JP4081865B2 - 導体組成物の製造方法 - Google Patents
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Description
【技術分野】
本発明は,半田付けの耐久接着強度に優れた導体膜を形成できる低温銅導体ペースト,並びに導体組成物及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来技術】
低温Cu導体は,Ag導体よりも半田食われ性及びマイグレーション性が少なく,また導体抵抗値も小さいため,回路基板に形成する導体膜の材料として頻繁に用いられている。
低温Cu導体を用いる導体膜の形成方法としては,従来,金属粉末としてのCu粉末に,酸化物,ガラス粉末及びビヒクルを加えペースト状にし,これを基板に印刷し焼成して導体膜を形成するという方法がある。
【0003】
【解決しようとする課題】
しかしながら,上記従来の低温Cu導体からなる導体膜は,非常にポーラスで,冷熱サイクルを繰り返すという耐久試験を行うと,半田付け強度が低くなるという問題がある。即ち,低温Cu導体を印刷した基板はCuの融点(1085℃)よりかなり低い温度で焼成するため,導体膜が緻密化せず,ポーラスな膜質となる。そのため,導体膜に半田付けし,耐久試験を行うと,導体膜と半田との間で,半田の成分であるSnの拡散が進行しやすい。半田におけるSnが抜け出た部分には,半田の他の成分であるPbのリッチ層が多く生成する。Pbリッチ層は脆いため,耐久試験によって,導体膜と半田との間にクラックが発生し接着強度が劣化する。
【0004】
このように,Cuの融点は1085℃と高いため,この約半分程度の温度で焼成される低温Cu導体は,その構成がCu粉及び低軟化点ガラスのみでは,Cuの粒子同士のネッキング(所謂,焼結緻密化)を生じさせるには限界がある。
【0005】
一方,これを回避するために,低温銅導体ペーストにCu−Ag合金粉末を添加し,酸化物,ガラス粉末及びビヒクルを加えペースト状とすることにより,低融点化し,導体膜の緻密性を高めることが考えられる。しかし,Agは半田との拡散が非常に進行しやすく,耐久試験後の導体膜との半田付け強度は低い。また,配線間のマイグレーション性が悪化するという問題がある。
【0006】
本発明はかかる従来の問題点に鑑み,半田食われ性及びマイグレーション性が少なく,かつ導体抵抗値が小さいという,Cu導体本来の特性を保持しつつ,冷熱サイクル試験による半田付け強度の劣化を防止できる導体膜を形成し得る低温銅導体ペースト,並びに導体組成物及びその製造方法を提供しようとするものである。
【0007】
【課題の解決手段】
Cuと,Cu以外の添加金属1種以上とからなる金属成分を含有する低温銅導体ペーストにおいて,
上記添加金属は,上記金属成分の融点をCuの融点よりも低い融点にする金属であり,上記低温銅導体ペーストの中における上記添加金属の含有量は,1〜35重量%であることを特徴とする低温銅導体ペーストという発明がある。
【0008】
本発明において最も注目すべきことは,低温銅導体ペーストは,Cuの他に,金属成分の融点をCuの融点よりも低い融点にする添加金属を所定量含有することである。
【0009】
次に,本発明の作用及び効果について説明する。
本発明の低温銅導体ペーストは,Cuに添加金属が添加されているため,Cuと添加金属との共融点が885℃程度と約200℃低下する。このため,Cuの粒子同士のネッキングを促進させることができる。
【0010】
これにより,低温銅導体ペーストに含まれる金属成分は,従来の低温銅導体ペーストよりも低い温度である500〜700℃にて焼結し,ポアの少ない緻密な導体膜を形成する。それゆえ,かかる導体膜上に半田付けをし,冷熱サイクル試験をした場合には,緻密な導体膜と半田との間では,半田の成分であるSnの拡散は生じにくく,半田成分の他の成分であるPbのリッチ層が形成されにくくなる。
従って,本発明の低温銅導体ペーストを用いて形成した導体膜は,半田付け強度が高い。また,冷熱サイクルを行っても,半田付け強度の劣化は少ない。
【0011】
また,本発明の低温銅導体ペーストは,半田食われ性及びマイグレーション性が少なく,かつ導体抵抗値が小さいという,Cu導体本来の特性を保持することができる。
よって,本発明の低温銅導体ペーストは,回路基板の良好な導体膜材料である。
【0012】
次に,本発明の詳細について説明する。
本発明の低温銅導体ペーストは,Cuと,上記添加金属とからなる金属成分をペースト状にしたものである。添加金属の含有量は,低温銅導体ペーストの中,1〜35重量%である。これにより,金属成分は,Cuの融点よりも低い温度の融点をもつことになり,従来の低温銅導体ペーストよりも低い温度で焼結することができる。
一方,1重量%未満の場合には,金属成分の融点を低下させることが困難となる。また,35重量%を超える場合には,低温銅導体ペーストより形成した導体膜が,Cu導体本来の特性を保持することが困難となる
【0013】
また,Cu(100重量%)に対する添加金属の含有比は,重量比で,0.8〜30重量%とすることが好ましい。これにより,低温銅導体ペーストの焼結温度を500〜700℃と低くすることができる。一方,0.8重量%未満の場合には,金属成分の融点を低くすることが困難となる場合がある。また,30重量%を超える場合には,半田食われ性及びマイグレーション性が少なく,かつ導体抵抗値が小さいという銅自身が持つ特性が損なわれるおそれがある。
【0014】
上記添加金属は,Ti,Mn,Geのいずれか1種以上からなることが好ましい。これにより,500〜700℃の低温焼成でも,ポアの少ない緻密な導体膜を得ることができる。
また,添加金属がTiの場合に,低温銅導体ペースト中における含有量は3〜10重量%であることが好ましい。3重量%未満の場合には,低温銅導体ペーストに含まれる金属成分の融点を低下させることが困難となる。また,10重量%を超える場合には,低温銅導体ペーストより形成した導体膜が,Cu導体本来の特性を保持することが困難となる。
【0015】
添加金属がMnの場合にはMnの低温銅導体ペースト中の含有量は1〜5重量%が好ましく,Geの場合にはGeの低温銅導体ペースト中の含有量は1〜5重量%であることが好ましい。いずれも上記Tiと同様の理由による。
【0016】
上記添加金属は,粉径0.1〜10μmの粉末であることが好ましい。0.1μm未満の場合には,その粒子表面積が大きくなるため,ビヒクルを多く必要とし,これの脱バインダーが困難となり,ポーラスな膜質となる。また,印刷外観も損なわれるおそれがある。
また,10μmを超える場合には,粗粒となるため,焼結性が劣り,ポーラスな膜質となる。また,印刷外観も損なわれるおそれがある。
【0017】
低温銅導体ペーストには,また,主成分としてCuが含まれている。Cuの含有量は,低温銅導体ペースト中50〜90重量%であることが好ましい。これにより,半田食われ性及びマイグレーション性が少なく,かつ導体抵抗値が小さいという,Cu導体本来の特性を保持することができる。50重量%未満の場合には,上記Cu導体本来の特性を保持することができなくなるおそれがある。一方,90重量%を超える場合には,酸化物及びビヒクルが不足し,基板との密着不良及び印刷外観不良等の問題が生じるおそれがある。
【0018】
上記Cuは,粉径0.3〜10μmの粉末であることが好ましい。0.3μm未満の場合には,その粒子表面積が大きくなるため,ビヒクルを多く必要とし,これの脱バインダーが困難となり,ポーラスな膜質となる。また,印刷外観も損なわれるおそれがある。
また10μmを超える場合には,粗粒となるため,焼結性が劣り,ポーラスな膜質となる。また,印刷外観も損なわれるおそれがある。
【0019】
低温銅導体ペーストは,500〜700℃にて焼結し得る性質を有する。これにより,信頼性及びコストに優れるAg系抵抗体(RuO2系抵抗体等)を使用することができる。
500℃未満の場合には,導体膜が焼結せず,ポーラスな膜質となり,ひいては,はんだ付け強度の劣化のおそれがある。一方,700℃を超える場合には,Ag系の抵抗体の抵抗値変化が大きくなり,その信頼性が損なわれるという問題がある。
【0020】
なお,上記融点とは,結晶物質において,溶解がきわめて徐々に行なわれ固相と液相が平衡状態にあるとみなされる温度をいう。
また,焼結温度とは,粉体を融点低下又は部分的溶融して強固な結合体をつくる温度である。また,焼結は,単一及び混合粉体を加熱すると,液相をつくる温度より,かなり低い温度で固体反応によって固体粒子間の結合が進行する。更に,液相が一部でもできる温度に達すると,その結合反応の速度は一層大きくなる。
即ち,焼結を促進するためには,融点低下が必要であり,融点低下することにより,焼結温度を低くすることができる。
【0021】
また,上記低温銅導体ペーストを用いて形成される導体組成物としては,例えば,Cuと,Cu以外の添加金属1種以上とからなる金属成分を含有する導体組成物において,
上記添加金属は,上記金属成分の融点をCuの融点よりも低い融点にする金属であり,上記導体組成物における添加金属の含有量は0.8〜30重量%であることを特徴とする導体組成物がある。
【0022】
この導体組成物は,Cuの融点よりも低い融点を有するため,500〜700℃の比較的低い温度で焼結し,緻密体となる。そのため,かかる緻密構造を有する導体組成物の上に半田付けをした場合,冷熱サイクル試験後の半田付け強度の劣化が少ない。よって,上記導体組成物は半田接合部の導体膜材料として用いるに適している。
また,上記添加金属は,Ti,Mn,Geのいずれか1種以上からなることが好ましい。上記低温銅導体ペーストと同様の理由による。
その他,上記低温銅導体ペーストと同様である。
【0023】
上記導体組成物を製造する方法としては,請求項1記載のように,Cuと,Cu以外の添加金属1種以上とからなる金属成分,酸化物,及びビヒクルを混練して低温銅導体ペーストを準備する工程と,
該低温銅導体ペーストを500〜700℃にて焼成する工程とからなり,
上記添加金属は,Ti,Mn,Geのいずれか1種以上からなり,上記導体組成物の融点をCuの融点よりも低い融点にする金属1種であり,上記低温銅導体ペースト中の上記添加金属の含有量は1〜35重量%であることを特徴とする導体組成物の製造方法がある。
【0024】
これにより,Cu導体本来の上記特性を維持しつつ,焼結後に緻密な導体膜を形成することができる。また,その他Ag系抵抗体(RuO2系等)が使用できることより抵抗体の信頼性及びコストに優れるという効果も期待できる。
【0025】
上記のごとく,上記添加金属は,Ti,Mn,Geのいずれか1種以上からなる。
上記酸化物とは,金属酸化物及びガラスをいう。この酸化物は,基板との接着強度を確保するという役割を果たす。
上記酸化物としては,例えば,酸化銅,ホウケイ酸鉛ガラスなどを用いることができる。
【0026】
上記ビヒクルとしては,一般的に用いられているものを用いることができる。例えば,テルピネオール,ブチルカルビトール,エチルセルロース,アクリルなどがあるが,これらに限定されない。
添加金属の添加方法は,金属粉末として添加する方法,Cu粉末にめっきする方法,Cu粉末と予め合金化させる方法などがあるが,これらに限定されない。
【0027】
【発明の実施の形態】
実施形態例1
本発明の実施形態例に係る低温銅導体ペーストについて,図1,図2を用いて説明する。
(低温銅導体ペーストの調製)
Cu粉末及び金属Tiからなる金属成分と,酸化銅と,硼珪酸鉛系のガラスの酸化物とビヒクルを,Cu77重量%/Ti5重量%/酸化銅5重量%/ガラス5重量%/ビヒクル8重量%の割合で三本ロールミルにて混練し,低温銅導体ペーストを得た。
【0028】
金属成分であるCu粉末は,平均粉径1μmと2μmとの混合粉で球形である。金属Tiは,平均粉径2μmの球形粉末である。
酸化物である酸化銅は,粉径1〜2μmである。ガラスは平均粉径3μm,軟化点430℃である。ビヒクルとしては,テルピネオールにエチレンセルロース(粘度100cp)5%を溶かしたもの用いた。
【0029】
(導体膜の形成)
上記で得られた低温銅導体ペーストを96%アルミナ基板にスクリーン印刷をし,125℃にて10分間乾燥させ,窒素雰囲気中で600℃で60分間焼成して,導体膜を得た。
【0030】
なお,比較のために,金属Tiを添加しないで,低温銅導体ペーストを調製した。これを比較例とした。
【0031】
(実験例)
本例の低温銅導体ペースト及び比較例の低温銅導体ペーストについて,半田付けを行い,冷熱サイクルによる耐久半田付け強度及び,導体−半田間にできるCu−Sn拡散層の厚みの変化を測定した。
まず,導体膜の2mm×2mmのパターンに直径1mmの軟銅線を,フラックス塗布及び2%Ag入りの半田槽(235℃±5℃)に5秒間浸漬,追い半田付けをすることにより接合し,冷熱サイクル試験を実施した。冷熱サイクル試験は−40℃にて30分,150℃にて30分保持し,これを1サイクルとする試験の条件で行った。
その後,ピール法にて導体膜に対する半田の接着強度を測定した。
【0032】
導体−半田間にできるCu−Sn拡散層の厚みの変化を測定するのは,金属Tiを添加した本例の導体膜は,Ti未添加の比較例に比べて,緻密な膜であったことから,導体膜に半田付けをした場合に,両者間に半田の成分の拡散度合いが小さいと考えられるからである。導体−半田間にできるCu−Sn拡散層の厚みは,断面研摩した後,SEM観察する方法により測定した。
これらの測定結果を図1に示した。
【0033】
図1より知られるように,従来の低温銅導体ペーストは耐久時間の経過にともなって拡散層の厚みが大幅に増加し,接着強度が劣化した。
これに対して,本例の低温銅導体ペーストは,耐久時間が経過してもCu−Sn拡散層の厚みは増加せず,接着強度は殆ど変化しない。
また,耐久時間1000サイクル後では,Cu−Sn拡散層の厚みが,従来の低温銅導体ペーストの厚みが40μmであるのに対して,本例では14μmと減少し,耐久接着強度が1kgf以下から2kgf以上へと高くなった。
【0034】
実施形態例2
本例においては,添加金属としてのMnを用いて低温銅導体ペーストを調製し,実施形態例1と同様の測定を行った。
Cu粉末及び金属Mnからなる金属成分と,酸化銅と,硼珪酸鉛系のガラスの酸化物とビヒクルを,Cu77重量%/Mn5重量%/酸化銅5重量%/ガラス5重量%/ビヒクル8重量%の割合で三本ロールミルにて混練し,低温銅導体ペーストを得た。
【0035】
金属成分であるCu粉末は,平均粉径1μmと2μmとの混合粉で球形である。金属Mnは,平均粉径5μmの球形粉末である。
酸化物である酸化銅は,粉径1〜2μmである。ガラスは平均粉径3μm,軟化点430℃である。ビヒクルとしては,テルピネオールにエチレンセルロース(100cp)5%を溶かしたもの用いた。
【0036】
上記で得られた低温銅導体ペーストを用いて,実施形態例1と同様の方法により,96%アルミナ基板に導体膜を形成した。
本例の低温銅導体ペーストについて,実施形態例1と同様に,冷熱サイクル後の耐久接着強度と導体−半田間にできるCu−Sn拡散層の厚みを測定した。接着強度は2kgfと高かった。拡散層は16μmと薄かった。
【0037】
実施形態例3
本例においては,添加金属としてのGeを用いて低温銅導体ペーストを調製し,実施形態例1と同様の測定を行った。
Cu粉末及び金属Geからなる金属成分と,酸化銅と,硼珪酸鉛系のガラスの酸化物とビヒクルを,Cu77重量%/Ge5重量%/酸化銅5重量%/ガラス5重量%/ビヒクル8重量%の割合で三本ロールミルにて混練し,低温銅導体ペーストを得た。
【0038】
金属成分であるCu粉末は,平均粉径1μmと2μmとの混合粉で球形である。金属Geは,平均粉径2μmの球形粉末である。
酸化物である酸化銅は,粉径1〜2μmである。ガラスは平均粉径3μm,軟化点430℃である。ビヒクルとしては,テルピネオールにエチレンセルロース(100cp)5%を溶かしたもの用いた。
【0039】
上記で得られた低温銅導体ペーストを用いて,実施形態例1と同様の方法により,96%アルミナ基板に導体膜を形成した。
本例の低温銅導体ペーストについて,実施形態例1と同様に,冷熱サイクル後の耐久接着強度と導体−半田間にできるCu−Sn拡散層の厚みを測定した。接着強度は2kgf以上と高かった。拡散層は14μmと薄かった。
なお,金属Geの添加は,低温銅導体ペーストから作製した導体膜の半田濡れ性の劣化及び導体抵抗値の上昇がおこることがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例1における,冷熱サイクル数に伴う接着強度及び拡散層厚みの変化を示す線図。
Claims (1)
- Cuと,Cu以外の添加金属1種以上とからなる金属成分,酸化物,及びビヒクルを混練して低温銅導体ペーストを準備する工程と,
該低温銅導体ペーストを500〜700℃にて焼成する工程とからなり,
上記添加金属は,Ti,Mn,Geのいずれか1種以上からなり,上記導体組成物の融点をCuの融点よりも低い融点にする金属1種であり,上記低温銅導体ペースト中の上記添加金属の含有量は1〜35重量%であることを特徴とする導体組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21276898A JP4081865B2 (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 導体組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21276898A JP4081865B2 (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 導体組成物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000048640A JP2000048640A (ja) | 2000-02-18 |
JP4081865B2 true JP4081865B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=16628086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21276898A Expired - Lifetime JP4081865B2 (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 導体組成物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4081865B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4623921B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2011-02-02 | コーア株式会社 | 抵抗組成物および抵抗器 |
JP4586141B2 (ja) * | 2003-10-27 | 2010-11-24 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 導電ペースト |
CN103163030B (zh) * | 2011-12-14 | 2016-01-20 | 德尔福电子(苏州)有限公司 | 一种冷却系统粘接剂的性能测试方法 |
WO2015015865A1 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、セラミック電子部品およびセラミック電子部品の製造方法 |
CN106575537A (zh) * | 2014-08-28 | 2017-04-19 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 具有铜电极的太阳能电池 |
US10325693B2 (en) | 2014-08-28 | 2019-06-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Copper-containing conductive pastes and electrodes made therefrom |
JP6408696B2 (ja) * | 2014-08-28 | 2018-10-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | 銅含有導電性ペースト、及び銅含有導電性ペーストから作製された電極 |
-
1998
- 1998-07-28 JP JP21276898A patent/JP4081865B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000048640A (ja) | 2000-02-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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