JPH0917232A - 導体ペースト組成物 - Google Patents
導体ペースト組成物Info
- Publication number
- JPH0917232A JPH0917232A JP18811795A JP18811795A JPH0917232A JP H0917232 A JPH0917232 A JP H0917232A JP 18811795 A JP18811795 A JP 18811795A JP 18811795 A JP18811795 A JP 18811795A JP H0917232 A JPH0917232 A JP H0917232A
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- conductor paste
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- silver
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 （ａ）少なくとも銀を含み、必要に応じてパ
ラジウム又は白金を含んでなる導電性粉末１００重量部
と（ｂ）Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系非晶質
ガラス０．３〜７重量部及びＰｂＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ
2系結晶質ガラス１〜９重量部からなるガラスフリット
と（ｃ）ビスマス化合物及び（ｄ）ルテニウム化合物
０．５〜２重量部と酸化銅０．５〜２重量部からなる添
加剤とを（ｅ）有機ビヒクルに分散させてなる導体ペー
スト組成物。 【効果】セラミック基板上に印刷焼成することにより、
半田クワレ性及びリペア性を大幅に改善した緻密な導体
膜を基板表面に形成できる。
ラジウム又は白金を含んでなる導電性粉末１００重量部
と（ｂ）Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系非晶質
ガラス０．３〜７重量部及びＰｂＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ
2系結晶質ガラス１〜９重量部からなるガラスフリット
と（ｃ）ビスマス化合物及び（ｄ）ルテニウム化合物
０．５〜２重量部と酸化銅０．５〜２重量部からなる添
加剤とを（ｅ）有機ビヒクルに分散させてなる導体ペー
スト組成物。 【効果】セラミック基板上に印刷焼成することにより、
半田クワレ性及びリペア性を大幅に改善した緻密な導体
膜を基板表面に形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁基板上に印刷焼成し
て厚膜配線板を形成するための導体ペースト組成物に関
するものである。
て厚膜配線板を形成するための導体ペースト組成物に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来厚膜配線板は、９６％アルミナから
なる絶縁基板上に銀及びパラジウム又は白金を主成分と
し無機結合剤と有機バインダとを含有する導体ペースト
組成物を印刷焼成して得られる物が一般的である。近年
厚膜配線板の小型化、高密度化の要請が高まりつつある
ことからアルミナ基板上に形成される導体膜の使われ方
も種々多様化してきている。そこで導体膜への半田特性
にも厳しい条件が要求される所となっている。例えば、
従来の半田ヌレ性等のほかに高温（２５０℃）放置後の
半田クワレ性及び密着強度向上が求められている。即
ち、一度リード付けした箇所を半田溶融状態で放置後、
再度手直しするリペア性が求められるようになった。
なる絶縁基板上に銀及びパラジウム又は白金を主成分と
し無機結合剤と有機バインダとを含有する導体ペースト
組成物を印刷焼成して得られる物が一般的である。近年
厚膜配線板の小型化、高密度化の要請が高まりつつある
ことからアルミナ基板上に形成される導体膜の使われ方
も種々多様化してきている。そこで導体膜への半田特性
にも厳しい条件が要求される所となっている。例えば、
従来の半田ヌレ性等のほかに高温（２５０℃）放置後の
半田クワレ性及び密着強度向上が求められている。即
ち、一度リード付けした箇所を半田溶融状態で放置後、
再度手直しするリペア性が求められるようになった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な厳しい条件においては、従来の導体ペーストを印刷焼
成して得られる導体膜では半田クワレ性低下及び密着強
度劣化を生じてしまう。これは高温下の半田溶融状態に
放置されることにより導体膜が鉛・錫半田に浸食され、
導体膜中のガラスフリットに由来する組織が破壊される
為と考えられる。
な厳しい条件においては、従来の導体ペーストを印刷焼
成して得られる導体膜では半田クワレ性低下及び密着強
度劣化を生じてしまう。これは高温下の半田溶融状態に
放置されることにより導体膜が鉛・錫半田に浸食され、
導体膜中のガラスフリットに由来する組織が破壊される
為と考えられる。
【０００４】これに対し従来、銀パラジウムペーストで
はパラジウム含有量を多くすることが半田クワレ性の向
上に寄与すると知られているが、その場合でも密着強度
向上の効果は小さいばかりか、コスト面で高いものとな
ってしまうという問題が生じる。又、半田クワレ性を向
上する為に導体ペースト組成物中のガラスフリットを増
量した場合、半田濡れ性を損なってしまうという問題も
発生する。
はパラジウム含有量を多くすることが半田クワレ性の向
上に寄与すると知られているが、その場合でも密着強度
向上の効果は小さいばかりか、コスト面で高いものとな
ってしまうという問題が生じる。又、半田クワレ性を向
上する為に導体ペースト組成物中のガラスフリットを増
量した場合、半田濡れ性を損なってしまうという問題も
発生する。
【０００５】本発明は上記の諸問題を解決し、アルミナ
基板上に印刷焼成することにより、良好な半田クワレ性
及びリペア性を有し、同時に半田ヌレ性も劣ることがな
い導体膜を形成するための導体ペースト組成物を提供す
る事を目的とする。
基板上に印刷焼成することにより、良好な半田クワレ性
及びリペア性を有し、同時に半田ヌレ性も劣ることがな
い導体膜を形成するための導体ペースト組成物を提供す
る事を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）少なく
とも銀を含み、必要に応じてパラジウム又は白金を含ん
でなる導電性粉末１００重量部と、（ｂ）Ｂ2Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系非晶質ガラス０．３〜７重量
部及びＰｂＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系結晶質ガラス１〜
９重量部からなるガラスフリットと、（ｃ）ビスマス化
合物及び（ｄ）酸化ルテニウム換算で０．５〜２重量部
に相当するルテニウム化合物と酸化銅０．５〜２重量部
からなる添加剤とを（ｅ）有機ビヒクルに分散させてな
る導体ペースト組成物である。
とも銀を含み、必要に応じてパラジウム又は白金を含ん
でなる導電性粉末１００重量部と、（ｂ）Ｂ2Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系非晶質ガラス０．３〜７重量
部及びＰｂＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系結晶質ガラス１〜
９重量部からなるガラスフリットと、（ｃ）ビスマス化
合物及び（ｄ）酸化ルテニウム換算で０．５〜２重量部
に相当するルテニウム化合物と酸化銅０．５〜２重量部
からなる添加剤とを（ｅ）有機ビヒクルに分散させてな
る導体ペースト組成物である。
【０００７】本発明に使用される導電性粉末としては従
来導体ペーストに用いられている銀粉末単独のものある
いは銀粉末にパラジウム粉末又は白金粉末を加えたもの
が好適である。予め銀とパラジウム又は白金とを合金化
した粉末を用いても良い。
来導体ペーストに用いられている銀粉末単独のものある
いは銀粉末にパラジウム粉末又は白金粉末を加えたもの
が好適である。予め銀とパラジウム又は白金とを合金化
した粉末を用いても良い。
【０００８】ガラスフリットとしては、上記の通りの組
成を有する非晶質ガラスと結晶質ガラスを混合して用い
ることが肝要である。上記非晶質、結晶質のいずれか一
方だけのガラスでは半田ヌレ性が低下したり、半田クワ
レ性、リペア性が劣化してしまうからである。
成を有する非晶質ガラスと結晶質ガラスを混合して用い
ることが肝要である。上記非晶質、結晶質のいずれか一
方だけのガラスでは半田ヌレ性が低下したり、半田クワ
レ性、リペア性が劣化してしまうからである。
【０００９】ビスマス化合物としては酸化ビスマスもし
くは焼成によって酸化ビスマスを生成するものであれば
よく、オクチル酸ビスマス等の液状金属石鹸を含めた有
機ビスマス化合物を使用できる。
くは焼成によって酸化ビスマスを生成するものであれば
よく、オクチル酸ビスマス等の液状金属石鹸を含めた有
機ビスマス化合物を使用できる。
【００１０】ルテニウム化合物としては酸化ルテニウム
もしくは焼成によって酸化ルテニウムを生成する水酸化
ルテニウム、ルテニウムレジネート、あるいはＰｂ2Ｒ
ｕ2Ｏ7等のパイロクロール型ルテニウム酸化物を用いる
ことができる。ルテニウム化合物の配合量は酸化ルテニ
ウムに換算して０．５〜２重量部とすべきである。配合
量が０．５重量部より少ないと導体膜を緻密化する効果
が小さく、２重量部を越えると金属の焼結が進まず、導
電性の低下や半田クワレ性が劣化する。
もしくは焼成によって酸化ルテニウムを生成する水酸化
ルテニウム、ルテニウムレジネート、あるいはＰｂ2Ｒ
ｕ2Ｏ7等のパイロクロール型ルテニウム酸化物を用いる
ことができる。ルテニウム化合物の配合量は酸化ルテニ
ウムに換算して０．５〜２重量部とすべきである。配合
量が０．５重量部より少ないと導体膜を緻密化する効果
が小さく、２重量部を越えると金属の焼結が進まず、導
電性の低下や半田クワレ性が劣化する。
【００１１】又、酸化銅の配合量もルテニウム化合物の
場合と同様の理由で０．５〜２重量部とすることが必要
である。
場合と同様の理由で０．５〜２重量部とすることが必要
である。
【００１２】
【実施例】エチルセルロース樹脂をターピネオールに溶
解したビヒクル中に、微細に分割された金属粉末を表１
に示す配合比で混合し、混練分散して、実施例、従来例
及び比較例の導体ペーストを作成した。こうして作成さ
れた導体ペーストを９６％Ａｌ2Ｏ3基板上に印刷乾燥
後、コンベア炉を用いて８５０℃１０分で２回焼成し、
膜厚１０〜１４μｍの導体膜を有する回路基板を作成し
た。尚、スクリーンは２００メッシュ総厚９０μｍのも
のを用いた。
解したビヒクル中に、微細に分割された金属粉末を表１
に示す配合比で混合し、混練分散して、実施例、従来例
及び比較例の導体ペーストを作成した。こうして作成さ
れた導体ペーストを９６％Ａｌ2Ｏ3基板上に印刷乾燥
後、コンベア炉を用いて８５０℃１０分で２回焼成し、
膜厚１０〜１４μｍの導体膜を有する回路基板を作成し
た。尚、スクリーンは２００メッシュ総厚９０μｍのも
のを用いた。
【００１３】
【表１】
【００１４】このように作成された回路基板をロジンフ
ラックス中に浸漬してから、鉛−錫共晶半田に２５０℃
５秒間浸漬し、さらに２５０℃ホットプレート上に６時
間放置後室温に戻し、２×２ｍｍパッドに直径０．６ｍ
ｍのハンダめっき銅線を半田ゴテで半田付けした後ピー
ルテストにより密着強度を測定し、これをリペア性の評
価とした。
ラックス中に浸漬してから、鉛−錫共晶半田に２５０℃
５秒間浸漬し、さらに２５０℃ホットプレート上に６時
間放置後室温に戻し、２×２ｍｍパッドに直径０．６ｍ
ｍのハンダめっき銅線を半田ゴテで半田付けした後ピー
ルテストにより密着強度を測定し、これをリペア性の評
価とした。
【００１５】次ぎに別の回路基板をロジンフラックスに
浸漬後２８０℃の鉛−錫共晶半田中に５秒浸漬する操作
を所定回数繰り返ししてから冷却後、５００μｍ巾×２
ｍｍ長ラインパターンについて目視観察し、断線するま
での回数をもって半田クワレ性の評価とした。
浸漬後２８０℃の鉛−錫共晶半田中に５秒浸漬する操作
を所定回数繰り返ししてから冷却後、５００μｍ巾×２
ｍｍ長ラインパターンについて目視観察し、断線するま
での回数をもって半田クワレ性の評価とした。
【００１６】さらに別の回路基板をロジンフラックスに
浸漬後、鉛・錫共晶半田に２２０℃５秒浸漬冷却し、５
×５ｍｍパッドについて半田ヌレを目視観察した。
浸漬後、鉛・錫共晶半田に２２０℃５秒浸漬冷却し、５
×５ｍｍパッドについて半田ヌレを目視観察した。
【００１７】これらの結果を表２にまとめた。
【００１８】
【表２】
【００１９】表２より明らかな通り、本実施例の導体ペ
ーストによる回路基板は半田クワレ性、リペア性、半田
ヌレ性のいずれも良好である。これに対し、従来例の導
体ペーストによる回路基板は銀白金系、銀パラジウム系
のいずれを用いた場合でも半田クワレ性、リペア性に劣
っている。又、比較例の導体ペーストを用いた場合、比
較例１，比較例２ではルテニウム化合物及び酸化銅の添
加量が少ない為効果が小さく半田クワレ性リペア性共実
施例に劣る。比較例３，比較例４ではいずれもガラスフ
リット量が多い為半田ヌレ性を低下させている。比較例
５はガラスフリットの配合量が少ない場合で半田ヌレ性
低下と共にリペア性が劣化してしまう。
ーストによる回路基板は半田クワレ性、リペア性、半田
ヌレ性のいずれも良好である。これに対し、従来例の導
体ペーストによる回路基板は銀白金系、銀パラジウム系
のいずれを用いた場合でも半田クワレ性、リペア性に劣
っている。又、比較例の導体ペーストを用いた場合、比
較例１，比較例２ではルテニウム化合物及び酸化銅の添
加量が少ない為効果が小さく半田クワレ性リペア性共実
施例に劣る。比較例３，比較例４ではいずれもガラスフ
リット量が多い為半田ヌレ性を低下させている。比較例
５はガラスフリットの配合量が少ない場合で半田ヌレ性
低下と共にリペア性が劣化してしまう。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の導体ペー
スト組成物は、セラミック基板上に印刷焼成することに
より、半田クワレ性及びリペア性を大幅に改善した緻密
な導体膜を基板表面に形成する事が可能となる。
スト組成物は、セラミック基板上に印刷焼成することに
より、半田クワレ性及びリペア性を大幅に改善した緻密
な導体膜を基板表面に形成する事が可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】 （ａ）少なくとも銀を含み、必要に応じ
てパラジウム又は白金を含んでなる導電性粉末１００重
量部と（ｂ）Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系非
晶質ガラス０．３〜７重量部及びＰｂＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2系結晶質ガラス１〜９重量部からなるガラスフリ
ットと（ｃ）ビスマス化合物及び（ｄ）ルテニウム化合
物０．５〜２重量部と酸化銅０．５〜２重量部からなる
添加剤とを（ｅ）有機ビヒクルに分散させてなる導体ペ
ースト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18811795A JPH0917232A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 導体ペースト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18811795A JPH0917232A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 導体ペースト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917232A true JPH0917232A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=16218012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18811795A Pending JPH0917232A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 導体ペースト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917232A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0977208A2 (en) * | 1998-07-28 | 2000-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and glass circuit substrate |
| WO2002045465A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Ibiden Co., Ltd. | Chauffage ceramique, et pate de resistance de chauffage ceramique |
| WO2007132722A1 (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Alps Electric Co., Ltd. | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2011512426A (ja) * | 2008-01-30 | 2011-04-21 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 有機金属修飾剤を有する導電性インク |
| CN105397340A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-03-16 | 哈尔滨工业大学 | 用于中温固体氧化物燃料电池自适应封接的复合钎料体系及其钎焊方法 |
| JP2017126709A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体組成物および抵抗体ペースト |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP18811795A patent/JPH0917232A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0977208A2 (en) * | 1998-07-28 | 2000-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and glass circuit substrate |
| EP0977208A3 (en) * | 1998-07-28 | 2000-10-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and glass circuit substrate |
| US6355187B1 (en) | 1998-07-28 | 2002-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and glass circuit substrate |
| WO2002045465A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Ibiden Co., Ltd. | Chauffage ceramique, et pate de resistance de chauffage ceramique |
| WO2007132722A1 (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Alps Electric Co., Ltd. | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2011512426A (ja) * | 2008-01-30 | 2011-04-21 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 有機金属修飾剤を有する導電性インク |
| CN105397340A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-03-16 | 哈尔滨工业大学 | 用于中温固体氧化物燃料电池自适应封接的复合钎料体系及其钎焊方法 |
| CN105397340B (zh) * | 2015-12-30 | 2017-07-28 | 哈尔滨工业大学 | 用于中温固体氧化物燃料电池自适应封接的复合钎料体系及其钎焊方法 |
| JP2017126709A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体組成物および抵抗体ペースト |
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