JP2981944B2 - パターン化した透明導電膜の形成方法 - Google Patents
パターン化した透明導電膜の形成方法Info
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス、セラミックス
等の基板上に、パターン化した透明導電膜を形成する方
法に関するものである。
等の基板上に、パターン化した透明導電膜を形成する方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子、エレクトロルミネ
ッセンス（ＥＬ）表示素子などの表示素子類の電極や、
自動車、航空機、建築物などの窓ガラスの防曇または氷
結防止のための発熱抵抗体等の部材で、可視光に対して
高透過性を有する電極材料が使用されている。
ッセンス（ＥＬ）表示素子などの表示素子類の電極や、
自動車、航空機、建築物などの窓ガラスの防曇または氷
結防止のための発熱抵抗体等の部材で、可視光に対して
高透過性を有する電極材料が使用されている。
【０００３】このような透明導電性材料として、酸化ス
ズ・酸化アンチモン系（ＡＴＯ）や酸化インジウム・酸
化スズ系（ＩＴＯ）などが知られており、これらの金属
酸化物はガラスまたはセラミック基板上に容易に被膜を
形成し、透明導電膜とすることができる。
ズ・酸化アンチモン系（ＡＴＯ）や酸化インジウム・酸
化スズ系（ＩＴＯ）などが知られており、これらの金属
酸化物はガラスまたはセラミック基板上に容易に被膜を
形成し、透明導電膜とすることができる。
【０００４】透明導電膜の形成方法としては、次の方法
が知られている。 (1) 真空蒸着法 (2) スパッタリング法 (3) ＣＶＤ法 (4) 塗布法
が知られている。 (1) 真空蒸着法 (2) スパッタリング法 (3) ＣＶＤ法 (4) 塗布法
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の(1)真
空蒸着法、(2)スパッタリング法、(3)ＣＶＤ法の方法
は、装置が複雑かつ高価でコストと量産性に問題があ
り、その形成過程で複雑なパターン化をすることは困難
である。そこで、通常、ホトリソグラフィまたはレジス
ト印刷し、エッチングによりパターン形成をしている。
また、(4)の塗布法は、上記の(1)、(2)、(3)の方法の課
題を解決する可能性を有しているものの、実用に耐えう
る膜を形成することが困難であった。
空蒸着法、(2)スパッタリング法、(3)ＣＶＤ法の方法
は、装置が複雑かつ高価でコストと量産性に問題があ
り、その形成過程で複雑なパターン化をすることは困難
である。そこで、通常、ホトリソグラフィまたはレジス
ト印刷し、エッチングによりパターン形成をしている。
また、(4)の塗布法は、上記の(1)、(2)、(3)の方法の課
題を解決する可能性を有しているものの、実用に耐えう
る膜を形成することが困難であった。
【０００６】例えば、光硬化性の官能基を含有する有機
酸のすず塩およびインジウム塩を含むペースト状組成
物、無機インジウム塩と無機スズ塩と非水系シリカゾル
とセルロース化合物の有機溶液からなる組成物等をスク
リーン印刷する方法や、インジウム化合物とスズ化合物
とガム系天然樹脂ロジンとターペン系高沸点溶剤とから
なる組成物をオフセット印刷する方法では、以下の２つ
の課題を有している。
酸のすず塩およびインジウム塩を含むペースト状組成
物、無機インジウム塩と無機スズ塩と非水系シリカゾル
とセルロース化合物の有機溶液からなる組成物等をスク
リーン印刷する方法や、インジウム化合物とスズ化合物
とガム系天然樹脂ロジンとターペン系高沸点溶剤とから
なる組成物をオフセット印刷する方法では、以下の２つ
の課題を有している。
【０００７】第１に、スクリーン印刷法やオフセット印
刷方法の課題である、ベタ部分の膜厚のばらつきが大き
いこと、パターンの端の部分の膜厚が薄くなることが挙
げられる。そして、第２にこれらの組成物は印刷性を良
くするために、セルロース化合物やガム系天然樹脂ロジ
ン等の樹脂を含んでおり、これらは一般に熱分解時に膜
中にフリーカーボンとして残留しやすく、膜の特性の劣
化は避けることができない。
刷方法の課題である、ベタ部分の膜厚のばらつきが大き
いこと、パターンの端の部分の膜厚が薄くなることが挙
げられる。そして、第２にこれらの組成物は印刷性を良
くするために、セルロース化合物やガム系天然樹脂ロジ
ン等の樹脂を含んでおり、これらは一般に熱分解時に膜
中にフリーカーボンとして残留しやすく、膜の特性の劣
化は避けることができない。
【０００８】また、有機インジウム塩と有機スズ塩を含
む低粘度有機溶液からなる組成物をスピンコートまたは
ディップコートする方法では、その形成過程でパターン
化をすることは困難であり、洗浄不足や油膜等によるピ
ンホールを生じ易い課題がある。
む低粘度有機溶液からなる組成物をスピンコートまたは
ディップコートする方法では、その形成過程でパターン
化をすることは困難であり、洗浄不足や油膜等によるピ
ンホールを生じ易い課題がある。
【０００９】本発明は、上記従来の透明導電膜の形成方
法の課題を考慮し、ピンホールが無く、膜厚のばらつき
がなく、あるいは特性の劣化もない高品質のパターン化
した透明導電膜の形成方法を提供することを目的とす
る。
法の課題を考慮し、ピンホールが無く、膜厚のばらつき
がなく、あるいは特性の劣化もない高品質のパターン化
した透明導電膜の形成方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＵＶ硬化性マ
スキングインクを基板上に塗布し、ＵＶ硬化とオゾン洗
浄を同時に行った後、透明導電膜形成用組成物を塗布
し、加熱処理する工程を含むパターン化した透明導電膜
の形成方法である。
スキングインクを基板上に塗布し、ＵＶ硬化とオゾン洗
浄を同時に行った後、透明導電膜形成用組成物を塗布
し、加熱処理する工程を含むパターン化した透明導電膜
の形成方法である。
【００１１】
【作用】本発明は、ＵＶ硬化性マスキングインクを基板
上に塗布し、ＵＶ硬化により耐溶剤性の向上をはかる。
また、ＵＶ硬化と同時に、ＵＶによって生じるオゾンに
より、マスキングインクの塗布されていない部分の基板
上にできる油膜を酸化分解して、除去・洗浄することが
できる。このオゾン洗浄による油膜の除去により、透明
導電膜形成用組成物の塗れ性が著しく改善され、ピンホ
ールが極端に低減される。
上に塗布し、ＵＶ硬化により耐溶剤性の向上をはかる。
また、ＵＶ硬化と同時に、ＵＶによって生じるオゾンに
より、マスキングインクの塗布されていない部分の基板
上にできる油膜を酸化分解して、除去・洗浄することが
できる。このオゾン洗浄による油膜の除去により、透明
導電膜形成用組成物の塗れ性が著しく改善され、ピンホ
ールが極端に低減される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１３】（実施例１）ウレタンアクリレートと有機
ビヒクルと有機溶剤からなるＵＶ硬化性マスキングイン
クを、シリカコート並ガラス基板上にスクリーン印刷に
より、線幅２ｍｍ、0.5ｍｍ間隔のパターンを形成し、6
0℃で10分乾燥した後、オゾンタイプの高圧水銀灯を用
いて、オゾン洗浄と同時に硬化させた。
ビヒクルと有機溶剤からなるＵＶ硬化性マスキングイン
クを、シリカコート並ガラス基板上にスクリーン印刷に
より、線幅２ｍｍ、0.5ｍｍ間隔のパターンを形成し、6
0℃で10分乾燥した後、オゾンタイプの高圧水銀灯を用
いて、オゾン洗浄と同時に硬化させた。
【００１４】次に、以下のようにして、透明導電膜形成
用組成物を合成した。
用組成物を合成した。
【００１５】１ｌの三角フラスコに、45ｇの硝酸インジ
ウム（化１）を秤量し、50ｇのアセチルアセトンを加え
て、室温で混合・溶解させた。
ウム（化１）を秤量し、50ｇのアセチルアセトンを加え
て、室温で混合・溶解させた。
【００１６】
【化１】
【００１７】その溶液に、2.7ｇ［（数１）で10wt％］
のシュウ酸第１スズ（化２）とアセトンを加えて還流し
た。
のシュウ酸第１スズ（化２）とアセトンを加えて還流し
た。
【００１８】
【数１】
【００１９】
【化２】
【００２０】その還流後の溶液を、室温付近まで冷却
し、10ｇのグリセリンを加えて、撹拌・混合し、所望の
透明導電膜形成用組成物を得た。
し、10ｇのグリセリンを加えて、撹拌・混合し、所望の
透明導電膜形成用組成物を得た。
【００２１】その透明導電膜形成用組成物を、マスキン
グされたシリカコート並ガラス基板上にスピンコートし
た。その基板を５分間室温で放置し、100℃で５分間乾
燥した後、500℃で１時間焼成した。
グされたシリカコート並ガラス基板上にスピンコートし
た。その基板を５分間室温で放置し、100℃で５分間乾
燥した後、500℃で１時間焼成した。
【００２２】（実施例２）エポキシ系アクリレートと有
機ビヒクルと有機溶剤からなるＵＶ硬化性マスキングイ
ンクを用いた。他は実施例１に同じである。
機ビヒクルと有機溶剤からなるＵＶ硬化性マスキングイ
ンクを用いた。他は実施例１に同じである。
【００２３】（実施例３）透明導電膜形成用組成物を、
マスキングされたシリカコート並ガラス基板上にディッ
プコートした。他は実施例１に同じである。
マスキングされたシリカコート並ガラス基板上にディッ
プコートした。他は実施例１に同じである。
【００２４】（比較例１）１ｌの三角フラスコに、45ｇ
の硝酸インジウム（化１）と5.4ｇ［（数１）で10wt
％］の塩化第２スズ（化３）を秤量し、α−テルピネオ
ールとニトロセルロースを加えて、撹拌・混合して透明
導電膜形成用組成物を合成した。
の硝酸インジウム（化１）と5.4ｇ［（数１）で10wt
％］の塩化第２スズ（化３）を秤量し、α−テルピネオ
ールとニトロセルロースを加えて、撹拌・混合して透明
導電膜形成用組成物を合成した。
【００２５】
【化３】
【００２６】その透明導電膜形成用組成物を、シリカコ
ート並ガラス基板上にスクリーン印刷し、線幅２ｍｍ、
0.5ｍｍ間隔のパターンを形成した。その基板を５分間
室温で放置し、100℃で10分間乾燥した後、500℃で１時
間焼成した。
ート並ガラス基板上にスクリーン印刷し、線幅２ｍｍ、
0.5ｍｍ間隔のパターンを形成した。その基板を５分間
室温で放置し、100℃で10分間乾燥した後、500℃で１時
間焼成した。
【００２７】（比較例２）ＵＶ硬化性マスキングインク
を、スクリーン印刷によりガラス基板上にパターン形成
し、60℃で10分乾燥した後、オゾンレスタイプの高圧水
銀灯を用いて、硬化のみを行った。他は実施例２に同じ
である。
を、スクリーン印刷によりガラス基板上にパターン形成
し、60℃で10分乾燥した後、オゾンレスタイプの高圧水
銀灯を用いて、硬化のみを行った。他は実施例２に同じ
である。
【００２８】表１に上記実施例１〜３、比較例１、２の
結果を示す。
結果を示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】この表から明らかなように、本発明の実施
例の方が、比較例より格段に優れていることが分かる。
例の方が、比較例より格段に優れていることが分かる。
【００３１】なお、上述のように、ＵＶ硬化性マスキン
グインクとしては、ＵＶにより硬化する官能基を有する
化合物を含んでいれば良く、エポキシ（メタ）アクリレ
ートやウレタン（メタ）アクリレートが好ましい。ま
た、所望のパターンに対して、ネガパターンの樹脂膜を
形成する方法としては、スクリーン印刷やオフセット印
刷法等により、直接パターンを形成する方法や、光硬化
樹脂に関してはロールコート、スピンコートやディップ
コートした後にフォトリソグラフィでパターンを形成す
る方法が挙げられるが、スクリーン印刷やオフセット印
刷法を用いる方法が生産性やコストの面で好ましい。
グインクとしては、ＵＶにより硬化する官能基を有する
化合物を含んでいれば良く、エポキシ（メタ）アクリレ
ートやウレタン（メタ）アクリレートが好ましい。ま
た、所望のパターンに対して、ネガパターンの樹脂膜を
形成する方法としては、スクリーン印刷やオフセット印
刷法等により、直接パターンを形成する方法や、光硬化
樹脂に関してはロールコート、スピンコートやディップ
コートした後にフォトリソグラフィでパターンを形成す
る方法が挙げられるが、スクリーン印刷やオフセット印
刷法を用いる方法が生産性やコストの面で好ましい。
【００３２】そして、少なくともインジウム化合物とス
ズ化合物と溶媒からなる透明導電膜形成用組成物を塗布
し、加熱処理することにより、透明導電膜の形成と樹脂
の熱分解のよる除去が同時に行われる。ここで、透明導
電膜形成用組成物の塗布には、スクリーン印刷法、ロー
ルコート法、ディップコート法、スピンコート法等を用
いることができるが、ディップコート法、スピンコート
法が好ましい。また、焼成温度としては、透明導電膜形
成用組成物と樹脂が分解する温度以上で、かつ基板の変
形温度以下であればよく、400〜700℃が好ましい。
ズ化合物と溶媒からなる透明導電膜形成用組成物を塗布
し、加熱処理することにより、透明導電膜の形成と樹脂
の熱分解のよる除去が同時に行われる。ここで、透明導
電膜形成用組成物の塗布には、スクリーン印刷法、ロー
ルコート法、ディップコート法、スピンコート法等を用
いることができるが、ディップコート法、スピンコート
法が好ましい。また、焼成温度としては、透明導電膜形
成用組成物と樹脂が分解する温度以上で、かつ基板の変
形温度以下であればよく、400〜700℃が好ましい。
【００３３】本発明において、ネガパターンの樹脂膜を
形成する際にスクリーン印刷やオフセット印刷法等を用
いるが、透明導電膜形成用組成物の塗布には、ディップ
コート法やスピンコート法等を用いるので、透明導電膜
のベタ部分の膜厚のばらつきは小さく、パターンの端の
部分の膜厚もベタ部分の膜厚とほぼ同じになる。また、
透明導電膜形成用組成物が、熱分解時にフリーカーボン
として残留し易い樹脂を全く含まないので、得られる透
明導電膜の特性は良好である。
形成する際にスクリーン印刷やオフセット印刷法等を用
いるが、透明導電膜形成用組成物の塗布には、ディップ
コート法やスピンコート法等を用いるので、透明導電膜
のベタ部分の膜厚のばらつきは小さく、パターンの端の
部分の膜厚もベタ部分の膜厚とほぼ同じになる。また、
透明導電膜形成用組成物が、熱分解時にフリーカーボン
として残留し易い樹脂を全く含まないので、得られる透
明導電膜の特性は良好である。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、ＵＶ硬化性マスキングインクを基板上に塗布
する工程と、ＵＶ硬化とオゾン洗浄を同時に行う工程
と、その後透明導電膜形成用組成物を塗布する工程と、
加熱処理する工程とを備えているので、ピンホールのな
いパターン化した透明導電膜を容易に得ることができ、
表示素子や発熱抵抗体等の透明電極等に適する。
本発明は、ＵＶ硬化性マスキングインクを基板上に塗布
する工程と、ＵＶ硬化とオゾン洗浄を同時に行う工程
と、その後透明導電膜形成用組成物を塗布する工程と、
加熱処理する工程とを備えているので、ピンホールのな
いパターン化した透明導電膜を容易に得ることができ、
表示素子や発熱抵抗体等の透明電極等に適する。
【００３５】また、本発明は、導電性と可視領域におけ
る透過性に優れた透明導電膜を得ることが出来る。
る透過性に優れた透明導電膜を得ることが出来る。
【００３６】また、本発明は、劣化しにくい特性を有す
る。
る。
【００３７】また、本発明は、膜厚のばらつきの無い透
明導電膜を得ることが出来る。
明導電膜を得ることが出来る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01B 13/00 503 H01B 5/00 - 5/16
Claims (3)
- 【請求項１】ＵＶ硬化性マスキングインクを基板上に塗
布する工程と、ＵＶ硬化とオゾン洗浄を同時に行う工程
と、その後透明導電膜形成用組成物を塗布する工程と、
加熱処理する工程とを備えたことを特徴とするパターン
化した透明導電膜の形成方法。 - 【請求項２】ＵＶ硬化性マスキングインクが、少なくと
もエポキシアクリレート、エポキシメタアクリレート、
ウレタンアクリレート、ウレタンメタアクリレートのい
ずれかを含むことを特徴とする請求項１記載のパターン
化した透明導電膜の形成方法。 - 【請求項３】透明導電膜形成用組成物が、少なくともイ
ンジウム化合物とスズ化合物と溶媒を含むことを特徴と
する請求項１記載のパターン化した透明導電膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031648A JP2981944B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | パターン化した透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031648A JP2981944B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | パターン化した透明導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234432A JPH05234432A (ja) | 1993-09-10 |
| JP2981944B2 true JP2981944B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=12337003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4031648A Expired - Fee Related JP2981944B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | パターン化した透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2981944B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3318863A1 (de) * | 1983-05-25 | 1984-12-13 | Erich 8480 Weiden Bielefeldt | Kraftmaschine mit gasturbine |
| DE3318862A1 (de) * | 1983-05-25 | 1984-12-06 | Erich 8480 Weiden Bielefeldt | Brenner fuer fluidum-brennstoff |
| DE3503554A1 (de) * | 1985-02-02 | 1986-08-07 | Hans Dr.h.c. 3559 Battenberg Vießmann | Heizungskessel |
| EP1450412A3 (en) | 1996-05-15 | 2005-03-09 | Seiko Epson Corporation | Thin film device and method for making |
| JP4042327B2 (ja) | 1999-03-30 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR101356238B1 (ko) * | 2007-03-26 | 2014-01-28 | 삼성전자주식회사 | Ｕｖ 패터닝 가능한 전도성 고분자 필름의 제조방법 및이에 의해 제조되는 전도성 고분자 필름 |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP4031648A patent/JP2981944B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05234432A (ja) | 1993-09-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |