JP2001196252A - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents

電子デバイスの製造方法

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JP2001196252A
JP2001196252A JP2000004821A JP2000004821A JP2001196252A JP 2001196252 A JP2001196252 A JP 2001196252A JP 2000004821 A JP2000004821 A JP 2000004821A JP 2000004821 A JP2000004821 A JP 2000004821A JP 2001196252 A JP2001196252 A JP 2001196252A
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forming
resist pattern
coil
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Takashi Kajino
隆 楫野
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  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 平面コイル等の電子デバイスにおいて、性能
を落とさず、かつ、製造工程における取り扱いを難しく
することなく、薄型化を実現する。 【解決手段】 (A):基板の少なくとも一方の面にレ
ジストパターンを形成する工程、(B):レジストパタ
ーンをマスクとしてめっきを行って、導体パターンを形
成する工程、(C):導体パターンを被覆する保護樹脂
層を形成する工程、(D):基板を除去する工程、
(E):コンタクトホールを有する層間絶縁層を、保護
樹脂層の基板と接していた面に形成する工程、(F):
層間絶縁層上にレジストパターンを形成する工程、
(G):(F)で形成したレジストパターンをマスクと
してめっきを行うことにより、導体パターンを形成する
と共に、層間絶縁層を挟んで存在する2つの導体パター
ン間を、(E)で形成したコンタクトホールを介して電
気的に接続する工程を有する電子デバイスの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板やインダ
クタ素子等の各種電子デバイスを製造する方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】平面コイルは、絶縁基板上に導体線条を
スパイラル状に形成したものであり、デジタルオーディ
オディスクの二軸アクチュエータや平面ディスプレイ
(液晶ディスプレイ等)などの電源用または信号用とし
て広く用いられている。
【0003】平面コイルとしては、幅が細くかつ厚い、
いわゆるハイアスペクト導体線条が狭い間隔で配列した
ものが要求されるようになってきている。導体線条をハ
イアスペクトパターンとすることにより、直流抵抗が小
さくなる。本出願人は、細幅で厚い、断面マッシュルー
ム状のハイアスペクト導体線条を有する平面コイルおよ
びその製造方法を、特開平11−204337号および
特開平11−204361号公報で提案している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】電子機器の小型化に伴
い、平面コイルは薄型のインダクティブデバイスとして
ますます需要が増大し、また、さらなる薄型化が要求さ
れるようになってきている。平面コイルを薄型化するた
めには、導体線条を薄くするか絶縁基板を薄くすればよ
い。しかし、導体線条を薄くした場合、直流抵抗が増え
るため好ましくない。一方、製造工程における絶縁基板
の取り扱いを考慮すると、絶縁基板を極端に薄くするこ
とも好ましくなく、例えば上記特開平11−20436
1号公報に示されるように、通常、厚さ100μm以上
の絶縁基板を用いる必要がある。
【0005】なお、電子デバイスの薄型化は、平面コイ
ル以外でも要求されている。
【0006】本発明の目的は、平面コイル等の電子デバ
イスにおいて、性能を落とさず、かつ、製造工程におけ
る取り扱いを難しくすることなく、薄型化を実現するこ
とである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記(1)
〜(3)の本発明によって達成される。 (1) 工程(A):基板の少なくとも一方の面にレジストパタ
ーンを形成する工程、 工程(B):レジストパターンをマスクとしてめっきを
行って、導体パターンを形成する工程、 工程(C):導体パターンを被覆する保護樹脂層を形成
する工程、 工程(D):基板を除去する工程、 工程(E):コンタクトホールを有する層間絶縁層を、
保護樹脂層の基板と接していた面に形成する工程、 工程(F):層間絶縁層上にレジストパターンを形成す
る工程、 工程(G):工程(F)で形成したレジストパターンを
マスクとしてめっきを行うことにより、導体パターンを
形成すると共に、層間絶縁層を挟んで存在する2つの導
体パターン間を、工程(E)で形成したコンタクトホー
ルを介して電気的に接続する工程を有する電子デバイス
の製造方法。 (2) 前記工程(D)において溶解または剥離により
前記基板を除去する上記(1)の電子デバイスの製造方
法。 (3) 前記工程(G)の後に、工程(E)〜工程
(G)を繰り返すことにより、3層以上の導体パターン
を積層する上記(1)または(2)の電子デバイスの製
造方法。
【0008】
【作用および効果】本発明では、基板上に導体パターン
を設けた後、この導体パターンを残して基板を除去し、
この導体パターン上に2層目以降の導体パターンを積層
して、平面コイルや多層配線基板等の電子デバイスを得
る。そのため、電子デバイスの厚さが基板厚さに依存し
ない。
【0009】したがって、例えば平面コイルでは、全厚
を薄くしても導体線条の占積率を十分に大きくすること
ができ、高性能化と薄型化とを同時に達成できる。しか
も、最初に導体パターンを設ける基板には十分に厚く剛
性の高いものを利用できるため、製造工程における取り
扱いが容易となる。
【0010】また、従来用いていたガラスエポキシ基板
や銅張り積層板に比べ、安価なAl板やステンレス板を
基板として利用でき、特に、ステンレス板は、導体パタ
ーンから容易に剥離できるので、基板の再利用が可能で
ある。そのため、製造コストを著しく低減できる。
【0011】また、本発明では、層間絶縁層に設けたコ
ンタクトホールによって多層配線間の導通を確保するの
で、基板にスルーホールを形成する必要がなくなり、製
造コストが低くなる。また、ガラスエポキシ基板等の従
来の絶縁基板にスルーホールを穿孔する場合、スミア等
の発生により導通不良を生じたりして十分な信頼性が得
られないことがあるが、本発明では上記コンタクトホー
ルを利用するため、信頼性も向上する。また、層間絶縁
層に設けるコンタクトホールは、通常の絶縁基板に設け
るスルーホールに比べ直径が小さくて済むため、電子部
品の平面寸法を小さくすることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法を、平面
コイルの製造に適用する場合を例に挙げて説明する。本
発明の製造方法における工程の流れを、図1に示す。
【0013】図1に示される方法は、 工程(A):基板2の一方の表面にレジストパターン3
1を形成する工程、 工程(B):レジストパターン31をマスクとしてめっ
きを行って、コイル導体線条41からなる導体パターン
を形成する工程、 工程(C):コイル導体線条41を被覆する保護樹脂層
6を形成する工程、 工程(D):基板2を除去する工程、 工程(E):コンタクトホール7Aを有する層間絶縁層
71を、保護樹脂層6の基板2と接していた面に形成す
る工程、 工程(F):層間絶縁層71上にレジストパターン32
を形成する工程、 工程(G):工程(F)で形成したレジストパターン3
2をマスクとしてめっきを行うことにより、コイル導体
線条42からなる導体パターンを形成すると共に、層間
絶縁層71を挟んで存在する2つのコイル導体線条4
1、42間を、工程(E)で形成したコンタクトホール
7Aを介して電気的に接続する工程を有する。なお、図
1では、工程(B)を(B1)および(B2)の2工程
に分離し、また、工程(G)を(G1)、(G2)およ
び(G3)の3工程に分離して示してある。
【0014】本発明で用いる基板2は、工程(D)にお
いて容易に除去できるものを選択する。工程(B)にお
いて電気めっき法を利用してコイル導体線条41を形成
する場合、基板2を導電性材料から構成するか、基板2
の少なくともコイル導体線条41形成面に、下地導体層
を設ける必要がある。下地導体層は、無電解めっき、ス
パッタ、蒸着、イオンプレーティング等のいずれの方法
により形成してもよい。また、下地導体層を有する基板
2として、市販の銅張り積層板を用いることもできる。
【0015】基板2は、工程(D)において、コイル導
体線条41を残した状態で選択的に除去する必要があ
る。そのため、選択的に除去可能な材料からなる基板、
または選択的に除去可能な構造を有する基板を用いる。
例えば、基板としてAl板を用いれば、リン酸溶液など
のエッチング液を用いて溶解除去できる。また、基板と
してステンレス板を用いた場合、ステンレスは保護樹脂
層6およびコイル導体線条41に対する接着性が低いの
で、これらから機械的手段により容易に剥離できる。ま
た、樹脂やセラミックからなる絶縁基板の表面に無電解
めっき法により下地導体層を設けた基板では、絶縁基板
の表面粗さを制御することにより下地導体層の接着強度
を制御できるので、工程(D)において、下地導体層を
コイル導体線条41側に残し、基板2だけを剥離するこ
とが可能である。その場合、下地導体層のピーリング強
度は、0.1〜0.5N/mm程度であることが好ましい。
【0016】工程(A)におけるレジストパターン31
の形成、工程(B)におけるコイル導体線条41の形成
は、従来の平面コイルの製造方法、例えば前記特開平1
1−204361号公報に記載されている方法、と同様
にして行えばよい。図示例では、まず、工程(A)にお
いてポジ型フォトレジストをパターニングしてレジスト
パターン31を形成し、工程(B1)において電気めっ
きによりコイル導体線条41を形成し、続いて、工程
(B2)においてレジスト剥離液によりレジストパター
ン31を除去している。なお、工程(B2)におけるレ
ジストパターン31の剥離は必須ではなく、レジストパ
ターン31を残したままにしておいてもよい。
【0017】なお、絶縁基板表面に下地導体層を設けた
基板を用いる場合、隣り合うコイル導体線条間に露出し
た下地導体層を選択的にエッチングする必要がある。そ
の場合、コイル導体線条をエッチング液から保護するた
めに、必要に応じてコイル導体線条の露出面を保護層で
被覆する。この保護層は、工程(G2)においてコイル
導体線条42を被覆する保護層52と同様にして設けれ
ばよい。
【0018】工程(C)においてコイル導体線条41を
被覆するように形成される保護樹脂層6は、平面コイル
の剛性維持を担う。すなわち、従来の平面コイルにおけ
る基板と同様に機能する。また、コイル導体線条41
を、外部からの水および有害イオン(Cl-、Na+等)
から守る働きも示す。保護樹脂層6の厚さは、必要とさ
れる剛性に応じ、また、コイル導体線条を外部環境から
十分に保護できるように、コイル導体線条41の厚さを
考慮して適宜決定すればよい。具体的には、コイル導体
線条41の頂部と保護樹脂層6の表面との距離が5〜1
00μmであることが好ましい。この距離が小さすぎる
と、剛性が低くなるほか、コイル導体線条41を保護す
る効果が不十分となる。一方、この距離が大きすぎる
と、デバイスの全厚を薄くすることができなくなり、本
発明の効果が損なわれる。なお、コイル導体線条41の
高さは、通常、10〜300μm程度である。
【0019】保護樹脂層6は、機械的強度が高く化学的
に安定であることから、熱硬化性樹脂から構成すること
が好ましい。保護樹脂層6は、例えばスクリーン印刷
法、カーテンコート法、ディップコート法、スピンコー
ト法、スプレーコート法、エアロコート法、電着法等の
各種塗布法により形成することができる。
【0020】なお、工程(C)において、保護樹脂層6
に、平面コイルの外部接続端子を設けるためのコンタク
トホールを形成してもよい。このコンタクトホールは、
例えばスクリーン印刷法を用いて設けることができる。
また、感光性樹脂から保護樹脂層6を構成し、フォトリ
ソグラフィープロセスを用いてコンタクトホールを設け
ることもできる。
【0021】工程(D)では、前述したように、基板2
の構成材料や構造などに応じた適切な方法で基板2を除
去し、保護樹脂層6内に埋め込まれたコイル導体線条4
1の一方の面(基板2に接していた面)が、保護樹脂層
6の端面に露出した状態とする。
【0022】工程(E)では、基板2に接していた保護
樹脂層6の表面に、コンタクトホール7Aを有する層間
絶縁層71を形成する。層間絶縁層71は樹脂から構成
すればよい。用いる樹脂は特に限定されないが、フォト
リソグラフィーを用いて小径のコンタクトホールが形成
可能であることから、感光性樹脂を用いることが好まし
い。ただし、スクリーン印刷法を利用して、層間絶縁層
71とコンタクトホール7Aとを同時に形成してもよ
い。層間絶縁層71の厚さは特に限定されず、この層を
挟んで相対する2つのコイル導体線条41、42間を十
分に絶縁できる程度に設定すればよいが、通常、5〜1
00μm程度とすればよい。コンタクトホールの直径
は、2つのコイル導体線条の導電路に必要とされる断面
積に応じて適宜決定すればよいが、通常、10〜200
μm、好ましくは30〜100μm程度である。
【0023】工程(F)では、層間絶縁層71上にレジ
ストパターン32を形成する。レジストパターン32の
形成は、前述したレジストパターン31と同様に、従来
の平面コイル製造の場合と同様にして行えばよい。
【0024】図示例では、工程(G1)において、工程
(B1)と同様に電気めっき法によりコイル導体線条4
2を形成しているため、レジストパターン32を形成す
る前に、下地導体層8を層間絶縁層71上に形成してい
る。下地導体層8を無電解めっき法により形成する場合
には、下地導体層8の密着性向上のために、下地導体層
8形成前に層間絶縁層71の表面を粗面化しておくこと
が好ましい。粗面化の方法は特に限定されないが、例え
ば、スルーホールめっき法において一般的に実施されて
いるデスミア処理と同様な処理によって粗面化を行うこ
とができる。ガラスエポキシ基板等にスルーホールをド
リル加工により形成した場合、ドリル加工時の切削熱に
より樹脂が融解し、その後、固化する。この固化した樹
脂はスミアと呼ばれる。このスミアが、スルーホール内
壁面に露出した内部導体層端面に付着した場合、スルー
ホール内に形成されるめっき層と内部導体層との電気的
接続の障害となる。そのため、必要に応じ、スミアを除
去する必要がある。スミアを除去する処理がデスミア処
理である。このデスミア処理には、例えば過マンガン酸
カリウムを含有する処理液が用いられる。なお、コイル
導体線条42を無電解めっき法により形成する場合に
は、下地導体層8を設ける必要はない。また、その場
合、レジストパターン形成前に触媒処理を施しておく。
【0025】工程(G2)では、保護層52でコイル導
体線条42を被覆した後、隣り合うコイル導体線条42
間に露出しているレジストパターン32を、フォトリソ
グラフィー法により除去する。次いで工程(G3)にお
いて、コイル導体線条42間に露出している下地導体層
8をイオンミリングや湿式エッチングにより除去する。
なお、保護層52は、下地導体層8をエッチングする際
にコイル導体線条42を保護するために設けられる金属
層であり、通常、ニッケル、クロム、はんだ合金、金、
銀、白金などから構成すればよく、また、電気めっきま
たは無電解めっきにより形成すればよいが、設けること
は必須ではない。
【0026】本発明では、一見、従来の製造方法に比べ
工数が大幅に増加するように思える。しかし実際には、
工程(B1)におけるコイル導体線条41の形成および
工程(G1)におけるコイル導体線条42形成の際に、
バッチ処理能力が倍増するので、工数の増加は少ない。
従来の平面コイルでは、電気めっき浴に基板を浸漬して
基板両面に同時にコイル導体線条を形成するが、本発明
では、図1の(A)または(F)に示される構造体を2
つ用意し、これらをレジストパターン31またはレジス
トパターン32が表面側となるように束ねてめっき浴に
浸漬し、電気めっきを行う。したがって本発明では、工
程(B1)および工程(G1)での電気めっきにおける
バッチ処理能力が倍増するので、生産性の低下は小さ
い。
【0027】以上の説明では、工程(A)および工程
(B1)において、基板2の一方の面だけにレジストパ
ターン31およびコイル導体線条41を形成する方法に
ついて説明したが、これらの工程において、基板2の両
面にレジストパターン31およびコイル導体線条41を
形成することもできる。この場合、工程(D)における
基板2の除去には、機械的手段による剥離を利用するこ
とが好ましい。
【0028】なお、コイル導体線条42の線間ショート
の防止、腐食防止等のために、コイル導体線条42を樹
脂層で被覆することが好ましい。この樹脂層は、工程
(C)で形成する保護樹脂層6と同様に、コイル導体線
条全体を被覆するものであることが好ましい。この樹脂
層には、熱硬化性樹脂や感光性樹脂などを用いればよ
い。
【0029】以上では、コイル導体線条を2層積層した
構造の平面コイルについて説明したが、コイル導体線条
をさらに積層することもできる。その場合、工程(E)
〜工程(G)を繰り返せばよい。ただし、その場合の工
程(E)では、図1に工程(E′)として示すように、
コイル導体線条42を覆うように層間絶縁層72を設け
ることが好ましい。
【0030】また、以上では、導体パターンを電気めっ
き法により形成する場合を例に挙げて説明したが、導体
パターンを無電解めっき法により形成する場合でも、本
発明の効果は同様に実現する。
【0031】また、以上では平面コイルを例に挙げて説
明したが、導体パターンを積層する必要のある各種の積
層型電子デバイス、例えば、コモンモードチョークコイ
ル、トランス、多層配線基板などのいずれにも本発明が
適用できることは、いうまでもない。
【0032】
【実施例】実施例1 工程(A) 直径3インチ、厚さ0.3mmのAl板を基板2として用
い、その一方の面にフォトレジスト(東京応化工業社製
のポジ型レジストPMER-P LA900)を乾燥膜厚が5μmと
なるようにスピンコートし、露光および現像を行って、
ライン幅90μm、スペース幅20μmのレジストパター
ン31を形成した。このレジストパターン31は、除去
した部分が円形スパイラル状であり、その最内周の半径
は0.9mm、巻数は11.5回であった。
【0033】工程(B) 次いで、高速硫酸銅めっき液(硫酸銅110g/l、硫酸
180g/l)を用い、小孔を有するパイプをカソード近
傍に配置し、前記小孔からめっき液を50mm/秒の割合
で噴出させながら、電流密度8A/dm2の条件下で電気め
っきを行い、断面マッシュルーム状のコイル導体線条4
1を形成した。コイル導体線条41の厚さは100μ
m、隣り合う線条間の距離は10μmであった。次いで、
レジストパターン31をレジスト剥離液(東京応化工業
社製の剥離液104)により除去した。
【0034】工程(C) 工程(B)で得た構造体を十分に乾燥させたのち、東芝
ケミカル社製の絶縁ワニスTVB2024を塗布することによ
り保護樹脂層6を形成した。保護樹脂層6の表面とコイ
ル導体線条41の頂面(保護層51の頂面)との距離
は、10μmであった。
【0035】工程(D) 工程(C)で得た構造体をリン酸溶液中に浸漬すること
により、基板2を溶解除去した。
【0036】工程(E) 工程(D)で得た構造体の基板2に接していた面に、乾
燥後の膜厚が20μmとなるように感光性絶縁樹脂(チ
バ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のプロビマー)を
スピンコートにより塗布した後、フォトリソグラフィー
法を用いて所定の位置にコンタクトホール7Aを形成
し、層間絶縁層71とした。次いで、この層間絶縁層7
1の表面を、過マンガン酸カリウムを含有する処理液を
用いて粗面化した。
【0037】工程(F) 無電解銅めっき液(奥野製薬社製、商品名「ビルドカッ
パー」)を用いて厚さ1μmの銅層を形成し、下地導体
層8とした。このとき、工程(E)で設けたコンタクト
ホール7A内にも銅層を形成した。次に、上記工程
(A)と同様にしてレジストパターン32を形成した。
【0038】工程(G) 工程(B)と同様にして、レジストパターン32上にコ
イル導体線条42を形成し、これをNiからなる膜厚2
μmの保護層52で被覆した。保護層52は、NiSO4
・7H2O 280g/L、NiCl2・6H2O 45g/Lお
よびH3BO340g/Lを含む光沢ワット浴を用いて、電
気めっき法により形成した。次いで、保護層52で被覆
したコイル導体線条42をマスクとして紫外線の全面照
射を行い、レジストパターンのうち隣り合う線条間に露
出している領域だけを露光した後、現像液(東京応化工
業社製のP−7G)により露光部分を溶解除去した。そ
の後、下地導体層8のうち線条間に露出した領域だけを
アルカリエッチング液(メルテックス社製のエープロセ
ス)でエッチングして除去し、平面コイルサンプルを得
た。
【0039】この平面コイルサンプルの全厚は233μ
mであった。また、このようにして得た平面コイルを、
ポリエステルフィルムを介して2枚重ね、さらに全体を
ERI型NiZnフェライトコアにはさみ込んで、平面
トランスを作製した。このトランスの厚さは1.2mmで
あった。
【0040】実施例2 基板2として厚さ0.3mmのステンレス板を用いたほか
は上記と同様にして平面コイルサンプルを作製した。そ
の際、基板2は手で容易に剥離でき、得られたサンプル
の特性は、実施例1で作製したサンプルと同じであっ
た。
【0041】比較例1 厚さ100μmのガラスエポキシ基板の両面にコイル導
体線条を有する従来の平面コイルサンプルを作製した。
このサンプルは、コイル導体線条の厚さを100μmと
したほかは前記特開平11−204361公報の実施例
1と同様にして製造した。
【0042】このサンプルでは、コイル導体線条が厚さ
2μmの保護層で被覆され、また、コイル導体線条と基
板との間に厚さ1μmの無電解めっき層が存在するの
で、全厚は306μmとなる。
【0043】比較例1のサンプルと実施例1のサンプル
との比較から、本発明により平面コイルを薄型化できる
ことがわかる。なお、これら両サンプルの電気的特性
は、3%以内の誤差で一致した。
【0044】実施例3 コイル導体線条41、42の厚さを70μmとしたほか
は実施例1と同様にして平面コイルを作製した。この平
面コイルのスパイラルパターン中央部を穿孔し、外形寸
法3.5mm×4.5mm×0.8mmのNiZn系EI型フ
ェライトコアで挟んでパワーコイルとした。このパワー
コイルは、インダクタンスが10μH、直流抵抗が0.
3Ω、インダクタンスが10%低下する電流値が700
mAであり、前記特開平11−204361公報の実施例
5で作製したパワーコイルと同等の特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法における工程の流れを示す断
面図である。
【符号の説明】
2 基板 31、32 レジストパターン 41、42 コイル導体線条 52 保護層 6 保護樹脂層 71、72 層間絶縁層 8 下地導体層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】工程(A):基板の少なくとも一方の面に
    レジストパターンを形成する工程、 工程(B):レジストパターンをマスクとしてめっきを
    行って、導体パターンを形成する工程、 工程(C):導体パターンを被覆する保護樹脂層を形成
    する工程、 工程(D):基板を除去する工程、 工程(E):コンタクトホールを有する層間絶縁層を、
    保護樹脂層の基板と接していた面に形成する工程、 工程(F):層間絶縁層上にレジストパターンを形成す
    る工程、 工程(G):工程(F)で形成したレジストパターンを
    マスクとしてめっきを行うことにより、導体パターンを
    形成すると共に、層間絶縁層を挟んで存在する2つの導
    体パターン間を、工程(E)で形成したコンタクトホー
    ルを介して電気的に接続する工程 を有する電子デバイスの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記工程(D)において溶解または剥離
    により前記基板を除去する請求項1の電子デバイスの製
    造方法。
  3. 【請求項3】 前記工程(G)の後に、工程(E)〜工
    程(G)を繰り返すことにより、3層以上の導体パター
    ンを積層する請求項1または2の電子デバイスの製造方
    法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296952A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Tdk Corp 電子部品及びその外層形成方法
CN1306333C (zh) * 2001-10-19 2007-03-21 三星电子株式会社 显示基板及具有该基板的液晶显示器
JP2009117546A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 平面コイル及びその製造方法
CN111837209A (zh) * 2018-03-09 2020-10-27 日东电工株式会社 布线基板的制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1306333C (zh) * 2001-10-19 2007-03-21 三星电子株式会社 显示基板及具有该基板的液晶显示器
JP2004296952A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Tdk Corp 電子部品及びその外層形成方法
JP2009117546A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 平面コイル及びその製造方法
CN111837209A (zh) * 2018-03-09 2020-10-27 日东电工株式会社 布线基板的制造方法
CN111837209B (zh) * 2018-03-09 2023-04-18 日东电工株式会社 布线基板的制造方法

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