JP6408696B2 - 銅含有導電性ペースト、及び銅含有導電性ペーストから作製された電極 - Google Patents
銅含有導電性ペースト、及び銅含有導電性ペーストから作製された電極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6408696B2 JP6408696B2 JP2017511934A JP2017511934A JP6408696B2 JP 6408696 B2 JP6408696 B2 JP 6408696B2 JP 2017511934 A JP2017511934 A JP 2017511934A JP 2017511934 A JP2017511934 A JP 2017511934A JP 6408696 B2 JP6408696 B2 JP 6408696B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- weight
- conductive paste
- coated
- containing conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 304
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 151
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 79
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 13
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- -1 polylactone Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXUOFCUEFQCKKH-UHFFFAOYSA-N 12-methyltridecan-1-ol Chemical compound CC(C)CCCCCCCCCCCO ZXUOFCUEFQCKKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910015249 Ba—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical class OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
- C09D7/62—Additives non-macromolecular inorganic modified by treatment with other compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0402—Methods of deposition of the material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Description
本明細書において開示されるCu含有導電性ペーストは、基板において塗布するための適切な粘度を有する「ペースト」を形成するために、被覆されたCu粒子の粉末、及び有機媒体に分散されたガラスフリットなどの無機粉末を含む。
本明細書において使用される被覆されたCu粒子の粉末は、ゲルマニウム(Ge)を含む被覆材料によって表面被覆されたコアCuの粒子から形成される。例えば、乾式被覆プロセスの間、微細サイズのGe粉末(好ましくはナノサイズの粒子)は、コアCu粒子の表面に付着して、薄い被膜層を形成する。或いは、湿式被覆プロセスの間、Geコロイドは、コアCu粒子の表面に被覆され、又はこれにおいて成長され、次いで乾燥される。又は、真空蒸着プロセスの間、Ge原子は、コアCu粒子の表面上に蒸着される。好ましくは、Ge被膜層は、1ミクロン以下、又は500ナノメートル以下の厚さを有する。
ガラスフリットは、導電性粉末を焼成することを補助すること、及び基板への電極の接着を強化することを含むいくつかの機能に作用することができる。また、焼きにおいてガラスフリットのようにまさに挙動することができる複合酸化物が、ガラスフリットとして考えられることができる。
被覆されたCu及びガラスフリットの粉末などの無機粉末は、有機媒体に分散されて、所望のパターンを有する基板に塗布するための適切な粘度を有する、「ペースト」と称される粘性組成物を形成する。適切な有機媒体は、固体の安定な分散、ペーストを基板に塗布するための適切な粘度及びチキソトロピー、基板及びペースト固体における適切な湿潤性、良好な乾燥速度、並びに、良好な焼き特性を付与する流動特性を有さなければならない。
更なる無機粉末は、Cu含有導電性ペーストに場合により加えられることができる。更なる無機粉末は必須ではない。しかしながら、更なる無機粉末は、接着及び導電率などの電極の様々な特性を向上させることができる。
Cu電極は、初めに、所定の形状で所定の位置において、基板の表面に対してCu含有導電性ペーストを塗布する工程(例えば、分注、キャスティング、被覆、又は印刷)、特定の期間の間(例えば、約2〜20分)、高い温度(例えば、約70〜240℃)でCu含有導電性ペーストを乾燥させて、有機媒体を部分的に取り除く工程、次いで、Cu含有導電性ペーストを焼いて、残余の有機媒体を取り除き、ガラスフリット、及びペーストを含むその他の無機材料を有する被覆されたCu粒子を焼成する工程によって形成される。
構造要素を含む物品は、本明細書において更に開示され、且つ、構造要素は、基板と、その上に形成されたCu電極(前述の)からなる。本明細書において開示される物品としては、これらに限定されるものではないが、ディスプレイ、太陽電池、キャパシタ、トランジスタ、感応物質、抵抗加熱器等が挙げられる。
実施例において使用されるCu含有導電性ペーストを形成する際に、以下の無機粉末を使用した。
CE1〜CE10及びE1〜E15それぞれにおいて、厚膜ペーストを以下の通りに調製した:8.3gの無機粉末(試料それぞれについて表3に列挙される)、米国特許出願公開第2012/0312368号明細書の表1に開示されるビスマス系酸化物組成物に類似した0.29gのBi−Zn−B−Al−Ba−Si酸化物ガラスフリット(0.8μmのD50を有する)、0.02gの水素化ヒマシ油、テルピネオールに溶解した10〜20重量%のエチルセルロースからなる1.1gの溶液、及び、0.29gの2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレートを、ミキサー(Thinky USA Inc.(米国)によって製造され、モデル名ARE−310を有する)において、2000rpmで1分間、混合し、その後、5分間、手で粉砕した。
ρ(抵抗率)=シート抵抗×厚さ×幾何補正=シート抵抗×厚さ×1.9475/4.5324
E1について記載された同一の方法において、E16〜E19それぞれにおいて、厚膜ペーストを調製し、こうして調製した厚膜ペーストを、シリコン電池全体上に焼いて電極を形成した。焼きプロセスの間、温度プロファイルを、580−610−630−650−700−700℃に設定し、ベルト速度を、127cm/分又は254cm/分に設定した。電極の抵抗率を決定し、表4に一覧にした。E16及びE18においては、被覆されたCu粒子をGeで被覆し、一方、E17及びE19においては、被覆されたCu粒子をGe及びBで被覆した。示されるように、被覆材料におけるBの添加は、それから調製した電極の抵抗率を更に減少させた。更に、こうした効果は、より低いベルト速度で、即ちより長い焼き時間を使用した場合に更により明らかである。
図2は、電極を有する太陽電池を例示する。図2(a)は、太陽電池(1)の前表面を示す。太陽電池(1)の前側電極は、互いに平行である複数の数のフィンガー(2)、及びフィンガー(2)に対して垂直である3つの前側バスバー(4)から形成される。更に、リボン(6)は、バスバー(4)上に後に電気的に結合される(例えば、ハンダ付けされる)ことができる。図2(b)は、電極を有する太陽電池(1)の断面である。図2(b)に示すように、裏側電極は、前側バスバー(4)のミラー位置にある3つの裏側バスバー(4’)から形成され、且つ、Alペースト(3)は、太陽電池(1)の裏表面のすべての領域を被覆する(3つの裏側バスバー(4’)によって被覆される領域を除く)。
[1]銅含有(Cu含有)導電性ペーストであって、
a)約10〜95重量%の被覆されたCu粒子の粉末と、
b)約0.1〜15重量%のガラスフリットと、これが分散されている
c)有機媒体と、
を含み、これらすべての成分の総重量%が総計100重量%になるように前記ペーストが構成されており、(i)前記被覆されたCu粒子は、ゲルマニウム(Ge)で表面被覆されたコアCu粒子から構成され、且つ、Geの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて約0.01〜35重量部であり、且つ、(ii)前記有機媒体は、少なくとも1つの溶媒に溶解された少なくとも1つの有機ポリマーから構成される、銅含有(Cu含有)導電性ペースト。
[2]前記被覆されたCu粒子に含まれるGeの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて約0.1〜30重量部である、前記1に記載のCu含有導電性ペースト。
[3]前記被覆されたCu粒子に含まれるGeの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて約0.2〜25重量部である、前記2に記載のCu含有導電性ペースト。
[4]前記被覆されたCu粒子は、前記コアCu粒子上に表面被覆されたホウ素(B)を更に含み、且つ、Bの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて約0〜15重量部である、前記1に記載のCu含有導電性ペースト。
[5]Bの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて約0.05〜10重量部である、前記4に記載のCu含有導電性ペースト。
[6]Bの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて約0.05〜3重量部である、前記5に記載のCu含有導電性ペースト。
[7]前記被覆されたCu粒子に含まれる前記コアCu粒子は、約0.08〜50μmの粒径(D50)を有する、前記1に記載のCu含有導電性ペースト。
[8]前記被覆されたCu粒子に含まれる前記コアCu粒子は、約1〜30μmの粒径(D50)を有する、前記7に記載のCu含有導電性ペースト。
[9]前記被覆されたCu粒子に含まれる前記コアCu粒子は、約1〜15μmの粒径(D50)を有する、前記8に記載のCu含有導電性ペースト。
[10]構造要素を含む物品であって、前記構造要素は、基板、及び少なくとも1つのCu電極から構成され、前記少なくとも1つのCu電極は、(I)所定の形状で所定の位置において前記基板の一側に対してCu含有導電性ペーストを塗布する工程、(II)前記Cu含有導電性ペーストを乾燥させる工程、及び(III)前記Cu含有導電性ペーストを焼いて、前記少なくとも1つのCu電極を形成する工程によって形成され、
前記Cu含有導電性ペーストは、
(a)約10〜95重量%の被覆されたCu粒子の粉末と、
(b)約0.1〜15重量%のガラスフリットと、これが分散されている
(c)有機媒体と、
を含み、これらすべての成分の総重量%が総計100重量%になるように前記ペーストが構成されており、且つ、(i)前記被覆されたCu粒子は、Geで表面被覆されたコアCu粒子から構成され、且つ、Geの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて約0.01〜35重量部であり、且つ、(ii)前記有機媒体は、少なくとも1つの溶媒に溶解された少なくとも1つの有機ポリマーから構成される、物品。
[11]工程(III)の間、前記Cu含有導電性ペーストは空気中で焼かれる、前記10に記載の物品。
[12]前記物品は、ディスプレイ、太陽電池、キャパシタ、トランジスタ、インダクタ、及び抵抗加熱器からなる群から選択される電子物品である、前記11に記載の物品。
[13]半導体基板と、その前側又は裏側に取り付けられた少なくとも1つのCu電極と、を含む太陽電池であって、前記少なくとも1つのCu電極は、(I)所定の形状で所定の位置において前記半導体基板の前側又は裏側に対して、Cu含有導電性ペーストを塗布する工程、(II)前記Cu含有導電性ペーストを乾燥させる工程、及び(III)前記Cu含有導電性ペーストを焼いて、前記少なくとも1つのCu電極を形成する工程によって形成され、
前記Cu含有導電性ペーストは、
(a)約10〜95重量%の被覆されたCu粒子の粉末と、
(b)約0.1〜15重量%のガラスフリットと、これが分散されている
(c)有機媒体と、
を含み、これらすべての成分の総重量%が総計100重量%になるように前記ペーストが構成されており、且つ、(i)前記被覆されたCu粒子は、Geで表面被覆されたコアCu粒子から構成され、且つ、Geの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて約0.01〜35重量部であり、且つ、(ii)前記有機媒体は、少なくとも1つの溶媒に溶解された少なくとも1つの有機ポリマーから構成される、太陽電池。
[14]工程(III)の間、前記Cu含有導電性ペーストは空気中で焼かれた、前記13に記載の太陽電池。
[15]前記半導体基板は、単結晶シリコン及び多結晶シリコンからなる群から選択される、前記13に記載の太陽電池。
[16]前記少なくとも1つのCu電極は、前記半導体基板の前側に、且つ、複数の数の平行した導電性フィンガー及び前記導電性フィンガーに対して垂直である1つ以上の前側バスバーの形態で形成されている、前記13に記載の太陽電池。
[17]前記少なくとも1つのCu電極は、前記半導体基板の裏側に、且つ、1つ以上の裏側バスバーの形態で形成されている、前記13に記載の太陽電池。
Claims (11)
- 銅含有(Cu含有)導電性ペーストであって、
a)10〜95重量%の被覆されたCu粒子の粉末と、
b)0.1〜15重量%のガラスフリットと、これが分散されている
c)有機媒体と、
を含み、これらすべての成分の総重量%が総計100重量%になるように前記ペーストが構成されており、(i)前記被覆されたCu粒子は、ゲルマニウム(Ge)で表面被覆されたコアCu粒子から構成され、且つ、Geの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて0.01〜35重量部であり、且つ、(ii)前記有機媒体は、少なくとも1つの溶媒に溶解された少なくとも1つの有機ポリマーから構成される、銅含有(Cu含有)導電性ペースト。 - 前記被覆されたCu粒子に含まれるGeの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて0.1〜30重量部である、請求項1に記載のCu含有導電性ペースト。
- 前記被覆されたCu粒子は、前記コアCu粒子上に表面被覆されたホウ素(B)を更に含み、且つ、Bの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて0〜15重量部である、請求項1に記載のCu含有導電性ペースト。
- 前記被覆されたCu粒子に含まれる前記コアCu粒子は、0.08〜50μmの粒径(D50)を有する、請求項1に記載のCu含有導電性ペースト。
- 前記被覆されたCu粒子に含まれる前記コアCu粒子は、1〜30μmの粒径(D50)を有する、請求項4に記載のCu含有導電性ペースト。
- 構造要素を含む物品であって、前記構造要素は、基板、及び少なくとも1つのCu電極から構成され、前記少なくとも1つのCu電極は、(I)所定の形状で所定の位置において前記基板の一側に対してCu含有導電性ペーストを塗布する工程、(II)前記Cu含有導電性ペーストを乾燥させる工程、及び(III)前記Cu含有導電性ペーストを焼いて、前記少なくとも1つのCu電極を形成する工程によって形成され、
前記Cu含有導電性ペーストは、
(a)10〜95重量%の被覆されたCu粒子の粉末と、
(b)0.1〜15重量%のガラスフリットと、これが分散されている
(c)有機媒体と、
を含み、これらすべての成分の総重量%が総計100重量%になるように前記ペーストが構成されており、且つ、(i)前記被覆されたCu粒子は、Geで表面被覆されたコアCu粒子から構成され、且つ、Geの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて0.01〜35重量部であり、且つ、(ii)前記有機媒体は、少なくとも1つの溶媒に溶解された少なくとも1つの有機ポリマーから構成される、物品。 - 工程(III)の間、前記Cu含有導電性ペーストは空気中で焼かれる、請求項6に記載の物品。
- 前記物品は、ディスプレイ、太陽電池、キャパシタ、トランジスタ、インダクタ、及び抵抗加熱器からなる群から選択される電子物品である、請求項7に記載の物品。
- 半導体基板と、その前側又は裏側に取り付けられた少なくとも1つのCu電極と、を含む太陽電池であって、前記少なくとも1つのCu電極は、(I)所定の形状で所定の位置において前記半導体基板の前側又は裏側に対して、Cu含有導電性ペーストを塗布する工程、(II)前記Cu含有導電性ペーストを乾燥させる工程、及び(III)前記Cu含有導電性ペーストを焼いて、前記少なくとも1つのCu電極を形成する工程によって形成され、
前記Cu含有導電性ペーストは、
(a)10〜95重量%の被覆されたCu粒子の粉末と、
(b)0.1〜15重量%のガラスフリットと、これが分散されている
(c)有機媒体と、
を含み、これらすべての成分の総重量%が総計100重量%になるように前記ペーストが構成されており、且つ、(i)前記被覆されたCu粒子は、Geで表面被覆されたコアCu粒子から構成され、且つ、Geの含有濃度は、100重量部の前記コアCu粒子に基づいて0.01〜35重量部であり、且つ、(ii)前記有機媒体は、少なくとも1つの溶媒に溶解された少なくとも1つの有機ポリマーから構成される、太陽電池。 - 工程(III)の間、前記Cu含有導電性ペーストは空気中で焼かれた、請求項9に記載の太陽電池。
- 前記少なくとも1つのCu電極は、前記半導体基板の裏側に、且つ、1つ以上の裏側バスバーの形態で形成されている、請求項9に記載の太陽電池。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2014/085377 WO2016029397A1 (en) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | Copper-containing conductive pastes and electrodes made therefrom |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017528871A JP2017528871A (ja) | 2017-09-28 |
JP2017528871A5 JP2017528871A5 (ja) | 2017-11-09 |
JP6408696B2 true JP6408696B2 (ja) | 2018-10-17 |
Family
ID=55398611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017511934A Active JP6408696B2 (ja) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | 銅含有導電性ペースト、及び銅含有導電性ペーストから作製された電極 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9951231B2 (ja) |
JP (1) | JP6408696B2 (ja) |
CN (1) | CN106605270B (ja) |
DE (1) | DE112014006910T5 (ja) |
WO (1) | WO2016029397A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6564024B2 (ja) | 2014-08-28 | 2019-08-21 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | 銅電極を有する太陽電池を製造する方法 |
US10431700B2 (en) * | 2017-06-09 | 2019-10-01 | Giga Solar Materials Corp. | Conductive paste composition for providing enhanced adhesion strength to a semiconductor substrate and its use |
CN114749346A (zh) * | 2022-04-08 | 2022-07-15 | 百为智能科技(广州)有限公司 | 一种基于大尺寸玻璃基板电路的制备方法及显示装置 |
Family Cites Families (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4331714A (en) | 1979-06-29 | 1982-05-25 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Process of making flake silver powders with chemisorbed monolayer of dispersant |
US4273583A (en) | 1979-06-29 | 1981-06-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Flake silver powders with chemisorbed monolayer of dispersant |
US4388347A (en) | 1980-11-11 | 1983-06-14 | Uop Inc. | Conductive pigment-coated surfaces |
JPH0378906A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 導電性ペースト |
US5296413A (en) * | 1991-12-03 | 1994-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Automotive glass thick film conductor paste |
JP3374194B2 (ja) * | 1992-04-20 | 2003-02-04 | 奥野製薬工業株式会社 | 導電性アルミニウムペースト用組成物 |
JPH06125026A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 端子構造とこれを用いた入出力端子部材及び配線基板 |
JPH08273434A (ja) * | 1995-04-03 | 1996-10-18 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 導電性アルミニウム合金ペースト組成物 |
US6679937B1 (en) | 1997-02-24 | 2004-01-20 | Cabot Corporation | Copper powders methods for producing powders and devices fabricated from same |
JP4081865B2 (ja) | 1998-07-28 | 2008-04-30 | 株式会社デンソー | 導体組成物の製造方法 |
JP4864195B2 (ja) * | 2000-08-30 | 2012-02-01 | 三井金属鉱業株式会社 | 被覆銅粉 |
JP2004002923A (ja) | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Murata Mfg Co Ltd | ニッケル粉末の製造方法、及びニッケル粉末 |
JP4623921B2 (ja) | 2002-09-13 | 2011-02-02 | コーア株式会社 | 抵抗組成物および抵抗器 |
JP4182234B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2008-11-19 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 導電ペースト用銅粉およびその製造方法 |
JP4144695B2 (ja) | 2002-11-01 | 2008-09-03 | 三井金属鉱業株式会社 | 二層コート銅粉並びにその二層コート銅粉の製造方法及びその二層コート銅粉を用いた導電性ペースト |
JP4144694B2 (ja) | 2002-11-01 | 2008-09-03 | 三井金属鉱業株式会社 | スズコート銅粉並びにそのスズコート銅粉の製造方法及びそのスズコート銅粉を用いた導電性ペースト |
JP2004232036A (ja) | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Fujikura Ltd | 複合Ni微粒子、その製造方法及び製造装置 |
JP4586141B2 (ja) * | 2003-10-27 | 2010-11-24 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 導電ペースト |
JP4066432B2 (ja) | 2003-10-31 | 2008-03-26 | Necトーキン株式会社 | 積層型圧電セラミックス素子の製造方法 |
CN1621182A (zh) | 2003-11-25 | 2005-06-01 | 三星电子株式会社 | 含碳的镍粒子粉末及其制造方法 |
GB2418432A (en) | 2004-09-23 | 2006-03-29 | Middlesex Silver Co Ltd | Silver alloy and its production using a master metal |
JP2006225691A (ja) | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スズコート銅粉及び当該スズコート銅粉を用いた導電性ペースト |
JP2006225692A (ja) | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スズコート銅粉及び当該スズコート銅粉を用いた複合導電性ペースト |
US7435361B2 (en) | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
JP4254757B2 (ja) | 2005-07-22 | 2009-04-15 | 富士通株式会社 | 導電材料及び導電性ペースト及び基板 |
JP2008138266A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | ハンダ粉末及び該粉末を用いたハンダ用ペースト |
CN101246759B (zh) * | 2007-02-15 | 2010-09-08 | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 | 一种用于透明导电材料的纳米均相复合金属氧化物导电粉末及其制造方法 |
JP5083943B2 (ja) | 2007-04-03 | 2012-11-28 | 株式会社ブリヂストン | ゴム物品補強用スチールコードおよびそれを用いた空気入りタイヤ |
KR20090053667A (ko) * | 2007-11-22 | 2009-05-27 | 제일모직주식회사 | 입도분포 및 크기가 제어된 알루미늄 분말을 포함하는전극형성용 조성물과 이를 이용하여 제조되는 전극 |
JP5155743B2 (ja) | 2008-03-04 | 2013-03-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト |
JP2010013730A (ja) * | 2008-06-05 | 2010-01-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト |
US8834957B2 (en) | 2008-11-05 | 2014-09-16 | Lg Chem, Ltd. | Preparation method for an electroconductive patterned copper layer |
JP5018752B2 (ja) | 2008-11-27 | 2012-09-05 | 富士通株式会社 | 導電材料、及び導電材料の製造方法 |
JP2010126022A (ja) | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Toyota Auto Body Co Ltd | 車両用空調装置 |
JP5612278B2 (ja) | 2009-06-23 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 三次元形状造形物の製造方法およびその製造装置 |
JP2011006739A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト |
JP2011006740A (ja) | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト |
US8129088B2 (en) | 2009-07-02 | 2012-03-06 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electrode and method for manufacturing the same |
JP5358328B2 (ja) | 2009-07-16 | 2013-12-04 | デクセリアルズ株式会社 | 導電性粒子、並びに異方性導電フィルム、接合体、及び接続方法 |
US20110180137A1 (en) | 2010-01-25 | 2011-07-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Paste composition for electrode and photovoltaic cell |
US8981208B2 (en) | 2010-06-21 | 2015-03-17 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
JP2012076086A (ja) | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Mitsubishi Materials Corp | ハンダ粉末及びこの粉末を用いたハンダ用ペースト |
US20110315217A1 (en) | 2010-10-05 | 2011-12-29 | Applied Materials, Inc. | Cu paste metallization for silicon solar cells |
JP5895344B2 (ja) | 2011-01-31 | 2016-03-30 | 三菱マテリアル株式会社 | ハンダ粉末の製造方法及びこの方法により製造されたハンダ粉末を用いてハンダ用ペーストを製造する方法 |
JP5754582B2 (ja) | 2011-02-28 | 2015-07-29 | 三菱マテリアル株式会社 | プリコート用ハンダペースト |
US9067261B2 (en) | 2011-03-08 | 2015-06-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Process for making silver powder particles with very small size crystallites |
KR101814014B1 (ko) | 2011-03-25 | 2018-01-03 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
US20120312368A1 (en) | 2011-06-13 | 2012-12-13 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film paste containing bismuth-based oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
JP5705713B2 (ja) | 2011-12-05 | 2015-04-22 | 古河電気工業株式会社 | 中空銅コアシリコンナノワイヤー、シリコン複合銅基板及びこれらの製造方法並びにリチウムイオン二次電池 |
KR20130065445A (ko) | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
WO2013090344A1 (en) | 2011-12-13 | 2013-06-20 | Ferro Corporation | Electrically conductive polymeric compositons, contacts, assemblies, and methods |
CN103310870A (zh) | 2012-03-12 | 2013-09-18 | 深圳市圣龙特电子有限公司 | 一种硅太阳能电池电极用无铅铜浆及其制备方法 |
CN102610297B (zh) * | 2012-04-01 | 2015-01-28 | 昆明理工大学 | 太阳能电池正面电极用银包铜导体浆料及其制备方法 |
US9082901B2 (en) | 2012-04-11 | 2015-07-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Solar cell and manufacturing method of the same |
KR101565631B1 (ko) | 2012-06-04 | 2015-11-03 | 삼성전기주식회사 | 내부 전극용 도전성 페이스트 조성물, 적층 세라믹 커패시터 및 이의 제조방법 |
US8815638B2 (en) * | 2012-06-19 | 2014-08-26 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing thick-film electrode |
KR101999795B1 (ko) | 2012-06-27 | 2019-07-12 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
CN103578561A (zh) | 2012-07-23 | 2014-02-12 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种快闪存储器及其擦除校验方法和装置 |
US8647815B1 (en) | 2012-07-26 | 2014-02-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing copper electrode |
CN102773475B (zh) * | 2012-07-31 | 2014-06-11 | 东南大学 | 一种导电浆料用抗氧化铜银复合粉及其制备方法 |
CN106663493A (zh) | 2014-08-28 | 2017-05-10 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 含铜导电浆料和由含铜导电浆料制成的电极 |
-
2014
- 2014-08-28 DE DE112014006910.8T patent/DE112014006910T5/de active Pending
- 2014-08-28 US US15/505,682 patent/US9951231B2/en active Active
- 2014-08-28 CN CN201480081423.9A patent/CN106605270B/zh active Active
- 2014-08-28 WO PCT/CN2014/085377 patent/WO2016029397A1/en active Application Filing
- 2014-08-28 JP JP2017511934A patent/JP6408696B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017528871A (ja) | 2017-09-28 |
WO2016029397A1 (en) | 2016-03-03 |
CN106605270A (zh) | 2017-04-26 |
US20170275477A1 (en) | 2017-09-28 |
US9951231B2 (en) | 2018-04-24 |
CN106605270B (zh) | 2019-03-08 |
DE112014006910T5 (de) | 2017-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2017033911A1 (ja) | 低温焼結性に優れる金属ペースト及び該金属ペーストの製造方法 | |
JP5591716B2 (ja) | 有機金属修飾剤を有する導電性インク | |
US8815638B2 (en) | Method of manufacturing thick-film electrode | |
TWI638367B (zh) | 含有氧化銻之厚膜組成物及其於製造半導體裝置的用途 | |
KR20110051295A (ko) | 태양 전지 전극 | |
WO2009052461A1 (en) | Electrode paste for solar cell and solar cell electrode using the paste | |
JP5323307B2 (ja) | 太陽電池電極用ペースト | |
WO2009097269A1 (en) | Conductive inks | |
TW201120161A (en) | Thick-film conductive compositions with nano-sized zinc additive | |
JP2016533019A (ja) | 太陽電池電極形成用組成物及びこれによって製造された電極 | |
JP2012178334A (ja) | 銅ナノペースト及びその形成方法、並びに銅ナノペーストを用いる電極形成方法 | |
JP6408696B2 (ja) | 銅含有導電性ペースト、及び銅含有導電性ペーストから作製された電極 | |
JP2017069201A (ja) | 配線形成方法 | |
JP6408695B2 (ja) | 銅含有導電性ペースト、及び銅含有導電性ペーストから作製された電極 | |
JP2008108716A (ja) | 低温焼成用導電性ペースト組成物 | |
JP6564024B2 (ja) | 銅電極を有する太陽電池を製造する方法 | |
US9445519B2 (en) | Method of manufacturing thick-film electrode | |
JP2018137131A (ja) | 導電性ペースト、窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法 | |
JP2017534560A (ja) | 鉛−タングステンベースの酸化物を含有する厚膜ペーストおよび半導体デバイスの製造でのその使用 | |
JP6581176B2 (ja) | 有機エラストマーを含む導電性ペーストを使用した太陽電池電極の組み立て方法 | |
TWI518145B (zh) | 導電墨水 | |
TW201013699A (en) | Conductors for photovoltaic cells: compositions containing submicron particles | |
TW201030106A (en) | Conductive inks with metallo-organic modifiers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170825 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180828 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6408696 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |