JPH01206508A - 窒化アルミニウム基板用導体ペースト - Google Patents

窒化アルミニウム基板用導体ペースト

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JPH01206508A
JPH01206508A JP63267136A JP26713688A JPH01206508A JP H01206508 A JPH01206508 A JP H01206508A JP 63267136 A JP63267136 A JP 63267136A JP 26713688 A JP26713688 A JP 26713688A JP H01206508 A JPH01206508 A JP H01206508A
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conductor
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aluminum nitride
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Kazunari Watanabe
一成 渡辺
Naoshi Irisawa
直志 入沢
Katsumasa Nakahara
勝正 中原
Tetsuo Natsui
夏井 徹男
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、窒化アルミニウム基板用ペーストに関するも
のである。
[従来の技術] 近年、電子機器の小型化、高出力化に対する要求が高ま
り、半導体素子の高出力化、高集積化などの技術が強く
望まれている。それに伴い、単位面積当たりの発熱量が
増加するため、半導体からの発熱を効率よ(放散できる
基板が求められている。その中で、AINは絶縁抵抗が
高い、絶縁耐圧が高い、誘電率が低いなどの電気特性に
加え、Altosの10倍以上の高い熱伝導率、またS
Lに近い熱膨張係数を有し、上記の要求に応える材料の
一つとして注目されている。
しかるに、AINは、金属との濡れ性が悪(、Alto
s基板に使用される厚膜導体ペーストを使用しても、基
板との接着強度が強い回路を形成するのが困難であると
いう問題を有していた。
AINと金属との接着力向上に関しては、第2回マイク
ロエレクトロニクスシンポジウム(1987)の予稿集
p141〜p144に記載されているよう(5、Ti箔
もしくは、Ti−Cu系ろう材、 Ti粉末とAgろう
粉末との混合ペーストを用いると、AINとTiとが高
温で反応してTiNが生成し高い接合強度が得られるこ
とが知られているが、Ti箔を用いる方法では、Cui
とAIN基板との接合しか出来ず、細かい回路線幅に対
応できないという問題点があり、Ti−Cu系ろう材を
用いる方法では。
合金粉の微粉を得にくいため細かい回路線幅に対応でき
ないという問題点があり、Ti粉末とAgろう粉末との
混合ペーストを用いる方法では、Agを含有しているた
めマイグレーションが発生しやすいという問題点があっ
た。
(発明の解決しようとする問題点) 本発明は従来技術が有していた上記問題点を解決し、微
細な回路パターンが形成でき、マイグレーションが発生
することなく、接着強度に優れた窒化アルミニウム基板
用導体ペーストの提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は無機成分が導電性金属粉末50〜90重量%と
、加熱により窒化アルミニウムと反応する活性金属粉末
8〜40重量%と、導体の脆性を改善する低融点金属粉
末及び/又は低融点金属化合物粉末2〜30重量%とか
ら成る窒化アルミニウム基板用導体ペースト並びに無機
成分が導電性金属粉末20〜80重量%と、活性金属粉
末15〜50重量%と、インジウ゛ム粉末及び/又はイ
ンジウム化合物2〜30重量%とから成る窒化アルミニ
ウム基板用導体ペーストを提供するものである。
本発明の第1発明において、導電性金属粉末は導体を構
成する主成分であり、無機成分中における該金属粉末の
含有量が50重量%未1では導体の抵抗値が大きくなり
過ぎるので好ましくなく、90重量%を越えると導体と
基板の接着力が低下するので好ましくない。
かかる金属粉末としては抵抗値が小さい物質であれば特
に限定されずAg、 Pd、等の貴金属粉末、Cu、N
i等の卑金属粉末を使用することができる。中でも電気
抵抗が低い、融点が低い、マイグレーションの心配が無
い等の理由から、Cu粉末が好適である。
本発明の活性金属粉末は、加熱(望ましくはペースト焼
成時の加熱)により AIN基板と反応し導体の接着力
を向上する作用を有する。かかる活性金属粉末の含有量
が無機成分中で8重1%未満では、導体の接着力が充分
に向上しないので好ましくなく、40重量%より多くな
ると、導体が脆弱になり充分な接着力が得られないだけ
でなく、導体の電気抵抗が大きくなりすぎるので好まし
くない。かかる活性金属粉末としてはTi、TiHz、
Ti合金、Zr、ZrHz、 Zr合金が安価であり、
使用に好適である。Ti合金としては、Ti−6Al−
4Vが例示され、Zr合金としてはジルカロイが例示さ
れる。YやLa、 Sn、 Of等の金属はAINと反
応するが非常に活性なため100μm以下の粒径を持つ
粉末が得られ難いので微細な導体パターンを形成する場
合には好ましくない。
低融点金属粉末及び/又は低融点金属化合物粉末は導体
の脆弱性を改善するために添加する。かかる粉末の添加
量が無機成分中で2重1%未満では導体が脆弱で好まし
くな(,30重量%を越えると導体の電気抵抗が大きく
なりすぎるので好ましくない。
かかる低融点金属粉末及び/又は低融点化合物粉末とし
ては、上記導電性金属粉末より融点が低く、焼成により
導体の脆性を改善するものであれば特に限定されない。
具体的には、低融点金属粉末としてはSn、 Bi、 
Sb、 In、 Cd、 Zn、 Ge。
Se、Pbが例示され、低融点金属化合物粉末としては
 BixOx、5bzOs、 PbO,の酸化物、Pb
C1zSbC1x、 5nC14の塩化物、SnS、 
BiS、 5biSaの硫化物が例示される。中でもS
n、 Bi、 Biassが特に好ましい。
上記各粉末の粒径は、10μm以下であることが好まし
い。その理由は導体層の厚さが20μm程度であるため
、10μm以上の粒径になると粉末の粒径が導体層の厚
さに比べて大きくなりすぎるからである。
本発明の第2発明は特に窒化雰囲気で焼成した場合窒化
アルミニウム基板と接着強度に(!れたものが得られる
導電性金属粉末は無機成分中における該金属粉末の含有
量が20重量%未満では導体の抵抗値が大きくなり過ぎ
るので好ましくなく、80重量%を越えると導体と基板
の接着力が低下するので好ましくない。かかる金属粉末
としては、Ag、 Pd等の貴金属粉末、Cu、Ni等
の卑金属粉末を使用することができる。中でも電気抵抗
が低い、融点が低い、マイグレーションの心配がない等
の理由より、Cu扮粉末好適である。
本発明の活性金属粉末は、加熱(望ましくはペースト焼
成時の加熱)により窒化アルミニウム基板と反応し導体
の接着力を向上する作用を有する。かかる活性金属粉末
の含有量が無機成分中で15重量%未満では、導体の接
着力が充分に向上しないので好ましくな(,50重量%
より多(なると導体が脆弱になり充分な接着力が得られ
ないだけでなく、導体の電気抵抗が大きくなりすぎるの
で好ましくない。
かかる活性金属粉末としてはTi、TiH,Ti合金、
Zr、 ZrHt、 Zr合金が安値であり、使用に好
適である。 Ti合金とシテは、Ti−6Al−4V 
カ例示され、Zr合金としてはジルカロイが例示される
YやLa、 Sm、 Hf等の金属は窒化アルミニウム
と反応するが非常に活性なため、100μm以下の粒径
を持つ粉末が得られ難いので微細な導体パターンを形成
する場合には好ましくない。
インジウム粉末及び/又はインジウム化合物粉末は導体
の脆弱性を改善し、窒化アルミニウム基板との接着強度
を向上させるために添加する、かかる粉末の添加量が無
機成分中で2重量%未満では導体が脆弱で好ましくない
30重量%を越えると導体の電気抵抗が大きくなりすぎ
るので好ましくない。またインジウム化合物粉末として
は インジウム塩: InBr、InBrt、InBra 
(臭化物)InC1,InCl2. InC1a (塩
化物)InF−1(フッ化物) InI、In1.Inl3(ヨウ化物)無機化合物:I
nP(リン化物) InS、In1S、In2Si (硫化物)In20.
InO,In2O5(酸化物)などが挙げられるが、各
融点と沸点と焼成温度から考えて特にIn、 In2O
5が好ましい。
上記各粉末の粒径は、10μm以下であることが好まし
い。その理由は導体層の厚さが20μm程度であるため
、10μm以上の粒径になると粉末の粒径が導体層の厚
さに比べて大きくなりすぎるからである。
本発明によるペーストは以上説明した無機成分に有機ビ
ヒクルを添加して使用される。かかる有機ビヒクルは特
に限定されるものではな(、具体的にはエチルセルロー
ス、アクリル樹脂、四フッ化エチレン樹脂等の有機バイ
ンダーをα−テルピネオール、ブチルカルピトールアセ
テート等の有機溶剤に溶解したものが例示される。
一方窒化アルミ基板としては、AINが主成分であれば
よく、焼結助剤等を5重量%程度含有するものであって
もよい。
本発明による導体の形成は次のようにして行うことがで
きる。
上記の混合粉末に有様ビヒクルを加えたのち、自動乳鉢
で約1時間混合し、さらに三本ロールミルなどにより分
数性を向上させることが好ましい。このようにして作製
した導体ペーストを窒化アルミニウム基板上にスクリー
ン印刷等の方法で塗布し、焼成して導体を形成する。焼
成の条件としては、850〜1200℃程度の温度で少
な(とも10分間加熱を行なうことが望ましく、第1発
明のペーストは1000℃、1時間が接着強度の安定性
の点で好適である。雰囲気としては非酸化性雰囲気が良
く、とりわけ真空雰囲気が接着強度の向上の点で好適で
ある。
一方、第2発明のペーストは特に950℃1時間窒素雰
囲気中で焼成することにより基板との接着強度に優れた
ものが得られる。
焼成後、導体層の表面に半田付けを行なっても良いが、
半田の濡れ性を改善するため、必要に応じてCuメツキ
、Niメツキ等のメツキを施しても良い。
[作用] 本発明においては、窒化アルミニウム基板と導体との接
着は、導体ペースト中に、低融点金属及び/又は低融点
金属化合物を含有することによって導体層自体を強化し
、さらに活性金属とAINとの反応による化学結合によ
って強化されるものと思われる。
さらに、粒度の調整された無機物の粉末と有機ビヒクル
からなるペーストであることによって、細かい回路線幅
が要求される導体層の形成も可能である。
[実施例] 実施例1 表1に示される無機成分粉末の総量と有機ビヒクルとが
重量比で80:20になるように混合し自動乳鉢で約1
時間攪拌後、3本ロールに3回通して導体ペーストを作
製した。なお、有機ビヒクルは、アクリル樹脂と n−
ブチルカルピトールアセテートとを重量比で5=95の
割合で、1合したものを用いた。
次にこの導体ペーストを窒化アルミニウム基板の表面に
、スクリーン印刷法により約20μmの厚さに塗布し、
この導体ペーストを塗布した窒化アルミニウム基板を真
空雰囲気中、1000℃で約1時間焼成し、導体ペース
トを固化した。
更に、この導体層の表面に無電解銅メツキ又は無電解N
iメツキを施こし、接着強度及び抵抗値を調べた。その
結果を表1に示す。接着強度は、2mmX2mmのパタ
ーンでビールテストにより求めた。なお、同表における
試料No、 1〜3は比較例で、ビールテストで導体が
破損した。
表1より明らかなように、本発明による導体ペーストは
、窒化アルミニウム基板の表面に強固な接着強度で接着
した導体を形成することができる。
実施例2 実施例1と同様の方法によりペーストを製造し、窒化ア
ルミニウム基板の表面にスクリーン印刷法に約20μm
の厚さに塗布した。次いでこれを窒素雰囲気中で945
℃1時間焼成した。
次いでこれについて実施例1と同様の方法でテストした
。使用したペーストの組成及びテスト結果を表2に示し
た。同様より明らかなようにインジウム、インジウム化
合物を含有するペーストは、窒素雰囲気中で焼成するこ
とにより窒化アルミニウム基板との接着力(こ優れた導
体が形成される。
[発明の効果] 本発明によれば、マイグレーションを生ずることなく、
接着強度に優れた微細なパターンの導体を窒化アルミニ
ウム基板に形成することができる。
特にインジウム、インジウム化合物を含有するものは窒
素雰囲気での焼成により接着強度に優れた導体を得られ
る。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)無機成分が導電性金属粉末50〜90重量%と、
    加熱により窒化アルミニウムと反応する活性金属粉末8
    〜40重量%と、導体の脆性を改善する低融点金属粉末
    /又は低融点金属化合物粉末2〜30重量%とから成る
    窒化アルミニウム基板用導体ペースト。
  2. (2)無機成分が導電性金属粉末20〜80重量%と、
    活性金属粉末15〜50重量%と、インジウム粉末及び
    /又はインジウム化合物2〜30重量%とから成る窒化
    アルミニウム基板用導体ペースト。
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