JP2002084051A

JP2002084051A - 銅メタライズ組成物、低温焼結セラミック配線基板、及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002084051A
Application number: JP2000271846A
Authority: JP
Inventors: Ryoji Nakamura; 良二中村
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-09-07
Filing date: 2000-09-07
Publication date: 2002-03-22

Abstract

(57)【要約】【課題】ＢＡＳなどの非ガラス系低温焼結セラミック
と同時焼成することが可能で、絶縁基体に対する接着強
度、酸系やアルカリ系のめっき浴に対する耐腐食性に優
れた銅電極層を形成することが可能な銅メタライズ組成
物、それを用いて銅電極層を形成した低温焼結セラミッ
ク配線基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】主成分であるＣｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ₂Ｏ、
Ｃｕ−ＣｕＯ混合物、Ｃｕ−Ｃｕ₂Ｏ混合物、及びＣｕ
Ｏ−Ｃｕ₂Ｏ混合物からなる群より選ばれる少なくとも
１種に対して、添加成分として、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔｉ
Ｏ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、及びＷＯからなる群より選ばれる少な
くとも１種を、無機成分全体に対する含有率が０．５〜
３０．０重量％となるような割合で添加する。非ガラス
系低温焼結セラミックとして、ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｓｉ
Ｏ₂混合セラミック磁器を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、銅メタライズ組
成物、低温焼結セラミック配線基板、及びその製造方法
に関し、詳しくは、ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂混合セ
ラミック磁器（以下、場合によっては「ＢＡＳ」と略称
する）などの非ガラス系低温焼結セラミックと同時焼成
が可能な銅メタライズ組成物、該銅メタライズ組成物を
用いて銅電極層（ランド、パッド、配線など）を形成し
た低温焼結セラミック配線基板、及びその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＩＣやＬＳＩなどの半導体素
子を収納する半導体素子収納用パッケージや、半導体素
子の他に各種電子部品を搭載した混成集積回路装置など
の各種配線基板用の絶縁基体としては、電気絶縁性や化
学的安定性などの特性に優れたアルミナ質セラミックが
広く用いられている。

【０００３】しかし、高周波化及び高密度化が進むにつ
れて、ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子を搭載する配線基
板としては、アルミナ質セラミックからなる従来の絶縁
基体よりもさらに基体の誘電率が低く、また、配線抵抗
の小さいものが要求されるようになっている。そして、
近年は、絶縁基体として、ＢＡＳ（ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−
ＳｉＯ₂混合セラミック磁器）からなるものが多用され
るに至っている。また、導体材料（電極層材料）として
は、ＢＡＳと同時焼成することが可能な、焼成温度が低
く、低抵抗な材料、例えば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、
銀（Ａｇ）などの材料が注目されるようになっている。

【０００４】かかる状況下において、ＢＡＳを絶縁基体
に用い、Ｃｕを低抵抗導体材料として用いた高密度配線
基板が開発され、実用されるに至っている。なお、ＢＡ
Ｓからなる絶縁基板は、通常、ＢＡＳ原料粉末と有機バ
インダー、溶媒を用いて調整したスラリーをドクターブ
レード法などのシート成形方法で成形した後、得られた
セラミックグリーンシート（ＢＡＳグリーンシート）に
スルーホール（ビアホール）などを打ち抜き加工し、該
スルーホールに銅メタライズ組成物を含む銅ペーストを
充填した後、同様の銅ペーストを用いて、スクリーン印
刷法などの厚膜手法により、セラミックグリーンシート
上に所定の配線パターンを印刷形成して複数枚加圧積層
し、該積層体を加熱してバインダーを除去し、次いで焼
成することにより製造されている。

【０００５】また、例えば１０００℃以下というような
低温で焼成することが可能な銅メタライズ組成物として
は、ＣｕＯ、ＣｕＯ−Ｃｕ混合物、又はＣｕＯ−Ｃｕ₂
Ｏ混合物などから選ばれる主成分に、Ｂｉ₂Ｏ_3、ＭｏＯ
₃、Ｃｒ₂Ｏ₃などを添加した組成物などが提案されてい
る（特開平４−８３７８１号公報、特開平５−４８８４
号公報）。

【０００６】ところで、上述のＢＡＳなどからなる配線
基板にフィルターなどの部品を実装するにあたっては、
銅メタライズ組成物を用いて基板上に形成した銅電極層
に、めっき法などの方法により、Ｎｉ及びＡｕの被覆を
施した後、はんだを用いて実装を行っている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、銅メタライズ
組成物を用いて形成した銅電極層は多孔質であるため、
ＮｉやＡｕめっきを施す際に、めっきの前処理として行
われる塩酸溶液や硫酸溶液などによる酸処理工程、ある
いはアンモニアなどによるアルカリ処理工程において、
基板と銅電極層の界面にまで酸やアルカリを含む処理液
がしみ込んで、銅電極層中のＣｕ及び焼成後に残留する
ＣｕＯが処理液に溶解し、特に基板と銅電極層の界面に
おけるＣｕやＣｕＯの溶解により、銅電極層の基板への
接着強度が著しく低下するという問題点がある。

【０００８】また、Ｎｉめっき浴やＡｕめっき浴は、酸
系あるいはアルカリ系の溶液であるため、銅電極層の腐
食が進み、さらに基板への接着強度が低下するという問
題点がある。具体的には、銅電極層の基板への接着強度
が０．５kg／２mm□程度まで低下し、めっき膜の応力に
よって容易に剥離してしまうというような問題点があ
る。

【０００９】さらに、Ｎｉめっき及びＡｕめっきが施さ
れた電極に、はんだを用いてフィルターなどの部品を実
装した場合、はんだの熱収縮応力が加わるため、さら
に、銅電極層が基板から剥離しやすくなるという問題点
がある。

【００１０】また、特開平１０−９５６８６号公報に開
示されている、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏなどの金属と、
ＮｉＯなどの酸化物を混合した銅組成物を電極材料とし
て用いた場合、めっきの前処理として行われる酸処理あ
るいはアルカリ処理によって、酸化物が銅とともに溶解
するため、めっき後の接着強度が２kg／２mm□以下にま
で低下し、はんだ実装時に電極が剥がれてしまうという
ような問題点があるものと考えられる。

【００１１】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、ＢＡＳ（ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂混合セラミ
ック磁器）などの非ガラス系低温焼結セラミックと同時
焼成することが可能で、ＢＡＳなどの非ガラス系低温焼
結セラミックからなる絶縁基体に対する接着強度や酸系
めっき浴に対する耐腐食性に優れた銅電極層を形成する
ことが可能な銅メタライズ組成物、該銅メタライズ組成
物を用いて配線を形成した低温焼結セラミック配線基
板、及び低温焼結セラミック配線基板を効率よく製造す
ることが可能な製造方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の銅メタライズ組成物は、非
ガラス系低温焼結セラミックと同時焼成可能な銅メタラ
イズ組成物であって、主成分であるＣｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ
₂Ｏ、Ｃｕ−ＣｕＯ混合物、Ｃｕ−Ｃｕ₂Ｏ混合物、及び
ＣｕＯ−Ｃｕ₂Ｏ混合物からなる群より選ばれる少なく
とも１種に対して、添加成分として、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、
ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、及びＷＯからなる群より選ばれる
少なくとも１種を、無機成分全体に対する含有率が０．
５〜３０．０重量％となるような割合で添加したことを
特徴としている。

【００１３】本願発明（請求項１）の銅メタライズ組成
物は、主成分であるＣｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ₂Ｏ、Ｃｕ−Ｃ
ｕＯ混合物、Ｃｕ−Ｃｕ₂Ｏ混合物、及びＣｕＯ−Ｃｕ₂
Ｏ混合物からなる群より選ばれる少なくとも１種に対し
て、添加成分として、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂
Ｏ₅、及びＷＯからなる群より選ばれる少なくとも１種
を、無機成分中の含有率が０．５〜３０．０重量％とな
るような割合で添加しているので、添加成分が、非ガラ
ス系低温焼結セラミックとの界面で接着作用を発揮する
とともに、Ｃｕの非ガラス系低温焼結セラミック中への
拡散を抑制して、めっき時の酸処理やアルカリ処理に対
する耐腐食性を向上させる機能を果たす。すなわち、本
願発明の銅メタライズ組成物においては、主成分である
Ｃｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ₂Ｏが、非ガラス系低温焼結セラミ
ックの焼成によって生じたガラス成分と反応して流動性
が高くなり、さらに、比重の違いにより、銅電極と非ガ
ラス系低温焼結セラミックとの界面付近に、添加成分が
集中する。その結果、添加成分は、非ガラス系低温焼結
セラミックとの界面で接着作用を発揮し、さらに、Ｃｕ
の非ガラス系低温焼結セラミック中への拡散を抑制する
機能を果たすことになる。

【００１４】したがって、本願発明の銅メタライズ組成
物を用いることにより、めっき後の接着強度が２kg／２
mm□以上で、はんだ実装時のはんだの熱収縮応力による
剥がれを抑制することが可能な銅電極層を非ガラス系低
温焼結セラミック上に効率よく形成することが可能にな
る。

【００１５】また、請求項２の銅メタライズ組成物は、
前記非ガラス系低温焼結セラミックが、ＢａＯ−Ａｌ₂
Ｏ₃−ＳｉＯ₂混合セラミック磁器であることを特徴とし
ている。

【００１６】本願発明の銅メタライズ組成物は、焼成後
に形成される銅電極層が低抵抗であり、かつ、種々の非
ガラス系低温焼結セラミックと同時焼成が可能であっ
て、アルミナ質セラミックなどよりも高い電気的特性を
備えた材料であるＢＡＳ（ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂
混合セラミック磁器）と同時焼成することも可能である
ため、高周波化及び高密度化によりよく対応することが
可能な低温焼結セラミック配線基板を製造する場合に、
好適に使用することができる。

【００１７】また、本願発明（請求項３）の低温焼結セ
ラミック配線基板の製造方法は、非ガラス系低温焼結セ
ラミック上に銅電極層が形成された低温焼結セラミック
配線基板の製造方法であって、請求項１記載の銅メタラ
イズ組成物を、窒素雰囲気中、所定の温度で、非ガラス
系低温焼結セラミックと同時焼成することにより、非ガ
ラス系低温焼結セラミック上に、非ガラス系低温焼結セ
ラミックとの界面からの厚みの３０％の範囲における前
記添加成分の占有率が、銅電極層断面の面積比率で４０
〜９５％の範囲にある銅電極層を形成することを特徴と
している。

【００１８】本願請求項１記載の銅メタライズ組成物
を、窒素雰囲気中、所定の温度で、非ガラス系低温焼結
セラミックと同時焼成することにより、非ガラス系低温
焼結セラミック上に、非ガラス系低温焼結セラミックと
の界面からの厚みの３０％の範囲における添加成分の占
有率が、銅電極層断面の面積比率で４０〜９５％の範囲
にある銅電極層を形成することが可能になり、基板への
接着強度の大きい銅電極層を備えた低温焼結セラミック
配線基板を効率よく製造することが可能になる。

【００１９】なお、銅電極層の、基板との界面からの銅
電極層の厚みの３０％の範囲内の、添加成分（金属又は
金属酸化物）の占有率が銅電極層断面の面積比率で４０
％未満になると、めっき時及びはんだ実装時の銅電極層
と基板との接着強度が極端に劣化し、また、９５％を超
えると、銅電極層の電気抵抗が高くなるので好ましくな
い。また、本願発明において、添加成分の占有率が４０
〜９５％の範囲が、銅電極層と基板との界面からの銅電
極層の厚みの３０％より多くなると、はんだ濡れ性が低
下するため望ましくない。

【００２０】なお、本願発明の低温焼結セラミック配線
基板において、銅電極層は、ランドやパッド、あるいは
配線として機能するものであり、そのパターンについて
は特に制約はない。

【００２１】また、本願発明（請求項４）の低温焼結セ
ラミック配線基板の製造方法は、非ガラス系低温焼結セ
ラミック上に銅電極層が形成された低温焼結セラミック
配線基板の製造方法であって、請求項１記載の銅メタラ
イズ組成物を、酸素濃度０．１〜３０ppmの窒素雰囲気
中、所定の温度で、非ガラス系低温焼結セラミックと同
時焼成することにより、非ガラス系低温焼結セラミック
上に、非ガラス系低温焼結セラミックとの界面からの厚
みの３０％の範囲における前記添加成分の占有率が、銅
電極層断面の面積比率で４０〜９５％の範囲にある銅電
極層を形成することを特徴としている。

【００２２】請求項１記載の銅メタライズ組成物を、酸
素濃度０．１〜３０ppmの窒素雰囲気中、所定の温度
で、非ガラス系低温焼結セラミックと同時焼成すること
によっても、非ガラス系低温焼結セラミック上に、非ガ
ラス系低温焼結セラミックとの界面からの銅電極層の厚
みの３０％の範囲における添加成分の占有率が、銅電極
層断面の面積比率で４０〜９５％の範囲にある銅電極層
を形成することが可能であり、基板への接着強度の大き
い銅電極層を備えた低温焼結セラミック配線基板を効率
よく製造することが可能になる。

【００２３】また、請求項５の低温焼結セラミック配線
基板の製造方法は、請求項１記載の銅メタライズ組成物
を、８００〜１０００℃の温度で、非ガラス系低温焼結
セラミックと同時焼成することを特徴としている。

【００２４】本願発明の銅メタライズ組成物は、８００
〜１０００℃の温度で、ＢＡＳなどの非ガラス系低温焼
結セラミックと同時焼成することが可能であり、基板へ
の接着強度の大きい銅電極層を備えた低温焼結セラミッ
ク配線基板を効率よく製造することができる。なお、本
願発明の銅メタライズ組成物は、場合によっては、８０
０〜１０００℃の範囲外の温度条件でも焼成することが
可能である。

【００２５】また、請求項６の低温焼結セラミック配線
基板の製造方法は、前記銅電極層の、非ガラス系低温焼
結セラミックとの界面からの該銅電極層の厚みの１０％
の範囲における前記添加成分の占有率が、銅電極層断面
の面積比率で６０〜９５％の範囲となるようにすること
を特徴としている。

【００２６】銅電極層の、該銅電極層と非ガラス系低温
焼結セラミックとの界面から該銅電極層の厚みの１０％
の範囲における添加成分の占有率が、銅電極層断面の面
積比率で６０〜９５％の範囲となるようにした場合、反
りやうねりのある基板に対しても十分な接着強度を有す
る銅電極層を形成することが可能になり、さらに信頼性
の高い低温焼結セラミック配線基板を製造することが可
能になる。

【００２７】また、請求項７の低温焼結セラミック配線
基板の製造方法は、前記非ガラス系低温焼結セラミック
が、ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂混合セラミック磁器で
あることを特徴としている。

【００２８】非ガラス系低温焼結セラミックとして、Ｂ
ＡＳを用いることにより、高周波特性などに優れた高性
能の低温焼結セラミック配線基板を効率よく製造するこ
とが可能になる。

【００２９】また、本願発明（請求項８）の低温焼結セ
ラミック配線基板は、非ガラス系低温焼結セラミック上
に銅電極層が形成された低温焼結セラミック配線基板で
あって、請求項１記載の銅メタライズ組成物を、窒素雰
囲気中、又は酸素濃度０．１〜３０ppmの窒素雰囲気
中、非ガラス系低温焼結セラミックと同時焼成すること
により、非ガラス系低温焼結セラミック上に、銅電極層
が形成されており、かつ、前記銅電極層の、非ガラス系
低温焼結セラミックとの界面からの該銅電極層の厚みの
３０％の範囲における前記添加成分粒子の占有率が、銅
電極層断面の面積比率で４０〜９５％の範囲にあること
を特徴としている。

【００３０】本願発明（請求項８）の低温焼結セラミッ
ク配線基板のように、非ガラス系低温焼結セラミック上
に形成された銅電極層の、非ガラス系低温焼結セラミッ
クとの界面からの厚みの３０％の範囲における添加成分
の占有率が、銅電極層断面の面積比率で４０〜９５％の
範囲となるようにした場合、添加成分が、非ガラス系低
温焼結セラミックとの界面で接着作用を発揮するととも
に、Ｃｕの非ガラス系低温焼結セラミック中への拡散を
抑制して、めっき時の酸処理やアルカリ処理に対する耐
腐食性を向上させる機能を果たすため、めっき後の接着
強度が大きく、はんだ実装時のはんだの熱収縮応力によ
る剥がれを抑制することが可能な銅電極層を非ガラス系
低温焼結セラミック上に効率よく形成することができる
ようになる。

【００３１】また、請求項９の低温焼結セラミック配線
基板は、前記銅電極層の、非ガラス系低温焼結セラミッ
クとの界面からの該銅電極層の厚みの１０％の範囲にお
ける前記添加成分の占有率が、銅電極層断面の面積比率
で６０〜９５％であることを特徴としている。

【００３２】銅電極層の、非ガラス系低温焼結セラミッ
クとの界面からの該銅電極層の厚みの１０％の範囲にお
ける添加成分の占有率が、銅電極層断面の面積比率で６
０〜９５％の範囲となるようにした場合、添加成分に、
よりよく非ガラス系低温焼結セラミックとの界面におけ
る接着作用と、めっき時の酸処理やアルカリ処理に対す
る耐腐食性を向上させる機能を果たさせることが可能に
なるため、めっき後の接着強度が大きく、はんだ実装時
のはんだの熱収縮応力によっても剥がれにくい銅電極層
を備えた、低温焼結セラミック配線基板を得ることが可
能になる。

【００３３】また、請求項１０の低温焼結セラミック配
線基板は、前記非ガラス系低温焼結セラミックがＢａＯ
−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂混合セラミック磁器であることを
特徴としている。

【００３４】非ガラス系低温焼結セラミックとして、Ｂ
ＡＳを用いることにより、高周波特性などに優れた高性
能の低温焼結セラミック配線基板を効率よく製造するこ
とが可能になる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明
する。

【００３６】［実施形態１］セラミックグリーンシートの作製例えば、酸化バリウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウ
ム、酸化カルシウム及び酸化ホウ素などを混合した絶縁
性無機材料に、ポリビニルブチラールなどのバインダー
樹脂、ジ−ｎ−ブチルフタレートなどの可塑剤、トルエ
ンやイソプロピレンアルコールなどの溶剤を混合してス
ラリーを調製する。そして、このスラリーを、ドクター
ブレード法などによって、キャリアフィルム上にシート
状に成形した後、乾燥させて、セラミックグリーンシー
ト（ＢＡＳグリーンシート）を作製する。

【００３７】なお、上記絶縁性無機材料に対して、焼結
促進、収縮挙動制御、強度改善、電気特性制御などを目
的として、他の無機化合物やガラスを添加したり、セラ
ミックグリーンシートの絶縁性を損なわない範囲で金属
を添加したりすることも可能である。また、セラミック
グリーンシートに添加されるバインダー樹脂、可塑剤、
溶剤などについても上記の例に限定されるものではな
く、例えば、帯電防止剤や粘着付与剤を添加することも
可能である。

【００３８】内部導体パターンの形成上述のようにして作製したセラミックグリーンシート
に、必要に応じてビアホールを形成する。また、所定の
セラミックグリーンシートに、平均粒径２．０〜４．０
μmのＣｕ粉末を主成分とする導体ペーストを印刷し
て、配線や電極となる内部導体パターンを形成する。

【００３９】上記導体ペーストとしては、Ｃｕの他に、
Ａｌ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄなどの金属あるいはこれ
らの合金を用いてもよく、また、収縮温度特性の制御や
印刷性・接合強度向上を目的として、樹脂、無機物、ガ
ラスなどを添加することも可能であり、さらには、粉末
の表面処理を行うことも可能である。

【００４０】表面導体パターンの形成最表層にあたるセラミックグリーンシートには、平均粒
径２．０〜４．０μmのＣｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ₂Ｏ、Ｃｕ−
ＣｕＯ混合物、Ｃｕ−Ｃｕ₂Ｏ混合物、及びＣｕＯ−Ｃ
ｕ₂Ｏ混合物より選ばれる少なくとも１種を主成分と
し、添加成分としてＴｉ、Ｎｂ、Ｗ、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ
₅、及びＷＯからなる群より選ばれる少なくとも１種
を、無機成分全体に対する含有率が０．５〜３０．０重
量％となるような割合で含有させた銅メタライズ組成物
（導体ペースト）を調製し、これを所定のパターンに印
刷して、ランドやパッド、あるいは配線となる表面導体
パターンを形成する。

【００４１】ここで、添加成分であるところの、Ｔｉ、
Ｎｂ、Ｗ（以上金属）、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＷＯ（以
上金属酸化物）のうち、少なくとも１種の含有量（すな
わち、添加成分の総量）が、０．５重量％未満になると
ＢＡＳ中のガラス成分と銅メタライズ組成物の反応が進
みすぎて、銅及び酸化銅のＢＡＳへの拡散が促進され、
めっき時の酸あるいはアルカリ処理の工程で、拡散した
銅及び酸化銅が溶解するため、接着強度が低下する。

【００４２】一方、添加成分の含有量が３０重量％を超
えると、ＢＡＳ中のガラス成分が過度に銅メタライズ組
成物中に浸透し、添加成分（金属及び金属酸化物）が電
極表面上に析出するため、銅電極層のはんだ濡れ性やめ
っき処理性が低下する。

【００４３】また、導体ペーストは、上記の主成分粉末
と添加成分粉末の混合物に対して、所定の割合で有機ビ
ヒクルを所定量加え、ライカイ機、３本ロールなどを用
いて攪拌、混練することにより作製することができる。
ただし、主成分粉末、添加成分粉末、有機ビヒクルなど
の配合の順序には特に制約はない。

【００４４】なお、主成分粉末であるＣｕ粉末、ＣｕＯ
粉末、Ｃｕ₂Ｏ粉末は、粗大粉末や極端な凝集粉末がな
く、導体ペーストとした後の最大粗粒の粒径が５０μm
以下になるようにすることが望ましい。

【００４５】また、有機ビヒクルはバインダー樹脂と溶
剤を混合したものであり、バインダー樹脂としては、例
えばエチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチ
ラール、メタクリル樹脂などを使用することが可能であ
る。また、溶剤としては、例えばテレピネオール、ブチ
ルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、アル
コール類などを使用することが可能である。また、必要
に応じて、各種の分散剤、可塑剤、活性剤などを添加し
てもよい。また、導体ペーストの粘度は、印刷性を考慮
して、５０〜７００Ｐａ・Ｓ^-1とすることが望ましい。

【００４６】積層及び焼成上述のように所定の内部導体パターンを形成したセラミ
ックグリーンシートを複数枚積層し、最表層には、銅メ
タライズ組成物を用いて所定の表面導体パターンが形成
されたセラミックグリーンシートを積層して、温度８０
℃、圧力２００kg／cm²の条件で熱圧着し、積層体ブロ
ックを形成する。

【００４７】そして、この積層体ブロックを、酸素濃度
０．１〜３０ppmの窒素雰囲気（還元雰囲気）中で、例
えば温度９８０℃、保持時間１時間の条件で焼成する。

【００４８】その後、適当な濃度の塩酸や硫酸などの酸
溶液、あるいは、アンモニアなどのアルカリ溶液で電極
（銅電極層）の表面を処理し、めっき処理を施す。ここ
で、めっき処理は、Ｎｉめっき及びＡｕめっきを所定の
膜厚になるように施すことが望ましい。

【００４９】銅電極層の表面にめっき被膜を形成した
後、半導体デバイスやチップコンデンサなどの各種素子
を実装することができるように、適当なフラックスを表
面導体上に塗布し、さらに、はんだをディッピング法な
どにより塗布する。これにより、銅電極層を表面に備え
た低温焼結セラミック配線基板（ＢＡＳ配線基板）が得
られる。

【００５０】図１は、本願発明の方法により製造された
低温焼結セラミック配線基板（ＢＡＳ配線基板）の構成
を示す断面図である。この低温焼結セラミック配線基板
（ＢＡＳ配線基板）１は、図１に示すように、ＢＡＳ層
２を積層することにより形成された積層体３の上側主面
４に銅電極層５が形成され、ビアホール６によって内部
電極７と電気的に接続されているとともに、内部電極７
どうしも、必要に応じて積層体３の内部でビアホール６
により接続された構造を有している。

【００５１】このようにして製造された低温焼結セラミ
ック配線基板（ＢＡＳ配線基板）においては、銅電極層
５の、積層体３との界面からの銅電極層５の厚みＴの３
０％の範囲Ａにおける添加成分（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔｉ
Ｏ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＷＯなどの金属又は金属酸化物）の占
有率が、銅電極層断面の面積比率で４０〜９５％の範囲
となっており、銅電極層５は、基板への接着強度が大き
く、耐食性に優れ、しかも、十分なはんだ濡れ性を備え
ている。

【００５２】したがって、めっき時に酸系やアルカリ系
の溶液を用いて処理を行った場合にも、基板（ＢＡＳ基
板）との接着力が２kg／２mm□以上と大きく、めっき膜
の膜応力やはんだ実装時の熱収縮応力などによって剥離
することがなく、しかもはんだ付け性の良好な銅電極層
を備えた信頼性の高い低温焼結セラミック配線基板が得
られる。

【００５３】これは、本願発明の銅メタライズ組成物
が、主成分であるＣｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ ₂Ｏ、Ｃｕ−Ｃｕ
Ｏ混合物、Ｃｕ−Ｃｕ₂Ｏ混合物、及びＣｕＯ−Ｃｕ₂Ｏ
混合物からなる群より選ばれる少なくとも１種に対し
て、添加成分として、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂
Ｏ₅、及びＷＯからなる群より選ばれる少なくとも１種
を、無機成分中の含有率が０．５〜３０．０重量％とな
るような割合で添加しており、還元雰囲気中で、９８０
℃の温度で、非ガラス系低温焼結セラミック（ＢＡＳ）
と同時焼成するようにしているので、主成分であるＣ
ｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ₂Ｏが、非ガラス系低温焼結セラミッ
クの焼成によって生じたガラス成分と反応して流動性が
高くなり、比重の違いによって、添加成分が銅電極と非
ガラス系低温焼結セラミックとの界面付近に集中し、こ
の添加成分が非ガラス系低温焼結セラミックとの界面で
接着作用を発揮するとともに、Ｃｕの基板（非ガラス系
低温焼結セラミック）中への拡散を抑制する機能を果た
すことによるものである。

【００５４】したがって、本願発明の銅メタライズ組成
物を用いることにより、めっき後の接着強度が２kg／２
mm□以上で、はんだ実装時のはんだの熱収縮応力による
剥がれを抑制することが可能な銅電極層を非ガラス系低
温焼結セラミック上に効率よく形成することが可能にな
る。

【００５５】［実施形態２（特性評価）］上記実施形態
１の場合と同様に、銅メタライズ組成物を用いて低温焼
結セラミック配線基板（ＢＡＳ配線基板）を作製した。
すなわち、この実施形態２では、実施形態１と同様の銅
メタライズ組成物（導体ペースト）を調製し、この導体
ペーストを用いて表面導体パターンを形成し、０．１〜
３０ppmの酸素濃度の窒素雰囲気中、８００〜１０００
℃の温度（例えば９８０℃）で非ガラス系低温焼結セラ
ミック（ＢＡＳ）と同時焼成することにより、基板（Ｂ
ＡＳ基板）上に銅電極層が形成された、低温焼結セラミ
ック配線基板（ＢＡＳ配線基板）を作製した。以下、さ
らに詳しく説明する。

【００５６】この実施形態２では、酸化バリウム、酸化
ケイ素、アルミナ、酸化カルシウム、酸化ホウ素を混合
したものにポリビニルブチラールからなるバインダーと
ジ−ｎ−ブチルフタレートからなる可塑剤と、トルエン
及びイソプロピレンアルコールをからなる溶剤とを混合
してペースト（スラリー）を形成し、このスラリーをド
クターブレード法により有機フィルム上でシート成形
し、乾燥させて厚み１２５μmのセラミックグリーンシ
ート（ＢＡＳグリーンシート）を作製した。

【００５７】次に、作製したセラミックグリーンシート
に、表１に示すようなＣｕ粉、ＣｕＯ粉あるいはＣｕ₂
Ｏ粉（いずれも平均粒径３μm）、及びそれらの混合粉
を主成分とするぺーストに対して、添加成分として、表
１に示す金属及びその金属酸化物（添加成分）のうち、
少なくとも１種を表２及び表３に示すような割合で秤
量、配合し、それに有機バインダーとしてアクリル樹脂
を添加するとともに、溶媒としてＧＶＰを添加して混練
することにより、ペースト状の銅メタライズ組成物（導
体ペースト）を作製した。なお、銅メタライズ組成物
（導体ペースト）中の有機バインダー量は、主成分に対
して１０重量％となるように配合した。

【００５８】

【表１】

【００５９】

【表２】

【００６０】

【表３】

【００６１】上記のようにして作製した銅メタライズ組
成物（導体ペースト）を用いて、ＢＡＳグリーンシート
上に、焼成後の形状が縦横各２mm、厚み約１５μmとな
るような銅電極用パターンを形成し、これを最上層とし
て、銅電極用パターンを形成していないＢＡＳグリーン
シートを７枚積層することにより積層体を形成した。

【００６２】それから、この積層体を温度８０℃、圧力
２００kg／cm²の条件で熱圧着し積層体ブロックを形成
する。この積層体ブロックを、酸素濃度１０ppmの窒素
雰囲気（還元雰囲気）中で、温度９８０℃、保持時間１
ｈｒの条件で同時焼成し、特性評価用のＢＡＳ配線基板
（試料）を得た。

【００６３】銅電極層の厚み及び銅電極層の切断面の
添加成分の占有率の測定このようにして得た評価用のＢＡＳ配線基板を、銅電極
層５（図１）を横切るように、ＢＡＳ配線基板の上面に
対して垂直に切断した。そして、切断面について、銅電
極層の厚みＴ（図１）をＳＥＭを用いて計測するととも
に、銅電極層の断面における金属及びその酸化物（添加
成分）の占有率を、ＥＰＭＡを用いたマッピング分析に
より定量分析し、ＢＡＳ配線基板との界面からの銅電極
層の厚みの３０％の範囲における面積比率（表４，５に
おける「厚み３０％領域での添加成分比率（％）」）を
求めた。

【００６４】めっき前の銅電極層の接着強度また、図２に示すように、評価用のＢＡＳ配線基板に形
成された２mm□の銅電極層５の表面に、Ｃｕ系のリード
線１０をはんだ付けし、該リード線１０を２０mm／min
の速度で垂直方向に引っ張り、リード線１０が剥離した
ときの最大荷重（ピーク荷重）を、めっき前の銅電極層
の接着強度として評価した。

【００６５】めっき後の銅電極層の接着強度また、前記評価用のＢＡＳ配線基板に形成された２mm□
の銅電極層に、厚み５．０μmのＮｉめっきを行うとと
もに、その上に厚み０．５μmのＡｕめっきを施した
後、目視観察により、はんだ濡れ性の良否を評価すると
ともに、上記のめっき前の銅電極層の接着強度を評価
した場合と同様の方法で、めっき後の銅電極層の接着強
度を測定した。上記，，の測定結果及び評価結果
を表４及び５に示す。

【００６６】

【表４】

【００６７】

【表５】

【００６８】表４及び５に示すように、添加成分である
金属又は金属粒子の含有率が０．５重量％未満の銅メタ
ライズ組成物を用いて作製した、試料No.１、２、３、
１３、１４、３５、３６、５６、５７の試料において
は、めっき後の接着強度が２kg／２mm□未満と小さい
か、あるいははんだ濡れ性が悪いことが確認され、ま
た、添加成分（金属酸化物粉末）の含有率が３５％以上
の、試料No.１２、２３、４５、６６の試料では、めっ
き後の接着強度は２kg／２mm□以上と良好であったが、
はんだ濡れ性が不十分であった。

【００６９】一方、本願発明の範囲内の銅メタライズ組
成物を用いて作製した試料については、めっき前後の接
着強度、はんだ濡れ性のいずれもが良好であった。

【００７０】なお、比較のため、特開平１０−９５６８
６号において、その銅メタライズ組成物により配線電極
を形成する対象として示されている、屈伏点が４８０℃
で、７４重量％ＳｉＯ₂、１４重量％ＬｉＯ₂、４重量％
Ａ１₂Ｏ₃、２重量％Ｐ₂Ｏ₅、２重量％Ｋ₂Ｏ、２重量％
ＺｎＯ、２重量％Ｎａ₂Ｏの組成を有するリチウム珪酸
ガラスとフィラー成分に、さらにフォルステライトを混
合した原料粉末に、バインダーとしてアクリル樹脂、可
塑剤としてＤＢＰ（ジブチルフタレート）、溶剤として
トルエン及びイソプロピルアルコールを加えて調整した
ペースト（スラリー）を、ドクターブレード法により有
機フィルム上でシート成形し、乾燥させて厚み１２５μ
mのセラミックグリーンシートを作製し、このセラミッ
クグリーンシートを用いて、表６に示すような条件で、
上記実施形態の場合と同様にして、セラミック配線基板
を作製した。そして、このセラミック配線基板につい
て、その諸特性を測定、評価した。その結果を表７に示
す。

【００７１】

【表６】

【００７２】

【表７】なお、表１において、セラミック磁器の区分のガラス
セラミックがこの比較例のセラミック磁器に相当するも
のである。

【００７３】表７に示すように、セラミック磁器が、特
開平１０−９５６８６号に示されているようなガラスセ
ラミックである場合には、本願発明の銅メタライズ組成
物を用いて銅電極層を形成しても、めっき後の接着強度
が２kg／２mm□未満と不十分であるか、あるいははんだ
濡れ性が悪く、実用可能な銅電極層を形成できないこと
が確認された。

【００７４】これは、この比較例の場合には、セラミッ
ク磁器に由来するガラス成分が、銅メタライズ組成物
（銅電極層）の表面を覆ってしまうか、あるいは銅メタ
ライズ組成物がセラミック磁器（ガラスセラミック）中
に沈み込んでしまうことによるものと考えられる。

【００７５】また、この比較例のガラスセラミックのフ
ィラー成分を、ＳｉＯ₂にした場合においても、ガラス
成分が銅メタライズ組成物（銅電極層）の表面を覆って
しまうため、全く評価ができなかった。

【００７６】これより、本願発明の銅メタライズ組成物
は、セラミック磁器が、特開平１０−９５６８６号に示
されているようなガラスセラミックである場合には、良
好な特性を有する銅電極層を形成することはできない
が、非ガラス系低温焼結セラミックに対しては、めっき
後の接着強度、及びはんだ濡れ性の良好な銅電極層を形
成できることがわかる。

【００７７】なお、本願発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、銅メタライズ組成物の具体的な組
成、銅電極層を形成すべき非ガラス系低温焼結セラミッ
クの組成、銅電極層の形成条件、低温焼結セラミック配
線基板の具体的な構成などに関し、発明の範囲内におい
て、種々の応用、変形を加えることが可能である。

【００７８】

【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
銅メタライズ組成物は、主成分であるＣｕ、ＣｕＯ、Ｃ
ｕ₂Ｏ、Ｃｕ−ＣｕＯ混合物、Ｃｕ−Ｃｕ₂Ｏ混合物、及
びＣｕＯ−Ｃｕ₂Ｏ混合物からなる群より選ばれる少な
くとも１種に対して、添加成分として、Ｔｉ、Ｎｂ、
Ｗ、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、及びＷＯからなる群より選ば
れる少なくとも１種を、無機成分中の含有率が０．５〜
３０．０重量％となるような割合で添加しているので、
添加成分が非ガラス系低温焼結セラミックとの界面で接
着作用を発揮するとともに、Ｃｕの非ガラス系低温焼結
セラミック中への拡散を抑制して、めっき時の酸処理や
アルカリ処理に対する耐腐食性を向上させる機能を果た
す。すなわち、本願発明の銅メタライズ組成物において
は、主成分であるＣｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ₂Ｏが、非ガラス
系低温焼結セラミックの焼成によって生じたガラス成分
と反応して流動性が高くなり、さらに、比重の違いによ
り、銅電極と非ガラス系低温焼結セラミックとの界面付
近に、添加成分が集中する。その結果、添加成分は、非
ガラス系低温焼結セラミックとの界面で接着作用を発揮
し、さらに、Ｃｕの非ガラス系低温焼結セラミック中へ
の拡散を抑制する機能を果たすことになる。

【００７９】したがって、本願発明の銅メタライズ組成
物を用いることにより、めっき後の接着強度が２kg／２
mm□以上で、はんだ実装時のはんだの熱収縮応力による
剥がれを抑制することが可能な銅電極層を非ガラス系低
温焼結セラミック上に効率よく形成することができるよ
うになる。

【００８０】また、本願発明の銅メタライズ組成物は、
焼成後に形成される銅電極層が低抵抗であり、かつ、種
々の非ガラス系低温焼結セラミックと同時焼成が可能で
あって、請求項２のように、アルミナ質セラミックなど
よりも高い電気的特性を備えた材料であるＢＡＳ（Ｂａ
Ｏ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂混合セラミック磁器）と同時焼
成することも可能であることから、高周波化及び高密度
化によりよく対応することが可能な低温焼結セラミック
配線基板を製造する場合に、好適に使用することが可能
である。

【００８１】また、本願発明（請求項３）の低温焼結セ
ラミック配線基板の製造方法は、本願請求項１記載の銅
メタライズ組成物を、窒素雰囲気中、所定の温度で、非
ガラス系低温焼結セラミックと同時焼成するようにして
いるので、非ガラス系低温焼結セラミック上に、非ガラ
ス系低温焼結セラミックとの界面からの厚みの３０％の
範囲における添加成分の占有率が、銅電極層断面の面積
比率で４０〜９５％の範囲にある銅電極層を形成するこ
とが可能になり、基板への接着強度の大きい銅電極層を
備えた低温焼結セラミック配線基板を効率よく製造する
ことが可能になる。

【００８２】また、本願発明（請求項４）の低温焼結セ
ラミック配線基板の製造方法のように、請求項１記載の
銅メタライズ組成物を、酸素濃度０．１〜３０ppmの窒
素雰囲気中、所定の温度で、非ガラス系低温焼結セラミ
ックと同時焼成することによっても、非ガラス系低温焼
結セラミック上に、非ガラス系低温焼結セラミックとの
界面からの銅電極層の厚みの３０％の範囲における添加
成分の占有率が、銅電極層断面の面積比率で４０〜９５
％の範囲にある銅電極層を形成することが可能であり、
基板への接着強度の大きい銅電極層を備えた低温焼結セ
ラミック配線基板を効率よく製造することができるよう
になる。

【００８３】また、本願発明の銅メタライズ組成物は、
請求項５の低温焼結セラミック配線基板の製造方法のよ
うに、８００〜１０００℃の温度で、ＢＡＳなどの非ガ
ラス系低温焼結セラミックと同時焼成することが可能で
あり、基板への接着強度の大きい銅電極層を備えた低温
焼結セラミック配線基板を効率よく製造することができ
る。

【００８４】また、請求項６の低温焼結セラミック配線
基板の製造方法のように、銅電極層の、該銅電極層と非
ガラス系低温焼結セラミックとの界面から該銅電極層の
厚みの１０％の範囲における添加成分の占有率が、銅電
極層断面の面積比率で６０〜９５％の範囲となるように
した場合、反りやうねりのある基板に対しても十分な接
着強度を有する銅電極層を形成することが可能になり、
さらに信頼性の高い低温焼結セラミック配線基板を製造
することができるようになる。

【００８５】また、請求項７の低温焼結セラミック配線
基板の製造方法のように、非ガラス系低温焼結セラミッ
クとして、ＢＡＳを用いることにより、高周波特性など
に優れた高性能の低温焼結セラミック配線基板を効率よ
く製造することができるようになる。

【００８６】また、本願発明（請求項８）の低温焼結セ
ラミック配線基板のように、非ガラス系低温焼結セラミ
ック上に形成された銅電極層の、非ガラス系低温焼結セ
ラミックとの界面からの厚みの３０％の範囲における添
加成分の占有率が、銅電極層断面の面積比率で４０〜９
５％の範囲となるようにした場合、添加成分が、非ガラ
ス系低温焼結セラミックとの界面で接着作用を発揮する
とともに、Ｃｕの非ガラス系低温焼結セラミック中への
拡散を抑制して、めっき時の酸処理やアルカリ処理に対
する耐腐食性を向上させる機能を果たすため、めっき後
の接着強度が大きく、はんだ実装時のはんだの熱収縮応
力による剥がれを抑制することが可能な銅電極層を非ガ
ラス系低温焼結セラミック上に効率よく形成することが
できる。

【００８７】また、請求項９の低温焼結セラミック配線
基板のように、銅電極層の、非ガラス系低温焼結セラミ
ックとの界面からの該銅電極層の厚みの１０％の範囲に
おける添加成分の占有率が、銅電極層断面の面積比率で
６０〜９５％の範囲となるようにした場合、添加成分
に、よりよく非ガラス系低温焼結セラミックとの界面に
おける接着作用と、めっき時の酸処理やアルカリ処理に
対する耐腐食性を向上させる機能を果たさせることが可
能になるため、めっき後の接着強度が大きく、はんだ実
装時のはんだの熱収縮応力によっても剥がれにくい銅電
極層を備えた、低温焼結セラミック配線基板を得ること
ができるようになる。

【００８８】また、請求項１０の低温焼結セラミック配
線基板のように、非ガラス系低温焼結セラミックとし
て、ＢＡＳを用いた場合、高周波特性などに優れた高性
能の低温焼結セラミック配線基板を効率よく製造するこ
とができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の実施形態にかかる低温焼結セラミッ
ク配線基板（ＢＡＳ配線基板）の構成を示す断面図であ
る。

【図２】本願発明の実施形態にかかる方法により基板上
に形成された銅電極層の接着強度を評価する方法を説明
する図である。

【符号の説明】

１低温焼結セラミック配線基板（ＢＡＳ配線基
板）２ＢＡＳ層３積層体４上側主面５銅電極層６ビアホール７内部電極１０リード線

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ 3/38 Ｓ 3/46 ＴＨ０１Ｌ 23/12 Ｄ 23/14 ＭＦターム(参考） 4E351 AA07 BB01 BB24 BB26 BB31 CC12 CC22 CC31 CC33 DD04 DD11 DD17 DD33 DD34 DD58 EE02 EE03 GG01 GG11 5E343 AA02 AA24 BB15 BB22 BB24 BB35 BB40 BB59 BB77 DD02 ER37 ER39 GG01 GG18 5E346 AA12 AA15 AA32 AA38 BB01 BB15 CC18 CC31 CC32 CC36 DD02 DD34 EE24 EE27 EE28 GG02 GG06 GG09 HH11 HH13 5G301 DA06 DA23 DA32 DA33 DD01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非ガラス系低温焼結セラミックと同時焼成
可能な銅メタライズ組成物であって、主成分であるＣｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ₂Ｏ、Ｃｕ−ＣｕＯ混
合物、Ｃｕ−Ｃｕ₂Ｏ混合物、及びＣｕＯ−Ｃｕ₂Ｏ混合
物からなる群より選ばれる少なくとも１種に対して、添加成分として、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、ＴｉＯ₂、Ｎｂ
₂Ｏ₅、及びＷＯからなる群より選ばれる少なくとも１種
を、無機成分全体に対する含有率が０．５〜３０．０重
量％となるような割合で添加したことを特徴とする銅メ
タライズ組成物。
【請求項２】前記非ガラス系低温焼結セラミックが、Ｂ
ａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂混合セラミック磁器であるこ
とを特徴とする請求項１記載の銅メタライズ組成物。
【請求項３】非ガラス系低温焼結セラミック上に銅電極
層が形成された低温焼結セラミック配線基板の製造方法
であって、請求項１記載の銅メタライズ組成物を、窒素雰囲気中、
所定の温度で、非ガラス系低温焼結セラミックと同時焼
成することにより、非ガラス系低温焼結セラミック上
に、非ガラス系低温焼結セラミックとの界面からの厚み
の３０％の範囲における前記添加成分の占有率が、銅電
極層断面の面積比率で４０〜９５％の範囲にある銅電極
層を形成することを特徴とする低温焼結セラミック配線
基板の製造方法。
【請求項４】非ガラス系低温焼結セラミック上に銅電極
層が形成された低温焼結セラミック配線基板の製造方法
であって、請求項１記載の銅メタライズ組成物を、酸素濃度０．１
〜３０ppmの窒素雰囲気中、所定の温度で、非ガラス系
低温焼結セラミックと同時焼成することにより、非ガラ
ス系低温焼結セラミック上に、非ガラス系低温焼結セラ
ミックとの界面からの厚みの３０％の範囲における前記
添加成分の占有率が、銅電極層断面の面積比率で４０〜
９５％の範囲にある銅電極層を形成することを特徴とす
る低温焼結セラミック配線基板の製造方法。
【請求項５】請求項１記載の銅メタライズ組成物を、８
００〜１０００℃の温度で、非ガラス系低温焼結セラミ
ックと同時焼成することを特徴とする請求項３又は４記
載の低温焼結セラミック配線基板の製造方法。
【請求項６】前記銅電極層の、非ガラス系低温焼結セラ
ミックとの界面からの該銅電極層の厚みの１０％の範囲
における前記添加成分の占有率が、銅電極層断面の面積
比率で６０〜９５％の範囲となるようにすることを特徴
とする請求項３〜５のいずれかに記載の低温焼結セラミ
ック配線基板の製造方法。
【請求項７】前記非ガラス系低温焼結セラミックが、Ｂ
ａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂混合セラミック磁器であるこ
とを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の低温焼
結セラミック配線基板の製造方法。
【請求項８】非ガラス系低温焼結セラミック上に銅電極
層が形成された低温焼結セラミック配線基板であって、請求項１記載の銅メタライズ組成物を、窒素雰囲気中、
又は酸素濃度０．１〜３０ppmの窒素雰囲気中、非ガラ
ス系低温焼結セラミックと同時焼成することにより、非
ガラス系低温焼結セラミック上に、銅電極層が形成され
ており、かつ、前記銅電極層の、非ガラス系低温焼結セラミックとの界
面からの該銅電極層の厚みの３０％の範囲における前記
添加成分粒子の占有率が、銅電極層断面の面積比率で４
０〜９５％の範囲にあることを特徴とする低温焼結セラ
ミック配線基板。
【請求項９】前記銅電極層の、非ガラス系低温焼結セラ
ミックとの界面からの該銅電極層の厚みの１０％の範囲
における前記添加成分の占有率が、銅電極層断面の面積
比率で６０〜９５％であることを特徴とする請求項８記
載の低温焼結セラミック配線基板。
【請求項１０】前記非ガラス系低温焼結セラミックが、
ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂混合セラミック磁器である
ことを特徴とする請求項８又は９記載の低温焼結セラミ
ック配線基板。