JPH01107592A - 電気回路基板 - Google Patents
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- JPH01107592A JPH01107592A JP26480087A JP26480087A JPH01107592A JP H01107592 A JPH01107592 A JP H01107592A JP 26480087 A JP26480087 A JP 26480087A JP 26480087 A JP26480087 A JP 26480087A JP H01107592 A JPH01107592 A JP H01107592A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、導体組成物による印刷が行われかつ焼成され
た電気回路を形成するための回路基板に関する。
た電気回路を形成するための回路基板に関する。
(従来技術とその問題点)
従来の厚膜配線板においては、絶縁基板として96%ア
ルミナ板が一般的に使用され、市販の導体ペーストの多
くは、該アルミナ基板への適用を前提として金属粉、ガ
ラスフリットの質及び量を選択するようにしている。そ
して前記導体ペーストを焼成することにより導体組成膜
が形成される。
ルミナ板が一般的に使用され、市販の導体ペーストの多
くは、該アルミナ基板への適用を前提として金属粉、ガ
ラスフリットの質及び量を選択するようにしている。そ
して前記導体ペーストを焼成することにより導体組成膜
が形成される。
その際ガラスフリットを含有する無機結合剤が使用され
、該ガラスフリットの多くは前記導体組成膜中に残るが
、その一部は前記アルミナ基板中へ拡散し、前記導体組
成膜と前記アルミナ基板とが両者中に存在するガラスフ
リットにより良好な密着性を示すことになる。
、該ガラスフリットの多くは前記導体組成膜中に残るが
、その一部は前記アルミナ基板中へ拡散し、前記導体組
成膜と前記アルミナ基板とが両者中に存在するガラスフ
リットにより良好な密着性を示すことになる。
一方最近ガラス又は低温焼成セラミックで形成された基
体に多層配線用絶縁ペーストや導体ペーストを適用する
ケースが多くなっている。これらの基体として用いられ
るガラスは一般の板ガラスであり、又前記低温焼成セラ
ミックは、アルミナ、ムライト、コージェライ!、スピ
ネル、窒化アルミニウム、窒化珪素等から成る結晶性セ
ラミックに、フランクス成分としてPbO−5iOz−
AlzOx−Bz03系、th(h−3iO2系、Li
0z−^1203−Si01−Bt(h系、Mg0−A
1z03−5iOz−Bz()H系、Ca0−Al z
ch−5iOt−BzCh系等のガラスフリットを用い
て600〜1200℃で焼成することにより得るように
している。
体に多層配線用絶縁ペーストや導体ペーストを適用する
ケースが多くなっている。これらの基体として用いられ
るガラスは一般の板ガラスであり、又前記低温焼成セラ
ミックは、アルミナ、ムライト、コージェライ!、スピ
ネル、窒化アルミニウム、窒化珪素等から成る結晶性セ
ラミックに、フランクス成分としてPbO−5iOz−
AlzOx−Bz03系、th(h−3iO2系、Li
0z−^1203−Si01−Bt(h系、Mg0−A
1z03−5iOz−Bz()H系、Ca0−Al z
ch−5iOt−BzCh系等のガラスフリットを用い
て600〜1200℃で焼成することにより得るように
している。
しかしこれらの場合に上記したガラスフリットを含有す
る無機結合剤を使用するとハンダ濡れ性が著しく低下す
る。
る無機結合剤を使用するとハンダ濡れ性が著しく低下す
る。
又導体組成物に使用するロジウムをはじめとする貴金属
粉は高価であるためできるだけその使用量を低減させる
ことが好ましい。
粉は高価であるためできるだけその使用量を低減させる
ことが好ましい。
(発明の目的)
本発明は、最近その使用が増大しているガラス又は低温
焼成セラミック基体に使用してもハンダ濡れ性を低下さ
せることがな(、かつ導体組成物と基体間に十分な密着
性を与えることのできる導体組成物を被覆した比較的安
価な電気回路基板を提供することを目的とする。
焼成セラミック基体に使用してもハンダ濡れ性を低下さ
せることがな(、かつ導体組成物と基体間に十分な密着
性を与えることのできる導体組成物を被覆した比較的安
価な電気回路基板を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、銀粉と、ロジウム粉及び/又は有機ロジウム
化合物がビヒクル中に分散され、かつ無機結合剤として
酸化アンチモンを含有しガラスフリットを実質的に含有
しない導体組成物をガラス又は低温焼成セラミック基体
上に焼成し被覆したことを特徴とする回路基板であり、
上記金属粉に加えて白金粉を必須成分として含有するも
のであってもよい。
化合物がビヒクル中に分散され、かつ無機結合剤として
酸化アンチモンを含有しガラスフリットを実質的に含有
しない導体組成物をガラス又は低温焼成セラミック基体
上に焼成し被覆したことを特徴とする回路基板であり、
上記金属粉に加えて白金粉を必須成分として含有するも
のであってもよい。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明における導体組成物は、微細に分割された銀粉、
又は銀粉及び白金粉を必須成分とし、この他にロジウム
粉及び有機ロジウム化合物の両者又は一方を分散状態で
ビヒクル中に含有している。
又は銀粉及び白金粉を必須成分とし、この他にロジウム
粉及び有機ロジウム化合物の両者又は一方を分散状態で
ビヒクル中に含有している。
その比率は、通常銀99.0〜50重量%、白金0〜4
0重景%重量ジウム0.1〜10重量%である。使用す
る銀の平均粒径は0.5〜7μ、比表面積0.5〜3
m / g、白金の平均粒径は0.1〜1μ、比表面積
10〜40rrF/g、ロジウムの平均粒径は0.1〜
1μ、比表面積10〜120d/gである。又使用でき
る有機ロジウム化合物としては、環式テルペン含硫黄ロ
ジウム化合物等のいわゆるロジウムレジネートがある。
0重景%重量ジウム0.1〜10重量%である。使用す
る銀の平均粒径は0.5〜7μ、比表面積0.5〜3
m / g、白金の平均粒径は0.1〜1μ、比表面積
10〜40rrF/g、ロジウムの平均粒径は0.1〜
1μ、比表面積10〜120d/gである。又使用でき
る有機ロジウム化合物としては、環式テルペン含硫黄ロ
ジウム化合物等のいわゆるロジウムレジネートがある。
本発明では無機結合剤として酸化アンチモンを使用し、
通常前記金属性粉に対し0.01〜10重量%とする。
通常前記金属性粉に対し0.01〜10重量%とする。
該酸化アンチモンには前記したロジウムと同様に焼結を
抑制する機能があり、該酸化アンチモンの使用により前
記ロジウムの使用量を減少させることができる。
抑制する機能があり、該酸化アンチモンの使用により前
記ロジウムの使用量を減少させることができる。
前記した金属性粉末及び無機結合剤の分散媒であるビヒ
クル、例えばターピネオールにエチルセルロース樹脂を
溶解させたビヒクルは、全体に対して約10〜30重量
%を使用する。
クル、例えばターピネオールにエチルセルロース樹脂を
溶解させたビヒクルは、全体に対して約10〜30重量
%を使用する。
又本発明で使用するガラス又は低温焼成セラミック基体
は、ガラスを主成分とする任意の基体を意味し、従来の
アルミナ基板を含まない。
は、ガラスを主成分とする任意の基体を意味し、従来の
アルミナ基板を含まない。
前記金属性粉末及び必要ならば無機結合剤をビヒクル中
に分散させこれを前記ガラス又は低温焼成セラミック基
体上へ塗布し、次いでl000℃を超えない温度、好ま
しくは約760〜930℃、更に望ましくは約900℃
前後で約5〜30分焼成して導体組成物が被覆された回
路基板とする。
に分散させこれを前記ガラス又は低温焼成セラミック基
体上へ塗布し、次いでl000℃を超えない温度、好ま
しくは約760〜930℃、更に望ましくは約900℃
前後で約5〜30分焼成して導体組成物が被覆された回
路基板とする。
なお該焼成は複数回繰り返してもよい。
このように製造された本発明の回路基板は、十分満足で
きるハンダ濡れ性と、導体組成物と回路基板間の良好な
密着性を有している。ガラスフリットを実質的に含有し
ないとは、導体の特性特にハンダ濡れ性を低下させない
範囲ならばガラスフリットを添加できるという意味であ
る。導体組成物中にガラスフリットを含有すると、焼結
にともないガラス又は低温焼成セラミック成分が導体中
へ拡散し、その結果導体表面においてガラスが過剰とな
りハンダ濡れ性が著しく低下するのである。
きるハンダ濡れ性と、導体組成物と回路基板間の良好な
密着性を有している。ガラスフリットを実質的に含有し
ないとは、導体の特性特にハンダ濡れ性を低下させない
範囲ならばガラスフリットを添加できるという意味であ
る。導体組成物中にガラスフリットを含有すると、焼結
にともないガラス又は低温焼成セラミック成分が導体中
へ拡散し、その結果導体表面においてガラスが過剰とな
りハンダ濡れ性が著しく低下するのである。
そのため本発明においては、ガラスフリットの導体への
添加をできるだけ少な(つまり実質的に含有させないよ
うにし、かつ導体組成物中にロジウムを含有させること
により良好な基板への密着性とハンダ濡れ性を合わせ持
たせることを可能になるようにしているのである。
添加をできるだけ少な(つまり実質的に含有させないよ
うにし、かつ導体組成物中にロジウムを含有させること
により良好な基板への密着性とハンダ濡れ性を合わせ持
たせることを可能になるようにしているのである。
なお本発明の一態様において白金粉を含有させているの
は、銀粉単独よりも耐ハンダ性の面で良好となるからで
あり、白金粉もロジウム粉と同様に高価であるため、用
途に応じて耐ハンダ性を加味する必要がある場合に添加
するようにする。
は、銀粉単独よりも耐ハンダ性の面で良好となるからで
あり、白金粉もロジウム粉と同様に高価であるため、用
途に応じて耐ハンダ性を加味する必要がある場合に添加
するようにする。
以下実施例に基づいて本発明を゛より詳細に説明するが
、該実施例は本発明を限定するものではない。
、該実施例は本発明を限定するものではない。
(実施例)
エチルセルロース樹脂をターピネオールに溶解したビヒ
クル中に、微細に分割された金属粉と酸化アンチモンを
第1表に示す配合比(実施例1〜6)で混合し、混線分
数した導体組成物を特開昭60−260465号に開示
した低温焼成セラミック基板上に印刷し、コンベア炉中
900℃における7分間の焼成を2回繰り返し、膜厚1
0〜14μの電気回路を形成した。
クル中に、微細に分割された金属粉と酸化アンチモンを
第1表に示す配合比(実施例1〜6)で混合し、混線分
数した導体組成物を特開昭60−260465号に開示
した低温焼成セラミック基板上に印刷し、コンベア炉中
900℃における7分間の焼成を2回繰り返し、膜厚1
0〜14μの電気回路を形成した。
該電気回路をロジンフラックス中に浸漬し、220℃の
2%銀入り鉛−錫共晶ハンダに5秒間浸漬し5×5Mパ
ッドでのハンダ濡れ性を目視した。その後2×2鶴バツ
ドにハンダ鏝で直径0.6寵の錫めっきをハンダ付けし
、150℃のオーブン中に300時間放置後ビールテス
トにより密着強度を測定し第1表の結果を得た。
2%銀入り鉛−錫共晶ハンダに5秒間浸漬し5×5Mパ
ッドでのハンダ濡れ性を目視した。その後2×2鶴バツ
ドにハンダ鏝で直径0.6寵の錫めっきをハンダ付けし
、150℃のオーブン中に300時間放置後ビールテス
トにより密着強度を測定し第1表の結果を得た。
同様にロジウム粉及び酸化アンチモンを含まずそしてガ
ラスフリットを含む導体組成物(比較例1〜3)及びロ
ジウム粉、酸化アンチモン及びガ第 1 表 ラスフリットを含まない導体組成物(比較例4.5)、
酸化アンチモンを含むがロジウムとガラスフリットを含
まない導体組成物(比較例6.7)を、及びロジウムを
含むが酸化アンチモンが10%以上である導体組成物(
比較例8)使用して電気回路を形成し、ハンダ濡れ性及
び密着強度を測定した。その結果を第1表に示す。
ラスフリットを含む導体組成物(比較例1〜3)及びロ
ジウム粉、酸化アンチモン及びガ第 1 表 ラスフリットを含まない導体組成物(比較例4.5)、
酸化アンチモンを含むがロジウムとガラスフリットを含
まない導体組成物(比較例6.7)を、及びロジウムを
含むが酸化アンチモンが10%以上である導体組成物(
比較例8)使用して電気回路を形成し、ハンダ濡れ性及
び密着強度を測定した。その結果を第1表に示す。
第1表から明らかな通り、本実施例によるガラスフリッ
トを含まない導体組成物はハンダ濡れ性が良好であり、
更に150℃で300時間オーブン中に放置した後の導
体組成物と基体間の密着強度も高かった。但し、酸化ア
ンチモンの比率0.01%未満及び10%以上では密着
強度が低下し効果が少ない。
トを含まない導体組成物はハンダ濡れ性が良好であり、
更に150℃で300時間オーブン中に放置した後の導
体組成物と基体間の密着強度も高かった。但し、酸化ア
ンチモンの比率0.01%未満及び10%以上では密着
強度が低下し効果が少ない。
又ロジウムレジネートを含む導体組成物(実施例6)に
ついては、同量のロジウム粉(実施例2)と比較して密
着強度が若干低いものの十分な密着強度が確保された。
ついては、同量のロジウム粉(実施例2)と比較して密
着強度が若干低いものの十分な密着強度が確保された。
これらの結果に対する明確な理由付けは未だ行われてい
ないが、本実施例の導体組成物に含まれるロジウムが銀
粉又は銀及び白金粉との焼結を抑制して焼成後の導体組
成物は多孔質度の高い膜となる。この結果基体からのガ
ラスの拡散が見掛け上抑制されハンダ濡れ性を劣化させ
ずに十分な密着強度が確保されるものと考えられる。
ないが、本実施例の導体組成物に含まれるロジウムが銀
粉又は銀及び白金粉との焼結を抑制して焼成後の導体組
成物は多孔質度の高い膜となる。この結果基体からのガ
ラスの拡散が見掛け上抑制されハンダ濡れ性を劣化させ
ずに十分な密着強度が確保されるものと考えられる。
更に酸化アンチモンにもロジウムと同様に焼結を抑制す
る効果があり、ロジウムを酸化アンチモンと併用するこ
とによりロジウムの使用量を低減させることができる。
る効果があり、ロジウムを酸化アンチモンと併用するこ
とによりロジウムの使用量を低減させることができる。
但しロジウムを含まない酸化アンチモン単独の場合は効
果が少なく、又併用する場合であっても酸化アンチモン
の比率が0.01未満では効果が少なく又10%を超え
ると焼成後の導体組成物の膜質が脆くなるため十分な密
着強度を確保できないものと考えられる。
果が少なく、又併用する場合であっても酸化アンチモン
の比率が0.01未満では効果が少なく又10%を超え
ると焼成後の導体組成物の膜質が脆くなるため十分な密
着強度を確保できないものと考えられる。
一方比較例1〜5の導体組成物ではロジウムの添加がな
いため、ハンダ濡れ性が劣化し、密着強度も不十分とな
っている。
いため、ハンダ濡れ性が劣化し、密着強度も不十分とな
っている。
(発明の効果)
本発明では、金属性粉末つまり銀粉とロジウム粉及び/
又はを機ロジウム化合物、あるいは銀粉及び白金粉とロ
ジウム粉及び/又は有機ロジウム化合物とから成る金属
性粉末をπヒクル中に分散して成る導体組成物をガラス
又は低温焼成セラミックから成る回路基板上に被覆する
にあたり前記導体組成物中に無機結合剤として酸化アン
チモンを含ませガラスを実質的に含ませないようにして
いる。
又はを機ロジウム化合物、あるいは銀粉及び白金粉とロ
ジウム粉及び/又は有機ロジウム化合物とから成る金属
性粉末をπヒクル中に分散して成る導体組成物をガラス
又は低温焼成セラミックから成る回路基板上に被覆する
にあたり前記導体組成物中に無機結合剤として酸化アン
チモンを含ませガラスを実質的に含ませないようにして
いる。
スが焼成時に導体組成物中へ拡散して両者間に十分な密
着強度が確保され、しかも導体組成物がガラスを実質的
に含まないため、回路基板のハンダ濡れ性が著しく改善
される。
着強度が確保され、しかも導体組成物がガラスを実質的
に含まないため、回路基板のハンダ濡れ性が著しく改善
される。
更に酸化アンチモンの使用により高価なロジウム粉の使
用量を低減することが可能になり、安価に同一性能の回
路基板を製造することが可能になる。
用量を低減することが可能になり、安価に同一性能の回
路基板を製造することが可能になる。
又白金粉を添加すると耐ハンダ性が向上する。
従って本発明の回路基板は従来のガラス又は低温焼成セ
ラミック基体と比較して基体としての性能の目安となる
ハンダ濡れ性と密着強度が温かに改善され更に経済性に
も優れた画期的な電気回路基板である。
ラミック基体と比較して基体としての性能の目安となる
ハンダ濡れ性と密着強度が温かに改善され更に経済性に
も優れた画期的な電気回路基板である。
Claims (6)
- (1)銀粉と、ロジウム粉及び/又は有機ロジウム化合
物がビヒクル中に分散され、かつ無機結合剤として酸化
アンチモンを含有しガラスフリットを実質的に含有しな
い導体組成物をガラス又は低温焼成セラミック基体上に
焼成し被覆したことを特徴とする電気回路基板。 - (2)焼成を1000℃を越えない温度で行うようにし
た特許請求の範囲第1項に記載の電気回路基板。 - (3)ロジウム粉を使用し、該ロジウム粉の全体に対す
る割合が0.1〜10重量%である特許請求の範囲第1
項又は第2項に記載の電気回路基板。 - (4)銀粉及び白金粉と、ロジウム粉及び/又は有機ロ
ジウム化合物がビヒクル中に分散され、かつ無機結合剤
として酸化アンチモンを含有しガラスフリットを実質的
に含有しない導体組成物をガラス又は低温焼成セラミッ
ク基体上に焼成し被覆したことを特徴とする電気回路基
板。 - (5)焼成を1000℃越えない温度で行うようにした
特許請求の範囲第3項に記載の電気回路基板。 - (6)ロジウム粉を使用し、該ロジウム粉の全体に対す
る割合が0.1〜10重量%である特許請求の範囲第4
項又は第5項に記載の電気回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62264800A JP2559238B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 電気回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62264800A JP2559238B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 電気回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01107592A true JPH01107592A (ja) | 1989-04-25 |
JP2559238B2 JP2559238B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=17408386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62264800A Expired - Lifetime JP2559238B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 電気回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2559238B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054091A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Narumi China Corp | 導電性被膜被覆ガラス基板及びその製造方法 |
CN104575676A (zh) * | 2014-12-23 | 2015-04-29 | 合肥中南光电有限公司 | 一种低温导电银浆 |
CN104575665A (zh) * | 2014-12-23 | 2015-04-29 | 合肥中南光电有限公司 | 一种低粘度导电银浆 |
WO2018016480A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 株式会社村田製作所 | 感光性導電ペースト、積層型電子部品の製造方法、及び、積層型電子部品 |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62264800A patent/JP2559238B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054091A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Narumi China Corp | 導電性被膜被覆ガラス基板及びその製造方法 |
CN104575676A (zh) * | 2014-12-23 | 2015-04-29 | 合肥中南光电有限公司 | 一种低温导电银浆 |
CN104575665A (zh) * | 2014-12-23 | 2015-04-29 | 合肥中南光电有限公司 | 一种低粘度导电银浆 |
WO2018016480A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 株式会社村田製作所 | 感光性導電ペースト、積層型電子部品の製造方法、及び、積層型電子部品 |
JPWO2018016480A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2019-03-07 | 株式会社村田製作所 | 感光性導電ペースト、積層型電子部品の製造方法、及び、積層型電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2559238B2 (ja) | 1996-12-04 |
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