわ
たり、この溶液を１分当たり 2,000回転の遠心により分
配した。この被膜を約 750℃で１分間、酸素雰囲気下の
拡散炉で焼結した。このPb 0.82La0.12Zr0.7Ti0.3O3層を
塗布する被覆法を４回繰り返した。
【００４９】実施例１４ 遠心法によるSi基板上への薄いBaRuO3層の堆積 薄いBaRuO3層を堆積するために、0.31572gのバリウムエ
トキシド（Ba 43.5 重量％）を５mlのメトキシエタノー
ルに溶解した。この溶液に0.3171g のニトロシル硝酸ル
テニウムを添加した。この溶液を0.2 μm の孔径を有す
るテフロンフィルタに通した。このようにして調製した
溶液を、熱酸化により製造した 0.5μmの厚さのSiO2層
から成るSi-(100)−基板上に塗布した。被覆処理の後、
この基板を 350℃で３分間、加熱板上で熱処理した。所
望の層厚を得るために、この被覆法を何回か繰り返し
た。
トキシド（Ba 43.5 重量％）を５mlのメトキシエタノー
ルに溶解した。この溶液に0.3171g のニトロシル硝酸ル
テニウムを添加した。この溶液を0.2 μm の孔径を有す
るテフロンフィルタに通した。このようにして調製した
溶液を、熱酸化により製造した 0.5μmの厚さのSiO2層
から成るSi-(100)−基板上に塗布した。被覆処理の後、
この基板を 350℃で３分間、加熱板上で熱処理した。所
望の層厚を得るために、この被覆法を何回か繰り返し
た。
【００５０】実施例１５ BaRuO3層上へのPb(Mg0.33Nb0.67)0.65Ti0.35O3層の堆積 Si／SiO2、Al2O3 、ガラス、石英のような基板への良好
な接着を示す薄膜コンデンサを製造するために、実施例
１４に従って 500nmの厚さのSiO2層から成るSi基板にBa
RuO3層を設けた。実施例３に従って、PbZr0.35Ti0.65O3
層を遠心によりこのBaRuO3層上に設けた。この被膜を 6
50℃で１分間焼結した。Pb(Mg0.33Nb0.6 7)0.65Ti0.35O3
層をゾル−ゲル法によりこのペロブスカイト層上に設け
た。被覆溶液に対して、実施例６における処理を繰り返
した。この溶液を上記の、予め処理した基板に１分当た
り 2,500回転の遠心により塗布した。この被膜を 650℃
で１分間焼結した。Pb(Mg0.33Nb0.67)0.65Ti0.35O3被膜
を設ける処理を６回繰り返した。
な接着を示す薄膜コンデンサを製造するために、実施例
１４に従って 500nmの厚さのSiO2層から成るSi基板にBa
RuO3層を設けた。実施例３に従って、PbZr0.35Ti0.65O3
層を遠心によりこのBaRuO3層上に設けた。この被膜を 6
50℃で１分間焼結した。Pb(Mg0.33Nb0.6 7)0.65Ti0.35O3
層をゾル−ゲル法によりこのペロブスカイト層上に設け
た。被覆溶液に対して、実施例６における処理を繰り返
した。この溶液を上記の、予め処理した基板に１分当た
り 2,500回転の遠心により塗布した。この被膜を 650℃
で１分間焼結した。Pb(Mg0.33Nb0.67)0.65Ti0.35O3被膜
を設ける処理を６回繰り返した。
【００５１】実施例１６ Si基板上への薄い(RuOx )0.7(TiO2)0.3 層の堆積 薄い(RuOx )0.7(TiO2)0.3 層を堆積するために、0.3171
g のニトロシル硝酸ルテニウムおよび0.1459g のチタン
−テトラ−ｎ−ブチレートを５mlの１−プロパノールに
溶解した。この溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロン
フィルタに通した。このようにして調製した溶液を、
0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi(100)−基板上に塗布
した。被覆処理の後、この基板を 350℃で３分間、加熱
板上で熱処理した。所望の層厚を得るために、この方法
を何回か繰り返した。
g のニトロシル硝酸ルテニウムおよび0.1459g のチタン
−テトラ−ｎ−ブチレートを５mlの１−プロパノールに
溶解した。この溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロン
フィルタに通した。このようにして調製した溶液を、
0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi(100)−基板上に塗布
した。被覆処理の後、この基板を 350℃で３分間、加熱
板上で熱処理した。所望の層厚を得るために、この方法
を何回か繰り返した。
【００５２】実施例１７ Si基板上への薄い、導電性の RuOx およびPt層の堆積 薄い、導電性の RuOx および金属Ptから成る層を堆積す
るために、0.3171g のニトロシル硝酸ルテニウムおよび
0.1966g の白金アセチルアセトネートを８mlのメトキシ
エタノールに溶解した。この溶液を0.2 μm の孔径を有
するテフロンフィルタに通した。このようにして調製し
た溶液を、 0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi(100) −
基板上に塗布した。被覆処理の後、この基板を 600℃で
１分間、炉の中で熱処理した。所望の層厚を得るため
に、この方法を何回か繰り返した。
るために、0.3171g のニトロシル硝酸ルテニウムおよび
0.1966g の白金アセチルアセトネートを８mlのメトキシ
エタノールに溶解した。この溶液を0.2 μm の孔径を有
するテフロンフィルタに通した。このようにして調製し
た溶液を、 0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi(100) −
基板上に塗布した。被覆処理の後、この基板を 600℃で
１分間、炉の中で熱処理した。所望の層厚を得るため
に、この方法を何回か繰り返した。
【００５３】実施例１８ Si基板上への薄い、導電性の RuOx およびPt層の堆積 薄い、導電性の RuOx および金属Ptから成る層を堆積す
るために、0.3171g のニトロシル硝酸ルテニウムおよび
0.3044g の白金−ヘキサ−フルオロアセチルアセトネー
トを８mlのメトキシエタノールに溶解した。この溶液を
0.2 μm の孔径を有するテフロンフィルタに通した。こ
のようにして調製した溶液を、 0.5μmの厚さのSiO2層
から成るSi(100) −基板上に塗布した。被覆処理の後、
この基板を 350℃で３分間、加熱板上で熱処理した。所
望の層厚を得るために、この方法を何回か繰り返した。
次いで、最終的処理を 650℃の炉の中で行った。
るために、0.3171g のニトロシル硝酸ルテニウムおよび
0.3044g の白金−ヘキサ−フルオロアセチルアセトネー
トを８mlのメトキシエタノールに溶解した。この溶液を
0.2 μm の孔径を有するテフロンフィルタに通した。こ
のようにして調製した溶液を、 0.5μmの厚さのSiO2層
から成るSi(100) −基板上に塗布した。被覆処理の後、
この基板を 350℃で３分間、加熱板上で熱処理した。所
望の層厚を得るために、この方法を何回か繰り返した。
次いで、最終的処理を 650℃の炉の中で行った。
【００５４】実施例１９ Si基板上への薄い、導電性の RuOx およびPd層の堆積 薄い、導電性の RuOx および金属Pdから成る層を堆積す
るために、0.3171g のニトロシル硝酸ルテニウムを５ml
の１−プロパノールに溶解した。0.09g の酢酸パラジウ
ムを２mlの酢酸に溶解した。パラジウム含有溶液をルテ
ニウム溶液に添加した。このPd−Ru溶液を0.2 μm の孔
径を有するテフロンフィルタに通した。このようにして
調製した溶液を、 0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi(1
00) −基板上に塗布した。被覆処理の後、この基板を 5
50℃の温度で30分間、熱処理した。所望の層厚を得るた
めに、この方法を何回か繰り返した。次いで、最終的処
理を 600℃の炉の中で行った。
るために、0.3171g のニトロシル硝酸ルテニウムを５ml
の１−プロパノールに溶解した。0.09g の酢酸パラジウ
ムを２mlの酢酸に溶解した。パラジウム含有溶液をルテ
ニウム溶液に添加した。このPd−Ru溶液を0.2 μm の孔
径を有するテフロンフィルタに通した。このようにして
調製した溶液を、 0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi(1
00) −基板上に塗布した。被覆処理の後、この基板を 5
50℃の温度で30分間、熱処理した。所望の層厚を得るた
めに、この方法を何回か繰り返した。次いで、最終的処
理を 600℃の炉の中で行った。
【００５５】実施例２０ Si基板上への薄い導電性の RuOx およびPd層の堆積 薄い、導電性の RuOx および金属Pdから成る層を堆積す
るために、0.3171g のニトロシル硝酸ルテニウムおよび
0.1520g のパラジウムアセチルアセトネートを８mlのメ
トキシエタノールに溶解した。この溶液を0.2 μm の孔
径を有するテフロンフィルタに通した。このようにして
調製した溶液を、 0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi(1
00) −基板上に塗布した。被覆処理の後、この基板を 6
00℃で１分間、炉の中で熱処理した。所望の層厚を得る
ために、この方法を何回か繰り返した。
るために、0.3171g のニトロシル硝酸ルテニウムおよび
0.1520g のパラジウムアセチルアセトネートを８mlのメ
トキシエタノールに溶解した。この溶液を0.2 μm の孔
径を有するテフロンフィルタに通した。このようにして
調製した溶液を、 0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi(1
00) −基板上に塗布した。被覆処理の後、この基板を 6
00℃で１分間、炉の中で熱処理した。所望の層厚を得る
ために、この方法を何回か繰り返した。
【００５６】実施例２１ Si基板上への薄い、導電性の RuOx およびPd層の堆積 薄い、導電性の RuOx および金属Pdから成る層を堆積す
るために、0.3171g のニトロシル硝酸ルテニウムを５ml
の１−プロパノールに溶解した。0.1153g の硝酸パラジ
ウム水和物を0.144gの２−エチルヘキサン酸に溶解し
た。パラジウム含有溶液をルテニウム溶液に添加し、混
合した後、これらの溶液を0.2 μm の孔径を有するテフ
ロンフィルタに通した。このようにして調製した溶液
を、 0.5μmの厚さのSiO2層から成るSi(100) −基板上
に塗布した。得られた層を 350℃の温度で５分間、熱処
理した。所望の厚さに達するまで、この被覆法を何回か
繰り返した。この部品を 600℃の温度の炉の中で１分
間、後処理にかけた。
るために、0.3171g のニトロシル硝酸ルテニウムを５ml
の１−プロパノールに溶解した。0.1153g の硝酸パラジ
ウム水和物を0.144gの２−エチルヘキサン酸に溶解し
た。パラジウム含有溶液をルテニウム溶液に添加し、混
合した後、これらの溶液を0.2 μm の孔径を有するテフ
ロンフィルタに通した。このようにして調製した溶液
を、 0.5μmの厚さのSiO2層から成るSi(100) −基板上
に塗布した。得られた層を 350℃の温度で５分間、熱処
理した。所望の厚さに達するまで、この被覆法を何回か
繰り返した。この部品を 600℃の温度の炉の中で１分
間、後処理にかけた。
【００５７】実施例２２ RuOx 電極層上へのPb(Sc0.5Ta0.5)O3層の堆積 650℃でPb(Sc0.5Ta0.5)O3層を製造するために、 500nm
の厚さのSiO2層から成るSi基板に、まず実施例１に記載
したような 0.5μm の厚さの RuOx 層を設けた。実施例
３に従って、PbZr0.35Ti0.65O3の成核層を遠心によりこ
の RuOx 層上に設けた。この被膜を 550℃で１時間焼結
した。Pb(Sc0.5Ta0.5)O3層をゾル−ゲル法によりこの基
板上に堆積した。被覆溶液を調製するために、2.540gの
タンタルメトキシド（Ta 44.5 重量％）および2.152gの
スカンジウムアセチルアセトネート（Sc 12.95重量％）
をエチレングリコールモノメチルエーテルに溶解し、２
時間還流させ、次いで冷却した。次に、4.640gの酢酸鉛
（Pb 64.1 重量％）をこのスカンジウム−タンタル溶液
に添加し、前記溶液をさらに２時間還流した。次いで、
この溶液をテフロンフィルタに通し、この濾液を調製し
た基板上に、１分当たり 2,500回転の遠心により塗布し
た。この被膜を 600℃で１時間、酸素流中で処理した。
この鉛−スカンジウム−タンタル溶液を塗布する被覆法
を３回繰り返した。この層パケットを 650℃の酸素流中
で１時間処理する、熱後処理にかけた。
の厚さのSiO2層から成るSi基板に、まず実施例１に記載
したような 0.5μm の厚さの RuOx 層を設けた。実施例
３に従って、PbZr0.35Ti0.65O3の成核層を遠心によりこ
の RuOx 層上に設けた。この被膜を 550℃で１時間焼結
した。Pb(Sc0.5Ta0.5)O3層をゾル−ゲル法によりこの基
板上に堆積した。被覆溶液を調製するために、2.540gの
タンタルメトキシド（Ta 44.5 重量％）および2.152gの
スカンジウムアセチルアセトネート（Sc 12.95重量％）
をエチレングリコールモノメチルエーテルに溶解し、２
時間還流させ、次いで冷却した。次に、4.640gの酢酸鉛
（Pb 64.1 重量％）をこのスカンジウム−タンタル溶液
に添加し、前記溶液をさらに２時間還流した。次いで、
この溶液をテフロンフィルタに通し、この濾液を調製し
た基板上に、１分当たり 2,500回転の遠心により塗布し
た。この被膜を 600℃で１時間、酸素流中で処理した。
この鉛−スカンジウム−タンタル溶液を塗布する被覆法
を３回繰り返した。この層パケットを 650℃の酸素流中
で１時間処理する、熱後処理にかけた。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年８月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】実施例３ RuOx 層上へのPbZrx Ti1-x O3層の堆積 実施例１により製造した、底部電極として導電性 RuOx
層を含む基板上にPbZr x Ti1-x O3層を堆積するために、
次の溶液を調製した。組成PbZr0.35Ti0.65O3の最初のPb
Zrx Ti1-x O3層を堆積するために、17.97gの酢酸鉛三水
和物（Pb 54.8重量％）を60g のメトキシエタノールに
溶解し、この溶液に9.34g のチタン−テトラ−ｎ−ブチ
ラート（Ti 14.1 重量％）および6.57g のジルコニウム
−テトラ−ｎ−ブチラート（Zr 20.53重量％）を添加し
た。この溶液を均一に混合した。過剰の鉛を含む溶液を
24時間後に、約0.2 μm の孔径を有するテフロンフィル
タに通した。実施例１で製造した基板を組成Pb：Zr：Ti
＝ 1.1：0.35：0.65を有するこの溶液で、被覆した。被
覆はこの溶液を基板上に１分当たり 2,500回転でスピン
塗布することにより行った。被覆した基板を 350℃／分
の割合で 550℃まで加熱しこの温度に１時間維持し、次
いで約 350℃／分の割合で冷却した。
層を含む基板上にPbZr x Ti1-x O3層を堆積するために、
次の溶液を調製した。組成PbZr0.35Ti0.65O3の最初のPb
Zrx Ti1-x O3層を堆積するために、17.97gの酢酸鉛三水
和物（Pb 54.8重量％）を60g のメトキシエタノールに
溶解し、この溶液に9.34g のチタン−テトラ−ｎ−ブチ
ラート（Ti 14.1 重量％）および6.57g のジルコニウム
−テトラ−ｎ−ブチラート（Zr 20.53重量％）を添加し
た。この溶液を均一に混合した。過剰の鉛を含む溶液を
24時間後に、約0.2 μm の孔径を有するテフロンフィル
タに通した。実施例１で製造した基板を組成Pb：Zr：Ti
＝ 1.1：0.35：0.65を有するこの溶液で、被覆した。被
覆はこの溶液を基板上に１分当たり 2,500回転でスピン
塗布することにより行った。被覆した基板を 350℃／分
の割合で 550℃まで加熱しこの温度に１時間維持し、次
いで約 350℃／分の割合で冷却した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】組成PbZr0.53Ti0.47O3のさらなるペロブス
カイト層をこのペロブスカイト層上に堆積した。この目
的のために、次のような溶液を調製した。 9.41gの酢酸
鉛（Pb 63.9 重量％）を13mlのメトキシエタノールに溶
解した。4.22g のチタン−テトラ−ｎ−ブチラート（Ti
14.1 重量％）および6.57g のジルコニウム−テトラ−
ｎ−ブチラート（Zr 20.53重量％）を３mlのメトキシエ
タノールに溶解した。かき混ぜながらチタンおよびジル
コニウム含有溶液を酢酸鉛溶液に添加した。この溶液は
過剰量の鉛を含んだ。さらに、0.71mlの蒸留水、0.37ml
の濃HNO3および26.4mlのメトキシエタノールから加水分
解溶液を調製した。この加水分解溶液を鉛、チタンおよ
びジルコニウムを含む溶液に添加した。このようにして
予め加水分解した溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロ
ンフィルタに通した。この溶液を上述のPbZr0.35Ti0.65
O3層に塗布した。組成Pb：Zr：Ti＝ 1.1：0.53：0.47を
有する溶液を、１分当たり 2,500回転でスピン塗布する
ことにより均一に分配して600℃で転化させた。次い
で、この層を５℃／分の割合で 650℃まで加熱しこの温
度で30分間処理した。ここに記載した層構造はほとんど
疲労を示さない強誘電性メモリセルの製造にとって重要
である。
カイト層をこのペロブスカイト層上に堆積した。この目
的のために、次のような溶液を調製した。 9.41gの酢酸
鉛（Pb 63.9 重量％）を13mlのメトキシエタノールに溶
解した。4.22g のチタン−テトラ−ｎ−ブチラート（Ti
14.1 重量％）および6.57g のジルコニウム−テトラ−
ｎ−ブチラート（Zr 20.53重量％）を３mlのメトキシエ
タノールに溶解した。かき混ぜながらチタンおよびジル
コニウム含有溶液を酢酸鉛溶液に添加した。この溶液は
過剰量の鉛を含んだ。さらに、0.71mlの蒸留水、0.37ml
の濃HNO3および26.4mlのメトキシエタノールから加水分
解溶液を調製した。この加水分解溶液を鉛、チタンおよ
びジルコニウムを含む溶液に添加した。このようにして
予め加水分解した溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロ
ンフィルタに通した。この溶液を上述のPbZr0.35Ti0.65
O3層に塗布した。組成Pb：Zr：Ti＝ 1.1：0.53：0.47を
有する溶液を、１分当たり 2,500回転でスピン塗布する
ことにより均一に分配して600℃で転化させた。次い
で、この層を５℃／分の割合で 650℃まで加熱しこの温
度で30分間処理した。ここに記載した層構造はほとんど
疲労を示さない強誘電性メモリセルの製造にとって重要
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４３】実施例８ Pb2Ru2O7層上へのPb0.93La0.05Zr0.53Ti0.47O3層の堆積 圧電性用途にPb0.93La0.05Zr0.53Ti0.47O3層を堆積する
ために、 500nmの厚さのSiO2層から成るSi基板に実施例
２に従ってPb2Ru2O7層を設けた。実施例３に従って、Pb
Zr0.35Ti0.65O3層を遠心によりこのPb2Ru2O7層上に設け
た。Pb0.93La0. 05Zr0.53Ti0.47O3層をゾル−ゲル法によ
り、このペロブスカイト層に設けた。この目的のため
に、ある溶液を調製した。被覆用に、10.0g の酢酸鉛
（Pb 63.85重量％）を35mlのメトキシエタノールに溶解
した。6.480gのジルコニウム−ｎ−プロポキシド（Zr 2
0.68重量％）を７mlのメトキシエタノールに溶解した。
3.701gのチタン−テトラ−ｎ−ブチラート（Ti 14.1 重
量％）および0.596gの酢酸ランタン水和物（La 32.3 重
量％）をこの溶液に添加した。この過剰量の鉛を含む溶
液を均一に混合し、次いでメトキシエタノールと１：１
の比で希釈し、その後0.2 μm の孔径を有するテフロン
フィルタに通した。この濾液を、Pb2Ru2O7およびPbZr
0.35Ti0.65O3層を有する基板上にわたり、１分当たり
2,000回転の遠心により分配した。この被膜を約 400℃
／分の割合で酸素雰囲気下の拡散炉で 700℃まで加熱
し、この温度に１時間維持し、次いで 400℃／分の割合
で冷却した。所望の層厚に依存して、この被覆法を何回
か繰り返すことができる。最後の被覆処理において、こ
の層を 400℃／分の割合で 700℃まで加熱し、この温度
に40分間維持し、次いで５℃／分の割合で 750℃まで加
熱し、 750℃で１時間処理し、次いで 400℃／分の割合
で冷却した。
ために、 500nmの厚さのSiO2層から成るSi基板に実施例
２に従ってPb2Ru2O7層を設けた。実施例３に従って、Pb
Zr0.35Ti0.65O3層を遠心によりこのPb2Ru2O7層上に設け
た。Pb0.93La0. 05Zr0.53Ti0.47O3層をゾル−ゲル法によ
り、このペロブスカイト層に設けた。この目的のため
に、ある溶液を調製した。被覆用に、10.0g の酢酸鉛
（Pb 63.85重量％）を35mlのメトキシエタノールに溶解
した。6.480gのジルコニウム−ｎ−プロポキシド（Zr 2
0.68重量％）を７mlのメトキシエタノールに溶解した。
3.701gのチタン−テトラ−ｎ−ブチラート（Ti 14.1 重
量％）および0.596gの酢酸ランタン水和物（La 32.3 重
量％）をこの溶液に添加した。この過剰量の鉛を含む溶
液を均一に混合し、次いでメトキシエタノールと１：１
の比で希釈し、その後0.2 μm の孔径を有するテフロン
フィルタに通した。この濾液を、Pb2Ru2O7およびPbZr
0.35Ti0.65O3層を有する基板上にわたり、１分当たり
2,000回転の遠心により分配した。この被膜を約 400℃
／分の割合で酸素雰囲気下の拡散炉で 700℃まで加熱
し、この温度に１時間維持し、次いで 400℃／分の割合
で冷却した。所望の層厚に依存して、この被覆法を何回
か繰り返すことができる。最後の被覆処理において、こ
の層を 400℃／分の割合で 700℃まで加熱し、この温度
に40分間維持し、次いで５℃／分の割合で 750℃まで加
熱し、 750℃で１時間処理し、次いで 400℃／分の割合
で冷却した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４６】実施例１１ RuOx 層上へのPbZrx Ti1-x O3層の堆積 焦電型用途にPbZr0.48Ti0.52O3層を堆積するために、 5
00nmの厚さのSiO2層から成るSi基板に実施例１に従っ
て、 RuOx 層を設ける。実施例３で説明した溶液を含
む、 0.1μm の厚さのPbZr0.35Ti0.65O3層をこの RuOx
層上に設ける。この溶液を１分当たり 2,500回転の遠心
により堆積する。PbZr0.35Ti0.65O3層を形成するため
に、この構造体を約 350℃／分の割合で拡散炉において
550℃まで加熱し、この温度に１時間維持し、次いで約
350℃／分の割合で冷却する。このPbZr 0.35Ti0.65O3層
上に、組成PbZr0.48Ti0.52O3のペロブスカイト層を堆積
するために、溶液を次のように調製する。8.650gの酢酸
鉛（Pb 63.9 重量％）を13.1mlのメトキシエタノールに
溶解した。4.204gのチタン−テトラ−ｎ−ブチラート
（Ti14.1 重量％）および5.076gのジルコニウム−テト
ラ−ｎ−ブチラート（Zr 20.53重量％）を３mlのメトキ
シエタノールに溶解した。このチタンおよびジルコニウ
ム含有溶液をかき混ぜながら酢酸鉛の溶液に添加した。
さらに、0.64mlの蒸留水、0.33mlの濃HNO3および26.4ml
のメトキシエタノールから成る加水分解溶液を調製し
た。この加水分解溶液を鉛、チタンおよびジルコニウム
を含む溶液に添加した。このようにして予め加水分解し
た溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロンフィルタに通
した。次いで、この過剰量の鉛を含む溶液を組成PbZr
0.35Ti0.65O3の基板上にわたり、１分当たり 2,500回転
の遠心により均一に分配した。この構造体を 600℃で１
時間焼成した。所望の層厚に依存して、この被覆法を何
回か繰り返すことができる。最後の被覆処理で、この層
を 600℃で１時間予備焼成し、５℃／分の割合で 650℃
まで加熱し、この温度で30分間処理する。
00nmの厚さのSiO2層から成るSi基板に実施例１に従っ
て、 RuOx 層を設ける。実施例３で説明した溶液を含
む、 0.1μm の厚さのPbZr0.35Ti0.65O3層をこの RuOx
層上に設ける。この溶液を１分当たり 2,500回転の遠心
により堆積する。PbZr0.35Ti0.65O3層を形成するため
に、この構造体を約 350℃／分の割合で拡散炉において
550℃まで加熱し、この温度に１時間維持し、次いで約
350℃／分の割合で冷却する。このPbZr 0.35Ti0.65O3層
上に、組成PbZr0.48Ti0.52O3のペロブスカイト層を堆積
するために、溶液を次のように調製する。8.650gの酢酸
鉛（Pb 63.9 重量％）を13.1mlのメトキシエタノールに
溶解した。4.204gのチタン−テトラ−ｎ−ブチラート
（Ti14.1 重量％）および5.076gのジルコニウム−テト
ラ−ｎ−ブチラート（Zr 20.53重量％）を３mlのメトキ
シエタノールに溶解した。このチタンおよびジルコニウ
ム含有溶液をかき混ぜながら酢酸鉛の溶液に添加した。
さらに、0.64mlの蒸留水、0.33mlの濃HNO3および26.4ml
のメトキシエタノールから成る加水分解溶液を調製し
た。この加水分解溶液を鉛、チタンおよびジルコニウム
を含む溶液に添加した。このようにして予め加水分解し
た溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロンフィルタに通
した。次いで、この過剰量の鉛を含む溶液を組成PbZr
0.35Ti0.65O3の基板上にわたり、１分当たり 2,500回転
の遠心により均一に分配した。この構造体を 600℃で１
時間焼成した。所望の層厚に依存して、この被覆法を何
回か繰り返すことができる。最後の被覆処理で、この層
を 600℃で１時間予備焼成し、５℃／分の割合で 650℃
まで加熱し、この温度で30分間処理する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５１】実施例１６ Si基板上への薄い(RuOx )0.7(TiO2)0.3 層の堆積 薄い(RuOx )0.7(TiO2)0.3 層を堆積するために、0.3171
g のニトロシル硝酸ルテニウムおよび0.1459g のチタン
−テトラ−ｎ−ブチラートを５mlの１−プロパノールに
溶解した。この溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロン
フィルタに通した。このようにして調製した溶液を、
0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi(100)−基板上に塗布
した。被覆処理の後、この基板を 350℃で３分間、加熱
板上で熱処理した。所望の層厚を得るために、この方法
を何回か繰り返した。
g のニトロシル硝酸ルテニウムおよび0.1459g のチタン
−テトラ−ｎ−ブチラートを５mlの１−プロパノールに
溶解した。この溶液を0.2 μm の孔径を有するテフロン
フィルタに通した。このようにして調製した溶液を、
0.5μm の厚さのSiO2層から成るSi(100)−基板上に塗布
した。被覆処理の後、この基板を 350℃で３分間、加熱
板上で熱処理した。所望の層厚を得るために、この方法
を何回か繰り返した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｃ 7/00 Ｚ (72)発明者 ハンス−ヴォルフガング ブラント ドイツ連邦共和国 52072 アーヘン シ ュロスパークシュトラーセ 43 (72)発明者 ハンス−オット ユンク ドイツ連邦共和国 52078 アーヘン ヴ ォルフェルスカウル 58
Claims (8)
- 【請求項１】 基板と、底部電極、頂部電極および、随
意の、１つ以上の中間電極のための電極層を備え、さら
に機能的中間層を備え、前記電極層が導電性の、酸化物
化合物を含む電子薄膜部品であって、少なくとも１つの
電極層が TiO x 、式中１≦ｘ≦２、 EuOx 、式中１≦ｘ
≦２、LiTi2O4 、LiV2O4、SrVO3 、Er x NbO3、式中0.65
≦ｘ≦0.92、RbWO3 、Nax WO3 、A2P8W32O112 、式中Ａ
＝Ｋ、Rb、Tl、Nax Tay W1-yO3、式中ｘ＝0.64およびｘ
−ｙ＝0.18、Na1-x Srx NbO3、LaTiO3、CeTiO3、CaVO
3 、La1-x Srx VO3 、SrCoO3、CaRuO3、SrRuO3、BaRu
O3、BaPbO3、SrMoO3、Sr0.5La0.5O3、La4 BaCu5O13-x、
La2-x Srx CuO4- δ、YBa2Cu 3O7-δ、Bi2Sr2CaCu
2O8+d 、Bi2Sr2CuO6+d、Bi2Sr2Ca2Cu3O10+d 、Tl2Ba2Ca
Cu2O 8 、TlBa2CuO6+d 、Tl2Ba2Ca2Cu3O10+d 、La4BaCu6
O15 、Gd1-x Srx VO3 、CaCrO3、SrFeO3、EuNbO3、SrIr
O3、CaMoO3、BaMoO3、Bi3Ru3O11 、VO2 、CrO2、MoO2、
WO2 、RhO2、PtO2、 RuOx 、式中 1.5≦ｘ＜２、 Ir
Ox 、式中 1.5≦ｘ≦２、SnO2-x 、La3Ni2O7、La3Ni3O
10 、M2V2O7-x、式中Ｍ＝Tm、Lu、M2Mo2O7 、式中Ｍ＝N
d、Sm、Gd、Lu2Ru2O7、Pb2Ru2O7、Bi2Ru2O7、Pb2Os
2O7、Tl2Os2O7、Pb2Ir2O2、Tl2Rh2O7-x、K0.3MoO3、Rb
0.3MoO3 、Tl0.3MoO3 、 Mx V2O5、式中Ｍ＝Cu、Na、Mo
17O47 もしくはTl2O3-x から成るか、あるいは前記酸化
物化合物の物理的混合物および／または固溶体から成る
か、あるいは50重量％以下のさらなる化合物もしくは金
属を添加した前記酸化物化合物の物理的混合物および／
または固溶体から成ることを特徴とする電子薄膜部品。 - 【請求項２】 前記さらなる化合物がReO3またはRuO2で
あることを特徴とする請求項１に記載の電子薄膜部品。 - 【請求項３】 前記さらなる化合物がTiO2、SiO2または
Al2O3 であることを特徴とする請求項１または２に記載
の電子薄膜部品。 - 【請求項４】 前記さらなる化合物がSnO2であることを
特徴とする請求項１〜３のいずれか一つの項に記載の電
子薄膜部品。 - 【請求項５】 前記金属が白金、パラジウム、イリジウ
ム、銀、金および／または銅あるいはそれらの合金であ
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つの項に
記載の電子薄膜部品。 - 【請求項６】 前記機能的中間層がペロブスカイトから
成ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つの項
に記載の電子薄膜部品。 - 【請求項７】 前記基板がSi、GaAs、サファイア、ガラ
ス、石英、ZrO2、MgO 、Al2O3 またはAlN から成ること
を特徴とする請求項１〜６のいずれか一つの項に記載の
電子薄膜部品。 - 【請求項８】 基板または機能的中間層を、湿式化学堆
積法により、導電性の、酸化物化合物のための出発化合
物を有機溶媒中に含む純粋な溶液、ゾルまたは懸濁液で
被覆し、その後、熱処理して導電性の、酸化物化合物を
形成することにより１つ以上の電極層を製造することを
特徴とする電子薄膜部品の製造方法。
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|---|---|---|---|
| DE4421007:8 | 1994-06-18 | ||
| DE4421007A DE4421007A1 (de) | 1994-06-18 | 1994-06-18 | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845781A true JPH0845781A (ja) | 1996-02-16 |
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ID=6520712
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7151946A Pending JPH0845781A (ja) | 1994-06-18 | 1995-06-19 | 電子薄膜部品およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5995359A (ja) |
| EP (1) | EP0689249A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0845781A (ja) |
| DE (1) | DE4421007A1 (ja) |
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