JP2003332539A - 強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに半導体記憶装置 - Google Patents
強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに半導体記憶装置Info
- Publication number
- JP2003332539A JP2003332539A JP2002142534A JP2002142534A JP2003332539A JP 2003332539 A JP2003332539 A JP 2003332539A JP 2002142534 A JP2002142534 A JP 2002142534A JP 2002142534 A JP2002142534 A JP 2002142534A JP 2003332539 A JP2003332539 A JP 2003332539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferroelectric
- thin film
- ferroelectric capacitor
- upper electrode
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 85
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 85
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 6
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 50
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 101000650817 Homo sapiens Semaphorin-4D Proteins 0.000 description 1
- 101000831940 Homo sapiens Stathmin Proteins 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 1
- 102100027744 Semaphorin-4D Human genes 0.000 description 1
- 102100024237 Stathmin Human genes 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】強誘電体薄膜の分極反転が容易で分極反転電荷
を増大させることができる強誘電体キャパシタ及びその
製造方法を提供すること。 【解決手段】下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を有
する強誘電体キャパシタにおいて、前記上部電極は、Ｒ
ｕ１−ＸＯＸ（Ｘは０．００５以上かつ０．０５以下；
Ｒｕ金属中の酸素含有量が０．５〜５ａｔｍ％）からな
るとともにＲｕ金属結晶相を有することを特徴とする。
を増大させることができる強誘電体キャパシタ及びその
製造方法を提供すること。 【解決手段】下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を有
する強誘電体キャパシタにおいて、前記上部電極は、Ｒ
ｕ１−ＸＯＸ（Ｘは０．００５以上かつ０．０５以下；
Ｒｕ金属中の酸素含有量が０．５〜５ａｔｍ％）からな
るとともにＲｕ金属結晶相を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電体キャパシ
タ及びその製造方法に関し、特に、強誘電体薄膜の分極
反転が容易で分極反転電荷を増大させることができる強
誘電体キャパシタ及びその製造方法に関する。
タ及びその製造方法に関し、特に、強誘電体薄膜の分極
反転が容易で分極反転電荷を増大させることができる強
誘電体キャパシタ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電体は、一度電界を印加して分極さ
せるとそのヒステリシス特性は電源を切っても保持され
る。このような強誘電体の分極特性を利用して、金属−
強誘電体薄膜−金属の３層構造に形成された強誘電体キ
ャパシタは、不揮発性メモリに用いられている。強誘電
体キャパシタの性能を向上させる手法として、残留分極
値の拡大、分極書込み電圧の低電圧化、強誘電体薄膜の
成膜温度の低温化、分極反転の繰り返し動作に対する耐
久性の向上等が挙げられる。
せるとそのヒステリシス特性は電源を切っても保持され
る。このような強誘電体の分極特性を利用して、金属−
強誘電体薄膜−金属の３層構造に形成された強誘電体キ
ャパシタは、不揮発性メモリに用いられている。強誘電
体キャパシタの性能を向上させる手法として、残留分極
値の拡大、分極書込み電圧の低電圧化、強誘電体薄膜の
成膜温度の低温化、分極反転の繰り返し動作に対する耐
久性の向上等が挙げられる。
【０００３】強誘電体キャパシタの一般的な構成は、基
板１０１上に下部電極１０５、強誘電体薄膜１０６、上
部電極１０７の順に積層して形成されている（図１２参
照）。強誘電体薄膜１０６には、ＰＺＴ（ＰｂＺｒｘＴ
ｉ１−ｘＯ３）、ＰＬＺＴ（Ｐｂ１−ｙＬａｙＺｒｘＴ
ｉ１−ｘＯ３）、ＳＢＴ（ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９）など
のペロブスカイト構造を有する複合酸化膜が用いられて
いる。そして、従来の強誘電体キャパシタの下部電極１
０５及び上部電極１０７には、高温での耐酸化性が高い
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ及びＡｇの
群から選択される１つ以上からなる金属（合金）やＲｕ
Ｏx、ＲｅＯx、ＲｈＯx、ＩｒＯx、及びＯｓＯxの群か
ら選択される１つ以上からなる導電性酸化物が用いられ
ている。下部電極１０５及び上部電極１０７にこのよう
な金属や導電性酸化物を用いた場合に分極の劣化が抑制
されるのは、強誘電体と電極との界面における強誘電体
の酸素欠損を抑制できるからである。
板１０１上に下部電極１０５、強誘電体薄膜１０６、上
部電極１０７の順に積層して形成されている（図１２参
照）。強誘電体薄膜１０６には、ＰＺＴ（ＰｂＺｒｘＴ
ｉ１−ｘＯ３）、ＰＬＺＴ（Ｐｂ１−ｙＬａｙＺｒｘＴ
ｉ１−ｘＯ３）、ＳＢＴ（ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９）など
のペロブスカイト構造を有する複合酸化膜が用いられて
いる。そして、従来の強誘電体キャパシタの下部電極１
０５及び上部電極１０７には、高温での耐酸化性が高い
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ及びＡｇの
群から選択される１つ以上からなる金属（合金）やＲｕ
Ｏx、ＲｅＯx、ＲｈＯx、ＩｒＯx、及びＯｓＯxの群か
ら選択される１つ以上からなる導電性酸化物が用いられ
ている。下部電極１０５及び上部電極１０７にこのよう
な金属や導電性酸化物を用いた場合に分極の劣化が抑制
されるのは、強誘電体と電極との界面における強誘電体
の酸素欠損を抑制できるからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
強誘電体キャパシタのように、下部電極若しくは上部電
極に金属若しくは合金（酸素を含まないもの）を用いた
場合、強誘電体薄膜の表面に酸素欠陥が生じたときに、
酸素を補償することができず、強誘電体の残留分極が小
さくなったり、絶縁不良を起こしてリーク電流が増大し
てしまう。
強誘電体キャパシタのように、下部電極若しくは上部電
極に金属若しくは合金（酸素を含まないもの）を用いた
場合、強誘電体薄膜の表面に酸素欠陥が生じたときに、
酸素を補償することができず、強誘電体の残留分極が小
さくなったり、絶縁不良を起こしてリーク電流が増大し
てしまう。
【０００５】また、下部電極若しくは上部電極に導電性
酸化物を用いた場合、強誘電体薄膜の表面に酸素欠陥が
生じたときに、上部電極から強誘電体薄膜へ酸素を補償
することができるものの、残留分極の絶対値が低下する
ことが多い。これは、強誘電体の構成元素（特にＰｂ）
と電極における金属と酸素が反応しやすいため、電極と
強誘電体薄膜の界面付近で強誘電体以外の反応生成物が
できてしまうからである。その結果、強誘電体の残留分
極が小さくなるとともに、キャパシタの絶縁特性が劣化
してしまう。
酸化物を用いた場合、強誘電体薄膜の表面に酸素欠陥が
生じたときに、上部電極から強誘電体薄膜へ酸素を補償
することができるものの、残留分極の絶対値が低下する
ことが多い。これは、強誘電体の構成元素（特にＰｂ）
と電極における金属と酸素が反応しやすいため、電極と
強誘電体薄膜の界面付近で強誘電体以外の反応生成物が
できてしまうからである。その結果、強誘電体の残留分
極が小さくなるとともに、キャパシタの絶縁特性が劣化
してしまう。
【０００６】本発明の目的は、強誘電体薄膜の分極反転
が容易で分極反転電荷を増大させることができる強誘電
体キャパシタ及びその製造方法を提供することである。
が容易で分極反転電荷を増大させることができる強誘電
体キャパシタ及びその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の視点にお
いては、下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する
強誘電体キャパシタにおいて、前記上部電極は、Ｒｕ
１−ＸＯＸ（Ｘは０．００５以上かつ０．０５以下；Ｒ
ｕ金属中の酸素含有量が０．５〜５ａｔｍ％）からなる
とともにＲｕ金属結晶相を有することを特徴とする。
いては、下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する
強誘電体キャパシタにおいて、前記上部電極は、Ｒｕ
１−ＸＯＸ（Ｘは０．００５以上かつ０．０５以下；Ｒ
ｕ金属中の酸素含有量が０．５〜５ａｔｍ％）からなる
とともにＲｕ金属結晶相を有することを特徴とする。
【０００８】本発明の第２の視点においては、下部電
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタにおいて、前記上部電極及び前記下部電極のいずれ
か一方又は両方の電極は、Ｒｕ１−ＸＯＸ（Ｘは０．０
０５以上かつ０．０５以下）からなるとともにＲｕ金属
結晶相を有することを特徴とする。
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタにおいて、前記上部電極及び前記下部電極のいずれ
か一方又は両方の電極は、Ｒｕ１−ＸＯＸ（Ｘは０．０
０５以上かつ０．０５以下）からなるとともにＲｕ金属
結晶相を有することを特徴とする。
【０００９】本発明の第３の視点においては、下部電
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタにおいて、前記上部電極は、金属結晶相を有すると
ともに、酸素を含有し、かつ、金属酸化物結晶相を有さ
ない金属であることを特徴とする。
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタにおいて、前記上部電極は、金属結晶相を有すると
ともに、酸素を含有し、かつ、金属酸化物結晶相を有さ
ない金属であることを特徴とする。
【００１０】本発明の第４の視点においては、下部電
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタにおいて、前記上部電極及び前記下部電極のいずれ
か一方又は両方の電極は、金属結晶相を有するととも
に、酸素を含有し、かつ、金属酸化物結晶相を有さない
金属であることを特徴とする。
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタにおいて、前記上部電極及び前記下部電極のいずれ
か一方又は両方の電極は、金属結晶相を有するととも
に、酸素を含有し、かつ、金属酸化物結晶相を有さない
金属であることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の前記強誘電体キャパシタに
おいて、前記金属の主成分は、白金族元素から選ばれる
１つ以上の元素であることが好ましく、より好ましくは
Ｉｒ及びＲｕから選ばれる１つ以上の元素である。
おいて、前記金属の主成分は、白金族元素から選ばれる
１つ以上の元素であることが好ましく、より好ましくは
Ｉｒ及びＲｕから選ばれる１つ以上の元素である。
【００１２】また、本発明の前記強誘電体キャパシタに
おいて、前記強誘電体は、ペロブスカイト構造を有する
複合酸化膜を主成分とするものが好ましく、より好まし
くはＰｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３若しくはこれにＬ
ａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ等の添加物を加えた
組成の強誘電体を主成分とするものである。
おいて、前記強誘電体は、ペロブスカイト構造を有する
複合酸化膜を主成分とするものが好ましく、より好まし
くはＰｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３若しくはこれにＬ
ａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ等の添加物を加えた
組成の強誘電体を主成分とするものである。
【００１３】また、本発明の前記強誘電体キャパシタに
おいて、前記下部電極、前記強誘電体薄膜及び前記上部
電極は、基板に形成された段差部若しくはトレンチを含
む領域上に積層されることが好ましい。
おいて、前記下部電極、前記強誘電体薄膜及び前記上部
電極は、基板に形成された段差部若しくはトレンチを含
む領域上に積層されることが好ましい。
【００１４】本発明の第５の視点においては、本発明の
前記強誘電体キャパシタを１又は２以上有する半導体記
憶装置とすることを特徴とする。
前記強誘電体キャパシタを１又は２以上有する半導体記
憶装置とすることを特徴とする。
【００１５】本発明の第６の視点においては、下部電
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタの製造方法において、酸素を含む雰囲気中でＲｕ金
属ターゲットをスパッタリングすることにより電極層を
成膜する際に、不活性ガスと酸素ガスの流量比を制御す
ることにより、前記電極層として成膜されるＲｕ１−Ｘ
ＯＸにおけるＸを０．００５以上かつ０．０５以下（Ｒ
ｕ金属中の酸素含有量が０．５〜５ａｔｍ％）に制御す
ることを特徴とする。
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタの製造方法において、酸素を含む雰囲気中でＲｕ金
属ターゲットをスパッタリングすることにより電極層を
成膜する際に、不活性ガスと酸素ガスの流量比を制御す
ることにより、前記電極層として成膜されるＲｕ１−Ｘ
ＯＸにおけるＸを０．００５以上かつ０．０５以下（Ｒ
ｕ金属中の酸素含有量が０．５〜５ａｔｍ％）に制御す
ることを特徴とする。
【００１６】本発明の第７の視点においては、下部電
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタの製造方法において、酸素を含む雰囲気中で金属タ
ーゲットをスパッタリングすることにより電極層を成膜
する際に、不活性ガスと酸素ガスの流量比を制御するこ
とにより、前記電極層として成膜される金属薄膜中の酸
素含有量を制御することを特徴とする。
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタの製造方法において、酸素を含む雰囲気中で金属タ
ーゲットをスパッタリングすることにより電極層を成膜
する際に、不活性ガスと酸素ガスの流量比を制御するこ
とにより、前記電極層として成膜される金属薄膜中の酸
素含有量を制御することを特徴とする。
【００１７】本発明の第８の視点においては、下部電
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタの製造方法において、供給される有機金属原料及び
酸化ガスを気相反応させることにより電極層を成膜する
際に、前記酸化ガスの供給量を制御することにより、前
記電極層として成膜される金属薄膜中の酸素含有量を制
御することを特徴とする。
極、強誘電体薄膜及び上部電極を有する強誘電体キャパ
シタの製造方法において、供給される有機金属原料及び
酸化ガスを気相反応させることにより電極層を成膜する
際に、前記酸化ガスの供給量を制御することにより、前
記電極層として成膜される金属薄膜中の酸素含有量を制
御することを特徴とする。
【００１８】また、本発明の前記強誘電体キャパシタの
製造方法において、前記強誘電体薄膜は、５００℃以下
の温度にて成膜されることが好ましく、より好ましくは
４５０℃以下である。
製造方法において、前記強誘電体薄膜は、５００℃以下
の温度にて成膜されることが好ましく、より好ましくは
４５０℃以下である。
【００１９】また、本発明の前記強誘電体キャパシタの
製造方法において、前記強誘電体薄膜は、ＭＯＣＶＤ法
又はスパッタリング法にて成膜されることが好ましい。
製造方法において、前記強誘電体薄膜は、ＭＯＣＶＤ法
又はスパッタリング法にて成膜されることが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】下部電極（図１の５）、強誘電体
薄膜（図１の６）及び上部電極（図１の７）を有する強
誘電体キャパシタにおいて、前記上部電極（図１の７）
は、Ｒｕ１− ＸＯＸ（Ｘは０．００５以上かつ０．０５
以下）からなるとともにＲｕ金属結晶相を有する。この
ように上部電極に係るＲｕ金属中の酸素含有量が０．５
ａｔｍ％以上（Ｒｕ１−ＸＯＸ中のＸが０．００５以
上）存在すると、強誘電体（例えば、ＰＺＴ）表面の酸
素欠陥を補償することができるようになる。また、上部
電極に係るＲｕ金属中の酸素含有量が５ａｔｍ％以下
（Ｒｕ１−ＸＯＸ中のＸが０．０５以下）である場合、
上部電極に係る金属、酸素、強誘電体構成元素間の反応
物の生成を抑制することができるとともに、反転電荷量
の低下やリーク電流の増大を招かない。
薄膜（図１の６）及び上部電極（図１の７）を有する強
誘電体キャパシタにおいて、前記上部電極（図１の７）
は、Ｒｕ１− ＸＯＸ（Ｘは０．００５以上かつ０．０５
以下）からなるとともにＲｕ金属結晶相を有する。この
ように上部電極に係るＲｕ金属中の酸素含有量が０．５
ａｔｍ％以上（Ｒｕ１−ＸＯＸ中のＸが０．００５以
上）存在すると、強誘電体（例えば、ＰＺＴ）表面の酸
素欠陥を補償することができるようになる。また、上部
電極に係るＲｕ金属中の酸素含有量が５ａｔｍ％以下
（Ｒｕ１−ＸＯＸ中のＸが０．０５以下）である場合、
上部電極に係る金属、酸素、強誘電体構成元素間の反応
物の生成を抑制することができるとともに、反転電荷量
の低下やリーク電流の増大を招かない。
【００２１】すなわち、上部電極に係るＲｕ金属中の酸
素含有量が０．５〜５ａｔｍ％（Ｒｕ１−ＸＯＸ中のＸ
が０．００５〜０．０５）のとき、強誘電体は、補償さ
れる酸素によって界面付近の結晶としての完全性が向上
するため、分極が増大する。また、上部電極はＲｕ金属
結晶相を有するため、界面のショットキー障壁が高くな
り、リーク電流を低いレベルに抑えることができる。
素含有量が０．５〜５ａｔｍ％（Ｒｕ１−ＸＯＸ中のＸ
が０．００５〜０．０５）のとき、強誘電体は、補償さ
れる酸素によって界面付近の結晶としての完全性が向上
するため、分極が増大する。また、上部電極はＲｕ金属
結晶相を有するため、界面のショットキー障壁が高くな
り、リーク電流を低いレベルに抑えることができる。
【００２２】さらに、上部電極中の酸素は、金属結晶相
において格子間原子として存在しているため、結合が弱
く、金属酸化物中の酸素よりも酸素原子の移動が容易で
あり、容易に強誘電体中に供給され、強誘電体表面の酸
素欠陥を補償する効果が非常に高い。このような性質
は、強誘電体の成膜温度が低く、得られる分極値が小さ
い（分極書込み電圧が低い）場合に特に有効である。
において格子間原子として存在しているため、結合が弱
く、金属酸化物中の酸素よりも酸素原子の移動が容易で
あり、容易に強誘電体中に供給され、強誘電体表面の酸
素欠陥を補償する効果が非常に高い。このような性質
は、強誘電体の成膜温度が低く、得られる分極値が小さ
い（分極書込み電圧が低い）場合に特に有効である。
【００２３】
【実施例】本発明の実施例１について図面を用いて説明
する。図１は、本発明の実施例１に係る強誘電体キャパ
シタの構成を模式的に示した部分断面図である。
する。図１は、本発明の実施例１に係る強誘電体キャパ
シタの構成を模式的に示した部分断面図である。
【００２４】図１を参照すると、酸化物強誘電体キャパ
シタは、基板１（表面にシリコン酸化膜を有するもの）
上にバッファ層２、３、４、下部電極５、強誘電体薄膜
６、上部電極７を有する。バッファ層は、基板側からＴ
ｉ層２、ＴｉＮ層３、Ｔｉ層４の順に積層した層であ
る。Ｔｉ層２、４は、隣接する膜との密着性を高めるた
めのものである。下部電極５は、Ｒｕ金属からなり、バ
ッファ層（Ｔｉ層４）上に形成されるとともに強誘電体
薄膜６の下部側に形成された電極である。強誘電体薄膜
６は、下部電極５上に形成されたＰＺＴ（ＰｂＺｒ
０．３７Ｔｉ０．６３Ｏ３）である。上部電極７は、金
属結晶相を有するとともに酸素を０．５〜５ａｔｍ％
（Ｒｕ１−ＸＯＸ；Ｘ＝０．００５〜０．０５）を含む
Ｒｕ金属からなり、強誘電体薄膜６の上部側に形成され
た電極である。
シタは、基板１（表面にシリコン酸化膜を有するもの）
上にバッファ層２、３、４、下部電極５、強誘電体薄膜
６、上部電極７を有する。バッファ層は、基板側からＴ
ｉ層２、ＴｉＮ層３、Ｔｉ層４の順に積層した層であ
る。Ｔｉ層２、４は、隣接する膜との密着性を高めるた
めのものである。下部電極５は、Ｒｕ金属からなり、バ
ッファ層（Ｔｉ層４）上に形成されるとともに強誘電体
薄膜６の下部側に形成された電極である。強誘電体薄膜
６は、下部電極５上に形成されたＰＺＴ（ＰｂＺｒ
０．３７Ｔｉ０．６３Ｏ３）である。上部電極７は、金
属結晶相を有するとともに酸素を０．５〜５ａｔｍ％
（Ｒｕ１−ＸＯＸ；Ｘ＝０．００５〜０．０５）を含む
Ｒｕ金属からなり、強誘電体薄膜６の上部側に形成され
た電極である。
【００２５】実施例１に係る強誘電体キャパシタの製造
方法について説明する。図２は、本発明の実施例１に係
る強誘電体キャパシタの製造方法を説明するための構成
を模式的に示した部分工程断面図である。
方法について説明する。図２は、本発明の実施例１に係
る強誘電体キャパシタの製造方法を説明するための構成
を模式的に示した部分工程断面図である。
【００２６】まず、表面にシリコン酸化膜を有する基板
１上にバッファ層２、３、４を成膜する（図２（Ｂ）参
照）。バッファ層は、Ｔｉ層２、ＴｉＮ層３、Ｔｉ層４
の順に成膜されたものである。Ｔｉ層２の膜厚は２０ｎ
ｍ程度、ＴｉＮ層３の膜厚は５０ｎｍ程度、Ｔｉ層４の
膜厚は２０ｎｍ程度である。バッファ層の各層の成膜条
件・方法は、公知の成膜条件・方法（スパッタ法）であ
る。なお、Ｔｉ層２、ＴｉＮ層３、Ｔｉ層４の各層は多
結晶である。
１上にバッファ層２、３、４を成膜する（図２（Ｂ）参
照）。バッファ層は、Ｔｉ層２、ＴｉＮ層３、Ｔｉ層４
の順に成膜されたものである。Ｔｉ層２の膜厚は２０ｎ
ｍ程度、ＴｉＮ層３の膜厚は５０ｎｍ程度、Ｔｉ層４の
膜厚は２０ｎｍ程度である。バッファ層の各層の成膜条
件・方法は、公知の成膜条件・方法（スパッタ法）であ
る。なお、Ｔｉ層２、ＴｉＮ層３、Ｔｉ層４の各層は多
結晶である。
【００２７】次に、バッファ層（Ｔｉ層４）上に下部電
極層５を成膜する（図２（Ｃ）参照）。下部電極層５
は、スパッタ法によりＲｕ金属薄膜を作製することによ
り成膜される。下部電極層５の成膜条件は、表１の通り
である。なお、ここでのＲｕ金属薄膜は多結晶である。
極層５を成膜する（図２（Ｃ）参照）。下部電極層５
は、スパッタ法によりＲｕ金属薄膜を作製することによ
り成膜される。下部電極層５の成膜条件は、表１の通り
である。なお、ここでのＲｕ金属薄膜は多結晶である。
【００２８】
【表１】
【００２９】次に、下部電極層５の表面に強誘電体薄膜
６を成膜する（図２（Ｄ）参照）。強誘電体薄膜６は、
ＰＺＴを主成分とし、ＭＯＣＶＤ法を用いて作製され
る。強誘電体薄膜の成膜条件は以下の通りである。
６を成膜する（図２（Ｄ）参照）。強誘電体薄膜６は、
ＰＺＴを主成分とし、ＭＯＣＶＤ法を用いて作製され
る。強誘電体薄膜の成膜条件は以下の通りである。
【００３０】原料ガスは、１８０℃に加熱されたＰｂ
（ＤＰＭ）２ガス、８０℃に加熱されたＺｒ（Ｏ−ｔＢ
ｕ）４ガス、及び、８５℃に加熱されたＴｉ（Ｏ−ｉＰ
ｒ）４ガスである。これらの原料ガスは、キャリアガス
を用いないで、加熱されたマスフローコントローラ及び
配管を介して成膜室に輸送され、２００℃に加熱された
シャワーヘッドから基板板面上に供給される。原料ガス
を酸化する酸化ガスは、ＮＯ２ガスである。酸化ガス
は、原料ガスと同様にシャワーヘッドから基板板面上に
供給されるが、シャワーヘッド内では原料ガスと混合し
ないように隔てられている。成膜室の圧力は、約６．７
Ｐａである。成膜温度（基板温度）は、４５０℃であ
る。ここで、ＰＺＴが４５０℃でも十分結晶化するよう
に、その成膜前にＰｂＴｉＯ３（以下、ＰＴＯ）シード
（種結晶）を作製している。
（ＤＰＭ）２ガス、８０℃に加熱されたＺｒ（Ｏ−ｔＢ
ｕ）４ガス、及び、８５℃に加熱されたＴｉ（Ｏ−ｉＰ
ｒ）４ガスである。これらの原料ガスは、キャリアガス
を用いないで、加熱されたマスフローコントローラ及び
配管を介して成膜室に輸送され、２００℃に加熱された
シャワーヘッドから基板板面上に供給される。原料ガス
を酸化する酸化ガスは、ＮＯ２ガスである。酸化ガス
は、原料ガスと同様にシャワーヘッドから基板板面上に
供給されるが、シャワーヘッド内では原料ガスと混合し
ないように隔てられている。成膜室の圧力は、約６．７
Ｐａである。成膜温度（基板温度）は、４５０℃であ
る。ここで、ＰＺＴが４５０℃でも十分結晶化するよう
に、その成膜前にＰｂＴｉＯ３（以下、ＰＴＯ）シード
（種結晶）を作製している。
【００３１】強誘電体薄膜の成膜工程を詳細に説明する
と、ＭＯＣＶＤ装置の基板温度を４５０℃に設定し、基
板（下部電極層５が成膜されたもの）を成膜室内に輸送
した後、ＮＯ２ガスの流量を２０ｓｃｃｍ、Ｐｂ（ＤＰ
Ｍ）２ガスの流量を０．１８ｓｃｃｍ、Ｔｉ（Ｏ−ｉＰ
ｒ）４ガスの流量を０．２４ｓｃｃｍに設定し、同時に
供給して２０秒間ＰＴＯシードを作製する。引き続き、
ＮＯ２ガスの流量を２０ｓｃｃｍ、Ｐｂ（ＤＰＭ）２ガ
スの流量を０．１８ｓｃｃｍ、Ｚｒ（Ｏ−ｔＢｕ）４ガ
スの流量を０．１５ｓｃｃｍ、Ｔｉ（Ｏ−ｉＰｒ）４ガ
スの流量を０．１４ｓｃｃｍに設定し、同時に供給して
膜厚約２５０ｎｍのＰＺＴを作製する。これにより、Ｐ
ＺＴを主成分とする強誘電体薄膜６が成膜される。
と、ＭＯＣＶＤ装置の基板温度を４５０℃に設定し、基
板（下部電極層５が成膜されたもの）を成膜室内に輸送
した後、ＮＯ２ガスの流量を２０ｓｃｃｍ、Ｐｂ（ＤＰ
Ｍ）２ガスの流量を０．１８ｓｃｃｍ、Ｔｉ（Ｏ−ｉＰ
ｒ）４ガスの流量を０．２４ｓｃｃｍに設定し、同時に
供給して２０秒間ＰＴＯシードを作製する。引き続き、
ＮＯ２ガスの流量を２０ｓｃｃｍ、Ｐｂ（ＤＰＭ）２ガ
スの流量を０．１８ｓｃｃｍ、Ｚｒ（Ｏ−ｔＢｕ）４ガ
スの流量を０．１５ｓｃｃｍ、Ｔｉ（Ｏ−ｉＰｒ）４ガ
スの流量を０．１４ｓｃｃｍに設定し、同時に供給して
膜厚約２５０ｎｍのＰＺＴを作製する。これにより、Ｐ
ＺＴを主成分とする強誘電体薄膜６が成膜される。
【００３２】次に、強誘電体薄膜６を成膜した基板のア
ニールを行なう。アニール条件は表２の通りである。こ
れにより、強誘電体薄膜は、結晶としての完全性が向上
する。
ニールを行なう。アニール条件は表２の通りである。こ
れにより、強誘電体薄膜は、結晶としての完全性が向上
する。
【００３３】
【表２】
【００３４】次に、アニールされた基板の強誘電体薄膜
６の表面に上部電極層７を成膜する（図２（Ｅ）参
照）。上部電極層７は、酸素比が制御された雰囲気下で
スパッタ法によりＲｕ金属薄膜を作製することにより成
膜される。上部電極層７の成膜条件は、表３の通りであ
る。
６の表面に上部電極層７を成膜する（図２（Ｅ）参
照）。上部電極層７は、酸素比が制御された雰囲気下で
スパッタ法によりＲｕ金属薄膜を作製することにより成
膜される。上部電極層７の成膜条件は、表３の通りであ
る。
【００３５】
【表３】
【００３６】次に、上部電極層７のみを１００μｍ角に
微細加工する（図２（Ｆ）参照）。この工程では、リソ
グラフィ技術によりレジストパターン（図示せず）を形
成し、このレジストパターンをエッチングマスクとして
上部電極層７をドライエッチング（エッチングガスＡｒ
／Ｃｌ２、温度８０℃）し、レジストパターンをアッシ
ング（２４０℃、１５０秒）により除去する。これによ
り、キャパシタ面積１００００μｍ２となる並行平板キ
ャパシタができる。
微細加工する（図２（Ｆ）参照）。この工程では、リソ
グラフィ技術によりレジストパターン（図示せず）を形
成し、このレジストパターンをエッチングマスクとして
上部電極層７をドライエッチング（エッチングガスＡｒ
／Ｃｌ２、温度８０℃）し、レジストパターンをアッシ
ング（２４０℃、１５０秒）により除去する。これによ
り、キャパシタ面積１００００μｍ２となる並行平板キ
ャパシタができる。
【００３７】最後に、キャパシタが形成された基板のア
ニールを行なう。アニール条件は表４の通りである。こ
れにより、強誘電体薄膜は、結晶としての完全性が向上
する。
ニールを行なう。アニール条件は表４の通りである。こ
れにより、強誘電体薄膜は、結晶としての完全性が向上
する。
【００３８】
【表４】
【００３９】次に、実施例１の強誘電体キャパシタの分
極特性試験について説明する。
極特性試験について説明する。
【００４０】分極特性試験では、（１）初期状態特性試
験、（２）分極反転サイクル特性試験を行なった。
験、（２）分極反転サイクル特性試験を行なった。
【００４１】まず、初期状態特性試験について説明す
る。初期状態特性試験では、サンプル（強誘電体キャパ
シタ）の初期状態（分極反転サイクル）について、上
部電極中の酸素含有量（Ｒｕ１−ＸＯＸ中のＸの値）
と、分極反転時電荷（−３Ｖ印加後に＋３Ｖを印加し
たときの電荷；図３のＰｓｗ参照）と分極反転時電荷
（＋３Ｖ印加後に再度＋３Ｖを印加したときの電荷；図
３のＰｎｓｗ参照）の差（残留分極の２倍に相当）と、
３Ｖ印加時のリーク電流密度と、を測定し、Ｘ線回
折による結晶相の確認を行なった。なお、酸素含有量は
ＳＩＭＳで測定した。
る。初期状態特性試験では、サンプル（強誘電体キャパ
シタ）の初期状態（分極反転サイクル）について、上
部電極中の酸素含有量（Ｒｕ１−ＸＯＸ中のＸの値）
と、分極反転時電荷（−３Ｖ印加後に＋３Ｖを印加し
たときの電荷；図３のＰｓｗ参照）と分極反転時電荷
（＋３Ｖ印加後に再度＋３Ｖを印加したときの電荷；図
３のＰｎｓｗ参照）の差（残留分極の２倍に相当）と、
３Ｖ印加時のリーク電流密度と、を測定し、Ｘ線回
折による結晶相の確認を行なった。なお、酸素含有量は
ＳＩＭＳで測定した。
【００４２】初期状態特性試験で用いたサンプルは、前
記実施例１の製造方法で作製された強誘電体キャパシタ
であるが、上部電極の成膜時における酸素流量を０、
２．５、５、１０、１５、２０、２５及び３０ｓｃｃｍ
（合計流量４５ｓｃｃｍ、残りはＡｒガス）にしたとき
の８種類を用意した。なお、各サンプルは、上部電極の
成膜条件における雰囲気以外の他の条件（バッファ層、
下部電極、強誘電体キャパシタ面積についての条件）は
共通する。各サンプルに係る初期状態特性試験結果を表
５に示す。なお、酸素流量を０及び３０ｓｃｃｍのサン
プルは比較例である。
記実施例１の製造方法で作製された強誘電体キャパシタ
であるが、上部電極の成膜時における酸素流量を０、
２．５、５、１０、１５、２０、２５及び３０ｓｃｃｍ
（合計流量４５ｓｃｃｍ、残りはＡｒガス）にしたとき
の８種類を用意した。なお、各サンプルは、上部電極の
成膜条件における雰囲気以外の他の条件（バッファ層、
下部電極、強誘電体キャパシタ面積についての条件）は
共通する。各サンプルに係る初期状態特性試験結果を表
５に示す。なお、酸素流量を０及び３０ｓｃｃｍのサン
プルは比較例である。
【００４３】
【表５】
【００４４】初期状態特性試験におけるＸ線回折評価に
ついて、酸素流量０〜２５ｓｃｃｍの範囲にあるサンプ
ル（表５参照）ではＲｕ金属結晶相が観察され、ＲｕＯ
２結晶相は観察されなかった。酸素流量３０ｓｃｃｍの
サンプルではＲｕＯ２結晶相が観察された。
ついて、酸素流量０〜２５ｓｃｃｍの範囲にあるサンプ
ル（表５参照）ではＲｕ金属結晶相が観察され、ＲｕＯ
２結晶相は観察されなかった。酸素流量３０ｓｃｃｍの
サンプルではＲｕＯ２結晶相が観察された。
【００４５】表５の酸素流量と酸素含有量の関係を示し
た図４を参照すると、酸素流量２５ｓｃｃｍを超える流
量で上部電極の酸素含有量が急激に増加している。この
ことは、酸素流量が２５ｓｃｃｍを超えたあたりから酸
素流量の制御によって上部電極の酸素含有量を制御する
ことが難しくなることを意味する。また、酸素流量５ｓ
ｃｃｍ前後からのところで上部電極の酸素含有量が急激
に減少している。これについても、酸素流量が５ｓｃｃ
ｍあたりから酸素流量の制御によって上部電極の酸素含
有量を制御することが難しくなることを意味する。よっ
て、酸素含有量の変動が小さい酸素流量５〜２６ｓｃｃ
ｍの範囲では、酸素流量（若しくは酸素分圧）を制御す
ることにより酸素含有量を０．５〜５ａｔｍ％（Ｒｕｘ
Ｏ１−ｘ；ｘ＝０．００５〜０．０５）に制御すること
が可能であるといえる。なお、温度や酸素分圧などの成
膜条件によっては、酸素流量の範囲をシフトさせる必要
がある。
た図４を参照すると、酸素流量２５ｓｃｃｍを超える流
量で上部電極の酸素含有量が急激に増加している。この
ことは、酸素流量が２５ｓｃｃｍを超えたあたりから酸
素流量の制御によって上部電極の酸素含有量を制御する
ことが難しくなることを意味する。また、酸素流量５ｓ
ｃｃｍ前後からのところで上部電極の酸素含有量が急激
に減少している。これについても、酸素流量が５ｓｃｃ
ｍあたりから酸素流量の制御によって上部電極の酸素含
有量を制御することが難しくなることを意味する。よっ
て、酸素含有量の変動が小さい酸素流量５〜２６ｓｃｃ
ｍの範囲では、酸素流量（若しくは酸素分圧）を制御す
ることにより酸素含有量を０．５〜５ａｔｍ％（Ｒｕｘ
Ｏ１−ｘ；ｘ＝０．００５〜０．０５）に制御すること
が可能であるといえる。なお、温度や酸素分圧などの成
膜条件によっては、酸素流量の範囲をシフトさせる必要
がある。
【００４６】表５の酸素流量と分極量の関係を示した図
５を参照すると、酸素流量１５ｓｃｃｍより小さい範囲
のサンプルでは、酸素流量が小さくなるほど分極値が小
さくなる傾向がある（図３参照）。また、酸素流量３０
ｓｃｃｍのサンプルでは、分極値が極端に小さいことが
わかる。
５を参照すると、酸素流量１５ｓｃｃｍより小さい範囲
のサンプルでは、酸素流量が小さくなるほど分極値が小
さくなる傾向がある（図３参照）。また、酸素流量３０
ｓｃｃｍのサンプルでは、分極値が極端に小さいことが
わかる。
【００４７】表５の酸素含有量と分極量の関係を示した
図６を参照すると、上部電極の酸素含有量が０．５〜５
ａｔｍ％（ＲｕｘＯ１−ｘ；ｘ＝０．００５〜０．０
５）の範囲では、残留分極値が１０μＣ／ｃｍ２以上の
良好な強誘電体キャパシタを得ることができることがわ
かる。
図６を参照すると、上部電極の酸素含有量が０．５〜５
ａｔｍ％（ＲｕｘＯ１−ｘ；ｘ＝０．００５〜０．０
５）の範囲では、残留分極値が１０μＣ／ｃｍ２以上の
良好な強誘電体キャパシタを得ることができることがわ
かる。
【００４８】表５の酸素流量とリーク電流密度の関係を
示した図７を参照すると、ＲｕＯ２結晶相を有する酸素
流量３０ｓｃｃｍのサンプルでは、リーク電流密度が大
きいことがわかる。このことは、上部電極においてＲｕ
Ｏ２結晶相を有することに起因するものと考えられる。
示した図７を参照すると、ＲｕＯ２結晶相を有する酸素
流量３０ｓｃｃｍのサンプルでは、リーク電流密度が大
きいことがわかる。このことは、上部電極においてＲｕ
Ｏ２結晶相を有することに起因するものと考えられる。
【００４９】表５の酸素含有量とリーク電流密度の関係
を示した図８を参照すると、上部電極の酸素含有量が
０．５〜５ａｔｍ％（ＲｕｘＯ１−ｘ；ｘ＝０．００５
〜０．０５）の範囲では、リーク電流密度の増大のない
良好な強誘電体キャパシタを得ることができることがわ
かる。
を示した図８を参照すると、上部電極の酸素含有量が
０．５〜５ａｔｍ％（ＲｕｘＯ１−ｘ；ｘ＝０．００５
〜０．０５）の範囲では、リーク電流密度の増大のない
良好な強誘電体キャパシタを得ることができることがわ
かる。
【００５０】次に、分極反転サイクル特性試験について
説明する。分極反転サイクル特性試験では、３．３Ｖで
の双極性パルスを１０８回まで連続印加したときの分極
反転時電荷（−３．３Ｖ印加後に＋３．３Ｖを印加した
ときの電荷；図３のＰｓｗ参照）と分極反転時電荷（＋
３．３Ｖ印加後に再度＋３．３Ｖを印加したときの電
荷；図３のＰｎｓｗ参照）を測定した。
説明する。分極反転サイクル特性試験では、３．３Ｖで
の双極性パルスを１０８回まで連続印加したときの分極
反転時電荷（−３．３Ｖ印加後に＋３．３Ｖを印加した
ときの電荷；図３のＰｓｗ参照）と分極反転時電荷（＋
３．３Ｖ印加後に再度＋３．３Ｖを印加したときの電
荷；図３のＰｎｓｗ参照）を測定した。
【００５１】分極反転サイクル特性試験で用いたサンプ
ルは、前記実施例１の製造方法で作製された強誘電体キ
ャパシタであるが、上部電極の成膜時における酸素流量
を１０ｓｃｃｍ（合計流量４５ｓｃｃｍ、残りはＡｒガ
ス）にしたときのもの（酸素含有量２ａｔｍ％）であ
る。このサンプル（実施例に係る強誘電体キャパシタ）
を用いたときの分極反転サイクル特性を図９に示す。
ルは、前記実施例１の製造方法で作製された強誘電体キ
ャパシタであるが、上部電極の成膜時における酸素流量
を１０ｓｃｃｍ（合計流量４５ｓｃｃｍ、残りはＡｒガ
ス）にしたときのもの（酸素含有量２ａｔｍ％）であ
る。このサンプル（実施例に係る強誘電体キャパシタ）
を用いたときの分極反転サイクル特性を図９に示す。
【００５２】図９を参照すると、サイクル初期に残留分
極値（Ｐｓｗ−Ｐｎｓｗ）が増大した後はほぼ一定の値
を取り、サイクルの増大に伴う分極の劣化現象（いわゆ
る疲労現象）は見られないことがわかる。
極値（Ｐｓｗ−Ｐｎｓｗ）が増大した後はほぼ一定の値
を取り、サイクルの増大に伴う分極の劣化現象（いわゆ
る疲労現象）は見られないことがわかる。
【００５３】その他の実施例について説明する。
【００５４】実施例２として、強誘電体キャパシタにお
ける下部電極に用いる材料として実施例１のＲｕ金属の
代わりに金属結晶相を有するとともに酸素を０．５〜５
ａｔｍ％（Ｒｕ１−ｘＯｘ；ｘ＝０．００５〜０．０
５）を含むＲｕ金属としてもよい。この場合にも、リー
ク電流密度の増大がなく、分極の劣化現象が見られず、
強誘電体薄膜の分極反転が容易で分極反転電荷を増大さ
せることができる強誘電体キャパシタを得ることができ
る。
ける下部電極に用いる材料として実施例１のＲｕ金属の
代わりに金属結晶相を有するとともに酸素を０．５〜５
ａｔｍ％（Ｒｕ１−ｘＯｘ；ｘ＝０．００５〜０．０
５）を含むＲｕ金属としてもよい。この場合にも、リー
ク電流密度の増大がなく、分極の劣化現象が見られず、
強誘電体薄膜の分極反転が容易で分極反転電荷を増大さ
せることができる強誘電体キャパシタを得ることができ
る。
【００５５】実施例３として、強誘電体キャパシタにお
ける強誘電体薄膜に用いる材料として実施例１のＰＺＴ
の代わりにＰＺＴを主成分とするペロブスカイト型強誘
電体、例えば、ＰＺＴにＬａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｎ等の添加物を加えた組成の強誘電体にも適用で
きる。この場合には、誘電的性質を制御しつつ、強誘電
体薄膜の分極反転が容易で分極反転電荷を増大させるこ
とができる。
ける強誘電体薄膜に用いる材料として実施例１のＰＺＴ
の代わりにＰＺＴを主成分とするペロブスカイト型強誘
電体、例えば、ＰＺＴにＬａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｍｎ等の添加物を加えた組成の強誘電体にも適用で
きる。この場合には、誘電的性質を制御しつつ、強誘電
体薄膜の分極反転が容易で分極反転電荷を増大させるこ
とができる。
【００５６】実施例４として、強誘電体キャパシタにお
ける上部電極若しくは下部電極に用いる材料として実施
例１のＲｕの代わりにＩｒを主成分とする薄膜にも適用
できる。Ｉｒの場合にも、金属結晶相を有するとともに
酸素を含有し、かつ、金属酸化物を有さない金属を得る
ことができる。
ける上部電極若しくは下部電極に用いる材料として実施
例１のＲｕの代わりにＩｒを主成分とする薄膜にも適用
できる。Ｉｒの場合にも、金属結晶相を有するとともに
酸素を含有し、かつ、金属酸化物を有さない金属を得る
ことができる。
【００５７】実施例５として、強誘電体キャパシタにお
ける上部電極若しくは下部電極は、実施例１のスパッタ
法の代わりにＭＯＣＶＤ法で成膜することもできる。成
膜条件は表６の通りである。
ける上部電極若しくは下部電極は、実施例１のスパッタ
法の代わりにＭＯＣＶＤ法で成膜することもできる。成
膜条件は表６の通りである。
【００５８】
【表６】
【００５９】ここでは原料分解ガスとして酸素を用いて
いるため、Ｒｕ金属膜中に酸素を含めることができる。
Ｒｕ金属膜中の酸素の混入量（含有量）は、成膜の際の
酸素供給量（原料分解ガス供給量）を制御することによ
り、制御することができる。しかも、段差被覆性がスパ
ッタ法よりも優れているので、キャパシタ構造を平面構
造以外にもスタック構造、トレンチ構造、クラウン構
造、フィン構造などのように３次元構造化することも可
能である。
いるため、Ｒｕ金属膜中に酸素を含めることができる。
Ｒｕ金属膜中の酸素の混入量（含有量）は、成膜の際の
酸素供給量（原料分解ガス供給量）を制御することによ
り、制御することができる。しかも、段差被覆性がスパ
ッタ法よりも優れているので、キャパシタ構造を平面構
造以外にもスタック構造、トレンチ構造、クラウン構
造、フィン構造などのように３次元構造化することも可
能である。
【００６０】実施例６について図面を用いて説明する。
図１０は、本発明の実施例６に係る強誘電体メモリセル
（平面構造型キャパシタ）の構成を模式的に示した部分
断面図である。この強誘電体メモリセルでは、多層配線
構造において上面が平坦な絶縁層２３（第３ビアプラグ
１５ｃ）上にバリア層１７を介して平面構造型（平行平
板型）の強誘電体キャパシタとなる下部電極１８、強誘
電体薄膜１９、上部電極２０が形成されている。下部電
極１８若しくは上部電極２０には、０．５〜５ａｔｍ％
（ＲｕｘＯ１−ｘ；ｘ＝０．００５〜０．０５）の酸素
を含むＲｕ金属を用いることができる。
図１０は、本発明の実施例６に係る強誘電体メモリセル
（平面構造型キャパシタ）の構成を模式的に示した部分
断面図である。この強誘電体メモリセルでは、多層配線
構造において上面が平坦な絶縁層２３（第３ビアプラグ
１５ｃ）上にバリア層１７を介して平面構造型（平行平
板型）の強誘電体キャパシタとなる下部電極１８、強誘
電体薄膜１９、上部電極２０が形成されている。下部電
極１８若しくは上部電極２０には、０．５〜５ａｔｍ％
（ＲｕｘＯ１−ｘ；ｘ＝０．００５〜０．０５）の酸素
を含むＲｕ金属を用いることができる。
【００６１】実施例７について図面を用いて説明する。
図１１は、本発明の実施例７に係る強誘電体メモリセル
（立体構造型キャパシタ）の構成を模式的に示した部分
断面図である。この強誘電体メモリセルでは、多層配線
構造において第３ビアプラグ３５ｃ及び絶縁層４３の一
部が露出するトレンチを有するような絶縁層４４を有
し、そのトレンチの表面ないしその周辺の絶縁層４４上
にバリア層３７を介して立体構造型（トレンチ型）の強
誘電体キャパシタとなる下部電極３８、強誘電体薄膜３
９、上部電極４０が形成されている。
図１１は、本発明の実施例７に係る強誘電体メモリセル
（立体構造型キャパシタ）の構成を模式的に示した部分
断面図である。この強誘電体メモリセルでは、多層配線
構造において第３ビアプラグ３５ｃ及び絶縁層４３の一
部が露出するトレンチを有するような絶縁層４４を有
し、そのトレンチの表面ないしその周辺の絶縁層４４上
にバリア層３７を介して立体構造型（トレンチ型）の強
誘電体キャパシタとなる下部電極３８、強誘電体薄膜３
９、上部電極４０が形成されている。
【００６２】実施例７についての下部電極３８若しくは
上部電極４０にも、０．５〜５ａｔｍ％（ＲｕｘＯ
１−ｘ；ｘ＝０．００５〜０．０５）の酸素を含むＲｕ
金属を用いることができる（図１１参照）。下部電極３
８及び上部電極４０は、トレンチのように凹部があって
も、実施例５に示すようにＭＯＣＶＤ法により段差被覆
性を良好に保ちながら成膜することができ、しかもＭＯ
ＣＶＤ法によって下部電極３８若しくは上部電極４０に
おける酸素含有量を０．５〜５ａｔｍ％（ＲｕｘＯ
１−ｘ；ｘ＝０．００５〜０．０５）の範囲で制御する
ことができる。強誘電体薄膜３９についても、ＭＯＣＶ
Ｄ法によって段差被覆性を良好に保ちながら成膜でき
る。これにより、キャパシタの表面積を増大させ容量を
増大させることができるので、セルサイズを縮小させる
ことができる。
上部電極４０にも、０．５〜５ａｔｍ％（ＲｕｘＯ
１−ｘ；ｘ＝０．００５〜０．０５）の酸素を含むＲｕ
金属を用いることができる（図１１参照）。下部電極３
８及び上部電極４０は、トレンチのように凹部があって
も、実施例５に示すようにＭＯＣＶＤ法により段差被覆
性を良好に保ちながら成膜することができ、しかもＭＯ
ＣＶＤ法によって下部電極３８若しくは上部電極４０に
おける酸素含有量を０．５〜５ａｔｍ％（ＲｕｘＯ
１−ｘ；ｘ＝０．００５〜０．０５）の範囲で制御する
ことができる。強誘電体薄膜３９についても、ＭＯＣＶ
Ｄ法によって段差被覆性を良好に保ちながら成膜でき
る。これにより、キャパシタの表面積を増大させ容量を
増大させることができるので、セルサイズを縮小させる
ことができる。
【００６３】
【発明の効果】本発明によれば、強誘電体キャパシタに
おける電極に０．５〜５ａｔｍ％（ＲｕｘＯ１−ｘ；ｘ
＝０．００５〜０．０５）の酸素を含むＲｕ金属を用い
ているので、リーク電流密度の増大がなく、分極の劣化
現象が見られず、電極間の強誘電体薄膜の分極反転が容
易で分極反転電荷を増大させることができる強誘電体キ
ャパシタを得ることができる。
おける電極に０．５〜５ａｔｍ％（ＲｕｘＯ１−ｘ；ｘ
＝０．００５〜０．０５）の酸素を含むＲｕ金属を用い
ているので、リーク電流密度の増大がなく、分極の劣化
現象が見られず、電極間の強誘電体薄膜の分極反転が容
易で分極反転電荷を増大させることができる強誘電体キ
ャパシタを得ることができる。
【００６４】また、強誘電体キャパシタにおける電極の
酸素含有量が０．５〜５ａｔｍ％（ＲｕｘＯ１−ｘ；ｘ
＝０．００５〜０．０５）の範囲であれば、強誘電体キ
ャパシタ形成時及びその後の加工、熱処理等のプロセス
に対する特性安定性を向上させることができる。
酸素含有量が０．５〜５ａｔｍ％（ＲｕｘＯ１−ｘ；ｘ
＝０．００５〜０．０５）の範囲であれば、強誘電体キ
ャパシタ形成時及びその後の加工、熱処理等のプロセス
に対する特性安定性を向上させることができる。
【００６５】さらに、立体構造型キャパシタとすること
ができるので、キャパシタの表面積を増大させ容量を増
大させることができるので、セルサイズを縮小させるこ
とができる。
ができるので、キャパシタの表面積を増大させ容量を増
大させることができるので、セルサイズを縮小させるこ
とができる。
【図１】本発明の実施例１に係る強誘電体キャパシタの
構成を模式的に示した部分断面図である。
構成を模式的に示した部分断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る強誘電体キャパシタの
製造方法を説明するための構成を模式的に示した部分工
程断面図である。
製造方法を説明するための構成を模式的に示した部分工
程断面図である。
【図３】分極反転時電荷（Ｐｓｗ）及び分極反転時電荷
（Ｐｎｓｗ）を説明するためのヒステリシスループを示
した模式図である。
（Ｐｎｓｗ）を説明するためのヒステリシスループを示
した模式図である。
【図４】表５の酸素流量と酸素含有量の関係を示したグ
ラフである。
ラフである。
【図５】表５の酸素流量と分極量の関係を示したグラフ
である。
である。
【図６】表５の酸素含有量と分極量の関係を示したグラ
フである。
フである。
【図７】表５の酸素流量とリーク電流密度の関係を示し
たグラフである。
たグラフである。
【図８】表５の酸素含有量とリーク電流密度の関係を示
したグラフである。
したグラフである。
【図９】本発明の実施例１に係る強誘電体キャパシタの
分極反転サイクル特性を示したグラフである。
分極反転サイクル特性を示したグラフである。
【図１０】本発明の実施例６に係る強誘電体メモリセル
（平面構造型キャパシタ）の構成を模式的に示した部分
断面図である。
（平面構造型キャパシタ）の構成を模式的に示した部分
断面図である。
【図１１】本発明の実施例７に係る強誘電体メモリセル
（立体構造型キャパシタ）の構成を模式的に示した部分
断面図である。
（立体構造型キャパシタ）の構成を模式的に示した部分
断面図である。
【図１２】従来の一例に係る強誘電体キャパシタの構成
を模式的に示した部分断面図である。
を模式的に示した部分断面図である。
１、１０１ 基板
２ Ｔｉ層
３ バリア層（ＴｉＮ層）
４ Ｔｉ層
５、１０５ 下部電極（下部電極層）
６、１０６ 強誘電体薄膜
７、１０７ 上部電極
１１、３１ ソース／ドレイン領域
１２、３２ ゲート電極
１３、３３ コンタクトプラグ
１４ａ、３４ａ 第１配線層
１４ｂ、３４ｂ 第２配線層
１４ｃ、３４ｃ 第３配線層
１５ａ、３５ａ 第１ビアプラグ
１５ｂ、３５ｂ 第２ビアプラグ
１５ｃ、３５ｃ 第３ビアプラグ
１６、３６ ビット線
１７、３７ バリア層（下部電極）
１８、３８ 下部電極
１９、３９ 強誘電体膜
２０、４０ 上部電極
２１、４１ バリア層（プレート線）
２２、４２ プレート線
２３、４３ 絶縁層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｓ
Ｆターム(参考） 4K029 AA06 BA43 BB02 BD02 CA06
DC03 EA04 EA05 GA01
4M104 BB04 BB14 BB18 DD37 DD43
DD65 GG16 GG19
5F033 HH07 HH09 HH18 HH33 HH35
JJ01 JJ09 JJ19 JJ33 KK01
KK09 KK33 KK35 MM05 MM08
MM12 MM13 MM17 NN06 NN07
PP02 PP11 PP15 PP16 QQ08
QQ11 QQ74 RR03 SS11 VV10
WW00 WW03 XX13
5F058 BA01 BA11 BC03 BF06 BF27
BF29 BH03 BH04 BJ02
5F083 AD26 FR02 GA06 GA21 JA15
JA17 JA38 JA43 KA19 MA06
MA17 MA20 PR21 PR22
Claims (13)
- 【請求項１】下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を有
する強誘電体キャパシタにおいて、前記上部電極は、Ｒ
ｕ１−ＸＯＸ（Ｘは０．００５以上かつ０．０５以下）
からなるとともにＲｕ金属結晶相を有することを特徴と
する強誘電体キャパシタ。 - 【請求項２】下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を有
する強誘電体キャパシタにおいて、前記上部電極及び前
記下部電極のいずれか一方又は両方の電極は、Ｒｕ
１−ＸＯＸ（Ｘは０．００５以上かつ０．０５以下）か
らなるとともにＲｕ金属結晶相を有することを特徴とす
る強誘電体キャパシタ。 - 【請求項３】下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を有
する強誘電体キャパシタにおいて、前記上部電極は、金
属結晶相を有するとともに、酸素を含有し、かつ、金属
酸化物結晶相を有さない金属であることを特徴とする強
誘電体キャパシタ。 - 【請求項４】下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を有
する強誘電体キャパシタにおいて、前記上部電極及び前
記下部電極のいずれか一方又は両方の電極は、金属結晶
相を有するとともに、酸素を含有し、かつ、金属酸化物
結晶相を有さない金属であることを特徴とする強誘電体
キャパシタ。 - 【請求項５】前記金属の主成分は、Ｉｒ及びＲｕから選
ばれる１つ以上の元素であることを特徴とする請求項３
又は４に記載の強誘電体キャパシタ。 - 【請求項６】前記強誘電体は、Ｐｂ（ＺｒｘＴ
ｉ１−ｘ）Ｏ３を主成分とすることを特徴とする請求項
１乃至５のいずれか一に記載の強誘電体キャパシタ。 - 【請求項７】前記下部電極、前記強誘電体薄膜及び前記
上部電極は、基板に形成された段差部若しくはトレンチ
を含む領域上に積層されることを特徴とする請求項１乃
至６のいずれか一に記載の強誘電体キャパシタ。 - 【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一に記載の強誘
電体キャパシタを１又は２以上有することを特徴とする
半導体記憶装置。 - 【請求項９】下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を有
する強誘電体キャパシタの製造方法において、 酸素を含む雰囲気中でＲｕ金属ターゲットをスパッタリ
ングすることにより電極層を成膜する際に、不活性ガス
と酸素ガスの流量比を制御することにより、前記電極層
として成膜されるＲｕ１−ＸＯＸにおけるＸを０．００
５以上かつ０．０５以下に制御することを特徴とする強
誘電体キャパシタの製造方法。 - 【請求項１０】下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を
有する強誘電体キャパシタの製造方法において、 酸素を含む雰囲気中で金属ターゲットをスパッタリング
することにより電極層を成膜する際に、不活性ガスと酸
素ガスの流量比を制御することにより、前記電極層とし
て成膜される金属薄膜中の酸素含有量を制御することを
特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。 - 【請求項１１】下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極を
有する強誘電体キャパシタの製造方法において、 供給される有機金属原料及び酸化ガスを気相反応させる
ことにより電極層を成膜する際に、前記酸化ガスの供給
量を制御することにより、前記電極層として成膜される
金属薄膜中の酸素含有量を制御することを特徴とする強
誘電体キャパシタの製造方法。 - 【請求項１２】前記強誘電体薄膜は、５００℃以下の温
度にて成膜されることを特徴とする請求項９乃至１１の
いずれか一に記載の強誘電体キャパシタの製造方法。 - 【請求項１３】前記強誘電体薄膜は、ＭＯＣＶＤ法又は
スパッタリング法にて成膜されることを特徴とする請求
項９乃至１２のいずれか一に記載の強誘電体キャパシタ
の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002142534A JP2003332539A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに半導体記憶装置 |
| US10/423,974 US6872995B2 (en) | 2002-05-17 | 2003-04-28 | Ferroelectric capacitor, method of manufacturing same, and semiconductor memory device |
| EP03009629A EP1363317A2 (en) | 2002-05-17 | 2003-04-29 | Ferroelectric capacitor, method of manufacturing same, and semiconductor memory device |
| CNB031364322A CN1249814C (zh) | 2002-05-17 | 2003-05-15 | 强电介质电容器及其制造方法以及半导体存储装置 |
| TW092113308A TW588452B (en) | 2002-05-17 | 2003-05-16 | Ferroelectric capacitor, method of manufacturing same, and semiconductor memory device |
| KR1020030031398A KR100560024B1 (ko) | 2002-05-17 | 2003-05-17 | 강유전체 캐패시터 및 그 제조 방법 및 반도체 기억 장치 |
| US11/055,177 US7271054B2 (en) | 2002-05-17 | 2005-02-11 | Method of manufacturing a ferroelectric capacitor having RU1-XOX electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002142534A JP2003332539A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332539A true JP2003332539A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29267829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002142534A Pending JP2003332539A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに半導体記憶装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6872995B2 (ja) |
| EP (1) | EP1363317A2 (ja) |
| JP (1) | JP2003332539A (ja) |
| KR (1) | KR100560024B1 (ja) |
| CN (1) | CN1249814C (ja) |
| TW (1) | TW588452B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278579A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 圧電素子、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置 |
| JP2007250634A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7002196B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-02-21 | Infineon Technologies Ag | Ferroelectric capacitor devices and FeRAM devices |
| JP4791191B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2011-10-12 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007266429A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8298909B2 (en) | 2006-12-27 | 2012-10-30 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| KR101086789B1 (ko) | 2007-03-20 | 2011-11-25 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100869343B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2008-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
| US9159551B2 (en) * | 2009-07-02 | 2015-10-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors |
| KR101006706B1 (ko) * | 2009-10-13 | 2011-01-10 | 주식회사 머리디언 | 칠판용 지우개의 걸레장착수단 |
| KR20110072921A (ko) * | 2009-12-23 | 2011-06-29 | 삼성전자주식회사 | 메모리소자 및 그 동작방법 |
| US10614868B2 (en) * | 2018-04-16 | 2020-04-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device with strong polarization coupling |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4421007A1 (de) * | 1994-06-18 | 1995-12-21 | Philips Patentverwaltung | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP3929513B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2007-06-13 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
| JPH09102591A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3587004B2 (ja) * | 1996-11-05 | 2004-11-10 | ソニー株式会社 | 半導体メモリセルのキャパシタ構造及びその作製方法 |
| JP2000114245A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| EP1145293A1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-10-17 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | Method of fabrication of a ferro-electric capacitor and method of growing a pzt layer on a substrate |
| KR100430324B1 (ko) * | 1998-12-23 | 2004-05-03 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 커패시터 전극 구조물 |
| KR100978614B1 (ko) | 2008-05-14 | 2010-08-27 | (주) 아모엘이디 | 엘이디 패키지 및 그의 제조방법 |
-
2002
- 2002-05-17 JP JP2002142534A patent/JP2003332539A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-28 US US10/423,974 patent/US6872995B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-29 EP EP03009629A patent/EP1363317A2/en not_active Withdrawn
- 2003-05-15 CN CNB031364322A patent/CN1249814C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-16 TW TW092113308A patent/TW588452B/zh active
- 2003-05-17 KR KR1020030031398A patent/KR100560024B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-02-11 US US11/055,177 patent/US7271054B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278579A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 圧電素子、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置 |
| JP2007250634A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法 |
| JP4613857B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030213985A1 (en) | 2003-11-20 |
| CN1461055A (zh) | 2003-12-10 |
| US7271054B2 (en) | 2007-09-18 |
| US6872995B2 (en) | 2005-03-29 |
| CN1249814C (zh) | 2006-04-05 |
| KR20030089647A (ko) | 2003-11-22 |
| TW588452B (en) | 2004-05-21 |
| US20050170534A1 (en) | 2005-08-04 |
| KR100560024B1 (ko) | 2006-03-15 |
| TW200307364A (en) | 2003-12-01 |
| EP1363317A2 (en) | 2003-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7271054B2 (en) | Method of manufacturing a ferroelectric capacitor having RU1-XOX electrode | |
| JP3319994B2 (ja) | 半導体記憶素子 | |
| JP4535076B2 (ja) | 強誘電体キャパシタとその製造方法 | |
| US6288420B1 (en) | Composite iridium-metal-oxygen barrier structure with refractory metal companion barrier | |
| US7605007B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2000208725A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2003174146A (ja) | 強誘電体キャパシタおよびその製造方法 | |
| KR100373079B1 (ko) | 다층 전극을 갖는 납 게르마네이트 강유전성 구조 및 그의퇴적 방법 | |
| JP2005311385A (ja) | 平滑電極および向上されたメモリ保持性を有する薄膜強誘電体キャパシタを製造するためのｄｃスパッタリングプロセス | |
| JP2008010634A (ja) | キャパシタを含む半導体装置及びその製造方法 | |
| US20070228431A1 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| JP2008311564A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006073648A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6727156B2 (en) | Semiconductor device including ferroelectric capacitor and method of manufacturing the same | |
| JP2002151656A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| CN101636836B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| US6479304B1 (en) | Iridium composite barrier structure and method for same | |
| JP2003218325A (ja) | 強誘電体膜形成方法及び半導体装置製造方法 | |
| JP4315676B2 (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
| JP5007723B2 (ja) | キャパシタを含む半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001028426A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20010018132A1 (en) | Method for producing very thin ferroelectric layers | |
| JP2002124644A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| Lisoni et al. | Stress evolution in integrated SrBi 2 Ta 2 O 9 ferroelectric layers | |
| JP5360161B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050207 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070801 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080916 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081110 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090331 |