JPH03187947A - 少量の配化鉛および酸化鉄を含有する失透性ガラスの誘電体組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本願は、１９８９年２月２７日に提出された米国特許出
願第３１５６３６号の一部継続出願である。この米国特
許出願は、１９８６年８月２日に提出された米国特許出
願第９１４３０２号（放棄済み）の一部継続出願として
１９８７年８月２０日に提出された米国特許出願第０８
７５８４号（現在は米国特許第４８０８６７３号）の分
割出願である。

本発明は、誘電体材料および多層電気回路構造物の製造
時におけるそれらの使用に関するものであって、更に詳
しく言えば、誘電体インキおよびテープ用のガラスフリ
ット組成物に関する。

発明の背景 多層集積回路の製造に際し、各種の機能を持った厚膜を
適当な基板上に形成するための専用インキ組成物を使用
することは当業界において公知である。電子工業界にお
ける様々な用途のため、極めて緻密な多層回路パターン
を各種の基板上に形成する目的から見て、このような技
術の重要性は益々増大しつつある。

厚膜多層回路構造物は、通例、誘電体層によって隔離さ
れた少なくとも２つのパターン化導体層を含んでいる。

これらのパターン化導体層同士は、誘電体層中のスルー
ホールを充填する金属導体によって接続されている。か
かる構造物は、導体インキおよび誘電体インキの層を繰
返し堆積させかつ焼成することによって形成される。

導体金属として銅を使用する上記のごとき多層回路構造
物は幾つかの問題点を有している。最も普通の問題点は
、多層集積回路を製造するために必要な多数回の焼成時
に銅含有導体インキの特定成分と誘電体層との間に起こ
る相互作用のために短絡が発生して破壊を引起こすこと
である。すなわち、誘電体が融剤成分の浸透に対して抵
抗性を持たない場合には、誘電体層中に導電性チャネル
が形成されることがある。かかるチャネルが誘電体層を
完全に貫通して上方および下方の銅導体同士を連絡すれ
ば、短絡が発生するのである。

多層回路構造物において普通に見られる第２の問題点は
、焼成時に有機ビヒクル材料およびビスマスや銅の酸化
物の分解によってガスが発生する結果として焼成後の誘
電体層が多孔質になることである。このようにして生じ
た通路中には、汚染物質（たとえば、焼成された銅導体
層に由来する溶融共晶相）が容易に侵入することがある
。また、　７ 多層口＃Ｉ＃ｌ造物中における誘電体層の結合性も重要
である。なぜなら、誘電体層中に空隙が存在すると誘電
体の抵抗が低下するが、これは望ましくないからである
。

発生するガスが誘電体中に連続した通路を形成する可能
性を抑制するためには、少なくとも２つの誘電体インキ
層を印刷して焼成するのが常法である。また、高率のガ
ラスフリットを含むインキを処方して焼成後の誘電体の
多孔度を低下させることにより、汚染物質が誘電体中に
侵入する傾向を低減させることも可能である。しかしな
がら、このような解決策を講じても、多数回の印刷およ
び焼成を繰返せば誘電体層中にガスが捕捉されることが
ある。このようにして捕捉されたガスが後続の窒素焼成
時に移動する結果、誘電体層および上方の導体層はふく
れや剥離を生じることがある６通例、ガラス含有誘電体
中のガラス相は５００〜６５０℃で流動して高密度化す
る。ガラス相が流動して高密度化する前に、インキ中の
有機ビヒクルを完全に除去するのが理想的である。これ
を容易に達成するなめ、硝酸バリウムのごとき酸化剤成
分を添加するのが常法であった。このような添加剤は痕
跡量の炭素質残留物を除去するのに有効であるが、それ
らは後続の焼成時にガス（特に酸素）を発生することが
知られている。これらのガスは、その後に設置される層
のふくれや剥離を引起こすことがあるばかりでなく、上
方に位置する誘電体Ｊ１：の多孔度を実質的に高めるこ
とがある。

更にまた、このような物質から発生するガスは隣接する
銅導体やスルーホール充填物中の銅と反応して酸化銅を
生成することがある。かかる酸化銅が融剤と反応して共
晶相を生成すると、この共晶相は多孔質の誘電体中に容
易に侵入することになる。

誘電体から炭素質残留物を確実に除去するためのもう１
つの方法は、焼成に先立ち、１９８６年１０月２８日付
けのプラブー（Ｐｒａｂｈｕ）等の米国特許第４６１９
８３６号明細書中に記載のごとき酸化性または還元性プ
ラズマで乾燥後のインキを処理することである。このよ
うな処理は顕著な改善をもたらすとは言え、銅を基材と
する多層回路の製造のために追加の処理工程および追加
の装置が必要となる点で望ましくない。

上記のごとき要求条件を満たすことに加えて、誘電体層
は熱サイクルに原因する微小割れの形成を起こし難く、
かつ基板（通例はアルミナ）の熱膨張率に整合した熱膨
張率を有することも必要である。

本発明に従えば、硝酸バリウムのごとき酸化剤や焼成に
先立つプラズマ処理を必要とせずに多孔度の低下した誘
電体層を形成する新規な誘電体組成物が提供される。

発明の要約 上記のごとき目的、とりわけ熱膨張率の調節および微小
割れに対する安定化は、酸化鉛および酸化鉄を含有する
失透性ガラスフリットを用いて誘電体組成物（たとえば
、インキおよびテープスラリー）を調製することによっ
て達成される。酸化鉛および酸化鉄の存在は、意外にも
、電子工学用構造物の製造および使用に際して誘電体の
熱膨張率および熱安定性を制御するために役立つことが
判明した。

本発明は、酸化鉛および酸化鉄を含有するガラスフリッ
ト自体、並びに誘電体組成物の調製および取扱いのため
に通例使用されるビヒクル、結合剤、可塑剤、溶剤など
と共に該ガラスフリットを含有する誘電体組成物（たと
えば、インキやテープスラリー）に関する。

一般的に述べれば、酸化鉛および酸化鉄を含有する失透
性ガラスフリットは、バリウムまたはストロンチウムを
追加含有する亜鉛−マグネシウムアルミニウムケイ酸塩
ガラスとして記述することができる。

本発明の範囲内に含まれる誘電体インキは、般に、有機
ビヒクルおよび約３０重量％までのセラミック充填剤を
含有するように処方される。

本発明の誘電体インキは、たとえば、多層集積回路構造
物の製造にとって有用である。かかる誘電体インキは、
他の金属導体（たとえば銀）を組込んだ多層集積回路構
造物の製造に際しても使用＝１１ し得るが、それは銅を基材とする多層集積回路構造物の
製造に特に良く適しており、従って本明細書中ではその
ような用途に関連して記載が行われる。本発明の失透性
ガラスフリットはまた、広範囲の電子工学用途のために
役立つ独立した基板を形成するためにも使用することが
できる。

本発明の誘電体インキは、約５０〜約７５重量％のガラ
スフリット、約１５〜約３０重量％の適当な有機ビヒク
ル、および約３０重量％までの適当なセラミック充填剤
から成る。−層好適な組成に基づけば、かかる誘電体イ
ンキは約６０〜約７０重量％のガラスフリット、約２０
〜約２５重量％の有機ビヒクル、および約５〜約１５重
量％のセラミック充填剤から成る。一部の用途、特に失
透性の亜鉛−マグネシウム−バリウム−アルミニウムケ
イ酸塩ガラスフリットがアルミナ基板と共に使用される
場合には、約６０〜約７５重量％のガラスフリット、約
２０〜約２５重量％の有機ビヒクル、および約１〜約１
０重景％のセラミック充填剤から成る誘電体インキが好
適である。

　２ 本発明の誘電体テープは、一般に、約４０〜約８０重量
％のガラスおよび無機充填剤、約２０〜約６０重量％の
溶剤、約１〜約８重量％の樹脂、約０．５〜約４重量％
の可塑剤、並びに０．０５〜約２重量％の界面活性剤か
ら成るスラリーから通常の技術によって製造される。

溶剤の実例としては、キシレン、エタノール、トルエン
、トリクロロエチレンなどが挙げられる。

可塑剤の実例としては、ジオクチルフタレート、ブチル
ベンジルフタレート、エチルへキシルベンジルフタレー
トなどが挙げられる。

適合性のある樹脂および界面活性剤は公知であって、た
とえば、ポリビニルブチラールおよび魚油が挙げられる
。

別の側面から見れば、集積回路の製造および使用に際し
、熱による微小割れの発生に対して誘電体層を安定化す
るための方法として本発明を記述することもできる。

発明の詳細な説明 本発明の誘電体組成物は、特定の失透性ガラスフリット
中に少量の酸化鉛および酸化鉄が存在すれば、これらの
成分の不存在下では達成し得ないような熱的性質が得ら
れるという発見に基づいている。

一般に、酸化鉛および酸化鉄の使用量はそれぞれ約０．
０１〜約１重量％の範囲内にあればよい。

なお、好適な使用量は約０．０５〜約０．８重量％であ
り、また最も好適な使用量は約０．３〜約０．７重量％
である。

酸化鉛および酸化鉄は任意適宜の手段によってガラスフ
リゾｌ−中に混入することができるのであって、たとえ
ば、所要のレベルもしくは好適なレベルを達成するのに
必要な量の酸化鉛および酸化を調製時に添加すればよい
。

本発明に基づく失透性の亜鉛−マグネシウムバリウム−
アルミニウムージルコニウム−リンケイ酸塩ガラスフリ
ットは、重量百分率で表わして、（ａ）約１５〜約２５
％の酸化亜鉛（Ｚ　ｎｏ　）、（ｂ）約１０〜約２５％
の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、 （ｃ）約３〜約１２％の酸化バリウム（Ｂ　ａｏ　）、
（ｄ）約５〜約２０％の酸化アルミニウム（Ａ１２０３
）、 （ｅ）約３５〜約５０％の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、
ｍ約０．５〜約３％の五酸化リン（Ｐ２Ｏ５）、（ｇ）
約１〜約５％のケイ酸ジルコニウム（ＺｒＳｉ０４）、
並びに （ｈ）約０．０１〜約１％ずつの酸化鉛および酸化鉄か
ら成る。

好適な組成に基づけば、ががる失透性の亜鉛マグネシウ
ム−バリウム−アルミニウムージルコニウム−リンクイ
酸塩ガラスフリットは、酸化鉛および酸化鉄に加え、重
量百分率で表わして約１６〜約２２％のＺｎ○、約１−
６〜約２２％のＭｇＯ１約５〜約１０％のＢａＯ２約８
〜約１１％のＡ１２ｏ３、約３９〜約４３％ノＳｉｏ２
、約１〜約２％のＰ２Ｏ５、および約２〜約３％のＺｒ
５ｉＯ，ａを含有する。

本発明に基づく失透性の亜鉛−マグネシウムバリウム−
アルミニウムケイ酸塩ガラスフリット５ は、重量百分率で表わして、 （ａ）約１５〜約２５％の酸化亜鉛（Ｚ　ｎｏ　）、（
ｂ）約１０〜約２５％の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、 （ｃ）約３〜約１２％の酸化バリウム（Ｂ　ａｏ　）、
（ｄ）約５〜約２０％の酸化アルミニウム（ＡＩ□０３
）、 （ｅ）約３５〜約５０％の二酸化ケイ素（Ｓ　ｉｏ□）
、（ｆ）０〜約３％の五酸化リン（Ｐ２０ｓ＞、（ｇ）
０〜約５％のケイ酸ジルコニウム（Ｚ　ｒＳ　１０４）
、並びに （ｈ）約０．０１〜約１％ずつの酸化鉛および酸化鉄か
ら成る。

本発明に基づく失透性の亜鉛−マグネシウムバリウム−
アルミニウムケイ酸塩ガラスフリットが重量百分率で表
わして０〜約０．５％の五酸化リンおよび０〜約１％の
ケイ酸ジルコニウムを含有する場合には、結晶化速度が
増大する。このような組成を有するガラスフリットは、
流れ抵抗性の大きい誘電体インキが所望される場合にお
いて特　６ に有用である。

好適な組成に基づけば、かかる失透性の亜鉛マグネシウ
ム−バリウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリットは
、重量百分率で表わして、約１７〜約２３．５％のＺｎ
Ｏ１約１７〜約２３．５％のＭｇＯ１約５〜約１０％の
ＢａＯ１約８〜約１１％のＡ　Ｉ２０３、および約３９
〜約４３　％（’）　Ｓ　ｉ　Ｏ２全含有する。

本発明に基づく失透性の亜鉛−マグネシウムストロンチ
ウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフリットは、重量百
分率で表わして、 （ａ）約１５〜約２５％の酸化亜鉛（Ｚ　ｎｏ　）、（
ｂ）約１０〜約２５％の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、 （ｃ）約３〜約１２％の酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）
、 （ｄ）約５〜約２０％の酸化アルミニウム（ＡＩ□０３
）、 （ｅ）約３５〜約５０％の二酸化ケイ素（Ｓ　ｊｏ　２
）、（ｆ）０〜約３％の五酸化リン（Ｐ２Ｏ，）、（ｇ
）０〜約５％のケイ酸ジルコニウム（Ｚ　ｒＳ　１０４
）、並びに （−）約０，０１〜約１％ずつの酸化鉛および酸化鉄か
ら成る。

好適な組成に基づけば、かかる失透性の亜鉛−マグネシ
ウム−ストロンチウム−アルミニウムケイ酸塩ガラスフ
リットは、重量百分率で表わして、約１７〜約２３，５
％のＺｎＯ１約１７〜約２３．５％のＭｇＯ１約３〜約
１０％の５ｒＯ１約７〜約１１％のＡｌ２Ｏ５、約３８
〜約４３％の５ｉ０２．０〜約２％のＰ２Ｏ２、および
０〜約２％のＺｒＳｉＯ４を含有する。

上記のガラスフリットは常法に従って調製することがで
きる。すなわち、各種の酸化物を微粉砕し、それらを適
当な比率で十分に混合し、次いで混合された酸化物を（
たとえば、空気中において１４５０〜１６００℃で）溶
融すればよい。

集積回路製造のために適する独立した基板は、約６５〜
１００重量％の本発明に基づく失透性ガラスフリットお
よび約３５重量％までの適当なセラミック充填剤から成
るものである。

上記のごとき独立した基板またはその他の適当な基板（
たとえばアルミナ基板）と共に本発明の誘電体インキを
使用すれば、多層回路構造物（とりわけ集積回路構造物
）を製造することができる。

かかる回路構造物においては、少なくとも２つのパター
ン化された導体層（たとえば銅層）が基板上に配置され
ているが、それらの導体層は本発明の誘電体インキから
形成された誘電体層によって互いに隔離されている。ま
た、かかる誘電体層はスルーホールを含んでいて、それ
らを導体で充填することによってパターン化導体層同士
を接続することができる。こうして得られた誘電体層は
、約６５〜１００重量％の本発明に基づく失透性ガラス
フリットおよび約３５重量％まで（好ましくは約５〜約
２６重量％）の適当なセラミック充填剤から成っている
。

大抵の用途に対しては、本発明の誘電体インキは失透性
ガラスフリットおよび適当な有機ビヒクルのみから成れ
ばよい。しかしながら、ある種の　１９− 用途（たとえば、独立した基板の製造用途や、アルミナ
のごとき通常の基板に良く整合した熱膨張率を有する誘
電体の形成用途）に使用するためには、約３０重量％ま
での適当なセラミック充填剤を誘電体インキに添加する
ことができる。なお、好適な誘電体インキは約５〜約１
５重量％の充填剤を含有する。

適当なセラミック充填剤としては、　アルミナ（Ａ１２
０３）、　　ニケイ酸二マグネシウムバリウム（ＢａＭ
ｇ２Ｓ　１２０７）、ホウ酸二マグネシウム（Ｍｇ２Ｂ
　２０５）、ケイ酸ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ４）、ケ
イ酸二マグネシア（２ＭｇＯ−３ｉＯ２）、五ケイ酸ニ
マグネシアニアルミナ（２Ｍｇ０２ＡｈＯｓ−５ＳｉＯ
２）、アルミン酸マグネシウム　（ＭｇＡ１２０４）お
よびそれらの混合物が挙げられる。なお、アルミナ基板
上に多層回路構造物を形成するために使用される誘電体
インキ中に失透性の亜鉛−マグネシウム−バリウム−ア
ルミニウムケイ酸塩ガラスフリットを使用する場合に好
適な充填剤は、アルミナとニケイ酸二マグネシウムバリ
ウムとを約２０ ：１（−層好ましくは約４：１）の重量比率で混合した
ものである。

本発明の誘電体インキを調製する際には、ガラスフリッ
トおよび（所望に応じて添加される）セラミック充填剤
が約１〜５Ｉｘｎの粒度にまで微粉砕される。かかる固
体粒子を有機ビヒクルに添加して十分に混合すれば、目
的のインキが得られる。

この場合の有機ビヒクルとしては、インキにスクリーン
印刷特性を付与すると共に、窒素または空気中において
きれいに（すなわち、炭素質残留物を残すことなしに）
焼失し得るようなものが選ばれる。

このような有機ビヒクルは、セルロース誘導体（特にエ
チルセルロース）または合成樹脂（たとえば、ポリアク
リレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリオ
レフィンなど）のごとき樹脂結合剤を適当な溶剤中に溶
解して成る溶液である。なお、好適な結合剤はポリ（イ
ソブチルメタクリレート）である。−船釣に述べれば、
本明細書中に記載されるような種類のインキ中に使用さ
れる通常の溶剤を使用することができる。商業的に入手
し得る好適な溶剤としては、たとえば、パイン油、テル
ピネオール、ブチルカルピトールアセテート、［テキサ
ス・イーストマン・カンパニ（Ｔｅｘａｓ　Ｅａｓｔｍ
ａｎ　Ｃｏｍｐａｎｙ）からテキサノール（Ｔｅｘａｎ
ｏｌ）の商品名で入手し得る］２．２．４−１−ツメチ
ル−１，３−ベンタンジオールモノイソブチレートなど
が挙げられる。かかるビヒクルは、約５〜約２５重量％
の樹脂結合剤を含有するのが適当である。とは言え、イ
ンキの流動性を調整するため、追加の溶剤をビヒクルに
添加することが必要となる場合もある。それ故、かかる
ビヒクルは約２〜約２５重量％の樹脂結合剤を含有して
いてもよい。かかるビヒクルはまた、約０．５〜約１０
重量％（好ましくは約１〜約３重量％）の適当な界面活
性剤をも含有するのが適当である。このような界面活性
剤としては、たとえば、アクゾ・ケミ−・アメリカ（Ａ
Ｋ２０　Ｃｈｅｍｉｅ　Ａｍｅｒｉｃａ）社からアルメ
ーン○（Ａｒｎ＋ｅｅｎ　Ｏ）として入手し得るオレイ
ルアミン、および同社からデュオメーンＴＤＯ（Ｄｕｏ
ｍｅｅｎ　ＴＤＯ）として入手し得る高分子量のＮアル
キル−１，３−ジアミノプロパン　ジオレエートが挙げ
られる。

上記の樹脂結合剤は単独で使用してもよいし、あるいは
２種以上を組合わせて使用してもよい。

所望ならば、樹脂結合剤に適当な粘度調整剤を添加する
こともできる。かかる粘度調整剤としては、たとえば、
ＮＬインダストリーズ（ＮＬ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ）
社からチキサトロール（Ｔｈｉｘａｔｒｏｌ）の商品名
で入手し得るしマシ油誘導体が挙げられる。使用するビ
ヒクルにかかわらず、インキの均質性をできるだけ高め
ることは重要である。それ故、分散物に大きな剪断作用
を及ぼすような通常の混合装置を用いて混合を行うこと
が適当である。

本発明の誘電体インキを基板構造物に塗布するためには
、スクリーン印刷、はけ塗り、吹付けなどのごとき通常
の手段を使用することができるが、中でもスクリーン印
刷が好適である。−船釣に述べれば、当業界において公
知のごとく、個別に乾燥されかつ焼成された複数の誘電
体層を使用する　３ ことによって貫通ピンホールの生じる可能性は低減され
る。かかるインキはまた、通常の剥離テープに塗布して
乾燥した後、基板上に層として付着させることもできる
。更にまた、剥離面上においてインキ層を焼成した後、
得られた誘電体層を剥離して独立した基板として使用す
ることもできる。

独立した基板を形成するためにはまた、その他の常用方
法（たとえば射出成形技術）も使用することができる。

上記のごときインキの塗膜を空気中において１００〜１
２５℃で１０〜２０分間にわたり乾燥させ、次いで窒素
中において８５０〜９５０℃で５〜１５分間にわたり焼
成すれば、約６５〜１００重量％（好ましくは約７４〜
約９５重量％）のガラスフリットと、約３５重量％まで
（好ましくは約５〜約２６重量％）のセラミック充填剤
とから成る誘電体層が得られる。

本発明の誘電体インキは、焼成に際し、ガラスフリット
がｇｏｏ℃を越える温度に至るまで多孔質の状態に保た
れるという点で有利である。約６４ ００℃で軟化して高密度化する従来のガラスフリットを
含有するインキに比べ、本発明のインキは炉内において
十分に長い時間的余裕を与えるから、炉内ガスはガラス
フリット中に浸透して炭素質残留物を最後まで除去する
ことが可能となる。このように、焼成時に炭素質残留物
を除去するために利用し得る十分な時間的余裕が得られ
るため、本発明のインキ中には当業界において認められ
ている酸素発生成分（たとえば硝酸バリウム）を添加す
る必要がなく、また前述のブラブー（Ｐｒａｂｈｕ）等
の米国特許第４６１９８３６号明細書中に記載のごとき
酸化性または還元性プラズマに乾燥後のインキを暴露す
る必要もない。

上記の利点に加えて、ガラス軟化点が焼成温度に近接し
ている結果、本発明のインキから得られる誘電体層は良
好な機械的強度および優れた温度安定性を有する。本発
明のインキから形成された誘電体層のもう１つの利点は
、大きな変性剤イオンがほとんど存在しないため、該誘
電体層が融剤の侵入に対して顕著な抵抗性を示すことで
ある。

誘電体層中に存在する大きな変性剤イオンは、同様な大
きさの融剤イオン（たとえば酸化ビスマス）が侵入して
誘電体のガラス特性を変化させるための部位をガラス組
織中に提供することになる。多数回の焼成後および（炉
内雰囲気中に存在することのある）還元剤の存在下では
、このような物質は遊離金属に変わり、そして導電性の
付与により回路の短絡をもたらすことがある。本発明の
誘電体層中への融剤の侵入を防止するもう１つの要因は
、それの結晶性顕微鏡組織が９００℃を越える温度下で
繰返して焼成した場合にも安定であるような耐熱性を示
すことにある。また、本発明の誘電体組成物から形成さ
れた独立の基板は、通常のアルミナ回路基板と同じく広
範囲の用途において有用である。

本発明を一層詳しく説明するため、以下に実施例を示す
。これらの実施例中では、特に明記されない限り、全て
の部および百分率は重量に基づく値であり、また全ての
温度は摂氏温度である。

実施例１ ガラス組成物を構成する下記の諸成分を秤量し、混合し
、次いで白金容器に入れてから空気中において約１５５
０°で溶融した。得られた溶融物を、０．０１インチの
間隙を有する乾燥した鉄金属製逆転ローラによって冷却
した。その後、融解石英膨張針を用いて各組成物の熱膨
張率を測定した。これらの熱膨張率は９００°において
測定されたα値として示される。これらのα値は　Ｘｌ
０−７ｃ＋ｏ／ｃ＋ａ／’Ｃを単位として表わされてい
る。

ＺｎＯ１６，３５ Ｍｇ０　　　　１０．４３ ＢａＯ１０，３９ Ａ１□ｏ３　　１６．６５ ＳｉＯ□　　　４２．１８ Ｐ２Ｏ，１，００ ＺｒＳｉ０４　　　３．００ ＰｂＯ（約）０．５ １７．４４　２０．０６ ２２．４９　．１７．６０ ５．３８　　９．３６ ８．３９　　　９．４６ ４２．３０　３９．５２ ２．００　　　２．００ ２．００　　　２．００ ０．５　　　　０．５ ２１．８１　２１．８１ １９．２５　１６．５０ ５．８８　　　７．８４ ９．３８　１０．６８ ３９．６８　３９．１７ ２．００　　　１．００ ２゜００　　　３．００ ０．５　　　　０．５ ２７ 次に、以下のごとくにして誘電体インキを調製した。先
ず、溶融物を冷却することによって形成された薄いガラ
スリボンをボールミル内において約５綿の平均粒度に才
で微粉砕しな。こうして得られた各々のガラスフリット
をセラミック充填剤および有機ビヒクルと混合した。セ
ラミック充填剤は約３ＩＩＩｎの平均粒度を持ったアル
ミナとニケイ酸二マグネシウムバリウムとから成るもの
であり、また有機ビヒクルはデキサノール中に２０％の
ポリ（イソブチルメタクリレート）を溶解して成る溶液
に１％のデュオメーンＴＤＯ界面活性荊を添ルミナ、３
．９％のニケイ酸二マグネシウムバリウム、および２２
．６％の有機ビヒクルから成っていた。

上記のインキ成分を先ず手で混合し、次いで３本ロール
ミル上で混合することにより、スクリーン印刷に適した
滑らかなペーストを得た。適当な流動性を付与するため
、必要に応じて追加の溶剤２８ を添加した。各々のインキを白金箔上に印刷し、空気中
において１２５°で約１５分間にわたり乾燥し、次いで
窒素中において約９００°で１０分間にわたり焼成した
。こうして得られた誘電体層上に、もう１つの誘電体層
を同様に印刷して焼成した。

実施例２ １９８６年１０月２日に提出された、「厚膜導体インキ
」と称するプラブー（Ｐｒａｂｈｕ）等の同時係属米国
特許出願第９１４３０３号に従って銅導体インキを調製
した。このインキは、３声の平均粒度を有する銅粉末７
６．９部と、９，０９％の酸化亜鉛、３０．４０％の酸
化カルシウム、１８２８％の酸化アルミニウム、および
４２２３％の二酸化ゲイ素から成る失透性ガラスフリッ
ト７．７部とを含有するものであった。これらの固体成
分を１５．４部の有機ビヒクルと混合した。かかる有機
ビヒクルは、デキサノール中に６％のエチルセルロース
を溶解して成る溶液に（ビヒクルの重量を基準として）
１７％のハイポチオレート（Ｈｙｐｏｔ、ｈｉｏｌａｔ
ｅ）１００および３％のアルメーンＯを湿潤剤として添
加したものであった。こうして得られたインキを先ず手
で混合し、次いで３本ロールミル上で混合することによ
り、スクリーン印刷に適したペーストを得た。適当な流
動性を付与するため、必要に応じて追加の溶剤を添加し
た。

上記の銅導体インキを通常のアルミナ基板上に印刷する
ことにより、３７５　ｔｊｒｎの幅を有しかつ等しい幅
の空間によって互いに隔離された一連の平行線を形成し
た。このインキ層を空気中において１２５°で１５分間
にわたり乾燥し、次いで窒素中において９００°で１０
分間にわたり焼成した。

その上に、実施例１の誘電体インキを印刷し、乾燥し、
そして焼成した。

他方、次のようにしてスルーホール充填用の銅インキを
調製した。すなわち、２１．８％の酸化亜鉛、１６．５
％の酸化マグネシウム、７．８％の酸化バリウム、３９
．２％の二酸化ケイ素、１０．７％の酸化アルミニウム
、１．０％の五酸化リン、および３．０％のケイ酸ジル
コニウムから成る失透性ガラスフリットと、５１．５９
％の酸化バリウム、１２゜５８％の酸化カルシウム、１
５．６２％の三酸化ポウ素、および２０．２１％の二酸
化ケイ素から成るガラス質ガラスフリットとを別途に調
製し、そして約３／、ＩＩ＋の粒度にまで微粉砕した。

次いで、３７Ａｎの平均粒度を有する６５％の銅粉末、
１４％の失透性ガラスフリット、および４％のガラス質
ガラスフリットから成る固体成分を手で十分に混合した
。

上記の固体成分を１７部の有機ビヒクルと混合した。か
かる有機ビヒクルは、デキサノール中に２０％のポリ（
インブチルメタクリレート）を溶解して成る溶液に１７
％のハイポチオレート１００および３％のアルメーンＯ
を湿潤剤として添加したものであった。こうして得られ
たインキを先ず手で混合し、次いで３本ロールミル上で
混合することにより、スクリーン印刷に適したペースＩ
〜を得な。適当な流動性を付与するため、必要に応じて
追加の溶剤を添加しな。かかるスルーホール充填用イン
キは、１９８６年１０月２日に提出さ１ れた、「スルーホール充填用厚膜銅インキＪと称するプ
ラブー（Ｐｒａｂｈｕ）等の同時係属米国特許出願第９
１４２９６号明細書中に記載されている。

上記のスルーホール充填用インキを誘電体層中の空間内
に印刷し、空気中において１２５°で１５分間にわたり
乾燥し、次いで窒素中において９００°で１０分間にわ
たり焼成した。こうして形成された誘電体／銅充填物層
の厚さは１５／ｊＸｎであった。このような誘電体／銅
充填物層の形成を３回にわたって繰返すことにより、４
５ＩＪｘｎの最終誘電体層厚さが得られた。かかる誘電
体層上に、部が銀充填物に接触するようにしながら、第
２の銅導体インキ層を塗布して焼成した。以上の手順を
３回繰返すことにより、４つの埋込銅層を有する多層銅
回路構造物が得られた。

銅層に対して設けられた電気的接触部を通して上記の構
造物に電圧を印加した。いずれの銅層においても、短絡
や接触不良は認められなかった。

実施例３ 実施例１の手順に従い、下記のごとき失透性ガ　２ ラス組成物を調製し、そしてそれらの熱膨張率を測定し
た。

Ｚｎ０　　　　　　　　　　２２．２６　　　　１８．
２Ｍｇ０　　　　　　　　　　Ｌ９．０５　　　２２．
３ＢａＯ６，００１１，Ｉ Ａ１□０３９．５６　　　１２．０ ３ｉｎ２　　　　　　４０．５１　　　　３６．ｌＰ２
Ｏ５１０ Ｚ　ｒ　Ｓ　ｉ　Ｏ４００ ｐｂｏ＜約）　　　　　　０．４　　　　０．４Ｆｅ２
０３（約）　　　　　０．６　　　　　０．６実施例１
に記載されたものと同様な手順に従い、上記のごとき組
成の失透性ガラスフリットを用いて誘電体インキを調製
した。

かかる誘電体インキを通常のアルミナ基板上に印刷し、
次いで空気中において１２５°で１５分間にわたり乾燥
した。次に、乾燥後のインキ層を窒素中において９００
°で１０分間にわたり焼成した。

実施例４ 実施例１の手順に従い、下記のごとき失透性ガラス組成
物を調製し、そしてそれらの熱膨張率を測定した。

ｎＯ ｇＯ ｒＯ Ａｌ２Ｏ。

１０２ Ｐ２Ｏ。

ｒＳｉ０４ ＰｂＯ（約） Ｆ　ｅ２０　Ｂ（約） ２２、７　２ ２０．０５ ４．７７ １０．３９ ４２．０７ ０．４ ０．６ ２４．７１ ２０、０　５ ７．４０ ７．９６ ３９．８８ ０．４ ０．６ 実施例１に記載されたものと同様な手順に従い、上記の
ごとき組成の失透性ガラスフリットを用いて誘電体イン
キを調製した。かかるインキは７７％の固形分および２
３％の有機ビヒクルを含有していた。固形分は、９１．
５％のガラスフリット、１．５％のニケイ酸二マグネシ
ウムバリウム、および７％のアルミナから成っていた。

有機ビヒクルは、１００重量部のデキサノール中に６重
量部のエチルセルロースを溶解して得られた６６．５％
の溶液、１００重量部のデキサノール中に１０重１部の
チキサトロールを溶解して得られた４゜１％の溶液、２
９．４％のテキサノール、および１．０％のデュオメー
ンＴＤＯから成っていた。かかる誘電体インキをアルミ
ナ基板上に印刷し、そして実施例１に記載された条件下
で焼成した。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、重量百分率で表わして、約１５〜約２５％の酸化亜
   鉛、約１０〜約２５％の酸化マグネシウム、約３〜約１
   ２％の酸化バリウムまたは酸化ストロンチウム、約５〜
   約２０％の酸化アルミニウム、約３５〜約５０％の二酸
   化ケイ素、０〜約３％の五酸化リン、０〜約５％のケイ
   酸ジルコニウム、０．０１〜約１％の酸化鉛、および０
   ．０１〜約１％の酸化鉄から成ることを特徴とする失透
   性ガラスフリット。 ２、酸化バリウム、０〜約１．０％の五酸化リン、およ
   び０〜約１％のケイ酸ジルコニウムを含有する請求項１
   記載の失透性ガラスフリット。 ３、重量百分率で表わして、約１７〜約２３．５％の酸
   化亜鉛、約１７〜約２３．５％の酸化マグネシウム、約
   ５〜約１０％の酸化バリウム、約８〜約１１％の酸化ア
   ルミニウム、および約３９〜約４３％の二酸化ケイ素を
   含有する請求項１記載の失透性ガラスフリット。 ４、重量百分率で表わして、約１７〜約２３．５％の酸
   化亜鉛、約１７〜約２３．５％の酸化マグネシウム、約
   ３〜約１０％の酸化ストロンチウム、約７〜約１１％の
   酸化アルミニウム、約３８〜約４３％の二酸化ケイ素、
   ０〜約２％の五酸化リン、および０〜約２％のケイ酸ジ
   ルコニウムを含有する請求項１記載の失透性ガラスフリ
   ット。 ５、重量百分率で表わして、約２２．３％の酸化亜鉛、
   約１９．７％の酸化マグネシウム、約６％の酸化バリウ
   ム、約４０．５％の二酸化ケイ素、約９．６％の酸化ア
   ルミニウム、約１％の五酸化リン、約０．４％の酸化鉛
   、および約０．６％の酸化鉄から成る請求項１記載の失
   透性ガラスフリット。 ６、（ａ）重量百分率で表わして、約１５〜約２５％の
   酸化亜鉛、約１０〜約２５％の酸化マグネシウム、約３
   〜約１２％の酸化バリウムまたは酸化ストロンチウム、
   約５〜約２０％の酸化アルミニウム、約３５〜約５０％
   の二酸化ケイ素、０〜約３％の五酸化リン、０〜約５％
   のケイ酸ジルコニウム、０．０１〜約１％の酸化鉛、お
   よび０．０１〜約１％の酸化鉄から成る約５０〜約７５
   重量％の失透性ガラスフリット、（ｂ）約３０重量％ま
   での適当なセラミック充填剤、並びに（ｃ）約１５〜約
   ３０重量％の適当な有機ビヒクルの諸成分から成ること
   を特徴とする、多層集積回路製造用の誘電体インキ。 ７、前記ガラスフリットが酸化バリウム、０〜約１％の
   五酸化リンおよび０〜約１％のケイ酸ジルコニウムを含
   有する請求項６記載の誘電体インキ。 ８、前記ガラスフリットが、重量百分率で表わして、約
   １７〜約２３．５％の酸化亜鉛、約１７〜約２３．５％
   の酸化マグネシウム、約５〜約１０％の酸化バリウム、
   約８〜約１１％の酸化アルミニウム、および約３９〜約
   ４３％の二酸化ケイ素を含有する請求項６記載の誘電体
   インキ。 ９、前記ガラスフリットが、重量百分率で表わして、約
   １７〜約２３．５％の酸化亜鉛、約１７〜約２３．５％
   の酸化マグネシウム、約３〜約１０％の酸化ストロンチ
   ウム、約７〜約１１％の酸化アルミニウム、約３８〜約
   ４３％の二酸化ケイ素、０〜約２％の五酸化リン、およ
   び０〜約２％のケイ酸ジルコニウムを含有する請求項６
   記載の誘電体インキ。 １０、約５〜約１５重量％の前記充填剤を含有する請求
   項６記載の誘電体インキ。 １１、前記充填剤が、アルミナ、二ケイ酸二マグネシウ
   ムバリウム、ホウ酸二マグネシウム、ケイ酸ジルコニウ
   ム、ケイ酸二マグネシア、五ケイ酸二マグネシア二アル
   ミナ、アルミン酸マグネシウムおよびそれらの混合物か
   ら成る群より選ばれる請求項１０記載の誘電体インキ。 １２、前記充填剤がアルミナと二ケイ酸二マグネシウム
   バリウムとの混合物である請求項１１記載の誘電体イン
   キ。 １３、適当な基板、その上に配置された少なくとも２つ
   のパターン化導体層、および前記導体層を互いに隔離し
   かつ内部にスルーホールを有する誘電体層から構成され
   ていて、前記スルーホールは前記導体層同士を接続する
   ための導体で充填されているような多層集積回路構造物
   において、（ａ）重量百分率で表わして、約１５〜約２
   ５％の酸化亜鉛、約１０〜約２５％の酸化マグネシウム
   、約３〜約１２％の酸化バリウムまたは酸化ストロンチ
   ウム、約５〜約２０％の酸化アルミニウム、約３５〜約
   ５０％の二酸化ケイ素、０〜約３％の五酸化リン、０〜
   約５％のケイ酸ジルコニウム、０．０１〜約１％の酸化
   鉛、および０．０１〜約１％の酸化鉄から成る約６５〜
   １００重量％の失透性ガラスと、（ｂ）約３５重量％ま
   での適当なセラミック充填剤とから前記誘電体層が成る
   ことを特徴とする多層集積回路構造物。 １４、前記失透性ガラスが、重量百分率で表わして、約
   １７〜約２３．５％の酸化亜鉛、約１７〜約２３．５％
   の酸化マグネシウム、約５〜約１０％の酸化バリウム、
   約８〜約１１％の酸化アルミニウム、および約３９〜約
   ４３％の二酸化ケイ素を含有する請求項１３記載の集積
   回路構造物。 １５、前記失透性ガラスが、重量百分率で表わして、約
   １７〜約２３．５％の酸化亜鉛、約１７〜約２３．５％
   の酸化マグネシウム、約３〜約１０％の酸化ストロンチ
   ウム、約７〜約１１％の酸化アルミニウム、約３８〜約
   ４３％の二酸化ケイ素、０〜約２％の五酸化リン、およ
   び０〜約２％のケイ酸ジルコニウムを含有する請求項１
   ３記載の集積回路構造物。 １６、前記誘電体層が約５〜約２６重量％の前記充填剤
   を含有する請求項１３記載の集積回路構造物。 １７、前記導体が銅である請求項１３記載の集積回路構
   造物。