TWI828659B - 配線基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

配線基板之製造方法具備：準備步驟，其係準備具備具有貫通孔之絕緣層、及配置於絕緣層之厚度方向一側之金屬層之積層體；配線形成步驟，其係以沿厚度方向投影時與貫通孔重疊之方式，藉由減成法形成配線圖案；以及電沈積步驟，其係藉由為了電沈積而經由貫通孔供電，而以保護層被覆配線圖案。

Description

配線基板之製造方法

本發明係關於一種配線基板之製造方法。

已知作為配線基板之一例之電感器搭載於電子機器等，且被用作電壓轉換構件等被動元件。

例如，提出有於線圈之上表面及/或下表面積層有使扁平狀或針狀之軟磁性金屬粉末分散於樹脂材料中所成之各向異性複合磁性薄片之可撓性電感器(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2009-9985號公報

[發明所欲解決之問題]

然，於上述專利文獻1之電感器中，各向異性複合磁性薄片直接接觸於線圈。因此，會產生如下不良情況，即，經由各向異性複合磁性薄片內之多個軟磁性金屬粉末，而構成線圈之彼此相鄰之複數個配線部彼此短路。

因此，研究了於將各向異性複合磁性薄片積層於複數個配線部之前，利用電沈積塗裝而以覆蓋絕緣層(電沈積塗裝膜)被覆配線部。具體而言，該構成例如可藉由如下步驟而製造，即：a步驟，其係於基底絕緣層40上形成具備複數個配線部之配線圖案41、及使自外部之供電成為可能之引線42；b步驟，其係利用遮蔽膠帶43保護引線42；c步驟，其係為了電沈積塗裝而經由引線42實施供電，而以覆蓋絕緣層44被覆配線圖案41；d步驟，其係去除遮蔽膠帶43，而使引線42露出；e步驟，其係藉由蝕刻去除引線42；及f步驟，其係將磁性層45積層於覆蓋絕緣層44所被覆之配線圖案41(參照圖9A～圖10F)。

然而，於該製造方法中，於e步驟後，連接於引線42之配線圖案41之端部側面露出。即，於配線圖案41產生未藉由覆蓋絕緣層44被覆之露出面46。於此種情形時，於f步驟後，磁性層45接觸於該露出面46。其結果，於配線圖案中流動之電流經由露出面46而流動至磁性層45，產生線圈等之作為配線之功能下降之不良情況。

又，若為多數情況下配置於電源附近之電感器，則必須設為能夠藉由使配線部之厚度變厚，而流動大電流。然而，若以藉由加成法使配線部之厚度變厚之方式形成，則會花費大量時間，而生產性變差。另一方面，若使用繞組等市售之配線，則難以進行配線圖案之微細化、或者配線圖案之設計自由度大幅度降低。

本發明提供一種能夠抑制配線部之露出，生產性優異且容易進行配線圖案之微細化之配線基板之製造方法。 [解決問題之技術手段]

本發明[1]包含一種配線基板之製造方法，其具備：準備步驟，其係準備具備具有貫通孔之絕緣層、及配置於上述絕緣層之厚度方向一側之金屬層之積層體；配線形成步驟，其係以沿厚度方向投影時與上述貫通孔重疊之方式，藉由減成法形成配線圖案；以及電沈積步驟，其係藉由為了電沈積而經由上述貫通孔供電，而以保護層被覆上述配線圖案。

於該配線基板之製造方法中，由於藉由減成法形成配線圖案，故而能夠於短時間內形成相對較厚之配線圖案，而生產性優異。又，容易進行配線圖案之微細化，且其設計自由度較高。

又，於該配線基板之製造方法中，藉由為了電沈積而經由貫通孔供電，而將保護層被覆於配線圖案，因此能夠以保護層被覆配線圖案之厚度方向一面及側面，能夠抑制配線圖案之露出。

本發明[2]包含如[1]之配線基板之製造方法，其中於配線形成步驟前，進而具備於上述絕緣層之厚度方向另一側配置導體層之導體層配置步驟，且於電沈積步驟後，進而具備去除上述導體層之導體層去除步驟。

於該配線基板之製造方法中，由於在絕緣層之厚度方向另一側配置導體層，故而可經由導體層及貫通孔對配線部供電。因此，能夠容易地以保護層被覆配線部。

本發明[3]包含如[1]或[2]之配線基板之製造方法，其中於電沈積步驟後進而具備於上述絕緣層及上述保護層之厚度方向一側配置功能層之功能層配置步驟。

於該配線基板之製造方法中，由於在配線基板配置功能層，故而能夠對配線基板賦予所期望之功能。

本發明[4]包含如[1]至[3]中任一項之配線基板之製造方法，其中上述保護層為電沈積塗裝膜。

於該配線基板之製造方法中，由於保護層為電沈積塗裝膜，故而配線圖案由絕緣體被覆。因此，於在配線圖案之厚度方向一側配置有具有導電性之功能層之情形時，能夠抑制配線圖案之短路。 [發明之効果]

本發明之配線基板之製造方法能夠抑制配線部之露出。又，生產性優異，且配線圖案之設計自由度及微細化變得容易。

於圖1中，紙面上下方向為前後方向(第1方向)，且紙面下側為前側(第1方向一側)，紙面上側為後側(第1方向另一側)。紙面左右方向為左右方向(與第1方向正交之第2方向)，且紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。紙面紙厚方向為上下方向(厚度方向，與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面近前側為上側(厚度方向一側，第3方向一側)，紙面裏側為下側(厚度方向另一側，第3方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。

＜第1實施形態＞ 作為本發明之配線基板之製造方法之一例，參照圖1～圖7對電感器1之製造方法之第1實施形態進行說明。

電感器1之製造方法之第1實施形態係圖1～圖2B所示之電感器1之製造方法，依序具備準備步驟、導體層配置步驟、配線形成步驟、電沈積步驟、第1磁性層配置步驟、導體層去除步驟及第2磁性層配置步驟。以下，對各步驟進行詳細敍述。

(準備步驟) 於準備步驟中，準備具備作為絕緣層之一例之基底絕緣層2、及作為金屬層之一例之金屬薄片10之積層體8。具體而言，準備具備具有貫通孔6之基底絕緣層2、及配置於其下側之金屬薄片10之積層體8。

首先，如圖3A及圖5A所示，準備金屬薄片10。

金屬薄片10係藉由配線形成步驟而成為下述配線圖案3之構件。即，金屬薄片10為配線圖案3之原料。金屬薄片10具有沿前後方向及左右方向延伸之片形狀。

作為金屬薄片10之材料，例如可列舉銅、銀、金、鎳或包含其等之合金等。作為金屬薄片10之材料，可較佳地列舉銅。藉此，可製造具備良好之導電性及圖案化性之電感器1。

金屬薄片10之厚度例如為25 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為150 μm以下。藉此，可製造流動大電流之電感器1。

繼而，如圖3B及圖5B所示，於金屬薄片10之下側，配置具有貫通孔6之基底絕緣層2。即，於金屬薄片10之下表面(厚度方向另一面)形成具有複數個貫通孔6及複數個對準標記7(定位部)之基底絕緣層2。

具體而言，首先，準備感光性之絕緣性材料之清漆，將該清漆塗佈於金屬薄片10之下表面整個面並使其乾燥，而形成基底皮膜。對基底皮膜經由具有與貫通孔6及對準標記7對應之圖案之光罩進行曝光。 其後，對基底皮膜進行顯影，視需要進行加熱硬化。

作為基底絕緣層2之絕緣性材料，例如可列舉聚醯亞胺、聚矽氧烷、環氧系樹脂、氟系樹脂等有機材料。可較佳地列舉聚醯亞胺。

如參照圖1般，貫通孔6於基底絕緣層2中形成於沿厚度方向投影時與配線部21(於下文敍述)重疊之位置。貫通孔6具有俯視大致圓形狀及剖面觀察大致矩形狀。貫通孔6之左右方向長度(寬度)及前後方向長度分別短於配線部21之左右方向長度(寬度)及前後方向長度。

對準標記7係藉由沿厚度方向貫通基底絕緣層2之標記用孔11所形成之絕緣部。對準標記7於基底絕緣層2中形成於沿厚度方向投影時不與配線圖案3重疊之位置。對準標記7具有俯視大致圓形狀及剖面觀察大致矩形狀。

藉此，具有貫通孔6及對準標記7之基底絕緣層2形成於金屬薄片10之下表面。

又，於準備步驟中，亦可如圖3A之假想線所示，準備具備金屬薄片10、及配置於其下表面整個面之基底絕緣層2(即，不具有孔之基底絕緣層)之2層基材，繼而，於基底絕緣層2形成孔(貫通孔6及對準標記7)。孔之形成係將具有與貫通孔6及對準標記7對應之圖案之蝕刻阻劑配置於基底絕緣層2之下表面，並於對基底絕緣層2進行蝕刻之後，去除蝕刻阻劑。或者，使用雷射而於基底絕緣層2形成貫通孔6及對準標記7。

(導體層配置步驟) 於導體層形成步驟中，如圖3C及圖5C所示，於基底絕緣層2之下側，配置作為導體層之一例之金屬薄膜12。即，於基底絕緣層2之下表面整個面形成金屬薄膜12。

於金屬薄膜12之配置中，於貫通孔6及對準標記7以金屬薄膜12之上表面(厚度方向一面)與金屬薄片10之下表面接觸之方式形成金屬薄膜12。具體而言，以被覆自貫通孔6露出之金屬薄片10等之表面(第1露出面13)、自標記用孔11露出之金屬薄片10等之表面(第2露出面14)、及基底絕緣層2之下表面之方式，形成金屬薄膜12。

作為配置金屬薄膜12之方法，可列舉例如濺鍍法、真空蒸鍍法、離子電鍍法等乾式方法、及例如無電解鍍覆(無電解鍍銅、無電解鍍鎳等)等濕式方法，可較佳地列舉乾式法，可更佳地列舉濺鍍法。藉此，能夠將密接性良好且均勻之薄膜(具體而言，濺鍍膜)確實地配置於第1露出面13及第2露出面14。又，可藉由下述去除步驟選擇性地將金屬薄膜12確實地去除。

作為金屬薄膜12之材料，可列舉能夠藉由下述去除步驟選擇性地將金屬薄膜12去除之金屬材料、例如為銅、鉻、鎳鉻合金等金屬。

金屬薄膜12之厚度例如為10 nm以上，較佳為30 nm以上，又，例如為200 nm以下，較佳為100 nm以下。

(配線形成步驟) 於配線形成步驟中，以與貫通孔6重疊之方式藉由減成而形成配線圖案3。即，實施減成法，自金屬薄片10去除不需要之部分，而形成配線圖案3。

首先，如圖3D及圖5D所示，於金屬薄膜12之下表面配置支持膜15。

作為支持膜15，例如可列舉具有於後續步驟中能夠自金屬薄膜12容易地剝離之微黏著性之隔膜(separator film)。藉由支持膜15之配置，能夠確實地支持金屬薄片10及基底絕緣層2，並且於下述電沈積步驟中防止覆蓋絕緣層4覆膜於金屬薄膜12之下表面。

繼而，如圖3E及圖5E所示，實施減成法。具體而言，將具有與配線圖案3(於下文敍述)對應之圖案之乾膜光阻16(參照假想線)配置於金屬薄片10之上，繼而，藉由蝕刻去除除配線圖案3以外之不需要之金屬薄片10，最後藉由蝕刻或剝離等去除乾膜光阻16。

於具有圖案之乾膜光阻16之配置方法中，於金屬薄片10之上表面整個面配置乾膜光阻16，經由具有與配線圖案3對應之圖案之光罩進行曝光及顯影，並視需要進行加熱硬化。

此時，藉由自下側利用檢測裝置識別對準標記7，而以具有圖案之乾膜光阻16殘存於沿厚度方向投影時與貫通孔6重疊之位置之方式，對乾膜光阻16進行曝光及顯影。

作為蝕刻，例如可列舉化學蝕刻等濕式蝕刻。再者，於濕式蝕刻之情形時，金屬薄片10之上部與下部相比易被蝕刻，因此配線圖案3之側剖面觀察形狀具有朝向下側擴展之錐形狀。

藉此，獲得依序具備支持膜15、金屬薄膜12、基底絕緣層2及配線圖案3之被電沈積體17。

(電沈積步驟) 於電沈積步驟中，如圖3F及圖5F所示，藉由電沈積而以作為保護層之一例之覆蓋絕緣層4被覆配線圖案3。即，藉由電沈積塗裝，而於配線圖案3之上表面及側面形成由電沈積塗裝膜形成之覆蓋絕緣層4。

具體而言，藉由將被電沈積體17浸漬於含電沈積塗料之液體，繼而，對被電沈積體17施加電流，而使電沈積塗料析出至配線圖案3之表面，繼而，使析出之電沈積塗料乾燥。藉此，由電沈積塗料形成之電沈積塗裝膜(即，覆蓋絕緣層4)被覆於配線圖案3之表面(上表面及側面)。

作為電沈積塗料(即，覆蓋絕緣層4之絕緣性材料)，例如可列舉於水中具有離子性之樹脂，且為公知或市售者，例如可列舉丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、或其等之混合等。

為了對被電沈積體17施加電流，將連接於外部電源之引線(未圖示)連接於金屬薄膜12。藉此，經由引線及金屬薄膜12而自第1露出面13對配線圖案3整體施加直流電流。

作為電沈積塗裝，亦可為採用被電沈積體17(具體而言，配線圖案3)作為陰極之陰離子型電沈積塗裝、及採用被電沈積體17作為陽極之陽離子型電沈積塗裝中之任一者。

電沈積塗料之乾燥溫度例如為90℃以上150℃以下，又，乾燥時間例如為1分鐘以上30分鐘以下。

藉此，於配線圖案3之上表面及側面形成覆蓋絕緣層4(電沈積塗裝膜)。

再者，視需要，於電沈積前，藉由脫脂及酸洗將配線圖案3之表面洗淨。又，視需要，於電沈積後，藉由燒接將電沈積塗料加熱硬化。作為燒接時之加熱溫度，例如為150℃以上250℃以下，又，加熱時間例如為10分鐘以上5小時以下。

(第1磁性層配置步驟) 於第1磁性層配置步驟(功能層配置步驟之一例)中，如圖4G及圖6G所示，於基底絕緣層2及覆蓋絕緣層4之上側配置作為功能層之一例之第1磁性層5。即，以被覆覆蓋絕緣層4之上表面及側面、以及自覆蓋絕緣層4露出之基底絕緣層2之上表面之方式，於其等之上側積層第1磁性層5。

第1磁性層5之材料例如可列舉日本專利特開2014-189015號公報等中所揭示之磁性組合物(較佳為軟磁性組合物)等。具體而言，第1磁性層5之材料具有磁性粒子(較佳為軟磁性粒子，例如Fe-Si-A1合金等)及樹脂(較佳為熱固性樹脂，例如環氧樹脂、酚樹脂等)。

為了配置第1磁性層5，例如將由磁性組合物形成之半硬化狀態之磁性薄片按壓至基底絕緣層2及覆蓋絕緣層4之上表面，其後或與按壓同時地對半硬化狀態之磁性薄片進行加熱硬化。詳細而言，參照日本專利特開2014-189015號公報。

藉此，將第1磁性層5配置於基底絕緣層2及覆蓋絕緣層4之上表面。

(導體層去除步驟) 於導體層去除步驟中，去除金屬薄膜12(導體層)。

首先，如圖4H及圖6H所示，藉由剝離將支持膜15自金屬薄膜12去除。

繼而，如圖4I及圖6I所示，藉由蝕刻或剝離將金屬薄膜12自基底絕緣層2去除。較佳為藉由蝕刻去除金屬薄膜12。作為蝕刻，可列舉上述濕式蝕刻等。

於藉由蝕刻去除金屬薄膜12之情形時，視需要，如參照圖4H及圖6H之假想線般，於蝕刻之前，為了保護第1磁性層5而於第1磁性層5之上表面整個面配置保護片材(遮蔽薄片等)28，並於蝕刻之後，去除保護片材28。

藉此，基底絕緣層2之下表面、第1露出面13及第2露出面14露出。

(第2磁性層配置步驟) 於第2磁性層配置步驟中，如圖4J及圖6J所示，於基底絕緣層2之下側配置第2磁性層18。即，於基底絕緣層2之下表面經由接著劑層19積層第2磁性層18。

首先，將接著劑層19配置於第2磁性層18之上表面，而準備接著劑層19與第2磁性層18之積層體。

第2磁性層18之材料與第1磁性層5之材料相同。第2磁性層18可藉由關於第1磁性層5所例示之方法而製作。

作為接著劑層19之材料，可列舉公知或市售之接著劑組合物及黏著劑組合物，例如可列舉丙烯酸系組合物、環氧系組合物、橡膠系組合物、矽酮系組合物等。

作為接著劑層19之配置，可列舉將接著劑組合物塗佈於第2磁性層18之方法、及將黏著帶按壓至第2磁性層18之方法等。

繼而，將接著劑層19與第2磁性層18之積層體以接著劑層19與基底絕緣層2接觸之方式配置於基底絕緣層2之下表面。此時，接著劑層19以貫通孔6及標記用孔11之內部由接著劑層19填充之方式配置於基底絕緣層2之下表面。

再者，於第2磁性層配置步驟中，就對接著劑層19之孔之填充性良好之觀點而言，亦可藉由塗佈等將接著劑層19配置於基底絕緣層2之下表面，繼而，將第2磁性層18配置於接著劑層19之下表面。另一方面，就生產性之觀點而言，如上所述，準備接著劑層19與第2磁性層18之積層體，並配置於基底絕緣層2之下表面。

藉此，可獲得電感器1。

(電感器) 如圖1所示，電感器1具有沿前後方向及左右方向延伸之大致矩形片形狀。如圖2A～B所示，電感器1沿厚度方向依序具備第2磁性層18、接著劑層19、基底絕緣層2、配線圖案3、覆蓋絕緣層4及第1磁性層5。

第2磁性層18係對電感器1賦予較高之電感之層。第2磁性層18係電感器1中之最下層。第2磁性層18於俯視時具有與基底絕緣層2大致相同之形狀，且具有沿前後方向及左右方向延伸之片形狀。

第2磁性層18之厚度例如為10 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下。

接著劑層19係將第2磁性層18與基底絕緣層2接著之層。接著劑層19配置於第2磁性層18之上表面。具體而言，接著劑層19以與第2磁性層18之上表面及基底絕緣層2之下表面接觸之方式配置於第2磁性層18與基底絕緣層2之間。

接著劑層19填充於基底絕緣層2中之貫通孔6及標記用孔11之內部。即，接著劑層19之上表面接觸於配線圖案3之第1露出面13及第1磁性層5之第2露出面14。

接著劑層19之厚度(最大厚度)例如為0.5 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。

基底絕緣層2係支持配線圖案3之層。基底絕緣層2配置於接著劑層19之上表面。於基底絕緣層2之上表面配置有配線圖案3、覆蓋絕緣層4及第1磁性層5。基底絕緣層2具有與電感器1相同之外形形狀即片形狀。基底絕緣層2具備貫通孔6及對準標記7。

基底絕緣層2之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為15 μm以下，較佳為5 μm以下。若基底絕緣層2之厚度為上述範圍，則能夠一面保持電感之機械強度，一面謀求電感器1之薄膜化。

配線圖案3配置於基底絕緣層2之上表面。配線圖案3具有俯視大致矩形狀之環形狀。

配線圖案3一體地具備：複數個(2個)配線部21，其等沿前後方向延伸；連接配線部22，其連接複數個配線部21之前端；及複數個(2個)端子部23，其等配置於2個配線部21之後端。

複數個配線部21具備沿左右方向(特定方向之一例)相互隔開間隔地配置之第1配線部21a及第2配線部21b。複數個配線部21分別於俯視時具有沿前後方向延伸之大致矩形狀，且於側剖面觀察時呈現具有朝向下側擴展之錐形狀之大致梯形形狀。

配線圖案3、尤其是第1配線部21a及第2配線部21b配置於共通之1片基底絕緣層2之上表面。即，支持第1配線部21a之基底絕緣層2與支持第2配線部21b之基底絕緣層2相互連續。

連接配線部22配置於第1配線部21a及第2配線部21b之前側，且將其等之前端相互連接。即，連接配線部22之左端部之後端緣與第1配線部21a之前端緣連續，連接配線部22之右端部之前端緣與第2配線部21b之前端緣連續。連接配線部22於俯視時具有沿左右方向延伸之大致矩形狀，且於側剖面觀察時呈現具有朝向下側擴展之錐形狀之大致梯形形狀。

複數個(2個)端子部23係於第1配線部21a之後端及第2配線部21b之後端以與其等連續之方式配置。複數個端子部23之左右方向長度(寬度)短於配線部21之左右方向長度(寬度)。端子部23於俯視時具有大致矩形狀，且於側剖面觀察時呈現具有朝向下側擴展之錐形狀之大致梯形形狀。

配線部21之寬度(左右方向長度)及連接配線部22之寬度(前後方向長度)分別例如為25 μm以上，較佳為100 μm以上，又，例如為2000 μm以下，較佳為750 μm以下。

配線圖案3之厚度與上述金屬薄片10之厚度相同。

配線圖案3之材料與金屬薄片10之材料相同，可較佳地列舉銅。若配線圖案3為由銅形成之銅配線，則由於銅具備良好之導電性及圖案化性，故而可容易地製造具備良好之導電性及微細之圖案化之電感器1。

覆蓋絕緣層4係保護配線圖案3之絕緣層。覆蓋絕緣層4係以被覆配線圖案3之上表面整個面及側面整個面之方式，配置於基底絕緣層2之上。

覆蓋絕緣層4一體地具備：第1覆蓋絕緣部4a，其被覆第1配線部21a；第2覆蓋絕緣部4b，其被覆第2配線部21b；第3覆蓋絕緣部4c，其被覆連接配線部22；及複數個(2個)第4覆蓋絕緣部4d，其等被覆複數個(2個)端子部23。

於覆蓋絕緣層4中，左側之第4覆蓋絕緣部4d、第1覆蓋絕緣部4a、第3覆蓋絕緣部4c、第2覆蓋絕緣部4b及右側之第4覆蓋絕緣部4d依序沿左右方向或前後方向連續。

又，如圖2A之剖面觀察所示，於覆蓋絕緣層4中，第1覆蓋絕緣部4a及第2覆蓋絕緣部4b不直接地相互連續。即，為了使於左右方向上彼此相鄰之複數個配線部21(第1配線部21a及第2配線部21b)之間24連續，不形成覆蓋絕緣層4。更具體而言，於複數個配線部間24，實質上不存在覆蓋絕緣層4(其中，被覆配線部21之側面之覆蓋絕緣層4(4a、4b)除外)。

覆蓋絕緣層4之厚度例如為0.5 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為7 μm以下。藉此，能夠一面使配線圖案3與第1磁性層5接觸，一面使配線圖案3與第1磁性層5之距離接近。因此，能夠使電感器1之電感進一步提高。

第1磁性層5係對電感器1賦予較高之電感之層。第1磁性層5於俯視時具有與基底絕緣層2大致相同之形狀，且具有沿前後方向及左右方向延伸之片形狀。

第1磁性層5係電感器1中之最上層。第1磁性層5配置於基底絕緣層2及覆蓋絕緣層4之上。具體而言，第1磁性層5以被覆覆蓋絕緣層4之上表面及側面之方式配置於基底絕緣層2之上表面。

第1磁性層5係於配線部間24遍及配線部21之上下方向全體地存在。即，於配線部間24，第1磁性層5自基底絕緣層2之上表面存在至較配線部21更高之位置為止。又，第1磁性層5實質上填充配線部間24之全部。具體而言，於將由配線部21(第1配線部21a、第2配線部21b)及被覆其之覆蓋絕緣層4(第1覆蓋絕緣部4a、第2覆蓋絕緣部4b)構成之構件設為覆蓋配線部時，於彼此相鄰之覆蓋配線部之間，於側剖面觀察時僅存在第1磁性層5。

第1磁性層5之厚度例如為10 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下。

電感器1並非下述電子機器，而是電子機器之一零件、即用以製作電子機器之零件，且為不包含電子元件(晶片、電容器等)、或安裝電子元件之安裝基板，而是零件單獨地流通且產業上可利用之器件。

該電感器1例如搭載(組裝)於電子機器等。雖未圖示，但電子機器具備安裝基板、及安裝於安裝基板之電子元件(晶片、電容器等)。而且，於電子機器中，電感器1被安裝於安裝基板。 具體而言，如圖7所示，以端子部23露出之方式，形成沿厚度方向貫通第1磁性層5及覆蓋絕緣層4之複數個通孔25(貫通孔)，並對通孔25之內周面實施絕緣處理。繼而，將導電性之連接構件26以連接構件26之一端與端子部23之上表面接觸之方式配置於通孔25內部。電感器1係經由連接構件26而安裝於安裝基板，與其他電子機器電性連接，且作為被動元件而發揮作用。

而且，於該電感器1之製造方法中，具備：準備步驟，其係準備具備具有貫通孔6之基底絕緣層2、及配置於基底絕緣層2之上側之金屬薄片10之積層體8；配線形成步驟，其係以沿厚度方向投影時與貫通孔6重疊之方式，藉由減成法形成配線圖案3；以及電沈積步驟，其係藉由為了電沈積而經由貫通孔6供電，而以第1磁性層5被覆配線圖案3。

於該製造方法中，藉由減成法形成配線圖案3。即，可由金屬薄片10藉由蝕刻而形成配線圖案3。因此，能夠於短時間內形成相對較厚之配線圖案3，生產性優異。又，容易進行配線圖案3之微細化，且配線圖案3之設計自由度較高。

又，藉由經由位於配線圖案3之背面側之貫通孔6進行供電，而將覆蓋絕緣層4被覆於配線圖案3。因此，能夠以覆蓋絕緣層4(電沈積塗裝膜)被覆配線圖案3之上表面及側面之整個面，而能夠抑制配線圖案3之露出。即，不會產生圖10F所示之露出面46。因此，即便於在由覆蓋絕緣層4被覆之配線圖案3之上側進一步配置第1磁性層5之情形時，亦能夠抑制第1磁性層5直接接觸於配線圖案3，其結果，能夠抑制配線圖案3之短路。進而，由於藉由電沈積塗裝被覆覆蓋絕緣層4，故而能夠將覆蓋絕緣層4較薄地且均勻地並且確實地被覆於配線圖案3之表面。

又，該製造方法係於配線形成步驟前具備於基底絕緣層2之下側配置金屬薄膜12之導體層配置步驟，且於電沈積步驟後具備去除金屬薄膜12之導體層去除步驟。

因此，可經由金屬薄膜12及貫通孔6對配線部21供電。即，只要對在基底絕緣層2之下表面擴展之金屬薄膜12供電即可，因此容易進行對配線部21之供電。因此，能夠容易地被覆配線部21。

又，於該製造方法中，於電沈積步驟後具備於基底絕緣層2及覆蓋絕緣層4之上側配置第1磁性層5之功能層配置步驟。

因此，能夠對電感器1賦予較高之電感功能。

(變化例) 於以下之各變化例中，對與上述一實施形態相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細之說明。又，可適當組合各變化例。進而，各變化例除特別記載以外，可發揮與上述一實施形態相同之作用效果。

第1變化例 於上述一實施形態之電沈積步驟中，如圖3F及圖5F所示，藉由電沈積塗裝而於配線圖案3之上表面及側面形成作為保護層之一例之覆蓋絕緣層4，但例如亦可如圖8A及圖8B所示，於電沈積步驟中，藉由電鍍法而於配線圖案3之上表面及側面形成作為保護層之一例之覆蓋金屬層30。

作為藉由電鍍法所形成之覆蓋金屬層30，例如可列舉金、銀、銅、鋅、鎳、鉻等。

於第1變化例中，可根據金屬之種類，對配線圖案3賦予所期望之功能(耐久性、防離子遷移性等)。又，藉由將覆蓋金屬層30之材料設為與配線圖案3之材料相同，能夠調整配線圖案3之表面性狀或形狀。

又，於電沈積步驟中，亦可組合電鍍及電沈積塗裝。

第2變化例 於上述一實施形態之電感器1之製造方法中具備第2磁性層配置步驟，雖未圖示，但例如亦可不具備第2磁性層配置步驟。即，所製造之電感器1亦可不具備第2磁性層18及接著劑層19。就具備更高之電感之觀點而言，較佳為電感器1之製造方法具備第2磁性層配置步驟。

第3變化例 配線圖案3之形狀並不限定於上述，雖未圖示，但配線圖案3例如亦可具有彎曲形狀(蜿蜒形狀)、俯視大致圓形狀之環形狀等。

雖未圖示，但電感器1亦可藉由後續之外形加工等而於基底絕緣層2中不具備對準標記7。

＜其他實施形態＞ 於第1實施形態之配線基板之製造方法中，功能層為磁性層(第1磁性層5)，雖未圖示，但例如作為除電感器1以外之配線基板，亦可將功能層設為導熱層、電波遮蔽層、電波吸收層等。

作為導熱層，例如可列舉日本專利特開2012-238819號公報、日本專利特開2014-62220號公報所揭示之導熱性片材。

作為電波遮蔽層，例如可列舉日本專利特開2007-194570號公報所揭示之電波遮蔽體。

作為電波吸收層，例如可列舉日本專利特開2001-44687號公報所揭示之電波吸收片材。

該實施形態亦發揮與第1實施形態相同之作用效果。 再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不可限定地進行解釋。該技術領域之業者所知曉之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍。 [產業上之可利用性]

電感器例如搭載於電子機器等。

1‧‧‧電感器 2‧‧‧基底絕緣層 3‧‧‧配線圖案 4‧‧‧覆蓋絕緣層 4a‧‧‧第1覆蓋絕緣部 4b‧‧‧第2覆蓋絕緣部 4c‧‧‧第3覆蓋絕緣部 4d‧‧‧第4覆蓋絕緣部 5‧‧‧第1磁性層 6‧‧‧貫通孔 7‧‧‧對準標記 8‧‧‧積層體 10‧‧‧金屬薄片 11‧‧‧標記用孔 12‧‧‧金屬薄膜 13‧‧‧第1露出面 14‧‧‧第2露出面 15‧‧‧支持膜 16‧‧‧乾膜光阻 17‧‧‧被電沈積體 18‧‧‧第2磁性層 19‧‧‧接著劑層 21‧‧‧配線部 21a‧‧‧第1配線部 21b‧‧‧第2配線部 22‧‧‧連接配線部 23‧‧‧端子部 24‧‧‧配線部間 25‧‧‧通孔 26‧‧‧連接構件 28‧‧‧保護片材 30‧‧‧覆蓋金屬層 40‧‧‧基底絕緣層 41‧‧‧配線圖案 42‧‧‧引線 43‧‧‧遮蔽膠帶 44‧‧‧覆蓋絕緣層 45‧‧‧磁性層 46‧‧‧露出面

圖1表示本發明之電感器之第1實施形態之俯視圖。 圖2A及2B係圖1之剖視圖，圖2A表示A-A剖視圖，圖2B表示B-B剖視圖。 圖3A～圖3F係圖1所示之電感器之製造步驟之剖視圖(圖1之A-A剖視圖)，圖3A表示準備金屬薄片之步驟，圖3B表示配置基底絕緣層之步驟，圖3C表示配置金屬薄膜之步驟，圖3D表示配置支持膜之步驟，圖3E表示形成配線圖案之步驟，圖3F表示實施電沈積之步驟。 圖4G～圖4J係繼圖3後之電感器之製造步驟之剖視圖(圖1之A-A剖視圖)，圖4G表示配置第1磁性層之步驟，圖4H表示去除支持膜之步驟，圖4I表示去除金屬薄膜之步驟，圖4J表示配置接著劑層及第2磁性層之步驟。 圖5A～圖5F係圖1所示之電感器之製造步驟之剖視圖(圖1之B-B剖視圖)，圖5A表示準備金屬薄片之步驟，圖5B表示配置基底絕緣層之步驟，圖5C表示配置金屬薄膜之步驟，圖5D表示配置支持膜之步驟，圖5E表示形成配線圖案之步驟，圖5F表示實施電沈積之步驟。 圖6G～圖6J係繼圖5後之電感器之製造步驟之剖視圖(圖1之B-B剖視圖)，圖6G表示配置第1磁性層之步驟，圖6H表示去除支持膜之步驟，圖6I表示去除金屬薄膜之步驟，圖6J表示配置接著劑層及第2磁性層之步驟。 圖7表示圖1所示之電感器之使用形態之剖視圖。 圖8A及圖8B係第1實施形態之電感器之製造方法之第1變化例(配置覆蓋金屬層之方法)，圖8A表示配置覆蓋金屬層之步驟剖視圖，圖8B表示圖8A之俯視圖。 圖9A～圖9C係參考例之電感器之製造步驟之俯視圖及剖視圖，圖9A表示形成配線部及引線之a步驟，圖9B表示遮蔽電沈積引線之b步驟，圖9C表示實施電沈積之c步驟。 圖10D～圖10F係繼圖9後之電感器之製造步驟之俯視圖及剖視圖，圖10D表示去除遮蔽薄片(masking sheet)之d步驟，圖10E表示去除電沈積引線之e步驟，圖10F表示配置磁性層之f步驟。

1‧‧‧電感器

3‧‧‧配線圖案

4‧‧‧覆蓋絕緣層

4a‧‧‧第1覆蓋絕緣部

4c‧‧‧第3覆蓋絕緣部

4d‧‧‧第4覆蓋絕緣部

5‧‧‧第1磁性層

6‧‧‧貫通孔

7‧‧‧對準標記

11‧‧‧標記用孔

21‧‧‧配線部

21a‧‧‧第1配線部

21b‧‧‧第2配線部

22‧‧‧連接配線部

23‧‧‧端子部

24‧‧‧配線部間

Claims (4)

1. 一種配線基板之製造方法，其特徵在於具備： 準備步驟，其係準備具備具有貫通孔之絕緣層、及配置於上述絕緣層之厚度方向一側之金屬層之積層體； 配線形成步驟，其係以沿厚度方向投影時與上述貫通孔重疊之方式，藉由減成法形成配線圖案；以及 電沈積步驟，其係藉由為了電沈積而經由上述貫通孔供電，而以保護層被覆上述配線圖案。
2. 如請求項1之配線基板之製造方法，其中於配線形成步驟前進而具備於上述絕緣層之厚度方向另一側配置導體層之導體層配置步驟，且 於電沈積步驟後進而具備去除上述導體層之導體層去除步驟。
3. 如請求項1之配線基板之製造方法，其中於電沈積步驟後進而具備於上述絕緣層及上述保護層之厚度方向一側配置功能層之功能層配置步驟。
4. 如請求項1之配線基板之製造方法，其中上述保護層為電沈積塗裝膜。