JP2965222B2 - 導体ペースト - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導体ペ−ストに関し、
特に、低温焼成セラミック基板を製造する際、該表面に
導体を形成するために用いる改良された厚膜用Ａｇ−Ｐ
ｔ系導体ペ−ストに関する。
特に、低温焼成セラミック基板を製造する際、該表面に
導体を形成するために用いる改良された厚膜用Ａｇ−Ｐ
ｔ系導体ペ−ストに関する。
【０００２】
【従来の技術】厚膜用導体ペ−ストは、種々の組成のも
のが既に知られており、そのうちの一つとして、Ａｇ粉
末、Ｐｔ粉末、ガラスフリット及び有機質ビヒクルをベ
−ス（以下これをベ−ス組成物という。）とし、これに
目的に応じて種々の添加物を配合したＡｇ−Ｐｔ系導体
ペ−スト組成物が幾つか開発されている。
のが既に知られており、そのうちの一つとして、Ａｇ粉
末、Ｐｔ粉末、ガラスフリット及び有機質ビヒクルをベ
−ス（以下これをベ−ス組成物という。）とし、これに
目的に応じて種々の添加物を配合したＡｇ−Ｐｔ系導体
ペ−スト組成物が幾つか開発されている。
【０００３】上記既開発のＡｇ−Ｐｔ系導体ペ−スト組
成物を列挙すれば、(1) 前記ベ−ス組成物にチタネ−ト
系カップリング剤を配合し、これによって、ペ−ストを
混練した際に生じるフレ−クを減少させるＡｇ−Ｐｔ系
導体ペ−スト（特開昭59−155988号公報）、(2) 前記ベ
−ス組成物に酸化ビスマスとリンを添加し、これによっ
て、電極露出部に生じるステインによる半田濡れ性を防
止するＡｇ−Ｐｔ系導体ペ−スト（特開昭61−251101号
公報）、(3) 結晶化ガラスからなるホ−ロ−被覆基板に
導体を形成するために、前記ベ−ス組成物に酸化ビスマ
スと酸化銅を配合し、これによって、導体の接着強度の
改良を意図したＡｇ−Ｐｔ系導体ペ−スト（特開昭62−
55805号公報）、等が知られている。
成物を列挙すれば、(1) 前記ベ−ス組成物にチタネ−ト
系カップリング剤を配合し、これによって、ペ−ストを
混練した際に生じるフレ−クを減少させるＡｇ−Ｐｔ系
導体ペ−スト（特開昭59−155988号公報）、(2) 前記ベ
−ス組成物に酸化ビスマスとリンを添加し、これによっ
て、電極露出部に生じるステインによる半田濡れ性を防
止するＡｇ−Ｐｔ系導体ペ−スト（特開昭61−251101号
公報）、(3) 結晶化ガラスからなるホ−ロ−被覆基板に
導体を形成するために、前記ベ−ス組成物に酸化ビスマ
スと酸化銅を配合し、これによって、導体の接着強度の
改良を意図したＡｇ−Ｐｔ系導体ペ−スト（特開昭62−
55805号公報）、等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した(1)〜(3)のＡ
ｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストは、ＡＩ2Ｏ3を少なくとも90重
量％以上含有するいわゆるアルミナ基板用として、或い
は、特殊なホ−ロ−被覆基板用として開発されたもので
ある。ところで、最近、低温焼成セラミック基板が着目
され、この基板が大量に製造されるようになっている。
該基板は、例えばアルミナ粉末とガラス粉末とを１：１
（重量比）前後で混合して生シ−トを成形し、内部導体
用のＡｇペ−ストをスクリ−ン印刷法で印刷し、積層、
圧着、焼成の各工程を経て半製品を製造し、次いで、こ
の半製品の表面に前述した(1)〜(3)のＡｇ−Ｐｔ系導体
ペ−ストを印刷法により配線パタ−ンを形成し、焼成し
た後、更に、抵抗体その他のペ−ストを印刷し、焼成す
ることにより製造されていた。その場合、各焼成工程に
おける温度は、いずれも1000℃以下が一般的である。な
お、半製品とは、生シ−トが少なくとも１回の焼成工程
を経たものをいう。
ｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストは、ＡＩ2Ｏ3を少なくとも90重
量％以上含有するいわゆるアルミナ基板用として、或い
は、特殊なホ−ロ−被覆基板用として開発されたもので
ある。ところで、最近、低温焼成セラミック基板が着目
され、この基板が大量に製造されるようになっている。
該基板は、例えばアルミナ粉末とガラス粉末とを１：１
（重量比）前後で混合して生シ−トを成形し、内部導体
用のＡｇペ−ストをスクリ−ン印刷法で印刷し、積層、
圧着、焼成の各工程を経て半製品を製造し、次いで、こ
の半製品の表面に前述した(1)〜(3)のＡｇ−Ｐｔ系導体
ペ−ストを印刷法により配線パタ−ンを形成し、焼成し
た後、更に、抵抗体その他のペ−ストを印刷し、焼成す
ることにより製造されていた。その場合、各焼成工程に
おける温度は、いずれも1000℃以下が一般的である。な
お、半製品とは、生シ−トが少なくとも１回の焼成工程
を経たものをいう。
【０００５】上記工程における半製品表面の印刷に使用
される(1)〜(3)のＡｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストは、前記し
たとおり、特に低温焼成セラミック基板製造用に開発さ
れたものではなかったが、ＡＩ2Ｏ3を少なくとも90重量
％以上含有するいわゆるアルミナ基板用、又は、特殊な
ホ−ロ−被覆基板用として開発したものをそのまま転用
して用いていた。したがって、従来の方法では、該導体
ペ−ストを、ガラスを多量に含む半製品表面に印刷し、
焼成していたので、そのガラスが焼成過程で導体中に拡
散してガラスリッチとなり、結果として導体の半田濡れ
性を低下させる一方、接着強度、特にエ−ジング後の接
着強度を低下させ、基板としての信頼性を低くするとい
う欠点を有していた。
される(1)〜(3)のＡｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストは、前記し
たとおり、特に低温焼成セラミック基板製造用に開発さ
れたものではなかったが、ＡＩ2Ｏ3を少なくとも90重量
％以上含有するいわゆるアルミナ基板用、又は、特殊な
ホ−ロ−被覆基板用として開発したものをそのまま転用
して用いていた。したがって、従来の方法では、該導体
ペ−ストを、ガラスを多量に含む半製品表面に印刷し、
焼成していたので、そのガラスが焼成過程で導体中に拡
散してガラスリッチとなり、結果として導体の半田濡れ
性を低下させる一方、接着強度、特にエ−ジング後の接
着強度を低下させ、基板としての信頼性を低くするとい
う欠点を有していた。
【０００６】そこで、本発明者等は、低温焼成セラミッ
ク基板を製造する過程で半製品表面に配線パタ−ンを形
成する際、半田濡れ性と接着強度の両方が良好なＡｇ−
Ｐｔ系導体ペ−ストを開発すべく、従来のベ−ス組成物
を中心に追求した結果、本発明を完成したものであっ
て、本発明の目的は、低温焼成セラミック基板を製造す
る際、該表面に導体を形成するために用いる改良された
厚膜用Ａｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストを提供するにあり、詳
細には、ガラス成分を多量に含む低温焼成セラミック基
板の製造過程において、その表面に導体ペ−ストを用い
て配線パタ−ンを形成したとき、半田濡れ性、接着強度
の双方が向上する導体ペ−ストを提供するにある。
ク基板を製造する過程で半製品表面に配線パタ−ンを形
成する際、半田濡れ性と接着強度の両方が良好なＡｇ−
Ｐｔ系導体ペ−ストを開発すべく、従来のベ−ス組成物
を中心に追求した結果、本発明を完成したものであっ
て、本発明の目的は、低温焼成セラミック基板を製造す
る際、該表面に導体を形成するために用いる改良された
厚膜用Ａｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストを提供するにあり、詳
細には、ガラス成分を多量に含む低温焼成セラミック基
板の製造過程において、その表面に導体ペ−ストを用い
て配線パタ−ンを形成したとき、半田濡れ性、接着強度
の双方が向上する導体ペ−ストを提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、従来
のベ−ス組成物に、ＭｎＯ2粉末及びＣｒ2Ｏ3粉末の所
定量を配合することを特徴とし、これによって、上記半
田濡れ性、接着強度の双方が向上する導体ペ−ストが得
られるものである。即ち、本発明は、Ａｇ粉末、Ｐｔ粉
末、ガラスフリット及び有機質ビヒクルよりなるペ−ス
トに、Ａｇ粉末とＰｔ粉末の合量に対しＭｎＯ2粉末0.2
〜2重量％及びＣｒ2Ｏ3粉末0.3〜3重量％配合してなる
ことを特徴とする導体ペ−ストである。
のベ−ス組成物に、ＭｎＯ2粉末及びＣｒ2Ｏ3粉末の所
定量を配合することを特徴とし、これによって、上記半
田濡れ性、接着強度の双方が向上する導体ペ−ストが得
られるものである。即ち、本発明は、Ａｇ粉末、Ｐｔ粉
末、ガラスフリット及び有機質ビヒクルよりなるペ−ス
トに、Ａｇ粉末とＰｔ粉末の合量に対しＭｎＯ2粉末0.2
〜2重量％及びＣｒ2Ｏ3粉末0.3〜3重量％配合してなる
ことを特徴とする導体ペ−ストである。
【０００８】
【作用】本発明において、従来のベ−ス組成物に対し
て、ＭｎＯ2粉末とＣｒ2Ｏ3粉末とを配合することによ
り、上記したとおり、半田濡れ性、接着強度が向上する
作用が生ずるが、これは、次の理由によるものと考えら
れる。ベ−ス組成物にＭｎＯ2粉末、Ｃｒ2Ｏ3粉末を併
用・配合した本発明の導体ペ−ストを半製品表面に印刷
し、再度低温焼成したとき、該導体ペ−ストに含まれる
ガラス成分が溶融して半製品表面の凹部に拡散するのを
助け、かつ、半製品に含まれるガラスが導体へ拡散する
のを防ぎ、更に、冷却時にあって結晶化すると共にアン
カ−効果を発揮して接着効果を向上させ、同時に、導体
表面を金属リッチにするため、半田濡れ性をも向上する
ものと考えられる。
て、ＭｎＯ2粉末とＣｒ2Ｏ3粉末とを配合することによ
り、上記したとおり、半田濡れ性、接着強度が向上する
作用が生ずるが、これは、次の理由によるものと考えら
れる。ベ−ス組成物にＭｎＯ2粉末、Ｃｒ2Ｏ3粉末を併
用・配合した本発明の導体ペ−ストを半製品表面に印刷
し、再度低温焼成したとき、該導体ペ−ストに含まれる
ガラス成分が溶融して半製品表面の凹部に拡散するのを
助け、かつ、半製品に含まれるガラスが導体へ拡散する
のを防ぎ、更に、冷却時にあって結晶化すると共にアン
カ−効果を発揮して接着効果を向上させ、同時に、導体
表面を金属リッチにするため、半田濡れ性をも向上する
ものと考えられる。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明すると、本発明
は、従来のベ−ス組成物にＭｎＯ2粉末とＣｒ2Ｏ3粉末
の所定量を添加、つまり、両化合物を併用することが目
的達成上最も肝要である。ＭｎＯ2粉末は、半田濡れ性
及び高温エ−ジング後の接着強度双方の改良に作用する
ものと考えられ、その配合量は、Ａｇ粉末とＰｔ粉末の
合量に対し0.2重量％未満では、該接着強度が極端に悪
くなるので好ましくない。そして、その量が0.2〜2重量
％まではその効果を発揮し、2重量％を超えても殆ど該
効果は変わらないが、シ−ト抵抗の増大など別の好まし
くない面が顕現する。したがって、本発明は、ＭｎＯ2
粉末の好ましい配合割合は0.2〜2重量％であり、より好
ましくは0.3〜1.5重量％である。
は、従来のベ−ス組成物にＭｎＯ2粉末とＣｒ2Ｏ3粉末
の所定量を添加、つまり、両化合物を併用することが目
的達成上最も肝要である。ＭｎＯ2粉末は、半田濡れ性
及び高温エ−ジング後の接着強度双方の改良に作用する
ものと考えられ、その配合量は、Ａｇ粉末とＰｔ粉末の
合量に対し0.2重量％未満では、該接着強度が極端に悪
くなるので好ましくない。そして、その量が0.2〜2重量
％まではその効果を発揮し、2重量％を超えても殆ど該
効果は変わらないが、シ−ト抵抗の増大など別の好まし
くない面が顕現する。したがって、本発明は、ＭｎＯ2
粉末の好ましい配合割合は0.2〜2重量％であり、より好
ましくは0.3〜1.5重量％である。
【００１０】Ｃｒ2Ｏ3粉末は、特に半田濡れ性への影響
が大きい。その配合量は、Ａｇ粉末とＰｔ粉末の合量に
対し0.3重量％未満では、半田濡れ性及び高温エ−ジン
グ後の接着強度が低く、特に前者の半田濡れ性が極端に
低下し、一方、3重量％を越えると半田濡れ性の低下、
シ−ト抵抗の増大が生ずる等いずれも好ましくない。し
たがって、本発明は、Ｃｒ2Ｏ3粉末の好ましい配合割合
は0.3〜3重量％であり、より好ましくは1.5〜2.5重量％
である。
が大きい。その配合量は、Ａｇ粉末とＰｔ粉末の合量に
対し0.3重量％未満では、半田濡れ性及び高温エ−ジン
グ後の接着強度が低く、特に前者の半田濡れ性が極端に
低下し、一方、3重量％を越えると半田濡れ性の低下、
シ−ト抵抗の増大が生ずる等いずれも好ましくない。し
たがって、本発明は、Ｃｒ2Ｏ3粉末の好ましい配合割合
は0.3〜3重量％であり、より好ましくは1.5〜2.5重量％
である。
【００１１】本発明において、ＭｎＯ2粉末及びＣｒ2Ｏ
3粉末は、市販されているものが利用できる。それらの
細かさは、本発明で限定するものではないが、平均粒径
で3μｍ以下のものが好ましく、3μｍを越えるものも使
用できるが、この場合慣用手段で適宜粉砕して使用する
ことができる。また、ＭｎＯ2粉末及びＣｒ2Ｏ3粉末の
ベ−ス組成物への配合方法は、慣用手段にしたがって行
なうことができる。
3粉末は、市販されているものが利用できる。それらの
細かさは、本発明で限定するものではないが、平均粒径
で3μｍ以下のものが好ましく、3μｍを越えるものも使
用できるが、この場合慣用手段で適宜粉砕して使用する
ことができる。また、ＭｎＯ2粉末及びＣｒ2Ｏ3粉末の
ベ−ス組成物への配合方法は、慣用手段にしたがって行
なうことができる。
【００１２】次に、ベ−ス組成物について説明すると、
Ａｇ粉末及びＰｔ粉末は、通常使用されている平均粒径
0.1〜4μｍのものを用い、また、両者の配合量も、従来
法と同様、前者を90〜99重量部、後者を10〜1重量部の
割合である。ガラスフリットは、650〜900℃で熱処理し
たとき結晶化するもの、例えばチタン酸ケイ酸亜鉛系の
ものが好ましい。結晶化しないガラスフリットを用いた
場合、それを含むＡｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストを印刷・焼
成した半製品表面に、次工程で抵抗体ペ−ストを印刷し
て再度焼成を行った際、該導体ペ−スト中のガラス成分
が導体表面に滲み出し、半田濡れ性を低下させるので、
好ましくない。
Ａｇ粉末及びＰｔ粉末は、通常使用されている平均粒径
0.1〜4μｍのものを用い、また、両者の配合量も、従来
法と同様、前者を90〜99重量部、後者を10〜1重量部の
割合である。ガラスフリットは、650〜900℃で熱処理し
たとき結晶化するもの、例えばチタン酸ケイ酸亜鉛系の
ものが好ましい。結晶化しないガラスフリットを用いた
場合、それを含むＡｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストを印刷・焼
成した半製品表面に、次工程で抵抗体ペ−ストを印刷し
て再度焼成を行った際、該導体ペ−スト中のガラス成分
が導体表面に滲み出し、半田濡れ性を低下させるので、
好ましくない。
【００１３】有機質ビヒクルは、一般に使用されている
例えばメチルセルロ−ス、エチルセルロ−スなどの有機
結合剤をテルピネオ−ル、ブチルカルビト−ルなどの溶
剤で溶解させたものを使用することができる。ガラスフ
リット及び有機質ビヒクルの配合割合は、Ａｇ粉末とＰ
ｔ粉末の合量に対し前者が0.2〜1.5重量％、後者が10〜
40重量％が好ましい。
例えばメチルセルロ−ス、エチルセルロ−スなどの有機
結合剤をテルピネオ−ル、ブチルカルビト−ルなどの溶
剤で溶解させたものを使用することができる。ガラスフ
リット及び有機質ビヒクルの配合割合は、Ａｇ粉末とＰ
ｔ粉末の合量に対し前者が0.2〜1.5重量％、後者が10〜
40重量％が好ましい。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と共に挙げ、
本発明をより詳細に説明する。次に記載するように、ま
ず、Ａｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストを試製し、次いで、該導
体ペ−ストを半製品表面に印刷し、更に、低温焼成して
供試体を得た。そして、この供試体における半田濡れ
性、接着強度等の特性を測定し、該測定値により、導体
ペ−ストの良否を評価した。 (1) 使用した原材料 Ａｇ粉末： 昭栄化学社製（平均粒径1μｍ） Ｐｔ粉末： 田中貴金属社製（粒径0.5〜2.0μｍ） ガラスフリット：ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ
2Ｏ3、ＺｎＯ、ＣａＯ（以上純薬） 有機質ビヒクル：エチルセルロ−スをα−テルピネオ−
ルに溶解させたもの ＭｎＯ2粉末： 高純度化学研究所製 試薬（純度99
％）(平均粒径0.9μｍ) Ｃｒ2Ｏ3粉末： 関東化学社製 特級試薬(平均粒径1.6
μｍ) なお、ガラスフリットは、上記ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＣａＯを重量で33：13：18：
2：17：17の割合に配合し、1400℃で溶融し、急冷後ボ
−ルミルで粉砕（平均粒径1.5μｍ）し、得られたチタ
ン酸ケイ酸亜鉛系ガラスフリットを使用した。このガラ
スフリットを850℃で熱処理した後、Ｘ線回析で調べた
ところ、結晶が析出していることが確認された。
本発明をより詳細に説明する。次に記載するように、ま
ず、Ａｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストを試製し、次いで、該導
体ペ−ストを半製品表面に印刷し、更に、低温焼成して
供試体を得た。そして、この供試体における半田濡れ
性、接着強度等の特性を測定し、該測定値により、導体
ペ−ストの良否を評価した。 (1) 使用した原材料 Ａｇ粉末： 昭栄化学社製（平均粒径1μｍ） Ｐｔ粉末： 田中貴金属社製（粒径0.5〜2.0μｍ） ガラスフリット：ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ
2Ｏ3、ＺｎＯ、ＣａＯ（以上純薬） 有機質ビヒクル：エチルセルロ−スをα−テルピネオ−
ルに溶解させたもの ＭｎＯ2粉末： 高純度化学研究所製 試薬（純度99
％）(平均粒径0.9μｍ) Ｃｒ2Ｏ3粉末： 関東化学社製 特級試薬(平均粒径1.6
μｍ) なお、ガラスフリットは、上記ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＣａＯを重量で33：13：18：
2：17：17の割合に配合し、1400℃で溶融し、急冷後ボ
−ルミルで粉砕（平均粒径1.5μｍ）し、得られたチタ
ン酸ケイ酸亜鉛系ガラスフリットを使用した。このガラ
スフリットを850℃で熱処理した後、Ｘ線回析で調べた
ところ、結晶が析出していることが確認された。
【００１５】(2) Ａｇ−Ｐｔ系導体ペ−ストの試製 Ａｇ粉末98重量部及びＰｔ粉末2重量部の配合物に対
し、ガラスフリット１重量％と、次いで、表１に記載の
割合でＭｎＯ2粉末及び／又はＣｒ2Ｏ3粉末を加え、更
に、有機質ビヒクルを前記配合物に対し30重量％添加し
た後、三本ロ−ルミルで十分混練してそれぞれの試製導
体ペ−ストを製造した。
し、ガラスフリット１重量％と、次いで、表１に記載の
割合でＭｎＯ2粉末及び／又はＣｒ2Ｏ3粉末を加え、更
に、有機質ビヒクルを前記配合物に対し30重量％添加し
た後、三本ロ−ルミルで十分混練してそれぞれの試製導
体ペ−ストを製造した。
【００１６】(3) 供試体の作製 2インチ角の生シ−トを焼成（850℃、10分間）し、得ら
れた半製品表面にスクリ−ン印刷法で試製導体ペ−スト
のパッド（2×2ｍｍ）20個を形成し、乾燥し、引き続い
て850℃、10分間焼成してそれぞれの供試体を作製し
た。なお、上記生シ−トは、ＡＩ2Ｏ3粉末とホウケイ酸
亜鉛系ガラス粉末を重量比で１：１に配合し、バインダ
−を加えて混練した後、ドクタ−ブレ−ド法によってシ
−ト状（厚さ0.8ｍｍ）に成形し、上記寸法に裁断した
ものである。
れた半製品表面にスクリ−ン印刷法で試製導体ペ−スト
のパッド（2×2ｍｍ）20個を形成し、乾燥し、引き続い
て850℃、10分間焼成してそれぞれの供試体を作製し
た。なお、上記生シ−トは、ＡＩ2Ｏ3粉末とホウケイ酸
亜鉛系ガラス粉末を重量比で１：１に配合し、バインダ
−を加えて混練した後、ドクタ−ブレ−ド法によってシ
−ト状（厚さ0.8ｍｍ）に成形し、上記寸法に裁断した
ものである。
【００１７】(4) 供試体の特性試験 半田濡れ性試験は、供試体を230℃のＳｎ−Ｐｂ−Ａｇ
共晶半田浴に5秒間浸漬し、引上げた後、半田によるパ
ッド面の濡れ面積の割合を求めた。この半田濡れ性は、
実用上、少なくとも90％以上であることが望ましい。接
着強度試験は、次のようにして行った。供試体のパッド
にＬ字型のＳｎメッキ銅線（直径0.8ｍｍ）をＰｂ−Ｓ
ｎ半田で接合し、該銅線をパッド面と垂直方向に引張
り、パッドと基板との接着部が破壊されたときの荷重を
接着強度として測定した。この接着強度試験は、接合直
後（初期接着強度）と接合後高温エ−ジング（150℃、1
00時間）した後とについて行った。これら接着強度は、
1.5Ｋｇ以上が好ましく、その点で判断した。以上の半
田濡れ性及び接着強度の各試験結果を表１に記載した。
なお、合わせてシ−ト抵抗測定値も併記した。
共晶半田浴に5秒間浸漬し、引上げた後、半田によるパ
ッド面の濡れ面積の割合を求めた。この半田濡れ性は、
実用上、少なくとも90％以上であることが望ましい。接
着強度試験は、次のようにして行った。供試体のパッド
にＬ字型のＳｎメッキ銅線（直径0.8ｍｍ）をＰｂ−Ｓ
ｎ半田で接合し、該銅線をパッド面と垂直方向に引張
り、パッドと基板との接着部が破壊されたときの荷重を
接着強度として測定した。この接着強度試験は、接合直
後（初期接着強度）と接合後高温エ−ジング（150℃、1
00時間）した後とについて行った。これら接着強度は、
1.5Ｋｇ以上が好ましく、その点で判断した。以上の半
田濡れ性及び接着強度の各試験結果を表１に記載した。
なお、合わせてシ−ト抵抗測定値も併記した。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１から明らかなように、Ａｇ−Ｐｔ系導
体ペ−ストに、Ａｇ粉末とＰｔ粉末の合量に対しＭｎＯ
2粉末0.2〜2重量％及びＣｒ2Ｏ3粉末0.3〜3重量％配合
した実施例１〜７では、半田濡れ性が90％以上であり、
また、接着強度も、その初期強度並びに高温エ−ジング
後の強度共1.5Ｋｇ以上であり、該半田濡れ性、接着強
度のいずれも共に優れていることが理解できる。また、
シ−ト抵抗測定値が7.4ｍΩ／スクエア以下であり、こ
れも良好であることが理解できる。
体ペ−ストに、Ａｇ粉末とＰｔ粉末の合量に対しＭｎＯ
2粉末0.2〜2重量％及びＣｒ2Ｏ3粉末0.3〜3重量％配合
した実施例１〜７では、半田濡れ性が90％以上であり、
また、接着強度も、その初期強度並びに高温エ−ジング
後の強度共1.5Ｋｇ以上であり、該半田濡れ性、接着強
度のいずれも共に優れていることが理解できる。また、
シ−ト抵抗測定値が7.4ｍΩ／スクエア以下であり、こ
れも良好であることが理解できる。
【００２０】これに対して、ＭｎＯ2粉末及びＣｒ2Ｏ3
粉末を配合しない比較例１では、半田濡れ性が40％であ
り、また、接着強度も、その初期強度が0.9Ｋｇ、高温
エ−ジング後の強度が0.4Ｋｇであり、いずれも劣って
いた。また、ＭｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3を併用せず単独使用の
場合、例えば、Ｃｒ2Ｏ3粉末のみ配合した比較例２で
は、半田濡れ性、初期接着強度については満足する結果
が得られるものの、高温エ−ジング後の接着強度が0.9
Ｋｇと劣っており、また、ＭｎＯ2粉末のみ配合した比
較例４では、初期接着強度並びに高温エ−ジング後の接
着強度については満足する結果が得られるものの、半田
濡れ性が50％と劣っていた。更に、ＭｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3
を併用した場合であっても、ＭｎＯ2粉末の配合量が本
発明で規定する0.2〜2重量％の範囲外の3.0重量％であ
る比較例３やＣｒ2Ｏ3粉末の配合量が本発明で規定する
0.3〜3重量％の範囲外の4.0重量％である比較例５で
は、そのシ−ト抵抗測定値が10.1ｍΩ／スクエア、10.5
ｍΩ／スクエアであり、いずれも好ましいものではなか
った。
粉末を配合しない比較例１では、半田濡れ性が40％であ
り、また、接着強度も、その初期強度が0.9Ｋｇ、高温
エ−ジング後の強度が0.4Ｋｇであり、いずれも劣って
いた。また、ＭｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3を併用せず単独使用の
場合、例えば、Ｃｒ2Ｏ3粉末のみ配合した比較例２で
は、半田濡れ性、初期接着強度については満足する結果
が得られるものの、高温エ−ジング後の接着強度が0.9
Ｋｇと劣っており、また、ＭｎＯ2粉末のみ配合した比
較例４では、初期接着強度並びに高温エ−ジング後の接
着強度については満足する結果が得られるものの、半田
濡れ性が50％と劣っていた。更に、ＭｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3
を併用した場合であっても、ＭｎＯ2粉末の配合量が本
発明で規定する0.2〜2重量％の範囲外の3.0重量％であ
る比較例３やＣｒ2Ｏ3粉末の配合量が本発明で規定する
0.3〜3重量％の範囲外の4.0重量％である比較例５で
は、そのシ−ト抵抗測定値が10.1ｍΩ／スクエア、10.5
ｍΩ／スクエアであり、いずれも好ましいものではなか
った。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、Ａｇ−
Ｐｔ系ペ−ストに、ＭｎＯ2粉末及びＣｒ2Ｏ3粉末の所
定量を配合するものであり、これによって、ガラス成分
を多量に含む低温焼成セラミック基板の製造過程におい
て、その表面に該導体ペ−ストを用いて配線パタ−ンを
形成したとき、半田濡れ性及び接着強度の双方が格段に
向上する効果が生じ、また、シ−ト抵抗が低いものが得
られる効果が生ずる。そして、この半田濡れ性及び接着
強度の両特性は、電子回路形成の際の要となるものであ
り、従って、本発明により、回路の信頼性ひいては歩留
まりの向上に大いに役立つ導体ペ−ストを提供すること
ができる。
Ｐｔ系ペ−ストに、ＭｎＯ2粉末及びＣｒ2Ｏ3粉末の所
定量を配合するものであり、これによって、ガラス成分
を多量に含む低温焼成セラミック基板の製造過程におい
て、その表面に該導体ペ−ストを用いて配線パタ−ンを
形成したとき、半田濡れ性及び接着強度の双方が格段に
向上する効果が生じ、また、シ−ト抵抗が低いものが得
られる効果が生ずる。そして、この半田濡れ性及び接着
強度の両特性は、電子回路形成の際の要となるものであ
り、従って、本発明により、回路の信頼性ひいては歩留
まりの向上に大いに役立つ導体ペ−ストを提供すること
ができる。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01B 1/22 C04B 37/02 C09D 5/24 H05K 1/09
Claims (1)
- 【請求項１】 Ａｇ粉末、Ｐｔ粉末、ガラスフリット及
び有機質ビヒクルよりなるペ−ストに、Ａｇ粉末とＰｔ
粉末の合量に対しＭｎＯ2粉末0.2〜2重量％及びＣｒ2Ｏ
3粉末0.3〜3重量％配合してなることを特徴とする導体
ペ−スト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21477191A JP2965222B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 導体ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21477191A JP2965222B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 導体ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541110A JPH0541110A (ja) | 1993-02-19 |
| JP2965222B2 true JP2965222B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=16661267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21477191A Expired - Fee Related JP2965222B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 導体ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2965222B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11120818A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Tdk Corp | 導電体ペーストおよびそれを用いた非可逆回路素子 |
| AUPP798898A0 (en) * | 1998-12-31 | 1999-01-28 | Ceramic Fuel Cells Limited | Electrically conductive ceramics |
| WO2001056047A1 (fr) * | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Tdk Corporation | Reseau conducteur integre a une carte multicouche, carte multicouche a reseau conducteur integre et procede de fabrication de carte multicouche |
| DE102004037844A1 (de) | 2004-08-04 | 2006-02-23 | Epcos Ag | Halterung für eine elektrische Komponente |
| JP4826881B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-11-30 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、及び積層セラミック電子部品の製造方法、並びに積層セラミック電子部品 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP21477191A patent/JP2965222B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0541110A (ja) | 1993-02-19 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |