JP2967929B2 - 窒化アルミニウム基板用導体ペースト - Google Patents
窒化アルミニウム基板用導体ペーストInfo
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- JP2967929B2 JP2967929B2 JP63267136A JP26713688A JP2967929B2 JP 2967929 B2 JP2967929 B2 JP 2967929B2 JP 63267136 A JP63267136 A JP 63267136A JP 26713688 A JP26713688 A JP 26713688A JP 2967929 B2 JP2967929 B2 JP 2967929B2
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- conductor
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- aluminum nitride
- nitride substrate
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、窒化アルミニウム基板用ペーストに関する
ものである。
ものである。
[従来の技術] 近年、電子機器の小型化、高出力化に対する要求が高
まり、半導体素子の高出力化、高集積化などの技術が強
く望まれている。それに伴い、単位面積当たりの発熱量
が増加するため、半導体からの発熱を効率よく放散でき
る基板が求められている。その中で、AlNは絶縁抵抗が
高い、絶縁耐圧が高い、誘電率が低いなどの電気特性に
加え、Al2O3の10倍以上の高い熱伝導率、またSiに近い
熱膨張係数を有し、上記の要求に応える材料の一つとし
て注目されている。
まり、半導体素子の高出力化、高集積化などの技術が強
く望まれている。それに伴い、単位面積当たりの発熱量
が増加するため、半導体からの発熱を効率よく放散でき
る基板が求められている。その中で、AlNは絶縁抵抗が
高い、絶縁耐圧が高い、誘電率が低いなどの電気特性に
加え、Al2O3の10倍以上の高い熱伝導率、またSiに近い
熱膨張係数を有し、上記の要求に応える材料の一つとし
て注目されている。
しかるに、AlNは、金属との濡れ性が悪く、Al2O3基板
に使用される厚膜導体ペーストを使用しても、基板との
接着強度が強い回路を形成するのが困難であるという問
題を有していた。AlNと金属との接着力向上に関して
は、第2回マイクロエレクトロニクスシンポジウム(19
87)の予稿集p141〜p144に記載されているように、Ti箔
もしくは、Ti−Cu系ろう材,Ti粉末とAgろう粉末との混
合ペーストを用いると、AlNとTiとが高温で反応してTiN
が生成し高い接合強度が得られることが知られている
が、Ti箔を用いる方法では、Cu箔とAlN基板との接合し
か出来ず、細かい回路線幅に対応できないという問題点
があり、Ti−Cu系ろう材を用いる方法では、合金粉の微
粉を得にくいため細かい回路線幅に対応できないという
問題点があり、Ti粉末とAgろう粉末との混合ペーストを
用いる方法では、Agを含有しているためマイグレーショ
ンが発生しやすいという問題点があった。
に使用される厚膜導体ペーストを使用しても、基板との
接着強度が強い回路を形成するのが困難であるという問
題を有していた。AlNと金属との接着力向上に関して
は、第2回マイクロエレクトロニクスシンポジウム(19
87)の予稿集p141〜p144に記載されているように、Ti箔
もしくは、Ti−Cu系ろう材,Ti粉末とAgろう粉末との混
合ペーストを用いると、AlNとTiとが高温で反応してTiN
が生成し高い接合強度が得られることが知られている
が、Ti箔を用いる方法では、Cu箔とAlN基板との接合し
か出来ず、細かい回路線幅に対応できないという問題点
があり、Ti−Cu系ろう材を用いる方法では、合金粉の微
粉を得にくいため細かい回路線幅に対応できないという
問題点があり、Ti粉末とAgろう粉末との混合ペーストを
用いる方法では、Agを含有しているためマイグレーショ
ンが発生しやすいという問題点があった。
(発明の解決しようとする問題点) 本発明は従来技術が有していた上記問題点を解決し、
微細な回路パターンが形成でき、マイグレーションが発
生することなく、接着強度に優れた窒化アルミニウム基
板用導体ペーストの提供を目的とする。
微細な回路パターンが形成でき、マイグレーションが発
生することなく、接着強度に優れた窒化アルミニウム基
板用導体ペーストの提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は無機成分が導電性金属の粉末50〜90重量%
と、活性金属の粉末8〜40重量%と、低融点金属の粉末
及び/又は該低融点金属の化合物の粉末2〜30重量%と
からなり、上記導電性金属はCu、Ag、Pd及びNiから選ば
れる1種以上であり、上記活性金属はTi、Ti合金、Zr又
はZr合金であり、上記低融点金属はSn、Bi、Sb、In、C
d、Zn、Ge、Se及びPbから選ばれる1種以上である、窒
化アルミニウム基板用導体ペースト、並びに、無機成分
が導電性金属の粉末20〜80重量%と、活性金属の粉末15
〜50重量%と、Inの粉末及び/又はIn化合物の粉末2〜
30重量%とからなり、上記導電性金属はCu、Ag、Pd及び
Niから選ばれる1種以上であり、上記活性金属はTi、Ti
合金、Zr又はZr合金である、窒化アルミニウム基板用導
体ペーストを提供するものである。
と、活性金属の粉末8〜40重量%と、低融点金属の粉末
及び/又は該低融点金属の化合物の粉末2〜30重量%と
からなり、上記導電性金属はCu、Ag、Pd及びNiから選ば
れる1種以上であり、上記活性金属はTi、Ti合金、Zr又
はZr合金であり、上記低融点金属はSn、Bi、Sb、In、C
d、Zn、Ge、Se及びPbから選ばれる1種以上である、窒
化アルミニウム基板用導体ペースト、並びに、無機成分
が導電性金属の粉末20〜80重量%と、活性金属の粉末15
〜50重量%と、Inの粉末及び/又はIn化合物の粉末2〜
30重量%とからなり、上記導電性金属はCu、Ag、Pd及び
Niから選ばれる1種以上であり、上記活性金属はTi、Ti
合金、Zr又はZr合金である、窒化アルミニウム基板用導
体ペーストを提供するものである。
本発明の第1発明において、導電性金属粉末は導体を
構成する主成分であり、無機成分中における該金属粉末
の含有量が50重量%未満では導体の抵抗値が大きくなり
過ぎ、90重量%を越えると導体と基板の接着力が低下す
る。
構成する主成分であり、無機成分中における該金属粉末
の含有量が50重量%未満では導体の抵抗値が大きくなり
過ぎ、90重量%を越えると導体と基板の接着力が低下す
る。
導電性金属としては抵抗値が小さい金属を使用し、具
体的には貴金属であるAg、Pd、卑金属であるCu、Niから
選ばれる1種以上を使用する。中でも電気抵抗が低い、
融点が低い、マイグレーションの心配が無い等の理由か
ら、Cu粉末が好適である。
体的には貴金属であるAg、Pd、卑金属であるCu、Niから
選ばれる1種以上を使用する。中でも電気抵抗が低い、
融点が低い、マイグレーションの心配が無い等の理由か
ら、Cu粉末が好適である。
本発明の活性金属粉末は、加熱(望ましくはペースト
焼成時の加熱)によりAlN基板と反応し導体の接着力を
向上する作用を有する。かかる活性金属粉末の含有量が
無機成分中で8重量%未満では、導体の接着力が充分に
向上しなく、40重量%より多くなると、導体が脆弱にな
り充分な接着力が得られないだけでなく、導体の電気抵
抗が大きくなりすぎる。活性金属としてはTi、Ti合金、
Zr又はZr合金を使用する。Ti合金としては、Ti−6Al−4
Vが例示され、Zr合金としてはジルカロイが例示され
る。
焼成時の加熱)によりAlN基板と反応し導体の接着力を
向上する作用を有する。かかる活性金属粉末の含有量が
無機成分中で8重量%未満では、導体の接着力が充分に
向上しなく、40重量%より多くなると、導体が脆弱にな
り充分な接着力が得られないだけでなく、導体の電気抵
抗が大きくなりすぎる。活性金属としてはTi、Ti合金、
Zr又はZr合金を使用する。Ti合金としては、Ti−6Al−4
Vが例示され、Zr合金としてはジルカロイが例示され
る。
低融点金属粉末及び/又は低融点金属化合物粉末は導
体の脆弱性を改善するために添加する。かかる粉末の添
加量が無機成分中で2重量%未満では導体が脆弱で、30
重量%を越えると導体の電気抵抗が大きくなりすぎる。
体の脆弱性を改善するために添加する。かかる粉末の添
加量が無機成分中で2重量%未満では導体が脆弱で、30
重量%を越えると導体の電気抵抗が大きくなりすぎる。
低融点金属の粉末や低融点金属の化合物の粉末を構成
する低融点金属としては上記導電性金属より融点が低
く、焼成により導体の脆性を改善するものを使用する。
具体的には、低融点金属としてはSn,Bi,Sb,In,Cd,Zn,G
e,Se,Pbを使用する。低融点金属化合物としてはBi2O3,S
b2O3,PbO,の酸化物、PbCl2,SbCl3,SnCl4の塩化物、SnS,
BiS,Sb2S3の硫化物が例示される。中でもSn,Bi,Bi2O3が
特に好ましい。
する低融点金属としては上記導電性金属より融点が低
く、焼成により導体の脆性を改善するものを使用する。
具体的には、低融点金属としてはSn,Bi,Sb,In,Cd,Zn,G
e,Se,Pbを使用する。低融点金属化合物としてはBi2O3,S
b2O3,PbO,の酸化物、PbCl2,SbCl3,SnCl4の塩化物、SnS,
BiS,Sb2S3の硫化物が例示される。中でもSn,Bi,Bi2O3が
特に好ましい。
上記各粉末の粒径は、10μm以下であることが好まし
い。その理由は導体層の厚さが20μm程度であるため、
10μm超の粒径になると粉末の粒径が導体層の厚さに比
べて大きくなりすぎるからである。
い。その理由は導体層の厚さが20μm程度であるため、
10μm超の粒径になると粉末の粒径が導体層の厚さに比
べて大きくなりすぎるからである。
本発明の第2発明は特に窒化雰囲気で焼成した場合窒
化アルミニウム基板と接着強度に優れたものが得られ
る。
化アルミニウム基板と接着強度に優れたものが得られ
る。
導電性金属粉末は無機成分中における該金属粉末の含
有量が20重量%未満では導体の抵抗値が大きくなり過
ぎ、80重量%を越えると導体と基板の接着力が低下す
る。導電性金属としては抵抗値が小さい金属を使用し、
具体的には貴金属であるAg、Pd、卑金属であるCu、Niか
ら選ばれる1種以上を使用する。中でも電気抵抗が低
い、融点が低い、マイグレーションの心配がない等の理
由より、Cu粉末が好適である。
有量が20重量%未満では導体の抵抗値が大きくなり過
ぎ、80重量%を越えると導体と基板の接着力が低下す
る。導電性金属としては抵抗値が小さい金属を使用し、
具体的には貴金属であるAg、Pd、卑金属であるCu、Niか
ら選ばれる1種以上を使用する。中でも電気抵抗が低
い、融点が低い、マイグレーションの心配がない等の理
由より、Cu粉末が好適である。
本発明の活性金属粉末は、加熱(望ましくはペースト
焼成時の加熱)により窒化アルミニウム基板と反応し導
体の接着力を向上する作用を有する。かかる活性金属粉
末の含有量が無機成分中で15重量%未満では、導体の接
着力が充分に向上しなく、50重量%より多くなると導体
が脆弱になり充分な接着力が得られないだけでなく、導
体の電気抵抗が大きくなりすぎる。
焼成時の加熱)により窒化アルミニウム基板と反応し導
体の接着力を向上する作用を有する。かかる活性金属粉
末の含有量が無機成分中で15重量%未満では、導体の接
着力が充分に向上しなく、50重量%より多くなると導体
が脆弱になり充分な接着力が得られないだけでなく、導
体の電気抵抗が大きくなりすぎる。
活性金属としてはTi、Ti合金、Zr又はZr合金を使用す
る。Ti合金としては、Ti−6Al−4Vが例示され、Zr合金
としてはジルカロイが例示される。
る。Ti合金としては、Ti−6Al−4Vが例示され、Zr合金
としてはジルカロイが例示される。
YやLa,Sm,Hf等の金属は窒化アルミニウムと反応する
が非常に活性なため、100μm以下の粒径を持つ粉末が
得られ難いので微細な導体パターンを形成する場合には
好ましくない。
が非常に活性なため、100μm以下の粒径を持つ粉末が
得られ難いので微細な導体パターンを形成する場合には
好ましくない。
インジウム粉末及び/又はインジウム化合物粉末は導
体の脆弱性を改善し、窒化アルミニウム基板との接着強
度を向上させるために添加する。かかる粉末の添加量が
無機成分中で2重量%未満では導体が脆弱である。
体の脆弱性を改善し、窒化アルミニウム基板との接着強
度を向上させるために添加する。かかる粉末の添加量が
無機成分中で2重量%未満では導体が脆弱である。
30重量%を越えると導体の電気抵抗が大きくなりすぎ
る。またインジウム化合物粉末としては インジウム塩:InBr,InBr2,InBr3(臭化物) InCl,InCl2,InCl3(塩化物) InF3(フッ化物) InI,InI2,InI3(ヨウ化物) 無機化合物:InP(リン化物) InS,In2S,In2S3(硫化物) In2O,InO,In2O3(酸化物) などが挙げられるが、各融点と沸点と焼成温度から考え
て特にIn,In2O3が好ましい。
る。またインジウム化合物粉末としては インジウム塩:InBr,InBr2,InBr3(臭化物) InCl,InCl2,InCl3(塩化物) InF3(フッ化物) InI,InI2,InI3(ヨウ化物) 無機化合物:InP(リン化物) InS,In2S,In2S3(硫化物) In2O,InO,In2O3(酸化物) などが挙げられるが、各融点と沸点と焼成温度から考え
て特にIn,In2O3が好ましい。
上記各粉末の粒径は、10μm以下であることが好まし
い。その理由は導体層の厚さが20μm程度であるため、
10μm超の粒径になると粉末の粒径が導体層の厚さに比
べて大きくなりすぎるからである。
い。その理由は導体層の厚さが20μm程度であるため、
10μm超の粒径になると粉末の粒径が導体層の厚さに比
べて大きくなりすぎるからである。
本発明によるペーストは以上説明した無機成分に有機
ビヒクルを添加して使用される。かかる有機ビヒクルは
特に限定されるものではなく、具体的にはエチルセルロ
ース,アクリル樹脂,四フツ化エチレン樹脂等の有機バ
インダーをα−テルピネオール,ブチルカルビトールア
セテート等の有機溶剤に溶解したものが例示される。
ビヒクルを添加して使用される。かかる有機ビヒクルは
特に限定されるものではなく、具体的にはエチルセルロ
ース,アクリル樹脂,四フツ化エチレン樹脂等の有機バ
インダーをα−テルピネオール,ブチルカルビトールア
セテート等の有機溶剤に溶解したものが例示される。
一方窒化アルミニウム基板としては、AlNが主成分で
あればよく、燒結助剤等を5重量%程度含有するもので
あってもよい。
あればよく、燒結助剤等を5重量%程度含有するもので
あってもよい。
本発明による導体の形成は次のようにして行うことが
できる。
できる。
上記の混合粉末に有機ビヒクルを加えたのち、自動乳
鉢で約1時間混合し、さらに三本ロールミルなどにより
分散性を向上させることが好ましい。このようにして作
製した導体ペーストを窒化アルミニウム基板上にスクリ
ーン印刷等の方法で塗布し、焼成して導体を形成する。
焼成の条件としては、850〜1200℃程度の温度で少なく
とも10分間加熱を行なうことが望ましく、第1発明のペ
ーストは1000℃、1時間が接着強度の安定性の点で好適
である。雰囲気としては非酸化性雰囲気が良く、とりわ
け真空雰囲気が接着強度の向上の点で好適である。
鉢で約1時間混合し、さらに三本ロールミルなどにより
分散性を向上させることが好ましい。このようにして作
製した導体ペーストを窒化アルミニウム基板上にスクリ
ーン印刷等の方法で塗布し、焼成して導体を形成する。
焼成の条件としては、850〜1200℃程度の温度で少なく
とも10分間加熱を行なうことが望ましく、第1発明のペ
ーストは1000℃、1時間が接着強度の安定性の点で好適
である。雰囲気としては非酸化性雰囲気が良く、とりわ
け真空雰囲気が接着強度の向上の点で好適である。
一方、第2発明のペーストは特に950℃1時間窒素雰
囲気中で焼成することにより基板との接着強度に優れた
ものが得られる。
囲気中で焼成することにより基板との接着強度に優れた
ものが得られる。
焼成後、導体層の表面に半田付けを行なっても良い
が、半田の濡れ性を改善するため、必要に応じてCuメッ
キ、Niメッキ等のメッキを施しても良い。
が、半田の濡れ性を改善するため、必要に応じてCuメッ
キ、Niメッキ等のメッキを施しても良い。
[作用] 本発明においては、窒化アルミニウム基板と導体との
接着は、導体ペースト中に、低融点金属及び/又は低融
点金属化合物を含有することによって導体層自体を強化
し、さらに活性金属とAlNとの反応による化学結合によ
って強化されるものと思われる。
接着は、導体ペースト中に、低融点金属及び/又は低融
点金属化合物を含有することによって導体層自体を強化
し、さらに活性金属とAlNとの反応による化学結合によ
って強化されるものと思われる。
さらに、粒度の調整された無機物の粉末と有機ビヒク
ルからなるペーストであることによって、細かい回路線
幅が要求される導体層の形成も可能である。
ルからなるペーストであることによって、細かい回路線
幅が要求される導体層の形成も可能である。
[実施例] 試料No.1〜11 表1に示される無機成分粉末の総量と有機ビヒクルと
が重量比で80:20になるように混合し自動乳鉢で約1時
間撹拌後、3本ロールに3回通して導体ペーストを作製
した。なお、有機ビヒクルは、アクリル樹脂とn−ブチ
ルカルビトールアセテートとを重量比で5:95の割合で混
合したものを用いた。
が重量比で80:20になるように混合し自動乳鉢で約1時
間撹拌後、3本ロールに3回通して導体ペーストを作製
した。なお、有機ビヒクルは、アクリル樹脂とn−ブチ
ルカルビトールアセテートとを重量比で5:95の割合で混
合したものを用いた。
次にこの導体ペーストを窒化アルミニウム基板の表面
に、スクリーン印刷法により約20μmの厚さに塗布し、
この導体ペーストを塗布した窒化アルミニウム基板を真
空雰囲気中、1000℃で約1時間焼成し、導体ペーストを
固化した。
に、スクリーン印刷法により約20μmの厚さに塗布し、
この導体ペーストを塗布した窒化アルミニウム基板を真
空雰囲気中、1000℃で約1時間焼成し、導体ペーストを
固化した。
更に、この導体層の表面に無電解銅メッキ又は無電解
Niメッキを施こし、接着強度及び抵抗値を調べた。その
結果を表1に示す。接着強度は、2mm×2mmのパターンで
ピールテストにより求めた。なお、同表における試料N
o.1〜3は比較例で、ピールテストで導体が破損した。
Niメッキを施こし、接着強度及び抵抗値を調べた。その
結果を表1に示す。接着強度は、2mm×2mmのパターンで
ピールテストにより求めた。なお、同表における試料N
o.1〜3は比較例で、ピールテストで導体が破損した。
表1より明らかなように、本発明による導体ペースト
は、窒化アルミニウム基板の表面に強固な接着強度で接
着した導体を形成することができる。
は、窒化アルミニウム基板の表面に強固な接着強度で接
着した導体を形成することができる。
試料No.12〜22 表1に示すペースト中の無機成分組成と無電解メッキ
法とし、焼成条件を、窒素雰囲気中、945℃で1時間と
した他は試料No.1と同様にして、試作、評価した結果を
表1に示す。表1より明らかなようにインジウム、イン
ジウム化合物を含有するペーストは、窒素雰囲気中で焼
成することにより窒化アルミニウム基板との接着力に優
れた導体が形成される。
法とし、焼成条件を、窒素雰囲気中、945℃で1時間と
した他は試料No.1と同様にして、試作、評価した結果を
表1に示す。表1より明らかなようにインジウム、イン
ジウム化合物を含有するペーストは、窒素雰囲気中で焼
成することにより窒化アルミニウム基板との接着力に優
れた導体が形成される。
[発明の効果] 本発明によれば、マイグレーションを生ずることな
く、接着強度に優れた微細なパターンの導体を窒化アル
ミニウム基板に形成することができる。
く、接着強度に優れた微細なパターンの導体を窒化アル
ミニウム基板に形成することができる。
特にインジウム、インジウム化合物を含有するものは
窒素雰囲気での焼成により接着強度に優れた導体が得ら
れる。
窒素雰囲気での焼成により接着強度に優れた導体が得ら
れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−81290(JP,A) 特開 昭62−229922(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】無機成分が導電性金属の粉末50〜90重量%
と、活性金属の粉末8〜40重量%と、低融点金属の粉末
及び/又は該低融点金属の化合物の粉末2〜30重量%と
からなり、 上記導電性金属はCu、Ag、Pd及びNiから選ばれる1種以
上であり、 上記活性金属はTi、Ti合金、Zr又はZr合金であり、 上記低融点金属はSn、Bi、Sb、In、Cd、Zn、Ge、Se及び
Pbから選ばれる1種以上である、 窒化アルミニウム基板用導体ペースト。 - 【請求項2】無機成分が導電性金属の粉末20〜80重量%
と、活性金属の粉末15〜50重量%と、Inの粉末及び/又
はIn化合物の粉末2〜30重量%とからなり、 上記導電性金属はCu、Ag、Pd及びNiから選ばれる1種以
上であり、 上記活性金属はTi、Ti合金、Zr又はZr合金である、 窒化アルミニウム基板用導体ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63267136A JP2967929B2 (ja) | 1987-10-27 | 1988-10-25 | 窒化アルミニウム基板用導体ペースト |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-269405 | 1987-10-27 | ||
JP26940587 | 1987-10-27 | ||
JP63267136A JP2967929B2 (ja) | 1987-10-27 | 1988-10-25 | 窒化アルミニウム基板用導体ペースト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01206508A JPH01206508A (ja) | 1989-08-18 |
JP2967929B2 true JP2967929B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=26547727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63267136A Expired - Fee Related JP2967929B2 (ja) | 1987-10-27 | 1988-10-25 | 窒化アルミニウム基板用導体ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2967929B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3422367A4 (en) * | 2016-12-27 | 2019-10-16 | Mitsuboshi Belting Ltd. | ELECTROCONDUCTIVE PULP, ELECTRONIC SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUBSTRATE |
Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
JPH0671137B2 (ja) * | 1989-06-15 | 1994-09-07 | 電気化学工業株式会社 | 銅を接合した窒化アルミニウム基板の製法 |
EP0895252A1 (en) * | 1997-07-29 | 1999-02-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film silver termination composition |
DE102013007439B4 (de) | 2012-05-10 | 2016-06-30 | Hubert Adamietz | Vorrichtung zur Bestimmung der von einer Wärmequelle abgegebenen thermischen Leistung |
WO2022210507A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 株式会社 東芝 | セラミックス回路基板の製造方法 |
CN115838303B (zh) * | 2023-02-22 | 2023-04-28 | 西安石油大学 | 一种氮化铝陶瓷用银浆 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0635077B2 (ja) * | 1985-10-02 | 1994-05-11 | 田中貴金属工業株式会社 | セラミックス用ろう材 |
JPS62229922A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 株式会社東芝 | コンデンサ |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63267136A patent/JP2967929B2/ja not_active Expired - Fee Related
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EP3422367A4 (en) * | 2016-12-27 | 2019-10-16 | Mitsuboshi Belting Ltd. | ELECTROCONDUCTIVE PULP, ELECTRONIC SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUBSTRATE |
US10575412B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-25 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Electroconductive paste, electronic substrate, and method for manufacturing said substrate |
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Publication number | Publication date |
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JPH01206508A (ja) | 1989-08-18 |
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