JPS6166305A - 導体組成物 - Google Patents
導体組成物Info
- Publication number
- JPS6166305A JPS6166305A JP18778884A JP18778884A JPS6166305A JP S6166305 A JPS6166305 A JP S6166305A JP 18778884 A JP18778884 A JP 18778884A JP 18778884 A JP18778884 A JP 18778884A JP S6166305 A JPS6166305 A JP S6166305A
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- JP
- Japan
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- copper
- conductor composition
- manganese
- compound
- inorganic binder
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は絶縁基板上に印刷し、焼成して電気回路を形成
するための導体組成物に関するものである。
するための導体組成物に関するものである。
(発明の目的)
これらの導体に必要な特性は種々あるがここでは、導体
と絶縁基板との密着強度、ことにはんだでリード付けし
た後の熱的経時における密着強度の劣化を極力おさえた
強密着性の導体組成物を提供せんとするものである。
と絶縁基板との密着強度、ことにはんだでリード付けし
た後の熱的経時における密着強度の劣化を極力おさえた
強密着性の導体組成物を提供せんとするものである。
(発明の構成)
本発明による導体組成物は、微細に分割された金属粉と
微細に分割された無機結合剤とがビヒクル中に分散され
て成る導体組成物において、前記無機結合剤がガラスフ
リフトとビスマス化合物とマンガン若しくはマンガン化
合物と銅若しくは銅化合物とから成ることを特徴とする
ものである。
微細に分割された無機結合剤とがビヒクル中に分散され
て成る導体組成物において、前記無機結合剤がガラスフ
リフトとビスマス化合物とマンガン若しくはマンガン化
合物と銅若しくは銅化合物とから成ることを特徴とする
ものである。
ところで現在種々市販されている導体ペーストは密着強
度に大きく寄与する無機結合剤の質により大きく3つの
タイプに分れている。すなわち、ガラスフリフトを用い
たフリットタイプ、ガラスフリットを用いず酸化物を用
いたフリットレスタイプ、ガラスフリットと酸化物を併
用したミックスタイプで、本発明における導体組成物は
ミックスタイプである。さらに本発明について詳しく述
べると、ガラスフリフトには、400〜750℃の軟化
点を有する通常のガラスフリットでよく、一般的な硼珪
酸鉛に代表される非晶質ガラスあるいは結晶化ガラスで
も良い。またビスマス化合物には、酸化ビスマス粉末で
もオクチル酸ビスマス等の液状金属石けんでも良く、マ
ンガン化合物には、二酸化マンガン粉末でもナフテン酸
マンガンでも良く、銅化合物には酸化銅粉末でもオフテ
ン酸銅等の金属石けんでも良い。
度に大きく寄与する無機結合剤の質により大きく3つの
タイプに分れている。すなわち、ガラスフリフトを用い
たフリットタイプ、ガラスフリットを用いず酸化物を用
いたフリットレスタイプ、ガラスフリットと酸化物を併
用したミックスタイプで、本発明における導体組成物は
ミックスタイプである。さらに本発明について詳しく述
べると、ガラスフリフトには、400〜750℃の軟化
点を有する通常のガラスフリットでよく、一般的な硼珪
酸鉛に代表される非晶質ガラスあるいは結晶化ガラスで
も良い。またビスマス化合物には、酸化ビスマス粉末で
もオクチル酸ビスマス等の液状金属石けんでも良く、マ
ンガン化合物には、二酸化マンガン粉末でもナフテン酸
マンガンでも良く、銅化合物には酸化銅粉末でもオフテ
ン酸銅等の金属石けんでも良い。
本発明における特徴は、無機結合剤がガラスフリットと
ビスマス化合物1.マンガン化合物及び銅あるいは銅化
合物より成る点である。そしてこれら4種の無機結合剤
成分が導体組成物の焼成段階で相互に反応し、かつそれ
が金属粉の成分の焼結と合いまって緻密なマトリックス
を基板界面に形成し、所望の強密着性の導体組成膜が得
られると考えられる。
ビスマス化合物1.マンガン化合物及び銅あるいは銅化
合物より成る点である。そしてこれら4種の無機結合剤
成分が導体組成物の焼成段階で相互に反応し、かつそれ
が金属粉の成分の焼結と合いまって緻密なマトリックス
を基板界面に形成し、所望の強密着性の導体組成膜が得
られると考えられる。
かかる導体組成物において、ビヒクル中に分散される金
属粉の成分は単独でも複数でもよく、その比率は適度な
割合でかまわない。通常は、Ag100〜40重量%、
Pd0〜35重量%、pto〜35重量%である。
属粉の成分は単独でも複数でもよく、その比率は適度な
割合でかまわない。通常は、Ag100〜40重量%、
Pd0〜35重量%、pto〜35重量%である。
尚、ここで用いられるAgは平均粒径0.5〜7μ、S
A(表面積)0.5〜3m/g、Pdは平均粒径0.1
〜1 p、 SA5〜20m/g、 P Lは平均粒
径0.1〜1μ、5AIO〜40rJ/gである。また
ビヒクル中の金属粉の成分に対する無機結合剤の割合は
、所望される緒特性に照らし合わせて成分比を選択でき
るが、通常は1〜30%である。さらにまたかかる導体
組成物における金属粉の成分及び無機結合剤を分散され
るビヒクルは、分散物に対して任意の割合でかまわない
が、通常10〜30重量%で行なわれる。
A(表面積)0.5〜3m/g、Pdは平均粒径0.1
〜1 p、 SA5〜20m/g、 P Lは平均粒
径0.1〜1μ、5AIO〜40rJ/gである。また
ビヒクル中の金属粉の成分に対する無機結合剤の割合は
、所望される緒特性に照らし合わせて成分比を選択でき
るが、通常は1〜30%である。さらにまたかかる導体
組成物における金属粉の成分及び無機結合剤を分散され
るビヒクルは、分散物に対して任意の割合でかまわない
が、通常10〜30重量%で行なわれる。
(実施例及び比較v11)
エチルセルロースレジンをターピネオールに溶解したビ
ヒクル中に、微細に分割された金属粉と無機結合剤とを
下記の表の左欄に示す様な配合で混合し混線分散した実
施例及び比較例の導体組成物を、96%Al2O3のセ
ラミック基板上に印刷し、コンベア炉にて850″CX
10 minで2回焼成し膜厚10〜14μの電気回
路を形成した。
ヒクル中に、微細に分割された金属粉と無機結合剤とを
下記の表の左欄に示す様な配合で混合し混線分散した実
施例及び比較例の導体組成物を、96%Al2O3のセ
ラミック基板上に印刷し、コンベア炉にて850″CX
10 minで2回焼成し膜厚10〜14μの電気回
路を形成した。
尚スクリーンは200…esh+総厚90μのものを用
いた。こうして形成された電気回路をロジンフラックス
につけ、220℃の2%Ag入りPb−3n共晶はんだ
に5秒間浸し、その後2×2パツドにはんだごてにて0
.6φ鰭のすずめつき銅線をはんだ付けし、 150℃
のオーブンに300時間放置後ビールテストにて密着強
度を測定したところ、下記の表の右欄のような結果を得
た。
いた。こうして形成された電気回路をロジンフラックス
につけ、220℃の2%Ag入りPb−3n共晶はんだ
に5秒間浸し、その後2×2パツドにはんだごてにて0
.6φ鰭のすずめつき銅線をはんだ付けし、 150℃
のオーブンに300時間放置後ビールテストにて密着強
度を測定したところ、下記の表の右欄のような結果を得
た。
(以下余白)
ガラスフリフトに関し、Aは軟化点425’CのPbO
B203−ZnO系の結晶化ガラス、Bは軟化点515
℃のB2O3SiO2PbO系の非晶質ガラス、Cは軟
化点600℃のZnOBz03系の結晶化ガラスである
。
B203−ZnO系の結晶化ガラス、Bは軟化点515
℃のB2O3SiO2PbO系の非晶質ガラス、Cは軟
化点600℃のZnOBz03系の結晶化ガラスである
。
ビスマス化合物に関し、AはB i20.、Bはオクチ
ル酸ビスマスである。
ル酸ビスマスである。
マンガンあるいはマンガン化合物に関し、Aはマンガン
粉、Bは二酸化マンガン、Cはナフテン酸マンガンであ
る。
粉、Bは二酸化マンガン、Cはナフテン酸マンガンであ
る。
銅あるいは銅化合物に関し、Aは銅粉Bは酸化銅、Cは
ナフテン[8である。
ナフテン[8である。
尚ここで220℃のはんだに5秒間浸した後のはんだぬ
れ性は、いずれの例でも導体面の90%以上をはんだが
おおい良好であった。また焼成を760℃あるいは93
0℃にし同様のテストを行ったが、いずれも850°C
での結果と大差がなかった故、ここでは850°Cの結
果を代表とした。
れ性は、いずれの例でも導体面の90%以上をはんだが
おおい良好であった。また焼成を760℃あるいは93
0℃にし同様のテストを行ったが、いずれも850°C
での結果と大差がなかった故、ここでは850°Cの結
果を代表とした。
上記の表から明らかな様に本発明による導体組成物は、
比較例にある導体組成物にくらべ、明らかに150℃X
30011放置後の密着強度が極めて高いことが判る
。
比較例にある導体組成物にくらべ、明らかに150℃X
30011放置後の密着強度が極めて高いことが判る
。
(発明の効果)
以上の説明で判るように本発明の導体組成物は、無機結
合剤としてガラスフリット、ビスマス化合物、マンガン
若しくはマンガン化合物及び銅若しくは銅化合物を配合
しているので、焼成段階で相互に反応し金属成分の焼結
と含まって緻密なマトリックスが基板界面に形成され、
密着強度の高い電気回路が得られる画期的なものである
。
合剤としてガラスフリット、ビスマス化合物、マンガン
若しくはマンガン化合物及び銅若しくは銅化合物を配合
しているので、焼成段階で相互に反応し金属成分の焼結
と含まって緻密なマトリックスが基板界面に形成され、
密着強度の高い電気回路が得られる画期的なものである
。
Claims (1)
- 微細に分割された金属粉と微細に分割された無機結合剤
とがビヒクル中に分散されて成る導体組成物において、
前記無機結合剤がガラスフリット、ビスマス化合物、マ
ンガン若しくはマンガン化合物及び、銅若しくは銅化合
物より成ることを特徴とする導体組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18778884A JPS6166305A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 導体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18778884A JPS6166305A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 導体組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6166305A true JPS6166305A (ja) | 1986-04-05 |
Family
ID=16212232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18778884A Pending JPS6166305A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 導体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6166305A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61288308A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-18 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜導体組成物 |
JPS62259302A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | 同和鉱業株式会社 | 導電ペ−スト組成物 |
KR20010067050A (ko) * | 1999-08-06 | 2001-07-12 | 사토 히로시 | 적층인덕터와 그 제조방법 |
JP2006302891A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-11-02 | E I Du Pont De Nemours & Co | 半導体デバイスの製造方法、およびそこで使用される導電性組成物 |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP18778884A patent/JPS6166305A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61288308A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-18 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜導体組成物 |
JPH0440802B2 (ja) * | 1985-06-13 | 1992-07-06 | Sumitomo Metal Mining Co | |
JPS62259302A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | 同和鉱業株式会社 | 導電ペ−スト組成物 |
JPH0514363B2 (ja) * | 1986-05-02 | 1993-02-24 | Dowa Kogyo Kk | |
KR20010067050A (ko) * | 1999-08-06 | 2001-07-12 | 사토 히로시 | 적층인덕터와 그 제조방법 |
JP2006302891A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-11-02 | E I Du Pont De Nemours & Co | 半導体デバイスの製造方法、およびそこで使用される導電性組成物 |
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