JP2009253196A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板上に高融点金属ペーストを塗布して焼成し、高融点金属からなる配線パターンを形成する工程、該高融点金属からなる配線パターン上に、銅粒子を備えて構成される銅ペーストを塗布し、銅の融点以下で焼成して、銅ペーストを焼き付けて銅配線パターンを形成する工程、を備えた配線基板の製造方法であって、銅ペーストを、銅粒子全体の質量を100質量%として、平均粒子径100〜800nmの銅微粒子および/または銅酸化物微粒子を30〜65質量%含むものとする。
【選択図】図1
Description
<銅配線パターンを有する配線基板の製造方法>
本発明の銅配線パターンを有する配線基板の製造方法は、窒化アルミニウム焼結体基板上に、高融点金属からなる配線パターンを形成する工程、該配線パターン上に所定の銅微粒子等を含有する銅ペーストを塗布して、銅配線パターンを形成する工程、を備えて構成される。この方法により得られる配線基板の模式図を図1に示した。以下、各工程について説明する。
窒化アルミニウム焼結体基板10は、所定形状の窒化アルミニウムグリーンシートを焼成して得られるもので、材質等において特に限定されるものではない。また、窒化アルミニウムグリーンシートには、通常用いられる焼結助剤等を添加してもよい。また、窒化アルミニウム焼結体の表面は、必要に応じて研磨して、表面を平滑にしてもよい。
次に、上記方法により形成した高融点金属からなる配線パターン20の上に、銅ペーストを塗布し、焼成して銅配線パターン30を形成する。高融点金属からなる配線パターン20は、多孔質な構造となっているので、表面に塗布された銅ペーストは、高融点金属からなる配線パターン20にある程度含浸する。このため、アンカー効果が働き、銅配線パターン30の接合強度が大きくなると考えられる。銅ペーストの塗布は、前記高融点金属ペーストの場合と同様に、精密配線を形成する観点から、印刷により行うことが好ましい。本発明のように、窒化アルミニウム焼結体基板10に高融点金属ペーストを塗布・焼成することで高融点金属からなる配線パターン20を形成すると、基板の変形が少ないため、その後の銅ペーストの塗布も容易となり、塗布した銅ペーストを精細なパターンとすることができる。一方、セラミックスのグリーンシートと高融点金属ペーストを同時焼成で形成した金属配線パターンでは、セラミックスの収縮によって基板が変形し、銅ペーストを精細なパターンとして重ね塗りすることが難しくなる。
上記した方法により製造される窒化アルミニウム焼結体基板10、その上の高融点金属配線パターン20、その上の銅配線パターン30を備えて構成される配線基板は、銅の融点以下の温度で焼成して銅配線パターン30を形成することができるため、配線間の距離が10μm以上200μm以下である精密配線パターンを備えたものとすることができる。
平均粒径1.5μmの窒化アルミニウム粉末および焼結助剤として酸化イットリウムを使用した窒化アルミニウム焼結体基板を用意した。次に、平均粒子径2.1μmのタングステン100質量部、平均粒径1.5μmの窒化アルミニウム粉末4質量部、エチルセルロース2質量部、テルピネオール13質量部、分散剤1質量部を混練し、25℃における粘度80Pa・sに調整した高融点金属ペーストを作製した。その後、この高融点金属ペーストを用いてスクリーン印刷法にて、前記窒化アルミニウム焼結体基板表面に、□2mmのパターンをパターン間50μmで形成し、100℃で5分乾燥を行った。乾燥後の膜厚は13μmであった。
実施例1と同様に高融点金属からなる配線パターンを有するセラミックス焼結体基板を作製した。この後、Ni−Bメッキを行い(Ni−Bメッキ層の厚みを1μmとした)、その上に、実施例1と同様に銅ペーストを焼成した。焼成後の色調は少し白い赤茶色であった。さらに、前記方法により形成した銅配線パターン上に、実施例1と同様の方法により、メッキ層を形成した。
実施例1と同様に高融点金属からなる配線パターンを有するセラミックス焼結体基板を作製した(高融点金属からなる配線パターンの膜厚 10μm)。
平均粒子径4.5μmの銅粒子65質量部(全銅粒子中 65質量%)、および、平均粒子径350nmの銅微粒子35質量部(全銅粒子中 35質量%)、エチルセルロース3質量部、分散剤1質量部、さらに得られる銅ペーストの25℃における粘度が30Pa・sとなるようにテルピオーネを加え、混練した。その後、前記セラミックス焼結体基板表面に形成された高融点金属からなる配線パターン上に、得られた25℃における粘度が30Pa・sである銅ペーストを重ね塗りし、乾燥後、実施例1と同様に焼成した。焼成後の配線パターン(高融点金属+銅)の膜厚は25μmであり、焼成後の色調は赤茶色であった。さらに、前記方法により形成した銅配線パターン上に、実施例1と同様の方法により、メッキ層を形成した。
実施例1と同様に高融点金属からなる配線パターンを有するセラミックス焼結体基板を作製した(高融点金属からなる配線パターンの膜厚 10μm)。
平均粒径4.5μmの銅粒子100質量部、エチルセルロース3質量部、分散剤1質量部、さらに得られる銅ペーストの25℃における粘度が30Pa・sとなるようにテルピオーネを加え、混練した。その後、前記セラミックス焼結体基板表面に形成された高融点金属からなる配線パターン上に、前記銅ペーストを重ね塗りし、100℃で5分乾燥を行った。銅ペーストの乾燥後の膜厚は20μmであった。次いで、窒素雰囲気中、1300℃で5分間、銅ペーストを焼成した。焼成後の配線パターン(高融点金属+銅)の膜厚は25μmであり、焼成後の色調は赤茶色であった。さらに、前記方法により形成した銅配線パターン上に、実施例1と同様の方法により、メッキ層を形成した。
実施例1と同様に高融点金属からなる配線パターンを有するセラミックス焼結体基板を作製した(高融点金属からなる配線パターンの膜厚 10μm)。
平均粒子径4.5μmの銅粒子80質量部および平均粒子径350nmの銅微粒子20質量部、エチルセルロース3質量部、分散剤1質量部、さらに得られる銅ペーストの25℃における粘度が30Pa・sとなるようにテルピオーネを加え、混練した。その後、前記セラミックス焼結体基板表面に形成された高融点金属からなる配線パターン上に、得られた25℃における粘度が30Pa・sである銅ペーストを重ね塗りし、乾燥後、実施例1と同様に焼成した。焼成後の配線パターン(高融点金属+銅)の膜厚は25μmであり、焼成後の色調は赤茶色であった。さらに、前記方法により形成した銅配線パターン上に、実施例1と同様の方法により、メッキ層を形成した。
実施例1と同様に高融点金属からなる配線パターンを有するセラミックス焼結体基板を作製した(高融点金属からなる配線パターンの膜厚 10μm)。
平均粒子径4.5μmの銅の銅粒子20質量部および平均粒子径350nmの銅微粒子80質量部、エチルセルロース3質量部、分散剤1質量部、さらに得られる銅ペーストの25℃における粘度が30Pa・sとなるようにテルピオーネを加え、混練した。その後、前記セラミックス焼結体基板表面に形成された高融点金属からなる配線パターン上に、得られた25℃における粘度が30Pa・sである銅ペーストを重ね塗りし、乾燥後、実施例1と同様に焼成した。焼成後の配線パターン(高融点金属+銅)の膜厚は22μmで、焼成後の色調は赤茶色であった。さらに、前記方法により形成した銅配線パターン上に、実施例1と同様の方法により、メッキ層を形成した。
20 高融点金属からなる配線パターン
30 銅配線パターン
Claims (6)
- 窒化アルミニウム焼結体基板上に、実質的にガラス成分を含まない高融点金属ペーストを塗布して焼成し、高融点金属からなる配線パターンを形成する工程、
該高融点金属からなる配線パターン上に、銅ペーストを塗布して焼成し、銅配線パターンを形成する工程、を含む配線基板の製造方法であって、
前記銅ペーストが、銅粒子全体の質量を100質量%として、平均粒子径100nm以上800nm以下の銅微粒子および/または銅酸化物微粒子を30質量%以上65質量%以下、平均粒子径3μm以上8μm以下の銅粒子および/または銅酸化物粒子を35質量%以上70質量%以下含むものである、配線基板の製造方法。 - 前記銅配線パターンを形成する工程における前記焼成が、銅の融点以下の温度で行われる、請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記高融点金属からなる配線パターンの厚みを1μm以上20μm以下とし、前記高融点金属からなる配線パターンの表面粗さをRaで0.6μm以上とする、請求項1または2に記載の配線基板の製造方法。
- 前記銅ペーストが実質的にガラス成分を含まない、請求項1〜3のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
- 前記銅配線パターン上に、メッキ層を形成する工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
- 前記高融点金属からなる配線パターンを形成する工程と、前記銅配線パターンを形成する工程との間に、ニッケルからなる金属層を形成する工程をさらに含み、前記高融点金属からなる配線パターンと前記銅配線パターンとの間にニッケルからなる金属層を形成する、請求項1〜5のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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ID=41313572
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