JPH01128488A - 厚膜銅導体インキ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、改善された密着性を有する厚膜銅導体インキ
および多層電気回路構造物の製造時におけるそれの使用
に関するものである。

発明の背景 高速かつ高密度の集積回路パッケージを相互に接続する
ための信頼し得る手段として多層厚膜回路が使用されて
いる。かかる回路は、通例、適当な基板上に導体インキ
および誘電体インキの層を交互にスクリーン印刷して焼
成することによって形成される。その場合、導体層同士
は誘電体府中のスルーホールを導電性材料で充填するこ
とによって接続される。このような導体層は、通例、金
、白金、パラジウムまたは銀のごとき貴金属および軟化
点の低いガラスから成る導体インキを用いて形成される
。かかる導体インキは、貴金属を使用するために極めて
高価である。また、銀の場合には、かかる導体インキは
顕著なエレクトロマイグレーションを生じ易い。このよ
うな導体層同士を隔離するために使用される誘電体イン
キは、適当なセラミック充填剤を含有する軟化点の低い
ガラスから成るのが通例である。

貴金属導体インキの代替品として、銅導体インキが電子
工業界において益々使用されるようになってきている。

銅は、高い導電率、高い熱伝導率、優れたはんだ付は適
性、および銀よりも小さいエレクトロマイグレーション
傾向のごとき優れた特性を有する安価な材料である。な
お、通常の銅導体インキ中にも軟化点の低いガラスフリ
ットが使用されている。

導電性材料として銅を使用する多層回路構造物は幾つか
の問題を含んでいる。最も普通の問題は、多層回路構造
物を製造するために必要な多数回のを引起こすことであ
る。すなわち、銅導体インキ？ が空気または酸化性媒質にｓ露されると生成するハ 酸化銅は、銅導体インキの融剤（たとえば、酸化鉛や酸
化ビスマス）と共融混合物を生じる。このような共融融
剤用は多孔質の誘電体中に侵入するのであって、特に誘
電体が鉛、バリウムおよびビスマスのごとき大きな改質
剤イオンを含有する場合にそれが起こり易い、その結果
、共融融剤用は誘電体を貫通する導電路を形成し、それ
によって隣接する銅導体層間の短絡を引起こすのである
。

誘電体インキばかりでなく銅導体インキにおいてもまた
、反復される焼成工程中に生成したガス状物質が捕捉さ
れ易い、すなわち、スクリーン印刷に適する流動性を銅
導体インキまたは誘電体インキに付与するために使用さ
れる有機ビヒクルは焼成工程中にガスを発生する。この
ようなガスを発生する有機物質は、堆積された厚膜のふ
くれや剥離を引起こすことがある。ガス発生はまた、誘
電体層の多孔度を上昇させる原因ともなり、それによっ
て共融融剤用の侵入の問題を一層悪化させる。

そこで、多孔度の低下した誘電体インキを調製すること
によって上記のごとき問題を軽減する試みが行われた。

第二の解決策は、焼成に先立って誘電体インキおよび銅
導体インキの両方を酸化性または還元性プラズマで処理
することである。このような技術は、本発明の場合と同
じ譲受人に譲渡された、「厚膜電気部品の製造方法」と
称する１９８６年１０月２８日付けの米国特許第４６１
９８３６号明細書中に記載されている。かかるプラズマ
処理は、従来のインキ組成物中に存在する有機ビヒクル
の炭素質残留物を除去するために役立つ。

従来の銅導体インキに見られる短絡およびふくれの問題
を解決するための第三の方法は、１９８６年１０月２日
に提出されかつ本発明の場合と同じ譲受人に譲渡された
、「厚膜銅導体インキ」と称する櫛待糧遍米国特許出願
第９１４３０３号明細書中に記載されている。この特許
出願明細書中には、失透性ガラスフリットを含有する改
良された銅導体インキが開示されている。かかる銅導体
インキにおいては、融点の低い酸化物融剤（たとえば、
酸化鉛や酸化ビスマス）の使用が回避される。このよう
な融剤が使用されないため、酸化銅との間に通例生成さ
れる共融融剤用は存在せず、従って短絡の問題は解決さ
れるのである。その上、軟化点の高い失透性ガラスフリ
ットが銅導体インキ中に使用されるため、インキが顕著
に流動して高密度化する前に有機ビヒクルのガス抜きが
達成されることにもなる。

現在、上記のごとき米国特許出願明細書中に開示された
ものと同様な利点を有しながら密着性の向上を示すよう
な銅導体インキの開発が要望されている。

発明の要約 密着性の向上を示す本発明の改良された銅導体インキは
、亜鉛−カルシウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリ
ット、亜鉛−マグネシウム−バリウム−アルミニウムケ
イ酸塩ガラスフリットおよびそれらの混合物の中から選
ばれた失透性ガラスフリットを含有すると共に、密着性
向上用酸化物が添加されていることを特徴とするもので
ある。

かかるインキは優れた密着性を有することが判明してい
る０本発明の銅導体インキは、多層集積回路構造物の製
造にとって有用である。

発明の詳細な説明 本発明の銅導体インキ中に使用される銅粉末は、約１〜
５癖の粒度を有する純粋な銅から成るものである。かか
る銅粉末は、銅導体インキの約６５〜約８５（重量）％
好ましくは約７５〜約８０（重量）％を占める。

本発明の銅導体インキ中に使用される亜鉛−カルシウム
−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリットは、１９８６年
１０月２日に提出されかつ本発明の場合と同じ譲受人に
譲渡された、ハング（Ｈａｎｇ）等の件寺箒曇米国特許
出願第９１４３０１号明細書中に開示されている。かか
る失透性の亜鉛−カルシウム−アルミニウムケイ酸塩ガ
ラスフリットは、重量百分率で表わして、 （ａ）約７〜約１２％好ましくは約８〜約１０％の酸化
亜鉛、 （ｂ）約２５〜約４５％好ましくは約２９〜約３８％の
酸化カルシウム、 （ｃ）約１０〜約２０％好ましくは約１１〜約１ａ５％
の酸化アルミニウム、 （ｄ）約３５〜約５０％好ましくは約３７〜約４４％の
二酸化ケイ素、 （ｅ）０〜約２％好ましくは約０．５〜約１％の五酸化
リン、および （ｆ）０〜約５％好ましくは約２〜約３％のケイ酸ジル
コニウム から成っている。

本発明の銅導体インキ中に使用される亜鉛−マグネシウ
ム−バリウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリットは
、１９８６年１０月２日に提出されかつ本発明の場合と
同じ譲受人に譲渡された、「多層銅回路用の誘電体イン
キ」と称するハング（Ｈａｎｇ＞等の件卆倫曇米国特許
出願第９１４３０２号の誘電体インキ中に使用されたガ
ラスフリットと同様なものである。本発明において使用
される失透性の亜鉛−マグネシウム−バリウム−アルミ
ニウムケイ酸塩ガラスフリットは、重量百分率で表わし
て、 （ａ）約１５〜約２５％好ましくは約１６〜約２２％の
酸化亜鉛、 （ｂ）約１０〜約２５％好ましくは約１６〜約２２％の
酸化マグネシウム、 （ｃ）約３〜約１２％好ましくは約５〜約１０％の酸化
バリウム、 （ｄ）約５〜約２０％好ましくは約８〜約１１％の酸化
アルミニウム、 （ｅ）約３０〜約５０％好ましくは約３９〜約４３％の
二酸化ケイ素、 （ｒ）０〜約３％好ましくは約１〜約２％の五酸化リン
、および （ｇ）０〜約５％好ましくは約２〜約３％のケイ酸ジル
コニウム から成っている。

これらの失透性ガラスフリットは単独で使用してもよい
し、あるいは任意の比率で混合して使用してもよい、か
かる失透性ガラスフリットは、銅導体インキの約２〜約
１０（重量）％好ましくは約２５〜約５（重量）％を占
める。

本発明中の銅導体インキ中に使用される失透性ガラスフ
リットは、非常に高い軟化点を有するという点で特に有
利である。すなわち、それらは炉の温度が７００℃を越
えるまで流動を開始しない。

乾燥後のインキ層は盟著な流動および高密度化を開始す
るまではガス状物質の通過を許すから、これらのガラス
フリットは有機ビヒクルのガス抜きが行われる炉内にお
いて時間的余裕を与えることになる。すなわち、かかる
ガラスフリットの高い軟化点のために乾燥後のインキ層
から炭素質残留物を効率良く除去することができるので
、米国特許第４６１９８３６号明細書中に記載のごとく
、焼成に先立って本発明の銅導体インキを酸化性または
還元性プラズマで処理することは不要となる。

本発明中の銅導体インキ中に使用されるガラスフリット
のもう１つの利点は、それらの熱膨張率がアルミナの熱
膨張率に近いということである。それ故、本発明の銅導
体インキはアルミナ回路基板上における使用のために非
常に有利であって、特に構造物が繰返して加熱および冷
却を受ける多層回路用途においてそれが盟著である。

本発明の銅導体インキ並びに米国特許第９１４３０１お
よび９１４３０２号の誘電体インキ中に使用される失透
性ガラスフリットの最も意外な利点は、銅導体インキ中
に通常の密着性向上用酸化物を使用しても短絡の発生が
ないということである。すなわち、本発明の銅導体イン
キは約１〜約８（重量）％の密着性向上用酸化物を含有
する。かかる密着性向上用酸化物は、酸化ビスマス、酸
化カドミウム、酸化第一銅、酸化タリウム、酸化鉛およ
びそれらの混合物から成る群より選ばれる。

なお、本発明の銅導体インキは約０．５〜約５（重量）
％の酸化ビスマスおよび約０．５〜約３（重量）％の酸
化第一銅を含有することが好ましい、これらの酸化ビス
マスおよび酸化第一銅は、銅導体層中においてやはり共
融融剤相を生成する。しかしながら、本発明において使
用される失透性ガラスフリットが誘電体層中にも使用さ
れる場合には、その誘電体層は銅導体層からの融剤相の
侵入に対して高度の抵抗性を示す。その理由は、かかる
失透性ガラスフリットを使用する誘電体層が非常に緻密
であり、優れた再加熱安定性を有し、かつ融剤相との混
和性を示さないことにある。前述のごとき米国特許出願
第９１４３０３号明細書中に開示された銅導体インキと
比較した場合、本発明の銅導体インキは密着性の向上を
示す。

本発明の銅導体インキ中に使用される失透性ガラスフリ
ットの更にもう１つの利点は、それの熱膨張率がアルミ
ナの熱膨張率に近いということである。すなわち、本発
明の銅導体インキは特にアルミナ回路基板またはそれに
近似した熱膨張率を有するその他の回路基板上における
使用に適合するように調製されている。この特徴は、多
層回路構造物を製造する場合に重要なものである。なぜ
なら、初期に設置された銅導体インキ層および誘電体イ
ンキ層は追加のインキ層を設置する度に多数回の加熱お
よび冷却サイクルを受けることになるからである。

本発明の銅導体インキを塗布するために使用される有機
ビヒクルは、セルロース誘導体く特にエチルセルロース
）または合成樹脂（ポリアクリレート、ポリメタクリレ
ート、ポリエステル、ポリオレフィンなど）のごとき樹
脂結合剤を適当な溶剤に溶解して成る溶液である。なお
、好適な結合剤はポリ（イソブチルメタクリレート）で
ある。

一般的に述べれば、本明細書中に記載されるような種類
のインキ中に使用される通常の溶剤を使用することがで
きる。商業的に入手し得る好適な溶剤としては、たとえ
ば、パイン油、テルピネオール、ブチルカルピトールア
セテート、［テキサスイーストマン・カンパニー（Ｔｅ
ｘａｓ　Ｅａｓｔｍａｎ　Ｃｏｍ−ｐａ　ｎｙ　）から
テキサノール（Ｔｅｘａｎｏｌ）の商品名で入手し得る
］　　２，２．４−トリメチル−１，３−ベンタンジオ
ールモノイソブチレートなどが挙げられる。かかる有機
ビヒクルは、約２〜約２５（重量）％の樹脂結合剤を含
有するのが適当である。

上記の樹脂結合剤は単独で使用してもよいし、あるいは
２種以上を組合わせて使用してもよい。

所望ならば、樹脂結合剤に適当な粘度調整剤を添加する
こともできる。かかる粘度調整剤としては、たとえば、
ＮＬゼインストリーズ（Ｎ、Ｌ、　Ｉｎｄｕｓ−ｔｒｉ
ｅｓ）社からチキサトロール（Ｔｂ　ｉｘａ　ｔｒｏ　
Ｉ　）の商品名で入手し得るヒマシ油誘導体が挙げられ
る。

本発明の銅導体インキ中に使用される有機ビヒクルはま
た、有機ビヒクルによる銅粉末粒子の被覆を容易にする
ため、銅導体インキ中に通例使用されるような種類の湿
潤剤を（有機ビヒクルを基準として）約２５（重量）％
まで好ましくは約１０〜約２０（重量）％の量で含有す
ることもできる。

有機ビヒクル中の全ての成分と同じく、かかる湿潤剤も
窒素中における焼成によって完全に（すなわち、炭素質
残留物を生じることなしに）除去されるものでなければ
ならない。好適な湿潤剤は、アメリカ合衆国イリノイ州
シカゴ市所在のセントラル・コンパウンディング・カン
パニー（ｃｅｎｔｒａｌＣｏｎ＋ｐｏｕｎｄｉｎｇ　Ｃ
ｏｍｐａｎｙ）からハイポチオレート（Ｈｙ−ｐｏｔｈ
ｉｏｌａｔｅ）　１００の商品名で入手し得るような、
多官能性の複合脂肪族炭化水素を脂肪族炭化水素油中に
分散して成る分散物である。上記の有機ビヒクルはまた
、約０．５〜約１０（重量）％好ましくは約１〜約３（
重量）％の界面活性剤をも適宜に含有し得る。このよう
な界面活性剤としては、たとえば、アクゾ・ケミ−・ア
メリカ（ＡＫＺＯＣｈｅｍｉｅ＾ｍｅｒｉｃａ）社から
アルメーン（＾ｒｍｅｅｎ）Ｏとして入手し得るオレイ
ルアミン、同社からデュオメーン（Ｄｕｏｉｅｅｎ）　
Ｔ　Ｄ　Ｏとして入手し得る高分子量のＮ−アルキル−
１，３−ジアミノプロパンジオレエート、およびトロイ
・ケミカル・コーポレーション（Ｔｒｏｙ　Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ　Ｃｏｒｐ、）からトロイソル（Ｔｒｏｙ−ｓｏ
ｌ）９８　Ｃの商品名で入手し得るカルボン酸塩界面活
性剤が挙げられる。

上記のごとき有機ビヒクルは、本発明の銅導体インキの
約５〜約２５（重量）％好ましくは約１２〜約１６（重
量）％を占める。使用する有機ビヒクルにかかわらず、
インキの均質性をできるだけ高めることは重要である。

それ故、分散物に大きな剪断作用を及ぼすような通常の
混合装置を用いて混合を行うことが適当である。

本発明の銅導体インキを基板構造物に塗布するためには
、スクリーン印刷、はけ塗り、吹付けなどのごとき通常
の手段を使用することができるが、中でもスクリーン印
刷が好適である。こうして得られたインキ塗膜は、空気
中において１００〜１２５℃で約１５分間にわたり乾燥
される０次に、塗膜を窒素中において８５０〜９５０℃
で４〜１０分間にわたり焼成すれば、約７５〜約９５（
重量）％の銅粉末、約２〜約１２（重量）％のガラスフ
リット、および約１〜約１０（重量）％の密着性向上用
酸化物から成る銅導体が得られる。本発明の銅導体イン
キは、通常の基板および本明細書中に記載のごとき改良
された誘電体インキに対して良好な適合性を有する点か
らみれば、多層回路中の埋込み銅導体層として使用する
のが最も適当である。

通常のアルミナ回路基板に対する本発明の銅導体インキ
の密着性を一層向上させるためには、誘電体の予備被膜
を設置するのが有益であると考えられる。かかる被膜は
銅導体インキの密着性を向上させると共に、以後の焼成
に際して銅導体層が基板から剥離する可能性を実質的に
排除する。−般には、誘電体の薄い被膜（すなわち、厚
さ約１０〜２０／通の被膜）を設置すればよい。かかる
被膜は、多層回路製造の初期工程において基板上に均一
に設置するのが適当である。誘電体の選定については、
回路基板の熱膨張率に近い熱膨張率を有するという要求
条件を満足しさえすれば特に問題はない。とは言え、本
発明の銅導体インキ中のガラスフリットを基材とする誘
電体インキを使用することが好ましい、かかる誘電体イ
ンキは、前述のごときハング等の米国特許出願第９１４
３０１および９１４３０２号明細書中に開示されている
。一般的に述べれば、かかる誘電体インキは約５０〜７
５（重量）％のガラスフリット、約３０（重量）％まで
の適当なセラミック充填剤、および約１５〜３０（重量
）％の適当な有機ビヒクルから成っている。適当なセラ
ミック充填剤としては、アルミナ粉末（Ａ　Ｉ２０　ｓ
）、ニケイ酸二マグネシウムバリウム（Ｂ　ａＭ　ｇ２
Ｓ　１２０７）、ホウ酸二マグネシウム（Ｍｇ２ＢｚＯ
６）　、ケイ酸ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ，、）、ケイ
酸二マグネシア（２ＭｇＯ−３ｉ０２）、五ケイ酸二マ
グネシアニアルミナ（２Ｍ　ｇｏ　　２　Ａ　Ｉ２０　
Ｓ−５３ｔｏ　２）およびそれらの混合物が挙げられる
。

本発明の銅導体インキから形成された銅導体層は、良好
な導電性および耐酸化性を示す点で有利である。その上
、本発明の銅導体インキから形成された銅導体層は前述
の米国特許出願第９１４３０１および９１４３０２号明
細書中に記載のごとき改良された誘電体インキに対して
優れた適合性を有している。

本発明はまた、適当な基板（たとえばアルミナ基板）上
に形成された多層回路構造物（特に集積回路構造物）に
も関する。かかる構造物は少なくとも２つのパターン化
された銅導体層を含んでいて、それらの銅導体層は内部
にスルーホールを有する誘電体層によって互いに隔離さ
れている。また、それらの銅導体層同士は上記のスルー
ホールを銅で充填することによって電気的に接続されて
いる。上記の銅導体層は、重量百分率で表わして、（ａ
）約７５〜９５％の銅粉末、（ｂ）亜鉛−カルシウム−
アルミニウムケイ酸塩ガラスフリット、亜鉛−マグネシ
ウム−バリウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリット
およびそれらの混合物から成る群より選ばれた約２〜約
１２％の失透性ガラスフリット、並びに（ｃ）約１〜約
１０％の密着性向上用酸化物の諸成分から成っている。

上記のごとき多層回路構造物上に存在する銅導体層中の
ガラスフリットは、銅導体インキに関連して上記に記載
されたものと同じ組成を有している。上記の銅導体層は
また、銅粉末および失透性ガラスフリットに加えて、下
方の基板または誘電体層に対する銅導体層の密着性を向
上させるための密着性向上用酸化物として酸化ビスマス
と酸化第一銅との混合物を含有している。なお、かかる
銅導体層は約０，５〜約６（重量）％の酸化ビスマスお
よび約０．５〜約３．５（重量）％の酸化第一銅を含有
することが好ましい。

本発明を一層詳しく説明するため、以下に実施例を示す
。なお、これらの実施例の記載内容によって本発明の範
囲が限定されると理解すべきではない。これらの実施例
中においては、特に明記されない限り、全ての部および
百分率は重量に基づく値であり、また全ての温度は摂氏
温度である。

実施例１ 下記第１表中に示される処方に従って数種の銅導体イン
キを調製した。いずれの処方においても、失透性ガラス
フリットは重量百分率で表わして２１．８１％の酸化亜
鉛、１９．２５％の酸化マグネシウム、５．８８％の酸
化バリウム、９．３８％の酸化アルミニウム、３９．６
８％の二酸化ケイ素、２００％の五酸化リン、および２
．００％のケイ酸ジルコニウムから成っていた。銅粉末
は約３μｍの平均粒度を有していた。かかる銅粉末、失
透性ガラスフリット、酸化ビスマスおよび（または）酸
化第一銅が銅導体インキの固体成分を構成していた。

有機ビヒクルは、６部、のエチルセルロースと１００部
のテキサノールとの混合物６２５％、１０部のチキサト
ロールと１００部のテキサノールとの混合物１７．９％
、テキサノール１７．８％、およびトロイソル９８Ｃ（
界面活性剤）１．８％から成っていた。第１表中に示さ
れる処方のいずれもが、８５．３％の固形分および１４
．７％の有機ビヒクルを含有していた。

ヰ赫＜口し−田二 こうして調製された銅導体インキを、通常のスクリーン
印刷技術に従い、アルミナ基板上および失透性の亜鉛−
マグネシウム−バリウム−アルミニウムケイ酸塩ガラス
フリットから成る誘電体層上に印刷した。かかる銅導体
インキを窒素中において９００’のピーク温度で１０分
間にわたり焼成することにより、厚さ１５Ｐｍの銅導体
層を形成した。２５１１ｍＸ２．５ｍｍの銅パッドにリ
ード線をはんだ付けし、次いでインストロン（１１ｓｔ
ｒｏｎ）上において９０°の角度で引っ張った。アルミ
ナ基板および誘電体層の両方に関する銅導体層の剥離強
さを第１表中に示す、これらのデータを見れば、酸化第
一銅および酸化ビスマスの添加がアルミナ基板および誘
電体層上における焼成銅導体層の密着性を向上させるこ
とは明らかである。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 　１．重量百分率で表わして、（ａ）約６５〜約８５％
   の銅粉末、（ｂ）亜鉛−カルシウム−アルミニウムケイ
   酸塩ガラスフリット、アルミニウム−マグネシウム−バ
   リウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリットおよびそ
   れらの混合物から成る群より選ばれた約２〜約１０％の
   失透性ガラスフリット、（ｃ）約１〜約８％の密着性向
   上用酸化物、並びに（ｄ）約５〜約２５％の適当な有機
   ビヒクルの諸成分から成ることを特徴とする銅導体イン
   キ。
2. 　２．前記密着性向上用酸化物が酸化ビスマス、酸化カ
   ドミウム、酸化第一銅、酸化タリウム、酸化鉛およびそ
   れらの混合物から成る群より選ばれる請求項１記載の銅
   導体インキ。
3. 　３．重量百分率で表わして、（ａ）約７５〜約８０％
   の銅粉末、（ｂ）約２．５〜約５％の前記ガラスフリッ
   ト、（ｃ）約０．５〜約５％の酸化ビスマス、（ｄ）約
   ０．５〜約３％の酸化第一銅、および（ｅ）約１２〜約
   １６％の前記有機ビヒクルから成る請求項２記載の銅導
   体インキ。
4. 　４．前記亜鉛−カルシウム−アルミニウムケイ酸塩ガ
   ラスフリットが、重量百分率で表わして、（ａ）約７〜
   約１２％の酸化亜鉛、（ｂ）約２５〜約４５％の酸化カ
   ルシウム、（ｃ）約１０〜約２０％の酸化アルミニウム
   、（ｄ）約３５〜約５０％の二酸化ケイ素、（ｅ）０〜
   約２％の五酸化リン、および（ｆ）０〜約５％のケイ酸
   ジルコニウムから成る請求項３記載の銅導体インキ。
5. 　５．前記ガラスフリットが、重量百分率で表わして、
   （ａ）約８〜約１０％の酸化亜鉛、（ｂ）約２９〜約３
   ８％の酸化カルシウム、（ｃ）約１１〜約１８．５％の
   酸化アルミニウム、（ｄ）約３７〜約４４％の二酸化ケ
   イ素、（ｅ）約０．５〜約１％の五酸化リン、および（
   ｆ）約２〜約３％のケイ酸ジルコニウムから成る請求項
   ４記載の銅導体インキ。
6. 　６．前記亜鉛−マグネシウム−バリウム−アルミニウ
   ムケイ酸塩ガラスフリットが、重量百分率で表わして、
   （ａ）約１５〜約２５％の酸化亜鉛、（ｂ）約１０〜約
   ２５％の酸化マグネシウム、（ｃ）約３〜約１２％の酸
   化バリウム、（ｄ）約５〜約２０％の酸化アルミニウム
   、（ｅ）約３５〜約５０％の二酸化ケイ素、（ｆ）０〜
   約３％の五酸化リン、および（ｇ）０〜約５％のケイ酸
   ジルコニウムから成る請求項３記載の銅導体インキ。
7. 　７．前記ガラスフリットが、重量百分率で表わして、
   （ａ）約１６〜約２２％の酸化亜鉛、（ｂ）約１６〜約
   ２２％の酸化マグネシウム、（ｃ）約５〜約１０％の酸
   化バリウム、（ｄ）約８〜約１１％の酸化アルミニウム
   、（ｅ）約３９〜約４３％の二酸化ケイ素、（ｆ）約１
   〜約２％の五酸化リン、および（ｇ）約２〜約３％のケ
   イ酸ジルコニウムから成る請求項６記載の銅導体インキ
   。
8. 　８．適当な回路基板、その上に配置された少なくとも
   ２つのパターン化銅導体層、および前記銅導体層を互い
   に隔離しかつ内部にスルーホールを有する誘電体層から
   構成されると共に、前記スルーホールは前記銅導体層同
   士を接続するために銅で充填されているような、銅を基
   材とする多層集積回路構造物において、重量百分率で表
   わして、（ａ）約７５〜約９５％の銅粉末、（ｂ）亜鉛
   −カルシウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリット、
   亜鉛−マグネシウム−バリウム−アルミニウムケイ酸塩
   ガラスフリットおよびそれらの混合物から成る群より選
   ばれた約２〜約１２％の失透性ガラスフリット、並びに
   （ｃ）約１〜約１０％の密着性向上用酸化物の諸成分か
   ら前記銅導体層が成ることを特徴とする多層集積回路構
   造物。
9. 　９．前記密着性向上用酸化物が酸化ビスマス、酸化カ
   ドミウム、酸化第一銅、酸化タリウム、酸化鉛およびそ
   れらの混合物から成る群より選ばれる請求項８記載の集
   積回路構造物。
10. 　１０．前記銅導体層が、重量百分率で表わして、（ａ
    ）約７５〜約９５％の銅粉末、（ｂ）約２〜約１２％の
    前記失透性ガラスフリット、（ｃ）約０．５〜約６％の
    酸化ビスマス、および（ｄ）約０．５〜約３．５％の酸
    化第一銅から成る請求項９記載の集積回路構造物。
11. 　１１．前記失透性ガラスフリットが、重量百分率で表
    わして、（ａ）約７〜約１２％の酸化亜鉛、（ｂ）約２
    ５〜約４５％の酸化カルシウム、（ｃ）約１０〜約２０
    ％の酸化アルミニウム、（ｄ）約３５〜約５０％の二酸
    化ケイ素、（ｅ）０〜約２％の五酸化リン、および（ｆ
    ）０〜約５％のケイ酸ジルコニウムから成る亜鉛−カル
    シウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリットである請
    求項１０記載の集積回路構造物。
12. 　１２．前記失透性ガラスフリットが、重量百分率で表
    わして、（ａ）約１５〜約２５％の酸化亜鉛、（ｂ）約
    １０〜約２５％の酸化マグネシウム、（ｃ）約３〜約１
    ２％の酸化バリウム、（ｄ）約５〜約２０％の酸化アル
    ミニウム、（ｅ）約３５〜約５０％の二酸化ケイ素、（
    ｆ）０〜約３％の五酸化リン、および（ｇ）０〜約５％
    のケイ酸ジルコニウムから成る亜鉛−マグネシウム−バ
    リウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリットである請
    求項１０記載の集積回路構造物。
13. 　１３．前記失透性ガラスフリットが、重量百分率で表
    わして、（ａ）約１６〜約２２％の酸化亜鉛、（ｂ）約
    １６〜約２２％の酸化マグネシウム、（ｃ）約５〜約１
    ０％の酸化バリウム、（ｄ）約８〜約１１％の酸化アル
    ミニウム、（ｅ）約３９〜約４３％の二酸化ケイ素、（
    ｆ）約１〜約２％の五酸化リン、および（ｇ）約２〜約
    ３％のケイ酸ジルコニウムから成る亜鉛−マグネシウム
    −バリウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリットであ
    る請求項１２記載の集積回路構造物。