WO2007132722A1

WO2007132722A1 - 電子部品及びその製造方法

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Publication number: WO2007132722A1
Application number: PCT/JP2007/059638
Authority: WO
Inventors: Hisashi Komatsu
Original assignee: Alps Electric Co., Ltd.
Priority date: 2006-05-15
Filing date: 2007-05-10
Publication date: 2007-11-22
Also published as: JP2009193974A

Abstract

【課題】　特に、導電層の膜強度を従来に比べて向上させることが出来る電子部品およびその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】　パターン形成された導電層３は、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンと、を有してなる複合粉を含む。前記複合粉は、銀粉に比べて、バインダー樹脂を硬化させるための焼成温度で溶融しにくい。したがって従来に比べて前記溶融による発熱を適切に抑制でき、この結果、前記バインダー樹脂の分解を抑制できる。よって、従来に比べて前記導電層３の膜強度を向上させることが可能であり、転写板３０を剥離するときに、導電層３の一部も一緒に剥がれることなく安定して転写型基板を形成できる。

Description

明細書

電子部品及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、パターン形成された導電層と、前記導電層を支持する基板とを有して構成される電子部品に関する。

背景技術

[0002] 下記特許文献 1 , 2には、エポキシ樹脂等の基板にカーボン粉とバインダー樹脂からなる抵抗体層を転写して形成した転写型基板が開示されている。

[0003] 製造方法をもう少し詳しく説明すると、転写板上に抵抗体層を形成し、転写板を金型内に装着し、前記金型のキヤビティ内にエポキシ樹脂などを射出して基板をインジェクシヨン成形し、前記転写板を剥離する。これにより、転写型基板が完成する。転写型基板では、基板表面に前記抵抗体層の表面が露出している。

[0004] このように特許文献 1 , 2では、前記抵抗体層の表面を前記基板の表面に露出させているが、例えば銀粉とバインダー樹脂からなる導電層（電極層）を、上記した転写にて基板に形成し、前記導電層の表面が前記基板の表面から露出する転写型基板を製造することも当然、可能である。

特許文献 1 :特許第 3372636号の特許公報

特許文献 2：特開 2004— 55900号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] 導電層が表面に露出する転写型基板の製造方法、及びその問題点について図面を用いて説明する。

[0006] 図 11に示すように、まず転写板 20上に導電層 21をパターン形成する。前記導電層 21は、溶媒中にバインダー樹脂と銀粉とが混合されて成る導電ペーストを前記転写板 20上に所定のパターン形状にてスクリーン印刷し、熱処理して前記溶媒を除去するとともに前記バインダー樹脂を熱硬化させて成るものである。

[0007] 次に図 12に示すように、前記転写板 20上から前記導電層 21上にかけてエポキシ樹脂等から成る基板 22を形成し、図 13に示すように、前記転写板 20を剥離する。

[0008] し力ながら図 13に示す転写板 20の剥離工程において、適切に前記導電層 21が前記基板 22側に転写されず、導電層 21の少なくとも一部が前記転写板 20と一緒に剥がれてしまうといった問題が生じた。

[0009] これは、前記バインダー樹脂を硬化させるための焼成時、前記導電層内に含まれる銀粒子の溶融発熱により、バインダー樹脂が分解され、導電層の膜強度が低下するための現象であると考えられる。

[0010] 上記した転写型基板では、本来、前記導電層 21の表面を鏡面に形成できるはずであるが、上記のように、導電層 21がー部剥がれてしまうことで、基板 22に転写された導電層 21の表面は鏡面でなく凹凸面となってしまい、また膜強度が低下していることから前記導電層 21上を摺動子が摺動する電子部品において、摺動特性及び電気特性を向上できず、また高寿命を得ることが出来なかった。

[0011] 特許文献 1 , 2に記載された発明では、上記した問題点の認識がなぐ当然、上記問題を解決するための手段も提示されていない。

[0012] そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、導電層の膜強度を従来に比べて向上させることが出来る電子部品およびその製造方法を提供することを目的としている。

課題を解決するための手段

[0013] 本発明における電子部品は、

パターン形成された導電層と、前記導電層を支持する基板と、を有して構成され、前記導電層は、熱硬化性のバインダー樹脂と、前記バインダー樹脂内に分散した導電性粒子とを有し、

前記導電性粒子は、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンを有してなる複合粉を含むことを特徴とするものである。

[0014] 「複合粉」とは、複数種類の粒子を単に混ぜた「混合粉」や「合金」と異なり、粒子 1 個を取り出したときに、その粒に、銀と酸化ビスマス、あるいは、銀とカーボン、又は、銀と酸化ビスマス及びカーボンを含んだものである。

[0015] 上記銀を主成分とした複合粉は、銀粉に比べて、ノインダー樹脂を硬化させるための焼成温度で溶融しにくい（あるいは不溶である）。したがって従来に比べて前記溶融による発熱を適切に抑制でき、この結果、前記バインダー樹脂の分解を抑制できる。よって、従来に比べて導電層の膜強度を向上させることが可能である。

[0016] 本発明では、前記導電層は、前記基板内に埋設され、前記導電層の表面が前記基板の表面と同一面にて現れていることが好ましい。これは転写型基板として形成されたものであり、前記導電層の表面を鏡面形成でき、前記導電層の表面に摺動子が摺動する電子部品において、摺動特性の向上を図ることができて好ましい。

[0017] また本発明では、前記バインダー樹脂は、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーを有して構成されることが好ましい。これにより、ガラス転移温度を高くでき耐熱性を向上させることが出来る。

[0018] また本発明では、前記導電層内には、前記複合粉のほかに、カーボン粉が含まれることが好ましい。これにより前記導電層の硬度を向上させることができ、前記導電層上に摺動子が摺動したときの耐摩耗性をより適切に向上させることが出来る。

[0019] 本発明における電子部品の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。

[0020] (a) 溶媒内に、少なくとも熱硬化性のバインダー樹脂と、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は、酸化ビスマス及びカーボンとを有する複合粉を混合して成るペースト状の導電層を転写板上にパターン形成する工程、

(b) 前記導電層を熱処理して、前記溶媒を除去するとともに前記バインダー樹脂を熱硬化させる工程、

(c) 前記導電層を支持する基板を形成した後、前記転写板を剥離する工程。

[0021] 本発明では、前記 (b)工程で、ペースト状の前記導電層のバインダー樹脂を熱硬化させるための熱処理を行ったとき、複合粉は、銀粉に比べて溶融しにくぐ前記バインダー樹脂の分解を抑制でき、前記導電層の膜強度を従来よりも適切に向上させること力 Sできる。

[0022] よって前記（c)工程で、前記転写板を剥離するとき、前記転写板を導電層から適切に剥離でき、従来のように前記導電層の一部が前記転写板と一緒に剥がれてしまうとレ、つた不具合を抑制できる。このように、本発明では、簡単な製造方法で、転写型基板を安定して製造することが可能である。

発明の効果

[0023] 本発明における電子部品は、パターン形成された導電層と、前記導電層を支持する基板と、を有して構成され、前記導電層は、熱硬化性のバインダー樹脂と、前記バインダー樹脂内に分散した導電性粒子とを有し、前記導電性粒子は、少なくとも主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンを有してなる複合粉を含むことを特徴とするものである。

[0024] 上記複合粉は、銀粉に比べて、ノンダ一樹脂を硬化させるための焼成温度で溶融しにくい（あるいは不溶である）。したがって従来に比べて前記溶融による発熱を適切に抑制でき、この結果、前記バインダー樹脂の分解を抑制できる。よって、従来に比べて導電層の膜強度を向上させることが可能である。

[0025] したがって本発明における電子部品が、摺動子が導電層上を摺動する基板であるとき、摺動特性及び電気特性に優れた高寿命の基板となる。また本発明の電子部品を転写型基板として製造するとき、転写板を剥離する際に、前記導電層の一部が前記転写板と一緒に剥がれるといったことがなく安定して転写型基板を製造できる。発明を実施するための最良の形態

[0026] 図 1は本実施の形態としてのエンコーダの構成を示す部分平面図、図 2は、図 1に示す A— A線から前記エンコーダを切断し、その切断面を矢印方向から見た断面図である。

[0027] 図 1に示す電子部品としての接点基板 1は、エポキシ樹脂等で形成された絶縁性の成形基板 2を有している。前記成形基板 2の表面 2bには、導電層 3が所定パターンで形成されている。

[0028] 図 1に示すように、前記導電層 3は、リング状にパターン形成されたコモン領域 3aと、前記コモン領域 3aの内周に沿って所定の間隔を置いて、内方向に凸状にパターン形成された A相領域 3bと、前記コモン領域 3aの外周に沿って所定の間隔を置レ、て外方向に凸状にパターン形成された B相領域 3cとで構成される。

[0029] 図 1に示すように、エンコーダには第 1端子部 5b,第 2端子部 5c及びコモン端子部 5aが回転しないように固定して取り付けられており、前記第 1端子部 5b及び第 2端子部 5cの先端には第 1摺動子 4b及び第 2摺動子 4cがー体形成されている。また前記コモン端子部 5aの先端にはコモン摺動子 4aがー体形成されている。

[0030] 前記端子部 5a, 5b, 5c及び摺動子 4a, 4b, 4cは、例えばりん青銅にニッケルめつき及び銀めつきが施されたもので、前記摺動子 4a, 4b, 4cの前記接点基板 1と摺接する部分は前記接点基板 1方向に突出するドーム状凸部として形成されている。

[0031] 図 1に示すエンコーダでは、前記接点基板 1が中心 laを軸として回転すると、前記コモン摺動子 4aは前記コモン領域 3a上を常に摺動し、前記第 1摺動子 4bは、前記 A相領域 3b上と前記 A相領域 3b間の絶縁基板表面を交互に摺動し、また前記第 2 摺動子 4cは、前記 B相領域 3c上と前記 B相領域 3c間の絶縁基板表面を交互に摺動する。

[0032] 前記第 1端子部 5b及び第 2端子部 5cにそれぞれプルアップ抵抗を接続し、所定電圧を印加した状態で、前記第 1摺動子 4bが接点基板 1の A相領域 3b上を摺動すると、前記第 1摺動子 4bとコモン摺動子 4aとが電気的に接続され、オン (ON)信号が出力され、一方、前記第 1摺動子 4bが前記接点基板 1の成形基板 2上を摺動すると前記第 1摺動子 4bとコモン摺動子 4aが電気的に切断され、オフ（OFF)信号が出力される。そして、このオン信号とオフ信号が交互に繰り返され、 A相パルス信号 (V )が

A

出力される。

[0033] また、前記第 2摺動子 4cが前記接点基板 1の B相領域 3c上を摺動すると、前記第 2 摺動子 4cとコモン摺動子 4aとが電気的に接続され、オン（ON)信号が出力され、一方、前記第 2摺動子 4cが前記接点基板 1の成形基板 2上を摺動すると前記第 2摺動子 4cとコモン摺動子 4aが電気的に切断され、オフ（OFF)信号が出力される。そして、このオン信号とオフ信号が交互に繰り返され、 B相ノ^レス信号 (V )が出力される。

B

[0034] 図 1に示すエンコーダでは、 A相パルス信号 (V )、 B相パルス信号 (V )及び A相

A B

パルス信号 (V )と8相パルス信号 (V )の差信号 (位相差）により、接点基板 1の回転

A B

状態を検知できるようになつている。

[0035] 本実施形態では、前記導電層 3は、熱硬化性のバインダー樹脂と、前記バインダー樹脂内に分散した導電性粒子とを有し、前記導電性粒子には、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンと、を有してなる複合粉が用いられている。ここで「複合粉」とは、単に銀粉と酸化ビスマス粉とを混ぜたような「混合粉」や複数種類の金属が溶け合った「合金」と異なり、粒子 1個を取り出したときに、その粒に、銀と酸化ビスマス、あるいは、銀とカーボン、又は銀と酸化ビスマス及びカーボンを含んだものである。

[0036] 銀と酸化ビスマスからなる複合粉、銀とカーボンからなる複合粉であってもよいが、より好ましいのは、銀、酸化ビスマス及びカーボンを全て含んだ複合粉である。例えば主成分としての Agは 79at% (原子％)程度、酸化ビスマス（Bi O )は 16at%程度

2 3

、カーボンは 5at%程度含有されている。

[0037] なお前記導電層 3には前記複合粉とともに、前記複合粉以外の導電性粒子が含まれていてもよレ、。特にカーボンファイバーやカーボンビーズ等、硬度の高いカーボン粉が含まれていることが前記導電層 3の膜強度を向上させることが出来る点で好ましレ、。前記複合粉は、前記導電層 3中に 5〜50vol%含まれていることが好ましい。前記複合粉が 5vol%より小さいと、比抵抗を十分に下げることができなレ、。また前記複合粉が 50vol%より大きいと、前記バインダー樹脂の体積が小さくなりすぎ、膜強度が低下し好ましくない。したがって、前記複合粉は、 5〜50vol%含まれていることが好ましい。

[0038] 前記バインダー樹脂は、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂から選択されるが、特に、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーを含むことがガラス転移温度 (Tg)を高くでき耐熱性を向上させる上で好ましい。

[0039] 前記導電層 3は、溶媒中に、前記バインダー樹脂及び複合粉が混合されて成る導電性ペーストを図 1に示すパターン形状にスクリーン印刷し熱処理によって、前記溶媒を除去するとともに、前記バインダー樹脂を熱硬化したものである。

[0040] 図 2に示すように前記導電層 3は、前記成形基板 2内に坦設されているとともに、前記導電層 3の表面 3dは、前記成形基板 2の表面 2bと同一面を成している。図 1 ,図 2 に示す接点基板 1は、後述する製造方法で形成された転写型基板であり、前記導電層 3の表面 3dは、鏡面で形成されている。これにより、摺動特性及び電気特性の向上を図ることができる。 [0041] 本実施形態では、前記導電層 3に含有される導電性粒子が、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、銀とカーボン、又は銀と酸化ビスマス及びカーボンと、を有してなる複合粉である。前記複合粉は、銀粉に比べて、バインダー樹脂を硬化させるための焼成温度で溶融しにくい（あるいは不溶である）。

[0042] よって前記溶融による発熱を適切に抑制でき、この結果、前記バインダー樹脂の分解を抑制することが可能である。

したがって、前記導電層 3の膜強度を従来に比べて向上できる。

[0043] 前記膜強度の向上により、転写型基板の製造過程において、転写板を剥離するときに前記導電層 3の一部が、前記転写板と一緒に前記成形基板 2側から剥がれてしまうのを適切に抑制できる。これにより前記導電層 3の表面 3dを適切に鏡面で形成できる。

[0044] また前記導電層 3の膜強度が向上したことと表面 3dを鏡面で形成できることで、前記導電層 3上に摺動子 4a〜4cが摺動する際の耐摩耗性に代表される摺動特性及び電気特性を向上させることができ、長寿命の接点基板 1にできる。

[0045] 次に、前記接点基板 1の製造方法について説明する。なおこの明細書において「ペースト」とはバインダー樹脂が熱硬化されてレ、なレ、状態を言う。

[0046] まず、溶媒中に、バインダー樹脂と主成分の銀と酸化ビスマス及び/またはカーボンとを有する複合粉とを混合して成る導電性ペーストを形成する。硬度を向上させるベくカーボンファイバー等のカーボン粉を混合してもよい。前記バインダー樹脂は、 5 0〜95体積％程度、複合粉は、 5〜50体積％程度、カーボン粉は、 0〜30体積％であり、バインダー樹脂と複合粉とをあわせた合計、あるいはバインダー樹脂、複合粉及びカーボン粉とあわせた合計が 100体積％である。

[0047] たとえば黄銅板で形成された転写板 30 (図 3参照）を用意する。前記転写板 30の表面は鏡面加工されてレ、る。

[0048] 前記転写板 30の表面に、導電層 3のパターンの形状を製版するステンレス製のマスクを用レ、、前記転写板 30の表面にペースト状の前記導電層 3をスクリーン印刷にてパターン形成する。

[0049] 印刷後に、焼成炉を用いて、ペースト状の前記導電層 3を 100〜260°Cで 10〜60 分間乾燥させて、前記溶媒を蒸発させて除去する。さらに焼成炉において 400°C程度の焼成温度で：!〜 2時間加熱し、前記バインダー樹脂を熱硬化させる。これにより前記導電層 3は熱硬化したバインダー樹脂中に複合粉が分散した膜構造になる。

[0050] ここで溶媒には、酢酸カルビトール、メチルカルビトール、ェチルカルビトール、ブチルカルビトール、メチルトリグライム等を使用できる。

[0051] またバインダー樹脂には、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フヱノール樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂を選択できるが、これらに限定されるものでない。なお前記バインダー樹脂に、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーを含むことがガラス転移温度 (Tg)を高くでき耐熱性を向上させる上で好ましい。

[0052] 前記導電層 3に含まれる銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンとを有して成る複合粉の溶融温度は、前記バインダー樹脂の硬化温度より高くなつている。

[0053] 本実施形態における前記複合粉からなる導電性ペーストは、 440°C前後に溶融ピークを持っため 400°C前後の熱処理によっても溶融しにくい。ポリイミド樹脂の硬化温度は、 300°C〜380°C程度、ビスマレイミド榭脂の硬化温度は 350°C程度、ァセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーの硬化温度は、 300°C〜400°C程度であるから、これらの熱硬化性樹脂の硬化温度にて熱処理を施しても、前記複合粉の溶融を適切に抑制することが出来る。

[0054] なおポリイミド樹脂のガラス転移温度 Tgは、 300°C、ビスマレイミド榭脂のガラス転移温度 Tgは、 250〜300°C程度、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーのガラス転移温度 Tgは、 300°C〜350°C程度である。

[0055] 次に図 4工程では、転写板 30上に形成された導電層 3に、端子 6を接続する必要のある場合には、前記導電層 3の表面に端子接着層（導電性接着層） 7を形成する。すなわち、図 1に示したエンコーダにおいては、接点基板 1が回転し、固定された摺動子 4a〜4cと一体の端子部 5a〜5cより出力信号を取り出す構成のため、導電層 3 に端子を接続する必要はない。これに対し、接点基板が固定されており、摺動子側が回転する構成のエンコーダにおいては、接点基板側から出力信号を取り出すために、この接点基板に形成された導電層と導通する端子が設けられたものとなっている [0056] この工程では、前記導電層 3の表面にスクリーン印刷によりペースト状の端子接着層 7を形成する。例えば、ペースト状の前記端子接着層 7は、酢酸カルビトールなど力なる溶剤に、 20体積％の銀粉と、硬化剤として 20体積％のフエノール樹脂とアミン化合物、主剤として 60体積％のエポキシ樹脂を混合させたものである（ただし、溶媒を除いた合計力 100体積％)。そして、乾燥炉において例えば 80°Cで 10分間乾燥させ、端子接着層 7内の溶媒を蒸発させて除去する。

[0057] 次に図 4に示すように、前記転写板 30上を金型 40で覆う。このとき導電層 3の表面に前記端子接着層 7を介して端子 6を設置する。そして、前記金型 40のキヤビティ 41 に溶融状態のエポキシ樹脂成形材料を注入する。

[0058] 金型 40の温度は 160〜200°Cであり、この金型の熱によって前記端子接着層 7の硬化剤であるフヱノール樹脂およびアミン化合物と主剤のエポキシ樹脂とが熱硬化して、端子 6が前記端子接着層 7を介して導電層 3に接着される。

[0059] また、前記エポキシ樹脂成形材料が硬化して成形基板 2が形成される。そして、金型 40から抜き出して、図 5に示すように、転写板 30を前記成形基板 2から剥離することで、接点基板 1が完成する。

[0060] なお、図 4、図 5では、摺動子側が回転し、接点基板に端子 6を取り付けた構成のものを図示して説明したが、図 1に示すような端子を必要としない形態の接点基板 1を製造する場合には、図 4、図 5から端子 6と端子接着層 7とを無くした工程となる。

[0061] 本実施形態の製造方法では、簡単な製造方法で、転写型基板を安定して製造することが可能である。すなわち従来では、前記導電層 3の膜強度が低下しており、図 5 に示す前記転写板 30を剥離するときに、前記転写板 30と一緒に一部の導電層 3が成形基板 2側から剥がれてしまうといった問題があつたが、本実施形態では、前記導電層 3の膜強度を従来より向上させることができるので、前記転写板 30を剥離するとき、前記導電層 3の一部が前記転写板 30と一緒に剥がれてしまうといった不具合を抑制でき、導電層 3の表面 3dが基板 2の表面 2bと同一面で、且つ前記表面 3dが鏡面となる接点基板 1を安定して製造することが出来る。

[0062] 他の実施形態としては、図 6に示すように、基板 42の平坦な表面に直接、所定のパターンにて導電層 3がスクリーン印刷'焼成された構造を提示できる。図 6では、前記導電層 3を前記基板 42上に直接形成するものであり、転写型基板のように、導電層 3 の一部が転写板 30と一緒に剥がれてしまうといった不具合は元々生じ得なレ、が、本実施形態では、前記導電層 3の膜強度を従来より向上させることが出来るため、図 6 のように、基板 42上に直接、導電層 3をスクリーン印刷等でパターン形成した場合でも、耐摩耗性に代表される摺動特性及び電気特性を向上させることができ、長寿命の接点基板を形成できる。

[0063] また図 1，図 2の実施形態及び図 6の実施形態の双方において、耐マイグレーション性、耐硫化性を向上させるために、導電層 3の表面にカーボン層などからなる保護層を形成してもよい。

[0064] なお本実施形態の電子部品は、可変抵抗器の電極パターン等にも応用でき、特に用途を限定するものでない。

実施例

[0065] 各黄銅板（転写板）上に実施例及び比較例のペースト状の導電層を夫々、所定のパターン形状でスクリーン印刷し、 20 μ m程度の膜厚で形成した。

[0066] まず比較例の導電層に使用したバインダー樹脂はアセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーであり、銀粉は、導電層中に 30体積⁰ /₀程度入っている。

[0067] 一方、実施例の導電層に使用したバインダー樹脂もアセチレン末端ポリイソイミドォリゴマーであり、主成分の銀、酸化ビスマス、及びカーボン力成る複合粉は、導電層中に 30体積％程度入っている。前記複合粉は、主成分としての Agが 79at% (原子％)程度、酸化ビスマス（Bi O )が 16at%程度、カーボンが 5at%程度含有されて

2 3

いる。なお、本実施例では前記複合粉として、昭栄化学工業 (株)社製の貴金属粉末 AG— 522を使用した。

[0068] 図 7は、比較例のペースト状導電層を 260°Cの温度下に曝して溶媒を蒸発させた乾燥工程後の膜表面の状態を示す SEM (走査型電子顕微鏡)写真である。

図 7に示すように、黄銅板上は、導電層にて覆われ、前記黄銅板は見えない。

[0069] 次に、実施例のペースト状導電層を 260°Cの温度下に曝して溶媒を蒸発させ、その後、実施例及び比較例ともに、 390°Cで 2時間の熱処理を施し、各ペースト状導電層のバインダー樹脂を熱硬化させた。そして膜表面を SEM写真にて観察した。

[0070] 図 8は、比較例の導電層の膜表面の状態を示す SEM写真、図 9は、実施例の導電層の膜表面の状態を示す SEM写真である。

[0071] 図 8に示す比較例では、導電層は前記黄銅板上に部分的にしか残存しておらず、前記導電層の消滅した部分からは黄銅板が見えることがわかった。

[0072] 図 7に示す状態から 390°Cの焼成により、明らかに導電層の膜状態が変化したことがわかる。これは、焼成によって、前記導電層内に含まれている銀粉が溶融し、その溶融による発熱によって導電層を構成するバインダー樹脂が分解したためであると考えられる。

[0073] 一方、図 9に示す実施例では、導電層が緻密な膜を構成しており、前記導電層下にある黄銅板が見えないことがわかった。実施例の導電層に含まれる銀、酸化ビスマス及びカーボンよりなる複合粉は、 390°C程度では溶融しにくぐそのため図 8の比較例に比較して前記バインダー樹脂の分解が抑制されていると考えられる。

[0074] 次に、上記した組成よりなる比較例及び実施例のペースト状導電層を、 20 μ mの膜厚で黄銅板上に所定のパターン形状でスクリーン印刷し、 260°Cで乾燥させた乾燥工程、 390°Cで 60分の焼成を行った焼成工程、 390°Cで 90分の焼成を行った焼成工程の各工程時の膜厚を測定した。

[0075] 乾燥工程後の導電層の膜厚を実施例、比較例ともに 100%であるとすると、実施例では、 390°Cで 60分の焼成工程後及び 390°Cで 90分の焼成工程後の導電層の膜厚がともに 90%を確保することがわかった。一方、比較例では、 390°Cで 60分の焼成工程後の導電層の膜厚が 70%に落ち、さらに 390°Cで 90分の焼成工程後の導電層の膜厚は 60%に落ちることがわかった。これは、比較例の場合、焼成工程にて、銀粉が溶融し、その溶融による発熱によってバインダー樹脂の分解が進んでいるからであると考免られる。

[0076] 次に、実施例及び比較例ともに、 390°Cで 90分焼成した後、接着テープにて黄銅板から導電層を剥離したときの前記黄銅板上の状態を観察した。すると実施例では前記黄銅板上に導電層が全く残存せず、前記導電層が全て接着テープに転写されたが、比較例では、前記黄銅板上に一部、導電層が残存し、前記導電層が全て接着テープ側に転写されないことがわかった。これにより比較例では、導電層のバインダ一樹脂の分解が進み、前記導電層の膜強度が低下していることがわかった。

[0077] 図 10は、実施例及び比較例の導電性ペーストに対する TG— DTA (熱重量示差熱分析）の実験結果である。 TG— DTA測定器には SIIナノテクノロジ一社製の T

G/DTA6200を使用した。

[0078] また実験で使用した実施例及び比較例の導電性ペーストは、図 7，図 8，図 9の実験で使用したものと同じである。

[0079] 図 10に示すように、比較例の銀粉による導電性ペーストは、 DTA曲線、及び TG曲線力、ら約 380°C前後に溶融ピークを持つとともに重量減少が見られた。

[0080] また図 10に示すように、実施例の複合粉による導電性ペーストは、 DTA曲線、及び TG曲線力、ら約 440°C前後に溶融ピークを持つとともに重量減少が見られた。

[0081] 実験で示された溶融ピークは、実施例では複合粉の溶融ピーク、比較例では銀粉の溶融ピークに相当する。

[0082] よって実施例の複合粉は、 400°C前後の熱処理によっても溶融しに《あるいは不溶であることがわかった。またバインダー樹脂の熱硬化温度は高くても 400°C程度（アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーを使用したとき）であるので、硬化温度にて熱処理を施しても、前記複合粉の溶融を適切に抑制できることがわかった。

図面の簡単な説明

[0083] [図 1]本実施形態のエンコーダの構成を示す部分平面図、

[図 2]図 1に示す A_A線から前記エンコーダを切断し、その切断面を矢印方向から見た断面図、

[図 3]接点基板の製造方法を示すものであり、転写板に導電層を形成した状態の断面図、

[図 4]図 3の次に行われる工程図であり、基板を形成する工程を示す断面図、

[図 5]図 4の次に行われる工程図であり、転写板を剥離する工程を示す断面図、 [図 6]他の実施形態の接点基板の断面図、

[図 7]黄銅板上に、銀粉を含む比較例のペースト状導電層をスクリーン印刷し、 260 °Cの温度下に曝して溶媒を蒸発させた乾燥工程後の膜表面の状態を示す SEM写真、

[図 8]図 7に示す比較例の導電層を、 390°Cで 2時間の熱処理を施して、バインダー樹脂を熱硬化させた後の膜表面の状態を示す SEM写真、

[図 9]黄銅板上に、銀、酸化ビスマス及びカーボンからなる複合粉を含む実施例のぺ一スト状導電層をスクリーン印刷し、 390°Cで 2時間の熱処理を施して、バインダー樹脂を熱硬化させた後の膜表面の状態を示す SEM写真、

[図 10]実施例及び比較例の導電性ペーストに対する TG— DTA曲線、

[図 11]従来の転写型基板の製造方法を示す一工程図（断面図）、

[図 12]図 11の次の工程を示す一工程図（断面図）、

[図 13]図 12の次の工程を示す一工程図であり、従来技術の問題点を指摘するための断面図、

符号の説明

1 接点基板 (電子部品）

2 成形基板

2b 表面

3 導電層

3a コモン領域

3b A相領域

3c B相領域

3d ¾面

4a コモン摺動子

4b 第 1摺動子

4c 第 2摺動子

30 転写板

Claims

請求の範囲

[1] パターン形成された導電層と、前記導電層を支持する基板と、を有して構成され、前記導電層は、熱硬化性のバインダー樹脂と、前記バインダー樹脂内に分散した導電性粒子とを有し、

前記導電性粒子は、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンを有してなる複合粉を含むことを特徴とする電子部品。

[2] 前記導電層は、前記基板内に坦設され、前記導電層の表面が前記基板の表面と同一面にて現れている請求項 1記載の電子部品。

[3] 前記バインダー樹脂は、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーを有して構成される請求項 1又は 2に記載の電子部品。

[4] 前記導電層内には、前記複合粉のほかに、カーボン粉が含まれる請求項 1ないし 3 のいずれかに記載の電子部品。

[5] 以下の工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。

(a) 溶媒内に、少なくとも熱硬化性のバインダー樹脂と、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンとを有する複合粉を混合して成るペースト状の導電層を転写板上にパターン形成する工程、